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      布線基板、發(fā)光器件以及制造布線基板的方法

      文檔序號:8181633閱讀:135來源:國知局
      專利名稱:布線基板、發(fā)光器件以及制造布線基板的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本公開涉及布線基板、發(fā)光器件以及布線基板的制造方法。
      背景技術(shù)
      在相關(guān)技術(shù)中,已提出發(fā)光元件裝配在基板上的多種形狀的發(fā)光器件。作為該種發(fā)光器件,已知這樣的結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,布線層形成在絕緣層上,該絕緣層形成在由金屬制成的基板上,并且諸如發(fā)光二極管(LED)之類的發(fā)光元件被裝配在布線層上(例如,參見JP-A-2003-092011)。在此,在發(fā)光器件中,當(dāng)發(fā)光二極管導(dǎo)通時,發(fā)光二極管生成熱,結(jié)果,溫度增加,從而減小發(fā)光二極管的發(fā)射效率。為此,為了有效地消散從發(fā)光二極管生成的熱,熱經(jīng)由布線層和絕緣層被傳導(dǎo)至由金屬制成的基板。然而,由于具有低熱導(dǎo)率的絕緣層被插在布線層和基板之間,因此存在散熱性能惡化的問題。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的示例實施例解決以上缺陷和以上未描述的其他缺陷。然而,本發(fā)明不要求克服上述缺陷,從而本發(fā)明的示例實施例可以不克服上述任何缺陷。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個說明性方面,提供一種布線基板。該布線基板包括:散熱片;所述散熱片上的第一絕緣層;所述第一絕緣層上的布線圖,其中,所述布線圖被配置成在其上裝配發(fā)光元件;以及所述第一絕緣層上的第二絕緣層,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露。 根據(jù)本發(fā)明的該方面,可以提供能夠改進(jìn)散熱性能的布線基板。根據(jù)以下說明書、附圖和權(quán)利要求,本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點將變得顯而易見。


      圖1A是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的示意性平面圖;圖1B是沿著圖1A中所示的布線基板的線A-A的示意性截面圖;圖2是示出根據(jù)第一實施例的布線圖和金屬層的示意性平面圖;圖3A是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的示意性平面圖;圖3B是沿著圖3A中所示的發(fā)光器件的線B-B的示意性截面圖;圖4是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造方法的示意性平面圖;圖5A至圖5C是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖,其中,圖5A至圖5C示出沿著圖的線C-C位置的布線基板的截面圖。
      圖6A至圖6C是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖6D是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖,其中,圖6A至圖6C示出沿著圖6D的線D-D位置的布線基板的截面圖;圖7A和圖7C是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖7B和圖7D是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖,其中,圖7A和圖7C示出沿著圖7B的線E-E位置的布線基板的截面圖;圖8A是示出根據(jù)第一實施例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖;圖SB至圖8D是示出沿著圖8A的線F-F位置的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖9A和圖9B是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖9A和圖9B示出沿著圖3A的線B-B位置的截面圖;圖1OA至圖1OD是示出根據(jù)第一實施例的修改示例的布線基板和發(fā)光器件的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖1OA至圖1OD示出沿著圖8A的線F-F位置的布線基板和發(fā)光器件的截面圖;圖1lA至圖1lC是示出根據(jù)修改示例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖;圖12A和圖12B是示出根據(jù)修改示例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖;圖12C是示出沿著圖12B的線G-G位置的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖13是示出根據(jù) 修改示例的發(fā)光器件的示意性截面圖;圖14是示出根據(jù)修改示例的發(fā)光器件的示意性截面圖;圖15A至圖15C是示出根據(jù)第二實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖15A至圖15C示出沿著圖8A的線F-F位置的布線基板的截面圖;圖16A至圖16D是示出根據(jù)第二實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖16A至圖16D示出沿著圖8A的線F-F位置的布線基板的截面圖;圖17A是示出根據(jù)第三實施例的布線基板的示意性平面圖;圖17B是沿著圖17A中所示的布線基板的線H-H的示意性截面圖;圖18A、圖18B和圖18D是示出根據(jù)第三實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖18C是示出根據(jù)第三實施例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖,其中,圖18A、圖18B和圖18D示出沿著圖18C的線1-1位置的布線基板的截面圖;圖19A和圖19C是示出根據(jù)第三實施例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖19B是示出根據(jù)第三實施例的布線基板的制造步驟的示意性平面圖,其中,圖19A和圖19C示出沿著圖19B的線J-J位置的布線基板的截面圖;圖20A至圖20D是示出沿著圖19B的線J-J位置的