玻璃陶瓷基板及其制造方法
【專利摘要】對于在玻璃陶瓷基板上所形成的表面電極，實現(xiàn)了良好的鍍覆性，并且獲得高耐剝離強度。在成為最外層的玻璃陶瓷生片（11）上，形成含有金屬粉末和非玻璃質(zhì)的無機氧化物的第1糊劑膜（12），并在第1糊劑膜（12）上，以至少覆蓋第1糊劑膜（12）的平面方向的端部的方式，形成含有金屬粉末的第2糊劑膜（13a），然后對玻璃陶瓷生片（11）以及第1和第2糊劑膜（12和13a）進行燒成，得到表面電極，并在表面電極上形成鍍層。第2糊劑膜（13a）中的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的含量少于第1糊劑膜（12）。在表面電極的至少平面方向的端部中，與鍍層相接的區(qū)域的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率，少于與玻璃陶瓷層相接的區(qū)域。
【專利說明】玻璃陶瓷基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及玻璃陶瓷基板及其制造方法，特別涉及具有表面電極的玻璃陶瓷基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為玻璃陶瓷基板，例如，有構(gòu)成具備層疊的多個玻璃陶瓷層的層疊結(jié)構(gòu)的多層陶瓷基板的玻璃陶瓷基板。層疊結(jié)構(gòu)的玻璃陶瓷基板設(shè)置有各種配線導(dǎo)體。配線導(dǎo)體，例如構(gòu)成電容器或電感器(inductor )這樣的無源元件,或者進行元件間的電連接這樣的連接配線。
[0003]作為可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)的玻璃陶瓷基板內(nèi)部的配線導(dǎo)體，有沿著玻璃陶瓷層間的界面所形成的內(nèi)部電極，以及以貫通玻璃陶瓷層的方式而形成、并且用作層間連接導(dǎo)體的導(dǎo)通孔導(dǎo)體等。
[0004]另一方面，作為在玻璃陶瓷基板的表面、即朝向位于最外層的玻璃陶瓷層外側(cè)的表面上設(shè)置的配線導(dǎo)體，有表面電極。表面電極包括:為了與搭載于玻璃陶瓷基板表面上的電子部件連接而使用的表面電極；以及，為了與安裝玻璃陶瓷基板的母板連接而使用的表面電極。此外，就可搭載于玻璃陶瓷基板表面上的電子部件而言，例如有具備突起電極的部件、應(yīng)用引線接合的部件、具備要進行釬焊的面狀端子電極的部件等。
[0005]上述表面電極，通常是通過涂布在有機載體中分散導(dǎo)電性金屬粉末而成的導(dǎo)電性糊劑、并對其進行燒成而形成的。此處，就導(dǎo)電性糊劑的涂布而言，存在如下情形:采用在玻璃陶瓷層未燒成的階段實施導(dǎo)電性糊劑的涂布、并在燒成玻璃陶瓷層的同時進行導(dǎo)電性糊劑燒成的同時燒成方法的情形；以及，在燒結(jié)完成后的玻璃陶瓷層上涂布導(dǎo)電性糊劑，并專門對導(dǎo)電性糊劑進行燒成的情形。
[0006]無論哪種情形，如果表面電極相對于形成該表面電極的玻璃陶瓷層的接合強度不足，則會導(dǎo)致剝離的問題。如前所述，在采用同時燒成方法的情況下，通過在燒成工序中，從玻璃陶瓷層側(cè)向表面電極供給玻璃成分，可以期待接合強度的提高。
[0007]此外，作為可以提高表面電極接合強度的技術(shù)，例如有日本特開2000 - 173346號公報(專利文獻I)中記載的方案。在專利文獻I中，公開了一種與BaO — Al2O3 一 SiO2系陶瓷所形成的陶瓷層的密合性優(yōu)良的導(dǎo)電性糊劑。專利文獻I中記載的導(dǎo)電性糊劑，其特征在于，由Cu粉末、陶瓷粉末和有機載體構(gòu)成，并且陶瓷粉末滿足以下條件，即，(a)為選自Al2O3^SiO2和BaO中的至少一種，(b)平均粒徑為0.1~3.5 μ m，以及(c)相對于Cu粉末的添加量為I~15體積％。
