專利名稱：八個u型槽的板式pecvd特氣管路的控制結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及光伏領(lǐng)域，特別涉及一種板式PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)特氣管路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，八個U型槽的板式PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)鍍膜設(shè)備特氣管路設(shè)置如圖1所示，八個U型 槽分為兩組，每組包括四根U型槽，一組U型槽由一組控制器控制，每組控制器由一個NH3控制器和一個SiH4控制器組成，這種控制方式產(chǎn)生的單層膜采用橢偏儀測量所得結(jié)果為膜厚為88 μ m、折射率為2. 08，正常制絨、擴(kuò)散、刻蝕、印刷燒結(jié)后的效率為16. 60% ;且這種控制方式不利于氮化硅膜的雙層膜和多層膜的調(diào)試，不利于雙層氮化硅膜技術(shù)的應(yīng)用，無法進(jìn)行多層氮化硅膜技術(shù)的應(yīng)用，即使可以調(diào)節(jié)雙層膜，但這也嚴(yán)重影響PECVD的產(chǎn)量，成為制約批量生產(chǎn)的產(chǎn)能瓶頸，更無法進(jìn)行多層膜的調(diào)試，原有板式PECVD的特氣管路設(shè)備以無法滿足現(xiàn)行光伏工藝技術(shù)的發(fā)展速度。

實用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種保證PECVD產(chǎn)量的同時可以實現(xiàn)雙層膜和多層膜調(diào)試的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)。本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括八根U型槽和控制器，每組所述控制器由一個NH3控制器和一個SiH4控制器組成，所述控制器為三組或四組，每組所述控制器控制最多四根所述U型槽，當(dāng)一組所述控制器控制四根所述U型槽時，剩余的其他組所述控制器相應(yīng)分配控制剩余四根所述U型槽。上述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，每根U型槽僅能通過一組控制器控制。上述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括三組控制器，其中一組控制器控制四根U型槽，一組控制器控制三根U型槽，剩余一組控制器相應(yīng)控制一根U型槽。上述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括三組控制器，其中一組控制器控制四根U型槽，剩余每組控制器各控制兩根U型槽。上述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括四組控制器，每組控制器各控制兩根U型槽。上述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括四組控制器，其中兩組控制器各單獨控制一根U型槽，剩余兩組控制器各單獨控制三根U型槽。本實用新型的有益效果是通過不同的控制結(jié)構(gòu)對板式PECVD特氣管路進(jìn)行控制，在保證生產(chǎn)產(chǎn)量和設(shè)備可控性較好的情況下實現(xiàn)雙層膜和多層膜的試驗和量產(chǎn)推廣，可以使電池片的轉(zhuǎn)換效率提升O. 2% -O. 3%左右。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本實用新型八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)的實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本實用新型八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)的一種實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為本實用新型八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)的一種實施例3的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為本實用新型八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)的一種實施例4的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
結(jié)合附圖對本實用新型做進(jìn)一步的說明一種八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括八根U型槽和控制器，每組所述控制器由一個NH3控制器和一個SiH4控制器組成，每組控制器控制最多四根U型槽，當(dāng)一組控制器控制四根U型槽時，剩余的其他組控制器相應(yīng)分配控制剩余四根U型槽，每根U型槽僅能通過一組控制器控制。實施例1如圖2所示，八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括三組控制器，其中一組控制器控制四根U型槽，一組控制器控制三根U型槽，剩余一組控制器相應(yīng)控制一根U型槽，這種控制結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)有利于制作第一層膜較薄的雙層膜或具有多層結(jié)構(gòu)的漸進(jìn)膜，雙層膜通過橢偏儀進(jìn)行測量后的結(jié)果為膜厚84 μ m、折射率2. 08，正常制絨、擴(kuò)散、刻蝕、印刷燒結(jié)后的效率為16.80%，較之現(xiàn)有控制結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的單層膜的效率提升O. 2%;三層氮化硅膜通過橢偏儀進(jìn)行測量后的結(jié)果為膜厚82、折射率2. 09，正常制絨、擴(kuò)散、刻蝕、印刷燒結(jié)后的效率為16. 85%左右，較單層膜效率提高O. 25%。實施例2如圖3所示，八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括三組控制器，其中一組控制器控制四根U型槽，剩余每組控制器各控制兩根U型槽，這種控制結(jié)構(gòu)有利于制作雙層膜或漸進(jìn)膜。實施例3如圖4所示，八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括四組控制器，每組控制器各控制兩根U型槽，這種控制結(jié)構(gòu)有利于制作多層膜或漸進(jìn)膜。實施例4如圖5所示，八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括四組控制器，其中兩組控制器各單獨控制一根U型槽，剩余兩組控制器各單獨控制三根U型槽，這種控制結(jié)構(gòu)有利于制作漸進(jìn)膜，尤其是制作四層漸進(jìn)膜，四層漸進(jìn)膜通過橢偏儀進(jìn)行測量后的結(jié)果為膜厚80、折射率2. 10，正常制絨、擴(kuò)散、刻蝕、印刷燒結(jié)后的效率為16. 90%，較單層膜效率提聞O. 30%。[0027]上述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型創(chuàng)造所作的舉例，而并非對本實用新型創(chuàng)造具體實施方式
的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所引伸出的任何顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型創(chuàng)造權(quán)利要 求的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.一種八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括八根U型槽和控制器，每組所述控制器由一個NH3控制器和一個SiH4控制器組成，其特征在于，所述控制器為三組或四組，每組所述控制器控制最多四根所述U型槽，當(dāng)一組所述控制器控制四根所述U型槽時， 剩余的其他組所述控制器相應(yīng)分配控制剩余四根所述U型槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，其特征在于， 每根U型槽僅能通過一組控制器控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，其特征在于， 包括三組控制器，其中一組控制器控制四根U型槽，一組控制器控制三根U型槽，剩余一組控制器相應(yīng)控制一根U型槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，其特征在于， 包括三組控制器，其中一組控制器控制四根U型槽，剩余每組控制器各控制兩根U型槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，其特征在于， 包括四組控制器，每組控制器各控制兩根U型槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，其特征在于， 包括四組控制器，其中兩組控制器各單獨控制一根U型槽，剩余兩組控制器各單獨控制三根U型槽。
專利摘要本實用新型公開一種八個U型槽的板式PECVD特氣管路的控制結(jié)構(gòu)，包括八根U型槽和控制器，每組所述控制器由一個NH3控制器和一個SiH4控制器組成，所述控制器為三組或四組，每組所述控制器控制最多四根所述U型槽，當(dāng)一組所述控制器控制四根所述U型槽時，剩余的其他組所述控制器相應(yīng)分配控制剩余四根所述U型槽。本實用新型通過不同的控制結(jié)構(gòu)對板式PECVD特氣管路進(jìn)行控制，在保證生產(chǎn)產(chǎn)量和設(shè)備可控性較好的情況下實現(xiàn)雙層膜和多層膜的試驗和量產(chǎn)推廣，可以使電池片的轉(zhuǎn)換效率提升0.2％-0.3％左右。
文檔編號C30B25/14GK202881384SQ20122057540
公開日2013年4月17日 申請日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月2日
發(fā)明者何四紅, 龔長松 申請人:光為綠色新能源股份有限公司