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖21A和圖21B是示出沿著圖19B的線J-J位置的布線基板的制造步驟的示意性截面圖;圖22A至圖22C是示出根據(jù)第三實施例的修改示例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖22A至圖22C示出沿著圖19B的線J-J位置的布線基板的截面圖;圖23A和圖23B是示出根據(jù)修改示例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖23A和圖23B示出沿著圖19B的線J-J位置的布線基板的截面圖;圖24A和圖24B是示出根據(jù)修改示例的布線基板的制造步驟的示意性截面圖,其中,圖24A和圖24B示出沿著圖19B的線J-J位置的布線基板的截面圖;圖25A和圖25B是示出根據(jù)修改示例的布線圖的示意性平面圖;圖26是示出根據(jù)修改示例的布線圖的示意性平面圖;圖27是示出發(fā)光器件的應(yīng)用示例的示意性截面圖;以及圖28A和圖28B是示出發(fā)光器件的裝配示例的示意性截面圖。
      具體實施例方式在下文中,將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施例。在用于解釋實施例的所有附圖中,具有相同功能的部件由相同的附圖標(biāo)記表示,并且其重復(fù)說明將被省略。另外,為了方便起見,在附圖中,存在特征部分被適當(dāng)?shù)胤糯笫境鲆匀菀椎乩斫馄涮卣鞯那闆r,并且每個組成元件的尺寸可以不同于其實際尺寸。而且,在截面圖中,一些部件的影線被省略,以容易地理解每個部件的截面圖。(第一實施例)在下文中,將參考圖1至圖9描述第一實施例。(布線基板的結(jié)構(gòu))如圖1B中所 示,布線基板I包括散熱片10、覆蓋散熱片10的上表面的絕緣層20、形成在絕緣層20上的布線圖30、形成在布線圖30的一部分上的金屬層40和41、覆蓋布線圖30的側(cè)面或金屬層40的側(cè)面的一部分的絕緣層50、以及覆蓋布線圖30的絕緣層60等。該布線基板I是應(yīng)用至例如發(fā)光器件的布線基板。散熱片10例如是平面圖中的合適矩形薄板。作為散熱片10的材料,例如,可以使用諸如銅(Cu)或鋁(Al)、或包括這些金屬中的至少一種之類的合金的具有良好熱導(dǎo)率的金屬。另外,作為散熱片10的材料,例如,可以使用諸如氮化鋁或氧化鋁之類的具有良好熱導(dǎo)率的陶瓷材料。散熱片10的厚度可以例如約為0.5mm至1.0mm。絕緣層20被形成為覆蓋散熱片10的整個上表面。作為絕緣層20的材料,例如,可以使用具有高熱導(dǎo)率(例如,約lW/mK至10W/mK)的絕緣樹脂。特別地,作為絕緣層20的材料,例如,可以使用諸如聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂之類的絕緣樹脂、或諸如二氧化硅(silica)或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。絕緣層20具有使散熱片10與布線圖30絕緣的功能,以及將散熱片10粘著到布線圖30的功能。絕緣層20的厚度可以例如約為50 μ m至80 μ m。而且,在絕緣層20具有高絕緣性能的情況下,從散熱的觀點看,絕緣層20優(yōu)選薄薄地形成。布線圖30形成在絕緣層20的第一主表面20A上。如圖2中所示,布線圖30被形成為完全覆蓋絕緣層20的第一主表面20A的中心部分。具體地,在平面圖中具有帶狀(平面圖中為矩形形狀)的多個(在圖2中為五個)布線圖30并行設(shè)置,以相互鄰近。另外,暴露下面絕緣層20的槽形開口 30X形成在相鄰的布線圖30之間。多個布線圖30通過該開口 30X相互分離。而且,作為布線圖30的材料,例如,可以使用銅或銅合金。布線圖30的厚度可以例如約為35 μ m至105 μ m。另外,相鄰的布線圖30之間的距離(開口 30X的寬度)可以例如約為0.1mm至0.3mm。
      在平面圖中具有半圓形狀的多個金屬層40形成在布線圖30上。這些金屬層40被這樣形成,使得半圓的直線通過插入其間的開口 30X相互面對的其兩個金屬層40形成一組(一對)。換句話說,一對金屬層40形成在不同布線圖30上并且被形成為作為一個整體在平面圖中具有近似圓形形狀。另外,這樣的一對金屬層40被形成為布線圖30上的矩陣(在圖2中為4X4矩陣)。每個金屬層40都具有發(fā)光元件70 (參考圖3)粘結(jié)到的焊盤40P。而且,如圖1B中所示,每個金屬層40都被形成為覆蓋開口 30X中的布線圖30的側(cè)表面。金屬層40的示例可以包括銀(Ag)層、鎳(Ni) /金(Au)層(按Ni層和Au層這個順序形成的金屬層)、Ni/Ag層(按Ni層和Ag層這個順序形成的金屬層)、Ni/鈀(Pd) /Au層(按Ni層、Pd層以及Au層這個順序形成的金屬層)等。而且,金屬層40的示例可以包括Ni/Pd/Ag層(按Ni層、Pd層以及Ag層這個順序形成的金屬層)、Ni/Pd/Ag/Au層(按Ni層、Pd層、Ag層以及Au層這個順序形成)等。而且,在金屬層40例如是Ni/Au層的情況下,Ni層的厚度可以約為I μ m至10 μ m,并且Au層的厚度可以約為0.05 μ m至2 μ m。如圖2中所示,在平面圖中具有近似圓形形狀的一對金屬層41形成在布線圖30上。在布線圖30上這些金屬層41形成到金屬層40的外部。具體地,一對金屬層41形成在設(shè)置在五個布線圖30的最外位置處的兩個布線圖30上,并且形成至在兩個布線圖30上形成的金屬層40的外部。每個金屬層41都具有從外部裝置提供功率的電極端子41P。金屬層 41 的示例可以包括 Ag 層、Ni/Au 層、Ni/Ag 層、Ni/Pd/Au 層、Ni/Pd/Ag 層、Ni/Pd/Ag/Au層等,與金屬層40的方式相同。另外,在金屬層41例如是Ni/Au層的情況下,Ni層的厚度可以約為I μ m至10 μ m,并且Au層的厚度可以約為0.05 μ m至2 μ m。如圖1B所示,絕緣層50被形成為覆蓋從布線圖30和金屬層40暴露的絕緣層20的第一主表面20A,并且被形成為覆蓋布線圖30和金屬層40的側(cè)表面的至少一部分。具體地,覆蓋從開口 30X暴露的絕緣層20的第一主表面20A的絕緣層50被形成為與布線圖30或金屬層40的至少一部分接觸。另外,覆蓋形成在布線基板I的外圍區(qū)域中的絕緣層20的第一主表面20A的絕緣層50被形成為與布線圖30的側(cè)表面的至少一部分接觸。絕緣層50被形成為等于布線圖30的厚度或者比布線圖30薄。具體地,從散熱的觀點看,絕緣層50的厚度優(yōu)選例如約為布線圖30的厚度的50%至90%。作為絕緣層50的材料,以與絕緣層20相同的方式,例 如,可以使用具有高熱導(dǎo)率(例如,約lW/mK至10W/mK)的絕緣樹月旨。具體地,作為絕緣層50的材料,例如,可以使用諸如聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂之類的絕緣樹脂、或諸如二氧化硅或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。