專利名稱：一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及加熱裝置領(lǐng)域，更具體的說涉及一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其用于產(chǎn)生高頻磁場，以供加熱管能基于所產(chǎn)生的渦流而發(fā)熱。
背景技術(shù)：
目前在加熱領(lǐng)域，人們研究開發(fā)出了一種可以實現(xiàn)水電分離的電磁熱水管，諸如中國實用新型專利CN2713367Y，其將線圈緊繞在一段絕緣不導磁的水管外圈而組成一個螺旋管，并在該螺旋管內(nèi)設(shè)置加熱組件。如此，當往該線圈中通以高頻電流時，該螺旋管內(nèi)即產(chǎn)生高頻交變磁場，該加熱組件在高頻交變磁場的作用下產(chǎn)生潤流發(fā)熱，從而實現(xiàn)加熱的功效。但是，對于該高頻磁場如何產(chǎn)生和設(shè)置，則未給予具體公開，目前通常是采用線圈與現(xiàn)有技術(shù)中的高頻發(fā)生器直接相連的方式，如此具有成本高、容易損壞以及實際應(yīng)用效率低等缺陷。有鑒于此，本發(fā)明人針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷深入研究，遂有本案產(chǎn)生。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其可以用于產(chǎn)生高頻交變磁場，并且還具有結(jié)構(gòu)簡單和成本低的特點。為了達成上述目的，本實用新型的解決方案是:一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其中，包括濾波保護電路、電壓檢測電路、整流濾波模塊、CPU控制模塊以及用于產(chǎn)生電磁場的電磁場產(chǎn)生模塊，該濾波保護電路設(shè)置在整流濾波模塊與市電輸入之間，該電壓檢測電路與濾波保護電路相連而檢測市電的輸入電壓，并將檢測獲得的電壓信號輸送至CPU控制模塊，該電磁場產(chǎn)生模塊與整流濾波模塊和CPU控制模塊均相連。進一步，該電磁場產(chǎn)生模塊為單管電磁場發(fā)生器，其具有第一電容、自激振蕩電路、第一 IGBT管以及反饋檢測電路，該第一電容并聯(lián)設(shè)置在加熱模塊兩端，該第一電容通過整流濾波模塊與市電輸入相連，該CPU控制模塊與自激振蕩電路相連并將其產(chǎn)生PWM控制信號發(fā)送至自激振蕩電路，該第一 IGBT管和反饋檢測電路分別設(shè)置在自激振蕩電路與第一電容之間，該反饋檢測電路檢測加熱模塊是否與第一電容相連并將反饋信號發(fā)送至自激振蕩電路，該自激振蕩電路在加熱模塊已加載時產(chǎn)生自激并通過第一 IGBT管向并聯(lián)的第一電容和負載電感提供高頻信號。進一步，該單管電磁場發(fā)生器還包括第二 IGBT管和推挽電路，該第二 IGBT管亦與第一電容相連，該推挽電路設(shè)置在第一 IGBT管、第二 IGBT管與自激振蕩電路之間而使得第一 IGBT管和第二 IGBT管同時向并聯(lián)的第一電容和負載電感提供高頻信號。進一步，該反饋檢測電路為設(shè)置在第一 IGBT管和第二 IGBT管與自激振蕩電路之間的第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5，該第一反饋電阻R4用于反饋整流后的電源電壓，該第二反饋電阻R5用于反饋第一 IGBT管和第二 IGBT管的C極電壓，并在C極電壓過高時關(guān)閉第一 IGBT管和第二 IGBT管的驅(qū)動信號，該第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5還組成同步諧振頻率跟蹤信號反饋電路。進一步,該電磁場產(chǎn)生模塊為半波電磁場發(fā)生器,其具有第三IGBT管、第二電容、第四IGBT管、第三電容、38譯碼器以及具有互鎖和可調(diào)節(jié)驅(qū)動信號功能的功能芯片，該整流濾波模塊與市電輸入相連而形成直流輸入，該第三IGBT管、第二電容、第四IGBT管、第三電容以及加熱模塊一起組成H橋，該CPU控制模塊與功能芯片相連并還通過38譯碼器而調(diào)節(jié)功能芯片所輸出方波的頻率，該第三IGBT管的門極和第四IGBT管的門極與功能芯片相連而分別接收功能芯片所產(chǎn)生的互鎖方波。