[0008]根據(jù)上述專利文獻I中記載的導(dǎo)電性糊劑，在燒成工序中，陶瓷粉末起到了將陶瓷層中合成的玻璃成分吸上至表面電極的作用，因此陶瓷層與表面電極的界面呈現(xiàn)出復(fù)雜的形狀，結(jié)果產(chǎn)生了錨定(anchor)效果，表面電極相對于陶瓷層的接合強度提高。
[0009]一般而言，在使用導(dǎo)電 性糊劑進行絲網(wǎng)印刷等印刷而形成表面電極時，表面電極平面方向的端部受印刷垂落、印刷滲入等的影響，存在有厚度比平面方向的中央部變薄的傾向。因此，在使用專利文獻I中記載的導(dǎo)電性糊劑形成表面電極的情況下，陶瓷層中的玻璃成分被吸上至表面電極的結(jié)果是，特別是在表面電極比較薄的平面方向的端部，玻璃成分容易浮出至表面，有時會導(dǎo)致表面電極表面的導(dǎo)電性下降。
[0010]在通過燒成導(dǎo)電性糊劑而得到的表面電極上，通常形成鍍層。例如，在通過燒成含有Cu作為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性糊劑而得到的表面電極的情況下，例如，形成含有Ni鍍膜及其上的Au鍍膜的鍍層。然而，如上所述，如果玻璃成分浮出至表面電極的表面，則鍍覆性下降，其結(jié)果是鍍層相對于表面電極的耐剝離強度降低。特別是在表面電極的平面方向的端部，如果鍍覆性下降，則耐剝離強度顯著降低。
[0011]在先技術(shù)文獻
[0012]專利文獻
[0013]專利文獻1:日本特開2000 - 173346號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]發(fā)明要解決的問題
[0015]因此，本發(fā)明的目的在于，提供表面電極相對于玻璃陶瓷層的耐剝離強度以及鍍層相對于表面電極的耐剝離強度提高的玻璃陶瓷基板及其制造方法。
[0016]用于解決問題的方法
[0017]本發(fā)明首先著眼于具有玻璃陶瓷層、形成于玻璃陶瓷層上的表面電極和形成于表面電極上的鍍層的玻璃陶瓷基板。本發(fā)明的陶瓷基板，為了解決上述技術(shù)問題，其特征在于，在上述表面電極的至少平面方向的端部中，與鍍層相接的區(qū)域的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率，少于與玻璃陶瓷層相接的區(qū)域。
[0018]本發(fā)明還著眼于具有表面電極的玻璃陶瓷基板的制造方法。就本發(fā)明的玻璃陶瓷基板的制造方法而言，為了解決上述技術(shù)問題，其實施如下工序:在成為最外層的玻璃陶瓷生片上，涂布含有金屬粉末和非玻璃質(zhì)的無機氧化物的第I導(dǎo)電性糊劑，從而形成第I糊劑膜的工序；在第I糊劑膜上，以至少覆蓋第I糊劑膜的平面方向的端部的方式，涂布含有金屬粉末的第2導(dǎo)電性糊劑而形成第2糊劑膜的工序；和對玻璃陶瓷生片以及第I和第2糊劑膜進行燒成的工序。并且，其特征在于，作為第2導(dǎo)電性糊劑，使用非玻璃質(zhì)的無機氧化物的含量少于第I導(dǎo)電性糊劑的導(dǎo)電性糊劑。
[0019]在本發(fā)明的玻璃陶瓷基板的制造方法中，第2導(dǎo)電性糊劑可以以少于第I導(dǎo)電性糊劑的含量而含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物，但優(yōu)選不含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物。
[0020]此外，通過實驗確認第I導(dǎo)電性糊劑優(yōu)選含有相對于該導(dǎo)電性糊劑整體為7體積％以上的非玻璃質(zhì)的無機氧化物。
[0021]此外，第2糊劑膜優(yōu)選形成為僅覆蓋第I糊劑膜的平面方向的端部的框狀。
[0022]在本發(fā)明中，Al2O3有利地用作非玻璃質(zhì)的無機氧化物。
[0023]發(fā)明效果