絕緣層60被形成為覆蓋布線圖30的上表面、絕緣層50的上表面、以及金屬層40的一部分。絕緣層60覆蓋從金屬層40暴露的布線圖30的上表面,并且覆蓋從在開口 30X中的金屬層40暴露的絕緣層50、以及從在布線基板I的外圍區(qū)域中的布線圖30暴露的絕緣層50的上表面。暴露每個金屬層40的一部分的開口 60X和暴露每個金屬層41的一部分的開口60Y形成在絕緣層60中。如圖1A中所示,每個開口 60X的平面形狀例如形成為半圓形狀。具體地,每個開口 60X的平面形狀被形成為小于每個金屬層40的平面形狀。為此,金屬層40的一部分從開口 60X暴露,并且暴露的金屬層40用作焊盤40P。另外,包括與一對金屬層40相對應(yīng)的一對焊盤40P的在平面圖中具有近似圓形區(qū)域的區(qū)域(是指虛線圓)變?yōu)橛糜谠谄渲醒b配單個發(fā)光元件的裝配區(qū)CA。換句話說,開口 60X被形成為暴露變?yōu)檠b配區(qū)域CA的布線圖30和金屬層40。另外,開口 60Y的平面形狀例如形成為圓形形狀。具體地,每個開口 60Y被形成為使得其平面形狀小于每個金屬層41的平面形狀。為此,金屬層41的一部分從開口 60Y暴露,并且暴露的金屬層41用作電極端子41P。經(jīng)由安裝板上的電線等從外部電源給電極端子41P供電。絕緣層60具有高反射率。具體地,絕緣層60在波長450nm至700nm之間具有50%或更多(適當(dāng)?shù)貫?0%或更多)的反射率。絕緣層60還被稱為白色抗蝕層或反射層。作為絕緣層60的材料,例如,可以使用白色絕緣樹脂。作為白色絕緣樹脂,例如,可以使用由白色氧化鈦(TiO2)或硫酸鋇(BaSO4)形成的裝填物或顏料包含在環(huán)氧樹脂、硅樹脂、或有機(jī)聚硅氧烷樹脂中的樹脂材料。絕緣層60 (白色抗蝕層)覆蓋布線基板I的最外表面,并且由此可以通過增加從裝配在布線基板I上的發(fā)光元件的光的反射以及保護(hù)布線圖30,來減少發(fā)光元件的光量損失。另外,絕緣層60的厚度(從絕緣層50的上表面到絕緣層60的上表面)可以例如約為20 μ m至50 μ m。(發(fā)光器件的結(jié)構(gòu))接下來,將描述發(fā)光器件2的結(jié)構(gòu)。如圖3B中所示,發(fā)光器件2包括上述布線基板1、裝配在布線基板I上的多個(在圖3A中為十六個)發(fā)光元件70、以及封裝發(fā)光元件70的封裝樹脂75等。每個發(fā)光元件70都裝配在形成在每個裝配區(qū)CA中的一對焊盤40P上。具體地,每個發(fā)光元件70都倒裝裝配在形成在絕緣層60的兩側(cè)上的兩個焊盤40P上,以跨過形成在該對焊盤40P之間的絕緣層60,S卩,形成在開口 30X中的絕緣層60。更具體地,形成在發(fā)光元件70的一個表面(圖3B中的下表面)上的一個凸塊71被倒裝粘結(jié)到兩個焊盤40P中的一個焊盤40P,并且另一個凸塊71被倒裝粘結(jié)到另一個焊盤40P。由此,每個發(fā)光元件70的每個凸塊71都經(jīng)由焊盤40P (金屬層40)電連接至布線圖30。另外,如圖3A中所示,發(fā)光元件70被布置為布線基板 I上的矩陣(圖3A中的4X4矩陣)。為此,在發(fā)光器件2中,在該對電極端子4IP之間,四個發(fā)光元件70串聯(lián)連接,并且四組串聯(lián)連接的發(fā)光元件70并聯(lián)連接。另外,發(fā)光元件70經(jīng)由金屬層41或布線圖30從外部電源(未示出)被供電并且發(fā)光。而且,發(fā)光元件70的平面形狀被形成為例如矩形形狀,并且其尺寸可以例如約為0.3mm2至0.5mm2。而且,凸塊71的高度可以例如約為30 μ m至100 μ m。作為發(fā)光元件70,例如,可以使用發(fā)光二極管(LED)或垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)。作為凸塊71,例如,可以使用金凸塊或焊料凸塊。作為焊料凸塊的材料,例如,可以使用:包括鉛(Pb)的合金,錫(Sn)和Au的合金,Sn和Cu的合金,Sn和Ag的合金,Sn、Ag和Cu的合金等。如圖3B中所示,在布線基板I的上表面上提供封裝樹脂75,以封裝發(fā)光元件70、凸塊71等。另外,電極端子41P不通過封裝樹脂75封裝。作為封裝樹脂75的材料,例如,可以使用熒光物質(zhì)包含在硅樹脂中的樹脂材料。包含熒光物質(zhì)的樹脂材料形成在發(fā)光元件70上,從而可以使用發(fā)光元件70的發(fā)射和熒光物質(zhì)的發(fā)射的混合顏色,并且由此可以控制發(fā)光器件2的多種發(fā)射顏色。(操作)絕緣層50被形成為與布線圖30和金屬層40的側(cè)表面的一部分接觸。為此,與不形成絕緣層50的情況相比,即,僅布線圖30的下表面接觸絕緣層20,布線圖30和金屬層40、以及絕緣層20和50之間的接觸面積如布線圖30和金屬層40的側(cè)表面與絕緣層50接觸那樣多地增加。由此,從布線圖30和金屬層40到絕緣層20和50的熱傳導(dǎo)量增加。由此,由發(fā)光元件70生成的熱被有效地傳導(dǎo)至散熱片10。(布線基板的制造方法)接下來,將參考圖4至圖8描述布線基板I的制造方法。首先,為了制造布線基板1,如圖4中所示,制備多片基板(此后還簡單地稱為“基板”)10A?;錓OA具有多個(在圖4中為三個)分區(qū),其中,作為在其中形成布線基板I的區(qū)域的布線基板形成區(qū)域Cl被形成為矩陣(在圖4中為3乂3矩陣)。在布線基板形成區(qū)域Cl中形成對應(yīng)于布線基板I的結(jié)構(gòu)之后,使用切割刀片等沿著切割線Dl切割基板10A。由此,對應(yīng)于布線基板I的結(jié)構(gòu)被生成為單位片(unit piece),并且由此制造多個布線基板I。此時,在每個布線基板I中,基板IOA變?yōu)閳D1中所示的散熱片10。為此,作為基板IOA的材料,以與散熱片10相同的方式,可以使用諸如例如銅、鋁、或鐵、或包括這些金屬中的至少一個的合金的具有良好熱導(dǎo)率的金屬。另外,為了描述的方便起見,在隨后描述的圖5至圖8中,示出單個布線基板形成區(qū)域Cl的結(jié)構(gòu)。接下來,在圖5A中所示的步驟中,絕緣層20被形成為覆蓋基板IOA的整個上表面,并且銅箔30A被形成為覆蓋絕緣層20的整個第一主表面20A。例如,在絕緣層20 (絕緣基板)的單個表面上形成的具有銅箔30A的單側(cè)覆銅基板被粘著到基板IOA上,由此在基板IOA上形成絕緣層20和銅箔30A。另外,例如,可以在基板IOA上形成具有銅箔的絕緣樹脂膜,由此在基板IOA上形成絕緣層20和銅箔30A。接下來,在圖5B中所示的步驟中,在預(yù)定位置具有開口 80X的抗蝕層80形成在銅箔30A的上表面上??刮g層80被形成為覆蓋在與必要布線圖30相對應(yīng)的部分處的銅箔30A、用于電鍍電源的饋線31、以及連接部分32 (參考圖5C和圖OT)。作為抗蝕層80的材料,可以使用抗蝕材料。 具體地,作為抗蝕層80的材料,可以使用光敏干膜抗蝕劑、液體光致抗蝕劑(例如,干膜抗蝕劑或酹醒樹脂(Novolac resin)、丙烯酸樹脂(acryl resin)等的液體抗蝕劑)等。