進一步，該半波電磁場發(fā)生器還包括負載頻率檢測電路以及IGBT驅(qū)動芯片，該IGBT驅(qū)動芯片設(shè)置在CPU控制模塊與功能芯片之間，該負載頻率檢測電路檢測諧振回路的頻率并將振蕩頻率反饋至CPU控制模塊，該CPU控制模塊則將通過IGBT驅(qū)動芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號以使系統(tǒng)維持在諧振點上。進一步，該電磁場產(chǎn)生模塊為全橋電磁場發(fā)生器，其具有第四電容、第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管、他激轉(zhuǎn)自激電路、第一鎖相環(huán)、相差控制比較器以及第二鎖相環(huán)，該整流濾波模塊與市電輸入相連而形成直流輸入，該第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管與第四電容和加熱模塊一起組成H橋，該CPU控制模塊通過他激轉(zhuǎn)自激電路而與第一鎖相環(huán)相連，該第一鎖相環(huán)的輸出與第五IGBT管的門極相連，該第一鎖相環(huán)的輸出還通過第一反相器而與第七IGBT管的門極相連；該第一鎖相環(huán)通過相差控制比較器而與第二鎖相環(huán)相連，該第二鎖相環(huán)的輸出與第六IGBT管的門極相連，該第二鎖相環(huán)的輸出還通過第二反相器而與第八IGBT管的門極相連。進一步，該全橋電磁場發(fā)生器還包括電流傳感器和過零比較器，該電流傳感器串接在第四電容和加熱模塊上，該電流傳感器將獲得的感測信號通過過零比較器而傳輸至第一鎖相環(huán)。進一步，該全橋電磁場發(fā)生器還包括相差控制調(diào)節(jié)功率電路，該相差控制調(diào)節(jié)功率電路連接在相差控制比較器與CPU控制模塊之間而改變相差控制比較器所輸入直流電平的大小。進一步，該電磁場產(chǎn)生模塊還包括溫度傳感器和水流傳感器，該溫度傳感器和水流傳感器均與CPU控制模塊相連。采用上述結(jié)構(gòu)后，本實用新型涉及的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，在濾波保護電路、整流濾波模塊的作用下，將市電輸入轉(zhuǎn)化成為電磁場產(chǎn)生模塊提供能量的直流電壓，該電磁場產(chǎn)生模塊則在CPU控制模塊的控制下而實現(xiàn)控制其內(nèi)部開關(guān)管的切換，進行產(chǎn)生可以供加熱模塊使用的高頻電流。

圖1為本實用新型涉及一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)第一較佳實施例的具體電路圖。圖2為本實用新型涉及一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)第二較佳實施例的具體電路圖。[0020]圖3為本實用新型涉及一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)第三較佳實施例的具體電路圖。圖中:電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)100電磁場產(chǎn)生模塊10、70、80第一電容11自激振蕩電路14第一 IGBT管15反饋檢測電路16第二 IGBT管17推挽電路18整流濾波模塊2CPU控制模塊3濾波保護電路4電壓檢測電路5保護電路6第三IGBT 管721第四IGBT管722第二電容731第三電容73238譯碼器75功能芯片76負載頻率 檢測電路 77IGBT驅(qū)動芯片 78第四電容82第五IGBT 管831第六 IGBT 管832第七IGBT 管833第八 IGBT 管834他激轉(zhuǎn)自激電路85第一鎖相環(huán)861第一反相器8611第二鎖相環(huán)862第二反相器8621相差控制比較器87相差控制調(diào)節(jié)功率電路871電流傳感器881過零比較器882加熱模塊200市電輸入300。
具體實施方式
