微波處理裝置制造方法
【專利摘要】微波處理裝置具有：振蕩部（12）；功率放大部（13）；加熱室（14），其收納被加熱物（18）；供電部（15），其配置于加熱室（14）的壁面，被傳輸有微波產(chǎn)生部的輸出，并將該微波放射而提供到加熱室（14）內(nèi)；以及，功率檢測(cè)部（16），其檢測(cè)從供電部（15）反射到功率放大部（13）的功率，使用反射功率的極小點(diǎn)頻率的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)來決定多個(gè)加熱頻率，在規(guī)定的單位時(shí)間內(nèi)進(jìn)行頻率跳變加熱。
【專利說明】微波處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及微波處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為這種微波處理裝置，關(guān)于被加熱部的均勻加熱方面提出了各種技術(shù)。關(guān)于多重供電，提出了如下高頻加熱裝置:通過利用電磁線圈(solenoid)等構(gòu)成的滑動(dòng)單元交替地關(guān)閉兩個(gè)供電口，使由磁控管(magnetron)產(chǎn)生的微波的模式連續(xù)地變化(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]此外，提出了具有如下特征的高頻加熱裝置:對(duì)腔室(cavity)壁面設(shè)置用于使被加熱物與底面之間的接觸面積減小的凹凸部(例如，參照專利文獻(xiàn)2 )。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本國特開昭59-029397號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本國特開2003-307317號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問題
[0009]現(xiàn)有的高頻加熱裝置通過追加攪拌風(fēng)扇(stirrer fan)、旋轉(zhuǎn)臺(tái)、旋轉(zhuǎn)天線等機(jī)構(gòu)部件，來攪拌入射到加熱室的微波。
[0010]此外，在上述專利文獻(xiàn)I中，通過在多個(gè)部位進(jìn)行供電的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)微波的集中和擴(kuò)散，另一方面，在上述專利文獻(xiàn)2中，通過將腔室壁面形狀設(shè)為凹凸的結(jié)構(gòu)，來實(shí)現(xiàn)微波的集中和擴(kuò)散。
[0011]但是，由于上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)部件的追加、供電部位的追加和腔室壁面的加工，產(chǎn)生加熱室的容積減小的弊端，而且還存在成本增加的趨勢(shì)，從而得到與設(shè)備的小型化和低成本化的要求相反的結(jié)果。
[0012]本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有的問題，提供一種微波處理裝置，其在無需進(jìn)行機(jī)構(gòu)部件的追加和加工的情況下，實(shí)現(xiàn)了均勻加熱。
[0013]用于解決問題的手段
[0014]為了解決上述現(xiàn)有的問題，本發(fā)明的微波處理裝置具有:加熱室，其收納被加熱物；振蕩部，其輸出加熱頻率的源信號(hào)；功率放大部，其使用了對(duì)所述振蕩部的輸出進(jìn)行功率放大的半導(dǎo)體元件；供電部，其將所述功率放大部的輸出提供給所述加熱室；功率檢測(cè)部，其檢測(cè)從所述功率放大部提供給所述供電部的入射功率和從所述供電部反射到所述功率放大部的反射功率；以及控制部，其控制所述振蕩部的振蕩頻率和所述功率放大部，所述供電部至少配置于構(gòu)成所述加熱室的壁面，所述控制部在加熱動(dòng)作開始前使所述功率放大部進(jìn)行低輸出動(dòng)作，在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)使所述振蕩部的振蕩頻率發(fā)生變化，檢測(cè)由所述功率檢測(cè)部檢測(cè)到的反射功率，通過使用所述檢測(cè)出的反射功率的極小點(diǎn)頻率的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)，決定所述振蕩部的多個(gè)加熱頻率，針對(duì)所述多個(gè)加熱頻率，在規(guī)定的單位時(shí)間內(nèi)進(jìn)行頻率跳變加熱。