例如,在使用光敏干膜抗蝕劑的情況下,通過熱壓縮在銅箔30A的上表面上形成干膜,并且通過曝光和顯影來圖案化干膜,由此形成抗蝕層80。而且,在還使用液體光致抗蝕劑的情況下,可以通過相同步驟形成抗蝕層80。接下來,在圖5C中所示的步驟中,使用圖5B中所示的抗蝕層80作為蝕刻掩膜蝕刻銅箔30A,由此將銅箔30A圖案化為預(yù)定形狀。從而,如圖中所示,在絕緣層20的第一主表面20A上形成必要布線圖30、饋線(總線)31、以及連接部分32。具體地,形成并行布置的多個帶形布線圖30、以幀形狀形成的饋線31、以及將饋線31和布線圖30進(jìn)行相互電連接的連接部分32。由此,所有布線圖30都經(jīng)由連接部分32電連接至饋線31。另外,通過蝕刻在布線圖30之間形成槽形開口 30X。在該步驟中,作為蝕刻劑,例如,可以使用氯化鐵溶液,并且從而可以通過噴蝕從基板IOA的上表面?zhèn)葓?zhí)行圖案化。而且,在以下說明中,布線圖30、饋線31、以及連接部分32還被共同稱為布線層33。圖示出在銅箔30A的圖案化完成之后,圖5C中所示的抗蝕層80通過例如堿性剝離劑被去除。接下來,在圖6A中所示的步驟中,在布線圖30上形成在預(yù)定位置處具有開口 81X和8IY的抗蝕層81。開口 8IX被形成為暴露與形成金屬層40的區(qū)域相對應(yīng)的布線圖30的一部分。另外,開口 81Y被形成為暴露與形成金屬層41的區(qū)域相對應(yīng)的布線圖30的一部分。而且,饋線31和連接部分32由抗蝕層81覆蓋。作為抗蝕層81的材料,可以使用電鍍抗蝕材料。具體地,作為抗蝕層81的材料,可以使用光敏干膜抗蝕劑、液體光致抗蝕劑(例如,干膜抗蝕劑或酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等的液體抗蝕劑)等。接下來,在圖6B中所示的步驟中,通過使用抗蝕層81作為電鍍掩膜,在布線圖30的表面(上表面和側(cè)表面)上執(zhí)行布線層33被用作電鍍饋送層(plating feed layer)的電解電鍍。具體地,對從抗蝕層81的開口 81X暴露的布線圖30的上表面和側(cè)表面執(zhí)行電解電鍍,由此形成金屬層40。金屬層40被形成為覆蓋從開口 81X暴露的布線圖30的上表面和側(cè)表面。另外,對從抗蝕層81的開口 81Y暴露的布線圖30的上表面執(zhí)行電解電鍍,由此在布線圖30上形成金屬層41。金屬層41被形成為覆蓋從開口 81Y暴露的布線圖30的上表面。另外,例如,在金屬層40和41是Ni/Au層的情況下,通過電解電鍍方法在從抗蝕層81的開口 8IX和8IY暴露的布線圖30的表面上順序地形成Ni層和Au層。接下來,在圖6C中所示的步驟中,圖6B中所示的抗蝕層81通過例如堿性剝離劑被去除。由此,如圖6D中所示,在平面圖中具有近似半圓形狀的多個金屬層40被形成并且在平面圖中具有近似圓形形狀的多個金屬層41被形成在布線圖30上。接下來,在圖7A和圖7B中所示的步驟中,在絕緣層20和布線圖30上形成抗蝕層82,以覆蓋布線圖30。抗蝕層82被形成為暴露饋線31和連接部分32,并且被形成為暴露被形成到布線圖30的外部的絕緣層20。作為抗蝕層82的材料,可以使用蝕刻抗蝕材料。具體地,作為抗蝕層82的材料,可以使用光敏干膜抗蝕劑、液體光致抗蝕劑(例如,干膜抗蝕劑或酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等的液體抗蝕劑)等。接下來,在圖7C和圖7D中所示的步驟中,使用抗蝕層82作為蝕刻掩膜蝕刻布線層33,由此去除圖7A中所示的饋線31和連接部分32。由此,如圖8A中所示,多個布線圖30相互電分離。另外,圖8A示出在蝕刻之后,圖7D中所示的抗蝕層82通過例如堿性剝離劑被去除。

      接下來,在圖SB中所示的步驟中,在絕緣層20上形成絕緣層50,以覆蓋絕緣層20的第一主表面20A。絕緣層50被形成為覆蓋各個布線圖30的側(cè)表面的一部分(在布線圖30的側(cè)表面由金屬層40覆蓋的情況下的金屬層40的側(cè)表面的一部分)。絕緣層50被形成為使得其上表面低于布線圖30的上表面。另外,可以根據(jù)例如使用樹脂糊劑的絲網(wǎng)印刷方法形成絕緣層50??梢酝ㄟ^使用分配器施加液體樹脂,來形成絕緣層50。而且,在光敏絕緣樹脂被用作絕緣層50的材料的情況下,絕緣層50可以通過光刻法形成。接下來,在圖SB中所示的步驟中,通過在約150°C的溫度環(huán)境下執(zhí)行熱固化處理,固化絕緣層50。接下來,在圖8C中所示的步驟中,在布線圖30、金屬層40和41、以及絕緣層50上形成具有開口 60X和60Y的絕緣層60。開口 60X被形成為暴露將變?yōu)檠b配區(qū)CA的金屬層40。另外,開口 60Y被形成為暴露一部分金屬層41以作為電極端子41P??梢愿鶕?jù)例如使用樹脂糊劑的絲網(wǎng)印刷方法形成絕緣層60。而且,在光敏絕緣樹脂被用作絕緣層60的材料的情況下,將變?yōu)榻^緣層60的抗蝕層被形成為覆蓋布線圖30、金屬層40和絕緣層50的上表面,然后抗蝕層通過光刻法被暴露并且顯影,以形成開口 60X和60Y,由此形成絕緣層60。接下來,在圖8C中所示的步驟中,通過在約150°C的溫度環(huán)境下執(zhí)行熱固化處理,來固化絕緣層60。另外,可以通過該步驟中的熱固化處理一起固化絕緣層60和絕緣層50。通過形成絕緣層60,從開口 60X暴露一部分金屬層40作為焊盤40P。為此,不必須對布線圖30執(zhí)行電解電鍍等,以改進(jìn)形成絕緣層60之后的接觸特性。由此,可以抑制將用于形成金屬層40的電鍍?nèi)芤旱膼夯?。具體地,在對形成絕緣層60之后從開口 60X暴露的布線圖30執(zhí)行電鍍(電解電鍍或無電鍍)的情況下,關(guān)于在那時使用的電鍍?nèi)芤海刺岚ㄔ诮^緣層60中的樹脂材料等。為此,存在電鍍?nèi)芤簮夯⑶覐亩芤簤勖s短的問題。相反,根據(jù)本實施例的制造方法,當(dāng)執(zhí)行電解電鍍時,不形成絕緣層60,并且從而可以預(yù)先防止上述問題。即,根據(jù)本實施例的制造方法,可以抑制電鍍?nèi)芤簮夯⑶矣纱艘种齐婂內(nèi)芤旱娜芤簤勖s短。隨后,在圖SC中所示的步驟中,相同圖中所示的結(jié)構(gòu)沿著切割線Dl被切割。由此,如圖8D中所示,布線基板I被生成為單位片,由此制造多個布線基板I。(發(fā)光器件的制造方法)接下來,將參考圖9描述發(fā)光器件2的制造方法。在圖9A中所示的步驟中,發(fā)光元件70裝配在形成在布線基板I的每個裝配區(qū)CA中的焊盤40P上。具體地,發(fā)光元件70的凸塊71被倒裝粘結(jié)到相鄰的焊盤40P的各個表面。例如,在凸塊71是金凸塊的情況下,凸塊71通過超聲波焊接被固定到焊盤40P。接下來,在圖9B中所示的步驟中,形成封裝樹脂75,封裝樹脂75封裝裝配在布線基板I上的多個發(fā)光元件70和凸塊71。例如,在熱固性樹脂被用作封裝樹脂75的情況下,圖9A中所示的結(jié)構(gòu)被容納在鑄模(mold)中,并且壓力(例如,5MPa至IOMpa)被施加至鑄模的內(nèi)部,由此將流態(tài)化樹脂引入到其中。此后,樹脂在例如約180°C處被加熱以被固化,由此形成封裝樹脂75。另外,封裝樹脂75可以通過鑄封液體樹脂形成。通過上述制造步驟,制造出圖3中所示的發(fā)光器件2。(效果)