為了進一步解釋本實用新型的實用新型，下面通過具體實施例來對本實用新型進行詳細闡述。本實用新型公開了一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)100，其包括濾波保護電路4、電壓檢測電路5、整流濾波模塊2、CPU控制模塊3以及用于產(chǎn)生電磁場的電磁場產(chǎn)生模塊10、70、80，該濾波保護電路4設(shè)置在整流濾波模塊2與市電輸入300之間，該電壓檢測電路5與濾波保護電路4相連而檢測市電的輸入電壓，并將檢測獲得的電壓信號輸送至CPU控制模塊3，該電磁場產(chǎn)生模塊10、70、80與整流濾波模塊2和CPU控制模塊3均相連。如此一旦市電輸入300出現(xiàn)異常情況而電壓過高時，該CPU控制模塊3會切斷后續(xù)操作如圖1所示，其為本實用新型第一較佳實施例的電路圖；其中該電磁場產(chǎn)生模塊10為單管電磁場發(fā)生器，其具有第一電容11、自激振蕩電路14、第一 IGBT管15以及反饋檢測電路16。該第一電容11并聯(lián)設(shè)置在加熱模塊200兩端，從而為加熱模塊200提供高頻變化電壓；該第一電容11通過整流濾波模塊2與市電輸入300相連，該整流濾波模塊2對市電輸入300進行整流濾波而為第一電容11提供直流能量供給。該CPU控制模塊3與自激振蕩電路14相連，該CPU控制模塊3會產(chǎn)生PWM控制信號，并將該PWM控制信號發(fā)送至自激振蕩電路14，從而起到調(diào)節(jié)加熱功率的作用；該第一IGBT管15和反饋檢測電路16分別設(shè)置在自激振蕩電路14與第一電容11之間，該反饋檢測電路16檢測加熱模塊200是否與第一電容11相連并將反饋信號發(fā)送至自激振蕩電路14，該自激振蕩電路14在加熱模塊200已加載時產(chǎn)生自激并通過第一 IGBT管15向第一電容11提供高頻信號。具體地，該反饋檢測電路16可以采用在正式啟動之前發(fā)出探測信號，并通過檢測某個端口的衰減情況來判斷，若衰減正常則由CPU控制模塊3控制而正常工作。這樣，本實用新型在CPU控制模塊3的控制下，并利用自激振蕩電路14產(chǎn)生IGBT管的驅(qū)動信號，如此通過高頻率地打開和關(guān)閉第一 IGBT管15，即可使得第一電容11兩端電壓產(chǎn)生高頻電壓，從而使得加熱模塊200中的線圈能獲得高頻磁場而產(chǎn)生加熱效果。更優(yōu)選地，該單管電磁場發(fā)生器還包括第二 IGBT管17和推挽電路18，如此可以降低IGBT管的反壓；該第二 IGBT管17亦與第一電容11相連而使第一電容11兩端產(chǎn)生高頻電壓，該推挽電路18則設(shè)置在第一 IGBT管15、第二 IGBT管17與自激振蕩電路14之間，從而使得第一 IGBT管15和第二 IGBT管17同時接受自激振蕩電路14的驅(qū)動信號，并向并聯(lián)的第一電容11和加熱模塊200提供高頻信號。對于該第一 IGBT管15和第二 IGBT管17，其均對應(yīng)設(shè)置有保護的電路，具體如圖1中的ZDl、R3以及ZD2和R2。請再參照圖1所示，該反饋檢測電路16為設(shè)置在第一 IGBT管15和第二 IGBT管17與自激振蕩電路14之間的第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5，該第一反饋電阻R4用于反饋整流后的電源電壓，該第二反饋電阻R5用于反饋第一 IGBT管15和第二 IGBT管17的C極電壓，即反壓，并在C極電壓過高時關(guān)閉IGBT管的驅(qū)動信號，其具體是通過第二反饋電阻R5反饋至比較器與標準電壓進行比較，當IGBT電壓過高時將直接關(guān)閉IGBT驅(qū)動。同時，第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5組成同步振蕩頻率跟蹤信號反饋電路；其具體是通過第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5反饋至比較器來監(jiān)控振蕩負載兩端電壓變化，來達到同步振蕩頻率跟蹤信號的效果。