[0015]由此，能夠進(jìn)行加熱分布的時(shí)間擴(kuò)散，具有防止對(duì)被加熱物局部加熱的效果。
[0016]此外，所述控制部在使用了所述提取出的反射功率的極小點(diǎn)頻率中的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)的微波加熱中，通過乘上基于與提取出的多個(gè)頻率相關(guān)的檢測(cè)功率信息的時(shí)間系數(shù)，將針對(duì)被加熱物的每一頻率的入射功率控制為大致相等。
[0017]由此，雖然選擇出的各頻率中的反射功率、即入射到被加熱物的功率強(qiáng)度不同，但是通過使用了所述各頻率的時(shí)間系數(shù)的加權(quán)加熱，使得每一頻率的負(fù)載入射功率變得大致相等，因此，實(shí)現(xiàn)了均勻加熱下的完成質(zhì)量的進(jìn)一步提聞。
[0018]此外，這是對(duì)單一供電或者多重供電均有效的技術(shù)，尤其是在不具有微波攪拌機(jī)構(gòu)的單一供電方式的微波處理裝置中，防止加熱不均的效果較高。
[0019]發(fā)明效果
[0020]本發(fā)明的微波處理裝置通過使用了反射功率較小的多個(gè)頻率的頻率跳變加熱，在不增加旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)和加熱室容積的情況下，使加熱室內(nèi)的加熱分布發(fā)生變化，僅通過系統(tǒng)控制就實(shí)現(xiàn)了被加熱部的均勻加熱。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I的微波處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0022]圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式I的微波處理裝置的功率檢測(cè)特性圖。
[0023]圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式I的微波處理裝置的功率檢測(cè)特性圖。
[0024]圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式I的微波處理裝置的功率檢測(cè)特性圖。
[0025]圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式I的微波處理裝置的控制流程圖。
[0026]圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式I的微波處理裝置的控制流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]第I發(fā)明具有:加熱室，其收納被加熱物；振蕩部,其輸出加熱頻率的源信號(hào)；功率放大部，其使用了對(duì)所述振蕩部的輸出進(jìn)行功率放大的半導(dǎo)體元件；供電部，其將所述功率放大部的輸出提供給所述加熱室；功率檢測(cè)部，其檢測(cè)從所述功率放大部提供給所述供電部的入射功率和從所述供電部反射到所述功率放大部的反射功率；以及控制部，其控制所述振蕩部的振蕩頻率和所述功率放大部，所述供電部至少配置于構(gòu)成所述加熱室的壁面，所述控制部在加熱動(dòng)作開始前使所述功率放大部進(jìn)行低輸出動(dòng)作，在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)使所述振蕩部的振蕩頻率發(fā)生變化，檢測(cè)由所述功率檢測(cè)部檢測(cè)到的反射功率，通過使用所述檢測(cè)出的反射功率的極小點(diǎn)頻率的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)，決定多個(gè)所述振蕩部的加熱頻率，針對(duì)所述多個(gè)加熱頻率，在規(guī)定的單位時(shí)間內(nèi)進(jìn)行頻率跳變加熱。