[0024]根據(jù)本發(fā)明，可以獲得在表面電極的至少平面方向的端部中，與鍍層相接的區(qū)域的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率，少于與玻璃陶瓷層相接的區(qū)域的狀態(tài)，因此可以抑制玻璃在表面電極表面上的浮出，并由此可以確保良好的導(dǎo)電性、以及良好的鍍覆性。因此，形成于表面電極的鍍層的鍍覆性良好，并且可以提高鍍層相對于表面電極的耐剝離強度。
[0025]此外，根據(jù)本發(fā)明的玻璃陶瓷基板的制造方法，為了在成為最外層的玻璃陶瓷生片上形成第I糊劑膜而涂布的第I導(dǎo)電性糊劑，含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物，因此在所得的玻璃陶瓷基板中，能夠提高表面電極相對于玻璃陶瓷層的耐剝離強度。
[0026]在本發(fā)明的玻璃陶瓷基板的制造方法中，在第2導(dǎo)電性糊劑不含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物的情況下，能夠更可靠地抑制玻璃在表面電極的表面的浮起。
[0027]此外，如果第I導(dǎo)電性糊劑含有相對于該導(dǎo)電性糊劑整體為7體積％以上的非玻璃質(zhì)的無機氧化物，則可以進一步提高表面電極相對于玻璃陶瓷層的耐剝離強度。
[0028]此外，如果第2糊劑膜形成為僅覆蓋第I糊劑膜的平面方向的端部的框狀，則可以提高玻璃陶瓷基板的平坦性(共面性)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是表示由本發(fā)明的第I實施方式得到的玻璃陶瓷基板的剖面圖。
[0030]圖2是放大表示圖1所示的玻璃陶瓷基板的表面電極的剖面圖。
[0031]圖3是表示用于得到圖2所示的表面電極的第I和第2導(dǎo)電性糊劑的涂布方式的剖面圖。
[0032]圖4是表示本發(fā)明的第2實施方式的、與圖2相對應(yīng)的圖。
[0033]圖5是表示用于得到圖4所示的表面電極的第I和第2導(dǎo)電性糊劑的涂布方式的剖面圖。
[0034]圖6是表示在實驗例中采用的4種導(dǎo)電性糊劑的涂布方式(A)、(B)、(C)、(D)的圖。
【具體實施方式】
[0035]參照圖1，對通過本發(fā)明的第I實施方式而得到的玻璃陶瓷基板I進行說明。
[0036]玻璃陶瓷基板I構(gòu)成多層陶瓷基板，具有通過具備層疊的多個玻璃陶瓷層2而構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。玻璃陶瓷基板I可以設(shè)置各種配線導(dǎo)體。配線導(dǎo)體，例如構(gòu)成了電容器或電感器這樣的無源元件，或者進行元件間的電連接這樣的連接配線。配線導(dǎo)體包括:形成于玻璃陶瓷基板I的內(nèi)部的配線導(dǎo)體、和形成于外表面上的配線導(dǎo)體。
[0037]作為設(shè)置在玻璃陶瓷基板I內(nèi)部的配線導(dǎo)體，有沿著玻璃陶瓷層2間的界面所形成的內(nèi)部電極3，以及以貫通玻璃陶瓷層2的方式而形成、并且用作層間連接導(dǎo)體的導(dǎo)通孔導(dǎo)體4等。
[0038]另一方面，作為在玻璃陶瓷基板I的表面、即朝向位于最外層的玻璃陶瓷層2外側(cè)的表面上設(shè)置的配線導(dǎo)體，有表面電極5。表面電極5包括:為了與可搭載于玻璃陶瓷基板I的表面上的電子部件連接而使用的表面電極5 ;以及，為了與安裝玻璃陶瓷基板的母板(未圖示)連接而使用的表面電極5。在圖1中，圖示出例如半導(dǎo)體器件這樣具備突起電極6的電子部件7、以及例如片狀電容器這樣具備面狀的端子電極8的電子部件9。雖然未圖示，但是會搭載于玻璃陶瓷基板表面上的電子部件，除此之外，還有應(yīng)用引線接合的部件。
[0039]將上述表面電極5的剖面結(jié)構(gòu)示于圖2。如圖2所示，表面電極5形成于玻璃陶瓷層2上,并且在表面電極5上形成有鍍層10。表面電極5,例如,在通過燒成含有Cu作為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性糊劑而形成時，鍍層10例如含有Ni鍍膜以及其上的Au鍍膜。