在本實施例中，本實用新型涉及的單管電磁場發(fā)生器還包括各種保護電路6，該保護電路6可以根據(jù)實際需要而進行設(shè)置，比如其可以為溫度傳感器、水流傳感器和電流互感器，該溫度傳感器和水流傳感器用于感測水流的溫度和水流量，如此可以給CPU控制模塊3信息，從而調(diào)整當前的加熱功率，進而達到自動化控制的功效，該電流互感器則可以對加熱實際情況進行反饋式控制，從而使實際加熱效果達到額定加熱功率；該各式保護電路6還可以包括過流、浪涌、EMC濾波以及能耗控制等保護電路6，具體則不一一闡述。結(jié)合圖1所示，本實施例的工作過程為:首先由CPU控制模塊3向自激振蕩模塊(OPEN 口)發(fā)送一個一定寬度高電平脈沖，然后由CPU控制模塊3對Count 口進行監(jiān)控，檢測其衰減狀況，若衰減異常，則使得OPEN 口一直被控制為低電平，關(guān)閉系統(tǒng)；若衰減正常(此時說明負載被正常加載)，則由CPU控制模塊3通過OPEN 口進行啟動；啟動后則由CPU控制模塊3進行PWM信號調(diào)整，從而改變驅(qū)動自激振蕩電路14產(chǎn)生諧振，最終達到加熱功率調(diào)整效果。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉，而且由于設(shè)置有反饋檢測電路16，如此可以自動檢測加熱模塊200是否安裝，并僅在安裝時產(chǎn)生高頻電壓，從而具有使用效率高的特點。如圖2所示，其為本實用新型第二較佳實施例的電路圖；其中，該電磁場產(chǎn)生模塊70為半波電磁場發(fā)生器，其包括第三IGBT管721、第二電容731、第四IGBT管722、第三電容732、38譯碼器75以及具有互鎖和可調(diào)節(jié)驅(qū)動信號功能的功能芯片76，在本實施例中，該功能芯片76采用的為SG3525。該整流濾波模塊2與市電輸入300相連，從而對市電進行整流濾波并形成直流輸入，該第三IGBT管721、第二電容731、第四IGBT管722、第三電容732以及加熱模塊200 —起組成H橋，如此該第三IGBT管721的發(fā)射極和集電極與第二電容731能與加熱模塊200形成回路，該第四IGBT管722的發(fā)射極、集電極與第三電容732與加熱模塊200形成回路；該CPU控制模塊73與功能芯片76相連并還通過38譯碼器75而調(diào)節(jié)功能芯片76所輸出方波的頻率，在CPU控制模塊73的控制下，通過該38譯碼器75之后，可以控制SG3525的RT管腳輸入阻抗大小，從而調(diào)節(jié)輸出方波的頻率；該第三IGBT管721的門極和第四IGBT管722的門極與功能芯片76相連而分別接收功能芯片76所產(chǎn)生的互鎖方波，由于該SG3525輸出的方波為互鎖，故其可以驅(qū)動第三IGBT管721和第四IGBT管722輪流互鎖導通，另外該兩個方波之間還設(shè)置有死區(qū)時間可調(diào)的死區(qū)，從而可以防止兩個IGBT管同時導通而燒毀。具體地，為了保護IGBT管，每一 IGBT管都設(shè)置有保護電路，如圖1所示，其中ZD2和R2以及ZDl和R3均是起到保護作用。本實用新型在CPU控制模塊3的控制下，利用功能模塊產(chǎn)生互鎖的兩個方波信號，如此，第三IGBT管721和第四IGBT管722會分時導通，從而使得加熱模塊200的兩端會產(chǎn)生高頻電壓，從而使得加熱模塊200中的線圈產(chǎn)生加熱效果。由于是采用IGBT管分時導通的方式，如此兩個IGBT管的反壓會比較小，使用壽命較長。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉；另外由于設(shè)置有38譯碼器75，如此可以實現(xiàn)對輸出方波的頻率進行調(diào)節(jié)，從而具有加熱功率調(diào)節(jié)方便的功效。如圖2所示，該半波電磁場發(fā)生器還包括負載頻率檢測電路77以及IGBT驅(qū)動芯片78，該負載頻率檢測電路77檢測諧振回路的頻率并將振蕩頻率反饋至CPU控制模塊3，該負載頻率檢測電路77具體是采用電流互感器的方式來實現(xiàn)，其檢測諧振回路的波形個數(shù)，從而將振蕩頻率反饋至CPU控制模塊3，該IGBT驅(qū)動芯片78設(shè)置在CPU控制模塊3與功能芯片76之間，該CPU控制模塊3則將通過IGBT驅(qū)動芯片78產(chǎn)生驅(qū)動信號，從而使系統(tǒng)始終維持在諧振點上。