由此，具有如下作用:在不追加攪拌風(fēng)扇等微波攪拌機(jī)構(gòu)的情況下，僅通過系統(tǒng)控制來使加熱室的微波加熱分布發(fā)生改變，消除了因微波局部集中于被加熱物而引起的加熱不均。
[0028]因此，不需要機(jī)構(gòu)部件的追加和加工，不會(huì)產(chǎn)生犧牲加熱室容積的弊端，而且完全不會(huì)產(chǎn)生部件成本，因此能夠不提高成本地獲得所述作用。此外，尤其是在不具有攪拌機(jī)構(gòu)的單一供電部結(jié)構(gòu)的微波處理裝置中，通常很難使加熱分布發(fā)生變化，因此上述結(jié)構(gòu)對(duì)加熱分布的擴(kuò)散的效果較大。
[0029]第2發(fā)明是:尤其是在第I發(fā)明中，控制部針對(duì)根據(jù)從所述功率放大部提供給所述供電部的入射功率和從所述供電部反射到所述功率放大部的反射功率而計(jì)算出的入射反射功率比，設(shè)定規(guī)定的閾值，從所述閾值以下的范圍中選擇所述反射功率即所述入射反射功率比小的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)，作為在頻率跳變加熱中使用的加熱頻率。由此，實(shí)現(xiàn)了被加熱物的高效率的加熱。
[0030]第3發(fā)明是:尤其是在第I發(fā)明中，控制部根據(jù)基于多個(gè)加熱頻率各自的檢測(cè)功率信息的時(shí)間系數(shù)，來決定頻率跳變的每一周期中各加熱頻率的加熱時(shí)間。由此，反射功率越小、即被被加熱物吸收的功率越大的加熱頻率，則加熱時(shí)間短，反射功率越大、即被被加熱物吸收的功率越小的加熱頻率，則加熱時(shí)間越長，由此，每個(gè)加熱頻率被被加熱物的功率變得大致相等，防止了被加熱物的局部加熱。
[0031 ] 第4發(fā)明是:尤其是在第3發(fā)明中，控制部在使用了基于多個(gè)加熱頻率各自的檢測(cè)功率信息的時(shí)間系數(shù)的頻率跳變加熱中，將各加熱頻率的負(fù)載入射功率控制為大致相等。由此，實(shí)現(xiàn)了高精度的均勻加熱。
[0032]以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，本發(fā)明不受該實(shí)施方式限定。
[0033](實(shí)施方式I)
[0034]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I中的微波處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0035]在圖1中，微波產(chǎn)生部11由振蕩部12、功率放大部13、供電部15、功率檢測(cè)部16和控制部17構(gòu)成，其中，振蕩部12是使用半導(dǎo)體元件構(gòu)成的，功率放大部13是使用對(duì)振蕩部12的輸出進(jìn)行功率放大的半導(dǎo)體元件構(gòu)成的,供電部15將由功率放大部13放大后的微波輸出而放射到加熱室14內(nèi)，功率檢測(cè)部16插在連接功率放大部13與供電部15的微波傳輸路徑上，對(duì)從供電部15反射到功率放大部13的功率和從功率放大部13提供給供電部15的入射功率進(jìn)行檢測(cè)，控制部17根據(jù)由功率檢測(cè)部16檢測(cè)出的入射功率和反射功率來控制功率放大部13。