      根據(jù)上述本實施例,可以實現(xiàn)以下效果。(I)絕緣層50被形成為與布線圖30和金屬層40的側(cè)表面的一部分接觸。為此,與不形成絕緣層50的情況相比,即,僅布線圖30的下表面與絕緣層20接觸,布線圖30和金屬層40、以及絕緣層20和50之間的接觸面積如布線圖30和金屬層40的側(cè)表面與絕緣層50接觸那么多地增加。由此,從布線圖30和金屬層40到絕緣層20和50的熱傳導(dǎo)量增力口,并且從而由發(fā)光元件70生成的熱被有效地傳導(dǎo)至散熱片10。由此,甚至在布線圖30和散熱片10之間插入具有低熱傳導(dǎo)率的絕緣層20的情況下,也可以改進(jìn)發(fā)光器件2的散熱性能。結(jié)果,由于可以抑制發(fā)光元件70的溫度的增加,可以適當(dāng)?shù)匾种瓢l(fā)光元件70的發(fā)射效率的減小。(2)與布線圖30和金屬層40的一部分接觸的絕緣層20和50使用具有高熱導(dǎo)率的材料形成。由此,從布線圖30和金屬層40到絕緣層20和50的熱傳導(dǎo)量進(jìn)一步增加,并且從而由發(fā)光元件70生成的熱被有效地傳導(dǎo)至散熱片10。由此,可以改進(jìn)發(fā)光器件2的散熱性能。(3)在使用電解電鍍方法在布線圖30上形成金屬層40之后,形成覆蓋布線圖30和金屬層40的一部分的絕緣層60。在該情況下,由于當(dāng)使用電鍍方法形成金屬層40時不形成絕緣層60,可以預(yù)先防止由于絕緣層60的存在導(dǎo)致的電鍍?nèi)芤旱膼夯S纱?,可以延長電鍍?nèi)芤旱娜芤簤勖⑶矣纱诉B續(xù)使用電鍍?nèi)芤?。結(jié)果,可以有助于成本減少。(4)使用電解電鍍方法形成金屬層40。由此,比在使用無電鍍方法形成金屬層40的情況下,可以進(jìn)一步減少制造成本。(5)與布線圖30和金屬層40的側(cè)表面的一部分接觸的絕緣層50通過使用絲網(wǎng)印刷或分配器施加液體樹脂形成。為此,可以容易地形成絕緣層50。(第一實施例的修改示例)另外,可以通過適當(dāng)?shù)匦薷膶嵤├谝韵路矫鎴?zhí)行上述第一實施例。在第一實施例中,布線基板I被生成為單位片,然后發(fā)光元件70被裝配在布線基板I的焊盤40P上。本發(fā)明不限于此,并且如圖10中所示,在布線基板I被生成為單位片之前,發(fā)光元件70可以被裝配在焊盤40P上,并且然后沿著切割線Dl執(zhí)行切割,由此獲得每個發(fā)光器件2。具體地,如圖1OA所示,在形成絕緣層60之后,在不沿著切割線Dl切割的情況下,在如圖1OB中所示的焊盤40P上裝配發(fā)光元件70。接下來,如圖1OC中所示,在通過封裝樹脂75封裝發(fā)光元件70之后,可以沿著切割線Dl執(zhí)行切割,由此獲得如圖1OD中所示的每個發(fā)光器件2。另外,封裝樹脂75可以被形成用于形成區(qū)域Cl的布線基板使用集體成型方法形成為矩陣(在圖4中為3X3)的各個分區(qū),或者可以使用單獨成型方法針對形成區(qū)域Cl的每個布線基板來形成。在第一實施例中,在金屬層40被形成為覆蓋布線圖30的一部分之后,絕緣層50被形成為覆蓋布線圖30和金屬層40的一部分。本發(fā)明不限于此,并且例如,在形成金屬層40之前,絕緣層50可以被形成為覆蓋布線圖30的側(cè)表面,并且此后,金屬層40可以被形成為覆蓋布線圖30的表面(上表面和側(cè)表面)的一部分。在該情況下,由于在絕緣層50的上表面上形成覆蓋開口 30X中的布線圖30的側(cè)表面的金屬層40,絕緣層50與布線圖30的側(cè)表面接觸,并且還與金屬層40的下表面接觸。為此,在裝配區(qū)CA中,絕緣層50、以及布線圖30和金屬層40之間的接觸面積如與金屬層40的下表面接觸那么多地增加。由此,從布線圖30和金屬層40到絕緣層20和50的熱傳導(dǎo)量增加,并且由此由發(fā)光元件70生成的熱被有效地傳導(dǎo)至散熱片10。 在第一實施例中,在金屬層40被形成為覆蓋布線圖30的一部分之后,布線圖30和金屬層40被完全掩蔽,并且通過蝕刻去除饋線31和連接部分32。本發(fā)明不限于此,并且例如可以采用圖11和圖12中所示的修改后的制造步驟。具體地,如圖1lA中所示,以與圖5中所示的先前步驟相同的方式在絕緣層20上形成布線圖30、饋線31、以及連接部分32。接下來,在圖1lB中所示的步驟中,抗蝕層83被形成為僅覆蓋連接部分32上的布線層33的連接部分32。作為抗蝕層83的材料,可以使用電鍍抗蝕材料。具體地,作為抗蝕層83的材料,可以使用光敏干膜抗蝕劑、液體光致抗蝕劑(例如,干膜抗蝕劑或酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等的液體抗蝕劑)等。接下來,通過使用抗蝕層83作為電鍍掩膜,對布線圖30和饋線31的表面(上表面和側(cè)表面)執(zhí)行布線層33被用作電鍍饋送層的電解電鍍。由此,如圖1lC中所示,金屬層42被形成為覆蓋布線圖30的整個表面,并且金屬層43被形成為覆蓋饋線31的整個表面。接下來,在圖12A中所示的步驟中,通過例如堿性剝離劑去除圖1lC中所示的抗蝕層83。此后,在圖12B中所示的步驟中,連接部分32關(guān)于金屬層42和43被選擇性地去除。例如,在金屬層42和43是Ni/Au層的情況下,由銅制成的連接部分32可以通過使用氯化鐵溶液、氯化銅溶液、過硫酸銨溶液等的濕蝕刻,關(guān)于金屬層42和43被選擇性地去除。由此,如圖12C中所示,其表面(上表面和側(cè)表面)由金屬層42覆蓋的布線圖30和其表面由金屬層43覆蓋的饋線31不被去除并且被留下。通過該結(jié)構(gòu),由于在布線基板I的外圍區(qū)域中形成具有相對高硬度的饋線31和金屬線43,可以增加布線基板I的硬度。由此,可以適當(dāng)?shù)匾种撇季€基板I彎曲或由于熱收縮導(dǎo)致的變形。換句話說,通過該結(jié)構(gòu),饋線31和金屬線43可以用作加固層。另外,即使饋線31和覆蓋饋線31的金屬層43留在被生成為單位片的布線基板I中,饋線31也與多個布線圖30分離,并且從而不存在布線基板I的特性方面的問題。可替換地,在圖1lB中所示的先前步驟中,抗蝕層83可以被形成為覆蓋布線層33的饋線31和連接部分32。由此,即使金屬層42僅形成在布線層33的布線圖30的整個表面上,饋線31和連接部分32也通過圖12B中所示的步驟被選擇性地去除。雖然在第一實施例中,使用電解電鍍方法形成金屬層40,但是本發(fā)明不限于此,并且例如,可以使用無電鍍方法形成金屬層40。在該情況下,當(dāng)圖案化銅箔30A時,可以省略饋線31和連接部分32的形成。為此,還可以省略去除饋線31和連接部分32的步驟(圖7A至圖7D中所示的步驟)。在第一實施例的發(fā)光元件70中,一個凸塊71被倒裝粘結(jié)到形成在每個裝配區(qū)域CA中的兩個焊盤40P中的一個焊盤40P上,并且另一個凸塊71被倒裝粘結(jié)到另一個焊盤40P上。本發(fā)明不限于此,并且例如,多個凸塊71被倒裝粘結(jié)到一個焊盤40P上,并且多個凸塊71可以被倒裝粘結(jié)到另一個焊盤40P上。