本實施例在工作之前,還包括啟動的步驟，如圖2所示,該CPU控制模塊3控制INT_CH端口輸出高電平，從而使得功能芯片76的使能端能被上電；同時再通過Duty端口輸出低電平，從而能輸出一定頻率的方波來啟動電路。如圖3所示，其為本實用新型第三較佳實施例的電路圖；其中，該電磁場產(chǎn)生模塊80為全橋電磁場發(fā)生器，包括第四電容82、第五IGBT管831、第六IGBT管832、第七IGBT管833、第八IGBT管834、他激轉(zhuǎn)自激電路85、第一鎖相環(huán)861、相差控制比較器87以及第二鎖相環(huán)862。該整流濾波模塊2與市電輸入300相連，從而對市電進行整流濾波而形成直流電壓輸入，該第五IGBT管831、第六IGBT管832、第七IGBT管833、第八IGBT管834與第四電容82和加熱模塊200 —起組成H橋，如此通過四個IGBT管的橋式開斷，使得通過整流濾波模塊2形成的直流電壓變成高頻方波，并加載到第四電容2和加熱模塊200上。該CPU控制模塊3通過他激轉(zhuǎn)自激電路85而與第一鎖相環(huán)861相連,該第一鎖相環(huán)861的輸出與第五IGBT管831的門極相連，該第一鎖相環(huán)861的輸出還通過第一反相器8611而與第七IGBT管833的門極相連，如此使得第五IGBT管831和第七IGBT管833之間呈互鎖狀態(tài)，即當?shù)谖錓GBT管831打開時，第七IGBT管833截止，當?shù)谖錓GBT管831截止時，第七IGBT管833打開。該第一鎖相環(huán)861還通過相差控制比較器87而與第二鎖相環(huán)862相連，該第二鎖相環(huán)862的輸出與第六IGBT管832的門極相連，該第二鎖相環(huán)862的輸出還通過第二反相器8621而與第八IGBT管834的門極相連，該第六IGBT管832與第八IGBT管834之間呈互鎖狀態(tài)，通過該相差控制比較器87可以讓第二鎖相環(huán)862的輸出與第一鎖相環(huán)61的輸出反向。這樣，本實用新型通過整流濾波模塊2與市電輸入300相連而形成直流輸入，然后在第五IGBT管831、第六IGBT管832、第七IGBT管833和第八IGBT管834所形成橋式開關(guān)的作用下，從而使得第四電容82兩端的電壓呈方波狀；該第一鎖相環(huán)861、相差控制比較器87以及第二鎖相環(huán)862則起到控制作用，從而確保四個IGBT管能順序?qū)?。如此與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案能準確地將直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻方波信號，并且具有結(jié)構(gòu)簡單、使用壽命長的特點。對于該他激轉(zhuǎn)自激電路85，其則是用于確保整個電磁場發(fā)生器能夠順利啟動，具體是由于電路啟動瞬間，電流反饋信號為0，第一鎖相環(huán)861內(nèi)部的壓控振蕩器始終處于最低頻率處振蕩，這樣在啟動時無法自動入鎖，故借助于他激轉(zhuǎn)自激電路85。具體地,在啟動電路時，CPU控制模塊3送入高電平至第一鎖相環(huán)861的壓控振蕩器的使能端，壓控振蕩器開始工作，同時CPU控制模塊3再送高電平給他激轉(zhuǎn)自激電路85并啟動之，此時隨著電容C9的充電，第一鎖相環(huán)861壓控振蕩器的控制端電壓升高，壓控振蕩器輸出頻率從最大值fmax下降到最小值fmin。如此,只奧負載的固有諧振頻率位于最大值fmax和最小值fmin之間，那么就會引起負載諧振，從而讓第一鎖相環(huán)861進行鎖定狀態(tài)；在本實施例中，二極管將轉(zhuǎn)換電路與濾波電路隔離，第一鎖相環(huán)61正常工作于無相差跟蹤狀態(tài)。另外，該全橋電磁場發(fā)生器還包括電流傳感器881和過零比較器882，該電流傳感器881串接在第四電容82和加熱模塊200上，從而感應(yīng)獲得負載電流，該電流傳感器881將獲得的感測信號通過過零比較器882而傳輸至第一鎖相環(huán)861 ;如此通過過零比較器882后，能產(chǎn)生與負載電流同頻同相的方波，當該方波被輸入至第一鎖相環(huán)861后，如此可以進一步確保第一鎖相環(huán)861和第二鎖相環(huán)862所產(chǎn)生的功率管驅(qū)動信號與負載電流是同頻同相的，也能保證在移相角一定的條件下，移相臂功率管的驅(qū)動控制信號與負載電流的相位關(guān)系，確保了負載頻率的自動跟蹤。