[0040]表面電極5，是使用導(dǎo)電性糊劑，通過例如絲網(wǎng)印刷而形成的，因此，如圖2所呈現(xiàn)的那樣，表面電極5平面方向的端部受印刷垂落、印刷滲入等的影響，其厚度比平面方向的中央部變薄。以下，在參照圖3的同時，對包括表面電極5的形成方法在內(nèi)的玻璃陶瓷基板I的制造方法進行說明。
[0041]首先，準備會成為玻璃陶瓷層2的多個玻璃陶瓷生片。接著，為了使玻璃陶瓷生片根據(jù)需要而形成內(nèi)部電極3和表面電極5，印刷導(dǎo)電性糊劑，此外，為了形成導(dǎo)通孔導(dǎo)體4，而形成貫通孔，接著對貫通孔內(nèi)賦予導(dǎo)電性糊劑。
[0042]特別是，如果對表面電極5的形成進行詳細說明，則并分別準備含有金屬粉末和非玻璃質(zhì)的無機氧化物的第I導(dǎo)電性糊劑、以及含有金屬粉末的第2導(dǎo)電性糊劑。此處，第2導(dǎo)電性糊劑可以以少于第I導(dǎo)電性糊劑的含量而含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物，但優(yōu)選不含非玻璃質(zhì)的無機氧化物。此外，第I導(dǎo)電性糊劑優(yōu)選含有相對于該導(dǎo)電性糊劑整體為7體積％以上的非玻璃質(zhì)的無機氧化物。此外，作為上述金屬粉末，例如可以使用Cu粉末，作為非玻璃質(zhì)的無機氧化物，例如可以使用ai2o3。
[0043]接著，如圖3所示，在成為最外層的玻璃陶瓷層2的玻璃陶瓷生片11上涂布上述第I導(dǎo)電性糊劑，形成第I糊劑膜12。
[0044]接著，在第I糊劑膜12上，涂布上述第2導(dǎo)電性糊劑，形成第2糊劑膜13。第2糊劑膜13優(yōu)選比第I糊劑膜12薄。
[0045]接著，如上所述，與成為形成有第I糊劑膜12和第2糊劑膜13的最外層的玻璃陶瓷層2的玻璃陶瓷生片一起，將會成為最外層以外的玻璃陶瓷層2的玻璃陶瓷生片層疊，得到生片層疊體。
[0046]接著，對生片層疊體進行燒成。這時，將玻璃陶瓷生片11與第I糊劑膜12和第2糊劑膜13同時燒成。在該燒成過程中，與專利文獻I中記載的技術(shù)的情況相同，玻璃陶瓷生片中的玻璃成分被第I糊劑膜12中的非玻璃質(zhì)的無機氧化物吸上去。其結(jié)果是，在燒成后，玻璃陶瓷層2與表面電極5的界面呈復(fù)雜的形狀，產(chǎn)生了錨定效果，表面電極5相對于玻璃陶瓷層2的接合強度提高。特別是，當形成第I糊劑膜12的第I導(dǎo)電性糊劑，含有相對于該導(dǎo)電性糊劑整體為7體積％以上的非玻璃質(zhì)的無機氧化物時，上述提高接合強度的效果進一步提聞。
[0047]另一方面，如上所述被吸上去的玻璃成分，至少存在于第I糊劑膜12所占據(jù)的區(qū)域。特別是，由于在第I糊劑膜12的平面方向的端部處厚度變薄，因此玻璃成分可以浮出至第I糊劑膜12所占據(jù)的區(qū)域表面。然而，與第I糊劑膜12相比，覆蓋第I糊劑膜12的第2糊劑膜13的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的含量較少，因此上述玻璃成分難以向第2糊劑膜13供給。特別是在第2糊劑膜13不含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物時，可以更可靠地抑制上述玻璃成分的供給。
[0048]以上述方式操作，形成圖2所示的表面電極5。
[0049]接著，如圖2所示，在表面電極5上形成鍍層10。鍍層10的形成可以應(yīng)用非電解電鍍和電解電鍍中的任一種。此外，鍍層I例如由Ni鍍膜和其上的Au鍍膜構(gòu)成。
[0050]以上述方式操作，完成玻璃陶瓷基板I。如圖1所示，朝向該玻璃陶瓷基板I的圖的上方的表面電極5，連接有電子部件7和9。此外，朝向下方的表面電極5，可以用于連接安裝該玻璃陶瓷基板I的母板(未圖示)。