在此,在單個凸塊71被粘結(jié)到單個焊盤40P的情況下,每個焊盤40P上的連接位置僅是一個,并且從而存在裝配在布線基板I上的發(fā)光元件70可能傾斜的問題。相反地,在根據(jù)修改后的示例的結(jié)構(gòu)中,多個凸塊71被粘結(jié)到單個焊盤40P上,并且從而在每個焊盤40P上存在多個連接位置。由此,可以將發(fā)光元件70穩(wěn)定地裝配在布線基板I上。在第一實施例 中,發(fā)光元件70被倒裝裝配在形成在布線基板I的上表面上的焊盤40P上。本發(fā)明不限于此,并且例如,如圖13中所示,發(fā)光元件76可以以絲焊方式裝配在焊盤40P上。在該情況下,發(fā)光元件76經(jīng)由粘合劑(未示出)被粘結(jié)到在每個裝配區(qū)CA中形成的一個焊盤40P上。另外,在發(fā)光元件76中,一個電極(未示出)經(jīng)由焊線77電連接至裝配區(qū)CA中的一個焊盤40P,并且另一個電極(未示出)經(jīng)由焊線77電連接至裝配區(qū)CA中的另一個焊盤40P。如圖14中所示,可以在布線基板I的裝配區(qū)CA中形成凹入部分10X,并且可以在凹入部分IOX中裝配發(fā)光元件70。在該情況下,在凹入部分IOX中形成絕緣層20和布線圖30,并且在布線圖30的表面上形成金屬層40,并且在絕緣層20上形成絕緣層50,以覆蓋金屬層40的側(cè)表面的一部分。另外,在形成在凹入部分IOX的底部上的金屬層40(焊盤40P)上裝配發(fā)光元件70。而且,在圖14中,發(fā)光元件70被倒裝裝配;然而,發(fā)光元件可以以絲焊方式被裝配。在第一實施例中,裝配在布線基板I上的多個發(fā)光元件70通過封裝樹脂75被共同封裝。本發(fā)明不限于此,并且裝配在每個裝配區(qū)域CA中的發(fā)光元件70都可以通過封裝樹脂被單獨封裝。在第一實施例中,在形成金屬層40和41之后,形成絕緣層60。本發(fā)明不限于此,并且例如,在形成具有開口 60X和60Y的絕緣層60之后,金屬層40和41可以分別形成在從開口 60X和60Y暴露的布線圖30上。具體地,在形成絕緣層60之后,可以對從開口 60X和60Y暴露的布線圖30執(zhí)行電解電鍍,由此形成金屬層40和41。在第一實施例中的開口 60X或金屬層40的平面形狀不限于半圓形狀,并且可以例如是諸如矩形形狀或五邊形形狀的多邊形形狀、圓形形狀、橢圓形狀、或半橢圓形狀。第一實施例中的開口 60Y或金屬層41的平面形狀不限于圓形形狀,并且可以例如是諸如矩形形狀或五邊形形狀的多邊形形狀、半圓形形狀、橢圓形狀、或半橢圓形狀。(第二實施例)此后,將參考圖15和圖16描述第二實施例。在根據(jù)本實施例的布線基板I (參考圖16D)中,絕緣層中的布線圖30的嵌入式結(jié)構(gòu)不同于第一實施例及其修改示例中的結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)在將主要基于與第一實施例和修改示例的不同作出描述。另外,與圖1至圖14中所示的部件相同的部件被給予相同的附圖標(biāo)記,并且將省略每個元件的詳細(xì)說明。將參考圖15和圖16描述布線基板IA的制造方法。首先,在圖15A中所示的步驟中,通過與圖5A至圖8A中所示的先前步驟相同的制造步驟,在基板IOA的上表面21A上形成的絕緣層21的第一主表面21A上形成布線圖30,并且金屬層40和41被形成為覆蓋布線圖30的表面(上表面和側(cè)表面)的一部分。作為此時的絕緣層21的材料,例如,可以使用諸如熱固性聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂、或者諸如二氧化硅或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。絕緣層21具有使散熱片10與布線圖30絕緣的功能,并且具有將散熱片10粘著到布線圖30的功能。絕緣層21的厚度可以例如約為50μπι至130μπι。而且,在絕緣層21具有高絕緣特性的情況下,從散熱的觀點看,絕緣層21優(yōu)選薄薄地形成。接下來,在圖15Β中所示的步驟中,圖15Α中所示的結(jié)構(gòu)設(shè)置在下擠壓夾具84和上擠壓夾具85之間,并且在約150°C至200°C的溫度下被加熱并且從其兩側(cè)被按壓(熱壓)。此時,在比玻璃轉(zhuǎn)化溫度 (Tg)更高的溫度下加熱絕緣層21,并且絕緣層21軟化。為此,如圖15C所示,在絕緣層21上形成的布線圖30和金屬層40通過來自擠壓夾具84和85的壓力在絕緣層21中被推動。在該步驟中,布線圖30和金屬層40被嵌入到絕緣層21中,使得布線圖30的上表面在絕緣層21中不被推動,即,絕緣層21的第一主表面21A低于布線圖30的上表面。例如,如果布線圖30的厚度的約50%至90%被嵌入絕緣層21中,則從散熱的觀點看這是有益的。通過該嵌入,在絕緣層21的第一主表面21A中形成容納布線圖30和金屬層40的凹入部分22,并且在凹入部分22的底表面22A上形成布線圖30。另外,布線圖30和金屬層40的側(cè)表面的一部分由絕緣層21覆蓋(與絕緣層21接觸)。具體地,布線圖30和金屬層40的側(cè)表面的一部分與形成凹入部分22的側(cè)壁的絕緣層21接觸。由此,與將布線圖30和金屬層40嵌入絕緣層21 (參考圖15A)之前的狀態(tài)相比,布線圖30和金屬層40、以及絕緣層21之間的接觸面積如布線圖30和金屬層40的側(cè)表面與絕緣層21接觸那么多地增加。由此,從布線圖30和金屬層40到絕緣層21的熱傳導(dǎo)量增加。此后,如圖16A中所示,擠壓夾具84和85變?yōu)榕c基板IOA分離。接下來,在圖16B中所示的步驟中,在絕緣層21、布線圖30、以及金屬層40上形成具有開口 60X和60Y的絕緣層60。接下來,在圖16C中所示的步驟中,沿著切割線Dl切割相同圖中所示的結(jié)構(gòu)。由此,如圖16D中所示,本實施例的布線基板IA被生成為單位片,并且制造出多個布線基板IA0另外,在布線基板IA中,完整地形成在凹入部分22的底表面22A (第一表面)上形成布線圖30的絕緣層21 (第一絕緣層)和被形成以覆蓋布線圖30的側(cè)表面的一部分的絕緣層21 (第二絕緣層)。根據(jù)上述實施例,可以實現(xiàn)與第一實施例的(I)至(4)中相同的效果。(第三實施例)在下文中,將參考圖17至圖21描述第三實施例。另外,與圖1至圖16中所示的部件相同的部件被給予相同的附圖標(biāo)記,并且將省略每個元件的詳細(xì)說明。(布線基板的結(jié)構(gòu))如圖17B中所示,布線基板IB包括散熱片10、覆蓋散熱片10的上表面的絕緣層24、在絕緣層24上形成的布線圖34、在布線圖34上形成的金屬層44、以及覆蓋布線圖34的側(cè)表面的一部分和金屬層44的整個側(cè)表面的絕緣層61。絕緣層24被形成為覆蓋散熱片10的整個上表面。作為絕緣層24的材料,例如,可以使用具有高熱導(dǎo)率(例如,約lW/mK至10W/mK)的絕緣樹脂。具體地,作為絕緣層24的材料,例如,可以使用諸如聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂之類的絕緣樹脂、或者諸如二氧化硅或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。