為了能達到調(diào)整輸出功率的目的，該全橋電磁場發(fā)生器還包括相差控制調(diào)節(jié)功率電路871，該相差控制調(diào)節(jié)功率電路871連接在相差控制比較器87與CPU控制模塊3之間，而用于改變相差控制比較器87所輸入直流電平的大??；如此，如圖3所示，其充分了利用了第一鎖相環(huán)861在鎖定狀態(tài)時第6、7腳輸出的鋸齒波與輸入方波信號的穩(wěn)定相位關(guān)系,通過該相差控制調(diào)節(jié)功率電路871給出直流電平與鋸齒波在相位控制比較器處比較而產(chǎn)生移相信號，并將移相后的信號送入第二鎖相環(huán)862中，如此使得第一鎖相環(huán)861、相差控制比較器87與第二鎖相環(huán)862 —起構(gòu)成頻率跟蹤移相PWM控制電路，即通過調(diào)節(jié)相差控制調(diào)節(jié)功率電路871的輸出，即可達到移相PWM控制，最終達到調(diào)整輸出功率的目的。上述實施例和圖式并非限定本實用新型的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對其所做的適當變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本實用新型的專利范疇。
權(quán)利要求1.一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括濾波保護電路、電壓檢測電路、整流濾波模塊、CPU控制模塊以及用于產(chǎn)生電磁場的電磁場產(chǎn)生模塊，該濾波保護電路設(shè)置在整流濾波模塊與市電輸入之間，該電壓檢測電路與濾波保護電路相連而檢測市電的輸入電壓，并將檢測獲得的電壓信號輸送至CPU控制模塊，該電磁場產(chǎn)生模塊與整流濾波模塊和CPU控制模塊均相連。
2.如權(quán)利要求1所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電磁場產(chǎn)生模塊為單管電磁場發(fā)生器，其具有第一電容、自激振蕩電路、第一 IGBT管以及反饋檢測電路，該第一電容并聯(lián)設(shè)置在加熱模塊兩端，該第一電容通過整流濾波模塊與市電輸入相連，該CPU控制模塊與自激振蕩電路相連并將其產(chǎn)生PWM控制信號發(fā)送至自激振蕩電路，該第一 IGBT管和反饋檢測電路分別設(shè)置在自激振蕩電路與第一電容之間，該反饋檢測電路檢測加熱模塊是否與第一電容相連并將反饋信號發(fā)送至自激振蕩電路，該自激振蕩電路在加熱模塊已加載時產(chǎn)生自激并通過第一 IGBT管向并聯(lián)的第一電容和負載電感提供高頻信號。
3.如權(quán)利要求2所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該單管電磁場發(fā)生器還包括第二 IGBT管和推挽電路，該第二 IGBT管亦與第一電容相連，該推挽電路設(shè)置在第一 IGBT管、第二 IGBT管與自激振蕩電路之間而使得第一 IGBT管和第二 IGBT管同時向并聯(lián)的第一電容和負載電感提供高頻信號。
4.如權(quán)利要求3所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反饋檢測電路為設(shè)置在第一 IGBT管和第二 IGBT管與自激振蕩電路之間的第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5，該第一反饋電阻R4用于反饋整流后的電源電壓，該第二反饋電阻R5用于反饋第一IGBT管和第二 IGBT管的C極電壓，并在C極電壓過高時關(guān)閉第一 IGBT管和第二 IGBT管的驅(qū)動信號，該第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5還組成同步諧振頻率跟蹤信號反饋電路。