[0036]此外，本實(shí)施方式I的微波處理裝置具有由收納被加熱物18的大致長方體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的加熱室14，加熱室14由金屬材料構(gòu)成的左壁面、右壁面、底壁面、頂壁面、內(nèi)壁面、和進(jìn)行開閉以收納被加熱物18的開閉門(未圖示)以及對(duì)被加熱物18進(jìn)行載置的載置臺(tái)19構(gòu)成，并構(gòu)成為將所提供的微波封閉在內(nèi)部。而且，構(gòu)成加熱室14的壁面配置有供電部15，該供電部15被傳輸了微波產(chǎn)生部11的輸出，并將該微波放射而提供到加熱室14內(nèi)。在本實(shí)施方式中，示出了將供電部15配置于加熱室14的底面的圖，但是該供電部的配置不限于本實(shí)施方式，而可以配置于構(gòu)成加熱室14的任意一個(gè)壁面。
[0037]在功率放大部13中，利用在由低介電損失材料構(gòu)成的電介質(zhì)基板的單面上形成的導(dǎo)電體圖案來構(gòu)成電路，為了使作為放大元件的半導(dǎo)體元件良好地進(jìn)行動(dòng)作，在各半導(dǎo)體元件的輸入側(cè)和輸出側(cè)，分別配置有匹配電路。
[0038]在連接各個(gè)功能塊的微波傳輸路徑中，通過設(shè)置于電介質(zhì)基板的單面的導(dǎo)電體圖案，形成特性阻抗為大致50 Ω的傳輸電路。此外，功率檢測(cè)部16用于提取從加熱室14側(cè)傳輸?shù)焦β史糯蟛?3側(cè)的所謂反射波的功率和從功率放大部13側(cè)傳輸?shù)郊訜崾?4側(cè)的所謂入射功率，提取出功率耦合度為例如大約-40dB且反射功率和入射功率的大約1/10000的功率。該功率信號(hào)分別由檢波二極管(未圖示)進(jìn)行整流、由電容器(未圖示)進(jìn)行平滑處理，其輸出信號(hào)被輸入到控制部17。
[0039]控制部17根據(jù)使用者直接輸入的被加熱物18的加熱條件或者在加熱中基于被加熱物18的加熱狀態(tài)而得到的加熱信息以及由功率檢測(cè)部16得到檢測(cè)信息，對(duì)分別提供給作為微波產(chǎn)生部11的構(gòu)成要素的振蕩部12和功率放大部13的驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)行控制，對(duì)收納在加熱室14內(nèi)的被加熱物18進(jìn)行最優(yōu)加熱。此外，在微波產(chǎn)生部11中配置有散熱單元(未圖示)，該散熱單元對(duì)主要在功率放大部13中具有的半導(dǎo)體元件的發(fā)熱進(jìn)行散熱。
[0040]圖2?圖4是說明極小點(diǎn)頻率的提取方法的功率檢測(cè)特性圖。各個(gè)圖是對(duì)收納有不同被加熱物的加熱室14提供微波時(shí)的代表例，各曲線表示對(duì)于微波產(chǎn)生部11產(chǎn)生的頻帶例如2400?2500MHz，以百分比示出控制部17根據(jù)功率檢測(cè)部16檢測(cè)出的信號(hào)而運(yùn)算出的、反射功率(Pr)相對(duì)于入射功率(Pf)的比例。即，圖2?圖4的各曲線示出了反射功率(Pr)/入射功率(Pf)比21?反射功率(Pr)/入射功率(Pf)比23。此外，在各圖中，以虛線示出規(guī)定的閾值25的級(jí)別。
[0041]圖2示出了在低于閾值25的Pr/Pf的區(qū)域中存在多個(gè)極小點(diǎn)的情況。在圖2的情況下，極小點(diǎn)頻率按照升序設(shè)定為Π1、Π2、Π3，并將這些頻率設(shè)定為在本發(fā)明的頻率跳變加熱中使用的加熱頻率。
[0042]圖3示出了在低于閾值25的Pr/Pf的區(qū)域中僅存在一個(gè)極小點(diǎn)的情況。在圖3的情況下，設(shè)極小點(diǎn)頻率為f21，針對(duì)Pr/Pf特性曲線與閾值直線的交點(diǎn)，分別設(shè)低頻率側(cè)為f22，設(shè)高頻側(cè)為f23，并選擇這些頻率作為在本發(fā)明的頻率跳變加熱中使用的加熱頻率。
[0043]圖4示出了在低于閾值25的Pr/Pf的區(qū)域中不存在極小點(diǎn)的情況。在圖4的情況下，設(shè)振蕩頻率的最低頻率為f31，設(shè)最低頻率與最高頻率的中點(diǎn)頻率為f32，設(shè)最高頻率為f33，并選擇這些頻率作為在本發(fā)明的頻率跳變加熱中使用的加熱頻率。