[0051]如圖2所示，表面電極5呈如下狀態(tài):來自上述第I糊劑膜12的區(qū)域與來自第2糊劑膜13的區(qū)域的邊界并不明顯，與鍍層10相接的區(qū)域14的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率，少于與玻璃陶瓷層2相接的區(qū)域15。因此，就表面電極5的表面而言，可以抑制玻璃的浮出，其結(jié)果是，可以確保良好的導(dǎo)電性、以及良好的鍍覆性。因此，在表面電極5上形成的鍍層10的鍍覆性良好，可以提高鍍層10相對于表面電極5的耐剝離強度。
[0052]接著，參照圖4和圖5，對本發(fā)明的第2實施方式進行說明。圖4和圖5分別是與圖2和圖3相對應(yīng)的圖。在圖4和圖5中，對相當于圖2和圖3所示要素的要素賦予相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。
[0053]在第2實施方式中，如圖5所示，其特征在于，第2糊劑膜13a形成為僅覆蓋第I糊劑膜12平面方向的端部的框狀。第I糊劑膜12和第2糊劑膜13a的平面形狀與后述圖6 (C)所示的形狀相當。
[0054]根據(jù)第2實施方式，由于第2糊劑膜13a形成為框狀，因此表面電極5a中的、來自第2糊劑膜13a的平面方向的端部區(qū)域處，非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率相對變少。因此，如圖4所示，表面電極5a呈如下狀態(tài):在平面方向的端部中，與鍍層10相接的區(qū)域14a的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率，少于與玻璃陶瓷層2相接的區(qū)域15。
[0055]如前所述，受印刷垂落、印刷滲入等的影響，第I糊劑膜12的平面方向的端部存在厚度比平面方向的中央部變薄的傾向。因此，玻璃陶瓷生片11中的玻璃成分被吸上至第I糊劑膜12，其結(jié)果是，特別是在第I糊劑膜12較薄的平面方向的端部，玻璃成分容易浮出至表面。換句話說，在第I糊劑膜12的平面方向的中央部，不會產(chǎn)生玻璃成分浮出至表面的情況。
[0056]因此，如第2實施方式所述，只要第2糊劑膜13a形成為僅覆蓋第I糊劑膜12的平面方向的端部的框狀，即，只要在表面電極5a的平面方向的端部能夠抑制玻璃的浮出，就能夠以表面電極5a整體上確保良好的導(dǎo)電性以及鍍覆性。因此，即使通過第2實施方式，也能夠在表面電極5a上形成鍍層10時,使鍍層10相對于表面電極5a而表現(xiàn)出高耐剝離強度。
[0057]此外，如第2實施方式所述，如果第2糊劑膜13a形成為僅覆蓋第I糊劑膜12平面方向的端部的框狀，則能夠提高所得的玻璃陶瓷基板的平坦性(共面性)。對此，在下文中進行更詳細的說明。
[0058]以基板產(chǎn)生起伏的現(xiàn)象為代表的基板共面性的下降，是因為在燒成時基板隨著電極的收縮被拉拽而產(chǎn)生的。如果電極中的非玻璃質(zhì)的無機氧化物(例如，Al2O3)的量少，則電極比基板更快地收縮，并且收縮量變大，因此，基板隨著電極的收縮而被拉拽，結(jié)果基板產(chǎn)生起伏。
[0059]因此，假設(shè)，當構(gòu)成第I糊劑膜12的第I導(dǎo)電性糊劑不含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物時，不僅陶瓷與電極之間的接合變?nèi)?，而且共面性也變差?br> [0060]此外，如第I實施方式所示，在第I糊劑膜12的整個面上形成有非玻璃質(zhì)的無機氧化物相對較少的第2糊劑膜13的情況下，由于形成第2糊劑膜13的第2導(dǎo)電性糊劑的涂布量(或平面方向的面積)變大，因此引起第2導(dǎo)電性糊劑的收縮，共面性容易惡化。