5.如權(quán)利要求1所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電磁場產(chǎn)生模塊為半波電磁場發(fā)生器，其具有第三IGBT管、第二電容、第四IGBT管、第三電容、38譯碼器以及具有互鎖和可調(diào)節(jié)驅(qū)動信號功能的功能芯片，該整流濾波模塊與市電輸入相連而形成直流輸入，該第三IGBT管、第二電容、`第四IGBT管、第三電容以及加熱模塊一起組成H橋，該(PU控制模塊與功能芯片相連并還通過38譯碼器而調(diào)節(jié)功能芯片所輸出方波的頻率，該第三IGBT管的門極和第四IGBT管的門極與功能芯片相連而分別接收功能芯片所產(chǎn)生的互鎖方波。
6.如權(quán)利要求5所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該半波電磁場發(fā)生器還包括負載頻率檢測電路以及IGBT驅(qū)動芯片，該IGBT驅(qū)動芯片設(shè)置在CPU控制模塊與功能芯片之間,該負載頻率檢測電路檢測諧振回路的頻率并將振蕩頻率反饋至CPU控制模塊，該CPU控制模塊則將通過IGBT驅(qū)動芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號以使系統(tǒng)維持在諧振點上。
7.如權(quán)利要求1所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電磁場產(chǎn)生模塊為全橋電磁場發(fā)生器，其具有第四電容、第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管、他激轉(zhuǎn)自激電路、第一鎖相環(huán)、相差控制比較器以及第二鎖相環(huán)，該整流濾波模塊與市電輸入相連而形成直流輸入，該第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管與第四電容和加熱模塊一起組成H橋，該CPU控制模塊通過他激轉(zhuǎn)自激電路而與第一鎖相環(huán)相連，該第一鎖相環(huán)的輸出與第五IGBT管的門極相連，該第一鎖相環(huán)的輸出還通過第一反相器而與第七IGBT管的門極相連；該第一鎖相環(huán)通過相差控制比較器而與第二鎖相環(huán)相連，該第二鎖相環(huán)的輸出與第六IGBT管的門極相連，該第二鎖相環(huán)的輸出還通過第二反相器而與第八IGBT管的門極相連。
8.如權(quán)利要求7所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該全橋電磁場發(fā)生器還包括電流傳感器和過零比較器，該電流傳感器串接在第四電容和加熱模塊上，該電流傳感器將獲得的感測信號通過過零比較器而傳輸至第一鎖相環(huán)。
9.如權(quán)利要求7所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該全橋電磁場發(fā)生器還包括相差控制調(diào)節(jié)功率電路，該相差控制調(diào)節(jié)功率電路連接在相差控制比較器與CPU控制模塊之間而改變相差控制比較器所輸入直流電平的大小。
10.如權(quán)利要求1所述的一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電磁場產(chǎn)生模塊還包括溫度傳感器和 水流傳感器，該溫度傳感器和水流傳感器均與CPU控制模塊相連。
專利摘要本實用新型公開一種電磁場發(fā)生器電路結(jié)構(gòu)，包括濾波保護電路、電壓檢測電路、整流濾波模塊、CPU控制模塊以及用于產(chǎn)生電磁場的電磁場產(chǎn)生模塊，該濾波保護電路設(shè)置在整流濾波模塊與市電輸入之間，該電壓檢測電路與濾波保護電路相連而檢測市電的輸入電壓，并將檢測獲得的電壓信號輸送至CPU控制模塊，該電磁場產(chǎn)生模塊與整流濾波模塊和CPU控制模塊均相連。本實用新型可以產(chǎn)生高頻電流，從而提供給加熱模塊使用。
文檔編號H05B6/06GK202998534SQ201220599120
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者林華鄉(xiāng), 許耀元, 張英彪 申請人:明達實業(yè)(廈門)有限公司