[0044]以下，參照?qǐng)D5和圖6，對(duì)如上構(gòu)成的微波處理裝置的動(dòng)作和作用進(jìn)行說明。
[0045]首先，將被加熱物18收納于加熱室14，從操作部(未圖示)進(jìn)行加熱條件輸入，向控制部17發(fā)送加熱開始信號(hào)(步驟S11)。然后，控制部17根據(jù)由步驟Sll發(fā)送來的信息，使驅(qū)動(dòng)電源(未圖示)進(jìn)行動(dòng)作，對(duì)振蕩部12提供電力(步驟S12)。
[0046]在接下來的步驟S13中，將振湯部12的振湯頻率設(shè)為最低頻率，提供設(shè)定為例如2400MHz的電壓信號(hào)，開始振蕩，并且之后控制驅(qū)動(dòng)電源，使功率放大部13進(jìn)行動(dòng)作。此時(shí)，從功率放大部13輸出第I輸出功率例如IOW以下的微波。在接下來的步驟S14中，通過功率檢測(cè)部16檢測(cè)提供給供電部15的入射功率(Pf )和從供電部15返回到功率檢測(cè)部16的反射功率(Pr)，將該檢測(cè)值保存到控制部17。在接下來的步驟S15中，判別振蕩頻率是否達(dá)到最高頻率例如2500MHz。在未達(dá)到2500MHz的情況下，進(jìn)入步驟S19，將振蕩頻率加上規(guī)定的掃描頻率間距量例如1MHz，然后以更新后的振蕩頻率輸出微波，再次進(jìn)入步驟S14和步驟S15。在達(dá)到2500MHz的情況下，進(jìn)入步驟S16，停止基于第I輸出功率的微波輸出。
[0047]在接下來的步驟S17中，根據(jù)由控制部17保存的各頻率的入射功率(Pf)和反射功率(Pr)的檢測(cè)值，計(jì)算以頻率為變量的Pr/Pf特性。在該P(yáng)r/Pf特性中，設(shè)單位為百分比:％，且意味著該值越小則被加熱物18所吸收的功率越大，因而從供電部15返回到功率檢測(cè)部16的反射功率越小，對(duì)被加熱物18的加熱效率越高。另一方面，在Pr/Pf較大的情況下，意味著被加熱物18所吸收的功率減小，因而從供電部15返回到功率檢測(cè)部16的反射功率增大，加熱效率降低。在接下來的步驟S18中，針對(duì)在之前的步驟S17中計(jì)算出的Pr/Pf特性，設(shè)定將作為最小的Pr/Pf值加上規(guī)定的數(shù)值例如加上10%后的值作為規(guī)定的閾值。
[0048]在接下來的步驟S20中，針對(duì)Pr/Pf特性，在之前的步驟S18中設(shè)定的閾值以下的區(qū)域中，判別是否存在多個(gè)極小點(diǎn)頻率。如圖2所示，在存在多個(gè)極小點(diǎn)頻率的情況下，進(jìn)入步驟S21，按升序設(shè)定為fll、fl2、fl3、...。由此，意味著將Pr/Pf為最小值的頻率設(shè)定為Π1。另一方面，在步驟S20中不存在多個(gè)極小點(diǎn)頻率的情況下，進(jìn)入步驟S27，進(jìn)一步判別是否僅存在I個(gè)極小點(diǎn)頻率。如圖3所示，在僅存在I個(gè)極小點(diǎn)頻率的情況下，進(jìn)入步驟S28，將極小點(diǎn)頻率設(shè)定為f21，針對(duì)Pr/Pf特性曲線與閾值直線的交點(diǎn)，分別將低頻率側(cè)設(shè)定為f22，將高頻側(cè)設(shè)定為f23。如圖4所示，在不存在極小點(diǎn)頻率的情況下、即在不存在Pr/Pf特性曲線與閾值直線的交點(diǎn)的情況下，進(jìn)入步驟S29，將振蕩頻率的最低頻率設(shè)定為f31，將最低頻率與最高頻率的中點(diǎn)頻率設(shè)定為f32，將最高頻率設(shè)定為f33。在以后的說明中，以將f 11、fl2和Π3這3個(gè)頻率作為在頻率跳變加熱中使用的加熱頻率的情況為代表進(jìn)行說明。