絕緣層24具有使散熱片10與布線圖34隔離的功能,以及將散熱片10粘著到布線圖34的功能。絕緣層24的厚度可以例如約為50 μ m至130 μ m。而且,在絕緣層24具有高絕緣特性的情況下,從散熱的觀點看,絕緣層24優(yōu)選薄薄地形成。另外,在絕緣層24的第一主表面24A (圖17B中的上表面)中,在必要位置(圖17(b,五個))處形成凹入部分25。每個凹入部分25在厚度方向上從絕緣層24的第一主表面24A到絕緣層24的中間位置形成,即,被形成使得凹入部分25的底表面25A在厚度方向上位于絕緣層24的中間。如圖17A中所示,凹入部分25的平面形狀在平面圖中形成為帶形或者在平面圖中為矩形形 狀。另外,多個凹入部分25被并行地形成,以相互鄰近。如圖17B中所示,在各個凹入部分25的底表面25A上形成布線圖34。多個布線圖34被并行地形成以相互鄰近。布線圖34的側(cè)表面的一部分由形成凹入部分25的側(cè)壁的絕緣層24覆蓋(與絕緣層24接觸),并且其剩余側(cè)表面由絕緣層61覆蓋。另外,相鄰的布線圖34通過形成凹入部分25的側(cè)壁的絕緣層24和絕緣層61電隔離。同樣地,布線圖34的一部分被形成為嵌入絕緣層24中。另外,雖然未示出,但是以與凹入部分25的平面形狀相同的方式,每個布線圖34的平面形狀在平面圖中形成為帶形或者在平面圖中形成為矩形形狀。而且,作為布線圖34的材料,例如,可以使用銅或銅合金。布線圖34的厚度可以例如約為30μπι至100 μ m。另外,相鄰的布線圖34之間的距離可以例如約為0.1mm至0.3mm。同樣地,在本實施例的布線基板IB中,相互完整地形成在凹入部分25的底表面25A (第一表面)上形成布線圖34的絕緣層24 (第一絕緣層)和被形成為覆蓋布線圖34的側(cè)表面的一部分的絕緣層24 (第二絕緣層)。另外,絕緣層24被形成為使得其第一主表面24A低于布線圖34的第一主表面34A (圖17B中的上表面)。金屬層44被形成為覆蓋每個布線圖34的整個第一主表面34A。具體地,如圖17A中所示,在平面圖中具有帶形(在平面圖中的矩形形狀)的多個(在圖17A中為五個)金屬層44被并行地形成以相互鄰近。另外,相鄰的金屬層44通過絕緣層61電隔離。如圖17B中所示,每個金屬層44被形成,使得其第一主表面44A (圖17B中的上表面)與絕緣層61的第一主表面61A (圖17B中的上表面)齊平。為此,在金屬層44中,其整個第一主表面44A從絕緣層61暴露。而且,如圖17A中所示,從絕緣層61暴露的金屬層44具有作為裝配發(fā)光元件70 (參考圖3)的裝配區(qū)CA的多個區(qū)域,并且具有用作電極端子的一對端部區(qū)域TA。在此,裝配區(qū)CA被布置為金屬層44上的矩陣(圖17A中為4X4)。裝配區(qū)CA包括一對金屬層44,其用作發(fā)光元件70被粘結(jié)到的焊盤44P和將該對金屬層44相互電隔離的絕緣層61。另外,一對端部區(qū)域TA形成在設(shè)置在五個金屬層44的最外位置處的兩個金屬層44上并且被形成到設(shè)置在金屬層44中的裝配區(qū)CA的外部。金屬層44的示例可以包括Ag層、Ni/Au 層、Ni/Ag 層、Ni/Pd/Au 層、Ni/Pd/Ag 層、Ni/Pd/Ag/Au 層等。而且,在金屬層 44 例如是Ni/Au層的情況下,Ni層的厚度可以約為Ιμπι至10 μ m,并且Au層的厚度可以約為0.05 μ m 至 2 μ m。如圖17B中所示,絕緣層61形成在絕緣層24的第一主表面24A上,以覆蓋布線圖34的側(cè)表面的一部分和金屬層44的整個側(cè)表面。從另一個觀點看,與凹入部分25連通的開口 61X在絕緣層61中形成在與絕緣層24的凹入部分25相對的位置處。如圖17A中所示,開口 61X的平面形狀被形成為平面圖中的帶形或者被形成為平面圖中的矩形形狀。另夕卜,多個開口 61X被并行地形成以相互鄰近。如圖17B中所示,在開口 61X中形成布線圖34和金屬層44。絕緣層61具有高反射率。具體地,絕緣層61在波長450nm至700nm之間具有50%或更高(適當(dāng)?shù)貫?0%或更高)的反射率。絕緣層61還被稱為白色抗蝕層或反射層。作為絕緣層61的材料,例如,可以使用白色絕緣樹脂。作為白色絕緣樹脂,例如,可以使用由白色氧化鈦(TiO2)或硫酸鋇(BaSO4)形成的裝填物或顏料包含在環(huán)氧樹脂、硅樹脂、或有機(jī)聚娃氧燒樹脂中的樹脂材料。另外,絕緣層61的厚度可以例如為20 μ m至50 μ m。(布線基板的制造方法)接下來,將參考圖18至圖21描述布線基板IB的制造方法。

      首先,為了制造布線基板1B,如圖18A中所示,制備多片支撐基板90。支撐基板90具有多個布線基板形成區(qū)域,這些布線基板形成區(qū)域是以與基板IOA相同的方式形成布線基板IB的區(qū)域。在支撐基板90中,對應(yīng)于布線基板IB的結(jié)構(gòu)在每個布線基板形成區(qū)域中形成,并且在支撐基板90被去除之后,使用切割刀片等沿著與多片基板IOA的切割線Dl(參見圖4)相對應(yīng)的位置被切割,并且由此與布線基板IB相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)被形成為單位片。作為支撐基板90,例如,可以使用金屬板或金屬箔,并且在本實施例中,例如,使用銅板。支撐基板90的厚度可以例如為0.3_至1.0_。另外,為了便于說明,在隨后描述的圖18至圖21中,示出單個布線基板形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)。接下來,在圖18B中所示的步驟中,在支撐基板90的第一主表面90A (圖中的上表面)上形成具有開口 91X的抗蝕層91,并且形成覆蓋支撐基板90的整個第二主表面90B(圖中的下表面)的抗蝕層92。開口 91X被形成為暴露支撐基板90的第一主表面90A與布線圖34和金屬層44 (參考圖17B)的形成區(qū)域相對應(yīng)的部分。換句話說,如圖18C中所示,在平面圖中具有帶形形狀(平面圖中為矩形形狀)的多個(在此為5個)開口 91X并行地形成,以在抗蝕層91中相互鄰近。如圖18B中所示,抗蝕層91被相對厚地(例如,約0.05mm至0.15mm)形成。抗蝕層91可以通過使多個抗蝕層重疊形成。另一方面,只要抗蝕層92覆蓋整個第二主表面90B以防止支撐基板90的第二主表面90B在隨后步驟中被電鍍,抗蝕層92的厚度就是足夠的,并且可以例如約為0.02mm至0.05mm。另外,作為抗蝕層91和92的材料,可以使用電鍍抗蝕材料。具體地,作為抗蝕層91和92的材料,可以使用光敏干膜抗蝕劑、液體光致抗蝕劑(例如,干膜抗蝕劑或酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等的液體抗蝕劑)等。例如,在使用光敏干膜抗蝕劑的情況下,通過熱壓縮在支撐基板90的兩個表面上都形成干膜,并且通過曝光和顯影來圖案化在支撐基板90的第一主表面90A上形成的干膜,由此形成抗蝕層91和92。而且,在還使用液體光致抗蝕劑的情況下,可以通過相同步驟形成抗蝕層91和92。接下來,在圖18D中所示的步驟中,通過使用抗蝕層91和92作為電鍍掩膜,對支撐基板90的第一主表面90A執(zhí)行將支撐基板90用作電鍍饋送層的電解電鍍。