[0061]與此相對，如第2實施方式所示，在由第2導(dǎo)電性糊劑形成的糊劑膜13a僅形成為框狀的情況下，由于第2導(dǎo)電性糊劑的涂布量(或平面方向的面積)小，因此難以受到第2導(dǎo)電性糊劑收縮的影響，結(jié)果可以提高共面性。
[0062]以上，使本發(fā)明與層疊結(jié)構(gòu)的玻璃陶瓷基板、即多層陶瓷基板相結(jié)合而進行了說明，但本發(fā)明也可以適用于單層結(jié)構(gòu)的玻璃陶瓷基板，即僅具備I層玻璃陶瓷層、形成于其上的表面電極和形成于表面電極上的鍍層的玻璃陶瓷基板。
[0063]接著，對用來確認本發(fā)明效果而實施的實驗例進行說明。
[0064][實驗例]
[0065]將Si02、BaC03、Al203、Ce02、Zr02、Ti02和Nb2O5各粉末作為起始原料粉末，經(jīng)過濕式混合粉碎和干燥，對所得的混合物進行煅燒，得到煅燒粉末。
[0066]接著，向上述煅燒粉末中加入MnCO3粉末、適量的有機粘合劑、分散劑和增塑劑，對它們進行混合粉碎處理，得到陶瓷漿料。
[0067]接著，通過刮刀法將陶瓷漿料成形為片狀，進行干燥，得到玻璃陶瓷生片。
[0068]接著，將所得的玻璃陶瓷生片切割成規(guī)定的尺寸，并將切割出的多個玻璃陶瓷生片層疊，實施熱壓接，得到厚度約為600 μ m的生片層疊體。
[0069]另一方面，準備具有表1所示的體積比率，并且含有作為金屬粉末的Cu粉末、作為非玻璃質(zhì)的無機氧化物的Al2O3、和有機載體的導(dǎo)電性糊劑P — I~P — 8。
[0070][
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃陶瓷基板，其具有玻璃陶瓷層、形成于所述玻璃陶瓷層上的表面電極和形成于所述表面電極上的鍍層， 就所述表面電極而言，至少在平面方向的端部中，與所述鍍層相接的區(qū)域的非玻璃質(zhì)的無機氧化物的存在比率，少于與所述玻璃陶瓷層相接的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃陶瓷基板，其中，所述非玻璃質(zhì)的無機氧化物為Al2O315
3.一種玻璃陶瓷基板的制造方法，所述玻璃陶瓷基板具有表面電極， 所述制造方法具備: 在成為最外層的玻璃陶瓷生片上，涂布含有金屬粉末和非玻璃質(zhì)的無機氧化物的第I導(dǎo)電性糊劑，從而形成第I糊劑膜的工序、 在所述第I糊劑膜上，以至少覆蓋所述第I糊劑膜的平面方向的端部的方式，涂布含有金屬粉末的第2導(dǎo)電性糊劑而形成第2糊劑膜的工序、和 對所述玻璃陶瓷生片以及所述第I和第2糊劑膜進行燒成的工序， 作為所述第2導(dǎo)電性糊劑，使用非玻璃質(zhì)的無機氧化物的含量少于所述第I導(dǎo)電性糊劑的導(dǎo)電性糊劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的玻璃陶瓷基板的制造方法，其中，所述第2導(dǎo)電性糊劑不含有非玻璃質(zhì)的無機氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的玻璃陶瓷基板的制造方法，其中，所述第I導(dǎo)電性糊劑含有相對于該導(dǎo)電性糊劑整體為7體積％以上的非玻璃質(zhì)的無機氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的玻璃陶瓷基板的制造方法，其中，所述第2糊劑膜形成為僅覆蓋所述第I糊劑膜的平面方向的端部的框狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6中任一項所述的玻璃陶瓷基板的制造方法，其中，所述非玻璃質(zhì)的無機氧化物為Al2O3。
【文檔編號】H05K3/46GK103477727SQ201280015752
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月28日
【發(fā)明者】若木純代, 鷲見高弘, 元家真知子 申請人:株式會社村田制作所