[0049]接下來，在步驟S22中，根據(jù)在之前的步驟S21、步驟S28和步驟S29中設(shè)定的加熱頻率，計(jì)算各加熱頻率中的加熱時(shí)間的加權(quán)系數(shù)。設(shè)針對(duì)每一加熱頻率的加權(quán)系數(shù)為Bn，并通過Ap (k-n + 1)/ΣΑρη來定義該加權(quán)系數(shù)。此處，Apn是各個(gè)加熱頻率的被加熱物吸收功率比率，由1- (Prn/Pfn)來定義，而ΣΑρη由Apn的總和來定義。此外，η與在之前的步驟S21、步驟S28和步驟S29中設(shè)定的加熱頻率f的后面賦予的兩位數(shù)字中的一位的值相等，k與加熱頻率的數(shù)量相等。例如，加熱頻率為Π1的情況下的加權(quán)系數(shù)BI為Ap(3-1 +I)/ΣΑρη = Ap3/ (Apl + Ap2 + Ap3)。因此，加熱頻率fll的加熱時(shí)間因與被加熱物吸收功率比率Ap3成比例而被設(shè)定為3個(gè)頻率中最短的時(shí)間，其中，加熱頻率fll是反射功率最小的、即被加熱物所吸收的功率最大的加熱頻率，被加熱物吸收功率比率Ap3是指在設(shè)定的頻率中，被加熱物所吸收的功率最小的加熱頻率Π3的被加熱物吸收功率比率。另一方面，加熱頻率Π3的加熱時(shí)間與加熱頻率fll的被加熱物吸收功率比率Apl成比例，因此被設(shè)定為最長的時(shí)間。
[0050]接下來，在步驟S23中，將振蕩頻率設(shè)定為f 11，并輸出第2輸出功率例如20W的微波功率。緊接著，以規(guī)定的跳頻周期Th例如I秒的期間，根據(jù)由之前的步驟S22計(jì)算出的加權(quán)系數(shù)，開始頻率跳變加熱。通常，頻率跳變是在數(shù)據(jù)通信中使用的擴(kuò)頻方式中的一種，其為如下技術(shù):每隔極短的時(shí)間例如0.1秒逐次變更信號(hào)的發(fā)送頻率，因此，即使在特定頻率中產(chǎn)生了噪聲的情況下，也能夠利用以其它頻率通信的數(shù)據(jù)來進(jìn)行校正。此處，將在跳頻周期Th內(nèi)使用多個(gè)加熱頻率、并依次以不同的頻率對(duì)被加熱物進(jìn)行加熱的微波加熱方式稱作頻率跳變加熱。此處，用式子Pf.Σ (Apn.Bn).Th來定義在規(guī)定的跳頻周期Th秒內(nèi)被被加熱物18吸收的能量Ein，單位為焦耳:J。例如，根據(jù)上述Ein的式子，每個(gè)跳頻周期的加熱頻率fll的加熱時(shí)間為BI.Th秒。
[0051]關(guān)于頻率跳變加熱，按照后續(xù)步驟即步驟S24中的Pr/Pf特性的規(guī)定的再檢測(cè)時(shí)間Td例如5秒鐘進(jìn)行反復(fù)。在到達(dá)再檢測(cè)時(shí)間Td后，進(jìn)入步驟S25，在被加熱物18滿足加熱前設(shè)定的加熱條件的情況下，進(jìn)入步驟S26，在不滿足的情況下，返回步驟S14，再次取得Pr/Pf特性，反復(fù)進(jìn)行到步驟S25為止的一系列步驟。在步驟S26中，由于在之前的步驟S25中判斷為滿足被加熱物18的加熱條件，因此停止第2微波功率，結(jié)束被加熱物的加熱。
[0052]這樣，通過求出反射功率、即Pr/Pf特性的極小點(diǎn)頻率中的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)，能夠使輸出規(guī)定功率的加熱動(dòng)作時(shí)的反射功率盡量小，使被加熱物18高效地吸收微波的能量，來進(jìn)行加熱動(dòng)作。此外，針對(duì)各個(gè)頻率，基于微波的加熱室14的加熱分布具有不同的分布，因此能夠通過多個(gè)設(shè)定頻率，以多個(gè)加熱分布對(duì)被加熱物進(jìn)行加熱，來降低加熱不均。此外，根據(jù)檢測(cè)功率信息，通過對(duì)每個(gè)設(shè)定頻率賦予加權(quán)系數(shù)，能夠使被被加熱物吸收的功率在對(duì)各個(gè)跳頻周期設(shè)定的加熱頻率中變得大致相等，從而實(shí)現(xiàn)高精度的均勻加熱。
[0053]已參照詳細(xì)且特定的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，清楚可知的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠進(jìn)行各種變形和修正。
[0054]本申請(qǐng)基于2011年9月16日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)N0.2011-202622，在此，引用其內(nèi)容作為參照。
[0055]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0056]如上所述，本發(fā)明的微波處理裝置可以替代現(xiàn)有的微波爐，而且僅通過一個(gè)天線和系統(tǒng)控制即可進(jìn)行均勻加熱，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)機(jī)構(gòu)限制嚴(yán)格的整體廚房的安裝以及與其它設(shè)備、例如冰箱和自動(dòng)售賣機(jī)等的一體化組裝。
[0057]標(biāo)號(hào)說明
[0058]11微波產(chǎn)生部
[0059]12振蕩部
[0060]13功率放大部
[0061]14加熱室`
[0062]15供電部
[0063]16功率檢測(cè)部
[0064]17控制部
[0065]18被加熱物
[0066]19載置臺(tái)
[0067]21、22、23 反射功率(Pr) /入射功率(Pf )比
[0068]25閾值
【權(quán)利要求】
1.一種微波處理裝置，其具有: 加熱室，其收納被加熱物； 振蕩部，其輸出加熱頻率的源信號(hào)； 功率放大部，其使用了對(duì)所述振蕩部的輸出進(jìn)行功率放大的半導(dǎo)體元件； 供電部，其將所述功率放大部的輸出提供給所述加熱室； 功率檢測(cè)部，其檢測(cè)從所述功率放大部提供給所述供電部的入射功率和從所述供電部反射到所述功率放大部的反射功率；以及 控制部，其控制所述振蕩部的振蕩頻率和所述功率放大部， 所述供電部至少配置于構(gòu)成所述加熱室的壁面， 所述控制部在加熱動(dòng)作開始前使所述功率放大部進(jìn)行低輸出動(dòng)作，在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)使所述振蕩部的振蕩頻率發(fā)生變化，檢測(cè)由所述功率檢測(cè)部檢測(cè)到的反射功率，通過使用所述檢測(cè)出的反射功率的極小點(diǎn)頻率的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)，決定所述振蕩部的多個(gè)加熱頻率，針對(duì)所述多個(gè)加熱頻率，在規(guī)定的單位時(shí)間內(nèi)進(jìn)行頻率跳變加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理裝置，其中， 所述控制部針對(duì)根據(jù)從所述功率放大部提供給所述供電部的入射功率和從所述供電部反射到所述功率放大部的反射功率而計(jì)算出的入射反射功率比，設(shè)定規(guī)定的閾值，從所述閾值以下的范圍中選擇所述反射功率即所述入射反射功率比小的上位的數(shù)個(gè)點(diǎn)，作為在頻率跳變加熱中使用的加熱頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波處理裝置，其中， 所述控制部利用基于多個(gè)加熱頻率各自的檢測(cè)功率信息的時(shí)間系數(shù)，來決定頻率跳變的每個(gè)周期中各加熱頻率的加熱時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波處理裝置，其中， 所述控制部在使用了基于所述多個(gè)加熱頻率各自的檢測(cè)功率信息的時(shí)間系數(shù)的頻率跳變加熱中，將各加熱頻率的負(fù)載入射功率控制為大致相等。
【文檔編號(hào)】H05B6/64GK103797895SQ201280044554
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月16日
【發(fā)明者】武藤圭佑, 信江等隆 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社