具體地,通過對從抗蝕層91的開口 91X暴露的支撐基板90的第一主表面90A執(zhí)行電解電鍍,在開口91X中順序地形成金屬層44和布線圖34。例如,在金屬層44是Au層和Ni層以該順序被順序地形成的結(jié)構(gòu),并且布線圖34是Cu層的情況下,首先,通過支撐基板90被用作電鍍饋送層的電解電鍍方法,在支撐基板90的第一主表面90A上順序地形成Au層和Ni層,由此形成金屬層44。接下來,通過支撐基板90被用作電鍍饋送層的電解電鍍方法在金屬層44上形成Cu層,由此形成布線圖34。接下來,在圖19A中所示的步驟中,通過例如堿性帶剝離劑去除圖18D中所示的抗蝕層91和92。此時,如圖19B中所示,在支撐基板90的第一主表面90A中暴露在平面圖中具有帶形形狀的多個布線圖34 (具體地布線圖34的第二主表面34B)。接下來,在圖19C中所示的步驟中,在從布線圖34暴露的支撐基板90的第一主表面90A上形成絕緣層61,以覆蓋金屬層44的整個側(cè)表面和布線圖34的側(cè)表面的一部分。絕緣層61被形成為使得其第二主表面61B (圖中的上表面)低于布線圖34的第二主表面34B。為此,在絕緣層61和布線圖34之間的界面處形成階梯差異(step difference)。換句話說,凹入部分形成在布線圖34之間并且在到布線圖34的外部的區(qū)域中??梢愿鶕?jù)例如使用樹脂糊劑的絲網(wǎng)印刷方法形成絕緣層61。接下來,在圖19C中所示的步驟中,通過在約150°C的溫度環(huán)境下執(zhí)行熱固化處理,來固化絕緣層61。接下來,在圖 20A中所示的步驟中,制備其中將變?yōu)榻^緣層24的薄片形絕緣層24B粘著到基板IOA的結(jié)構(gòu)24C。作為基板IOA的材料,可以使用諸如例如銅、鋁或鐵、或者包括這些金屬中的至少一種的合金的具有良好熱導(dǎo)率的金屬。作為絕緣層24B的材料,例如,可以使用諸如熱固性環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂之類的絕緣樹脂、或諸如二氧化硅或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。絕緣層24B使用在B-級狀態(tài)(半固化狀態(tài))下的一種。絕緣層24B的厚度可以例如約為50 μ m至130 μ m。另外,在圖20A中所示的步驟中,在圖19C中所示的結(jié)構(gòu)的上表面?zhèn)壬显O(shè)置結(jié)構(gòu)24C。此時,在絕緣層24B面向下使得絕緣層24B面對絕緣層61的第二主表面61B (圖20B中的上表面)和布線圖34的狀態(tài)下,設(shè)置結(jié)構(gòu)24C。另外,通過熱壓縮在圖19C中所示的結(jié)構(gòu)上形成薄片形結(jié)構(gòu)24C。通過此時的熱壓縮,如圖20B中所示,從絕緣層61暴露的布線圖34被推到絕緣層24B中。由此,絕緣層61的第二主表面61B、布線圖34的側(cè)表面、以及從絕緣層61暴露的布線圖34的整個第二主表面34B通過絕緣層24B覆蓋。此后,通過在約150°C的溫度環(huán)境下執(zhí)行熱固化處理,來固化絕緣層24B,由此形成絕緣層24。當(dāng)絕緣層24B被固化時,絕緣層24被粘著到絕緣層61和布線圖34,并且基板IOA被粘著到絕緣層24。通過該步驟,在絕緣層24的第一主表面24A中形成容納一部分布線圖34的凹入部分25,并且在凹入部分25的底表面25A上形成布線圖34。另外,布線圖34的側(cè)表面的一部分由絕緣層24覆蓋(與絕緣層24接觸)。具體地,布線圖34的側(cè)表面的一部分與形成凹入部分25的側(cè)壁的絕緣層24接觸。由此,與僅布線圖34的第二主表滿34B與絕緣層24接觸的情況相比,布線圖34和絕緣層24之間的接觸面積如布線圖34的側(cè)表面與絕緣層24接觸那么多地增加。由此,從布線圖34到絕緣層24的熱傳導(dǎo)量增加。另外,此時,由于絕緣層61被形成為覆蓋布線圖34的側(cè)表面的一部分,在絕緣層61上形成的絕緣層24的第一主表面24A (圖20B中的下表面)被形成為高于(在垂直倒轉(zhuǎn)的情況則低于)布線圖34的第一主表面34A。接下來,在圖20C中所示的步驟中,形成覆蓋基板IOA的一整個表面(圖20C中的上表面)的抗蝕層93。抗蝕層93被形成為防止基板IOA的上表面在隨后步驟中被蝕刻。另夕卜,作為抗蝕層93的材料,可以使用抗蝕刻材料。具體地,作為抗蝕層93的材料,可以使用光敏干膜抗蝕劑、液體光致抗蝕劑(例如,干膜抗蝕劑或酚醛樹脂、丙烯酸樹脂等的液體抗蝕劑)等。接下來,在圖20D中所示的步驟中,去除被用作臨時基板的支撐基板90 (參見圖20C)。例如,在銅板被用作支撐基板90的情況下,通過使用氯化鐵溶液、氯化銅溶液、過硫酸銨溶液等的濕蝕刻,來去除支撐基板90。此時,由于從絕緣層61暴露的金屬層44的最外表面是Au層等,只有作為銅板的支撐基板90可以被選擇性地蝕刻。當(dāng)以此方式去除支撐基板90時,沿著支撐基板90的第一主表面90A的形狀形成的金屬層44的第一主表面44A和絕緣層61的第一主表面61A相互齊平。此后,通過例如堿性剝離劑去除抗蝕層93。接下來,在圖21A中所示的步驟中,沿著切割線Dl切割相同圖中所示的結(jié)構(gòu)。由此,如圖21B中所示,根據(jù)本實施例的布線基板IB被形成為單位片,由此制造出多個布線基板1B。另外,在圖21A中,相同圖中的結(jié)構(gòu)被示出為被垂直倒轉(zhuǎn)至圖20D中所示的那樣。根據(jù)上述實施例 ,除了第一實施例的(I)至(4)中的效果之外,可以實現(xiàn)以下效果O(7)在裝配發(fā)光元件70的裝配表面?zhèn)鹊淖钔獗砻嬷行纬傻慕^緣層61的第一主表面61A (最外表面)被形成為與用作焊盤44P的金屬層44的第一主表面44A (最外表面)齊平。由此,由于絕緣層61不比焊盤44P的表面進(jìn)一步向上突出,絕緣層61和被倒裝粘結(jié)至焊盤44P的發(fā)光元件70之間的干擾(接觸)被適當(dāng)?shù)匾种啤榇?,即使發(fā)光元件70的凸塊71制作得精細(xì),并且由此發(fā)光元件70和焊盤44P之間的間隙變窄,也可以適當(dāng)?shù)匾种平^緣層61和發(fā)光元件70之間的干擾。從而,發(fā)光元件70可以使用精細(xì)凸塊71裝配,并且由此可以使整個發(fā)光器件小型化。(8)由于使用支撐基板90作為饋送層執(zhí)行電解電鍍方法,所以不必須形成用于電解電鍍的饋線。(第三實施例的修改示例)另外,通過適當(dāng)?shù)匦薷膶嵤├?,可以在以下方面?zhí)行第三實施例。第三實施例中的絕緣層24被省略,并且布線圖34的整個側(cè)表面可以由用作反射層的絕緣層覆蓋。在該情況下,可以根據(jù)例如以下制造方法制造布線基板。具體地,如圖22A中所示,在金屬層44和布線圖34形成在支撐基板90的第一主表面90A上的結(jié)構(gòu)之上設(shè)置薄片形絕緣層62被粘結(jié)到基板IOA的結(jié)構(gòu)62A。此時,結(jié)構(gòu)62A被設(shè)置為絕緣層62面向下的狀態(tài),使得絕緣層62面對布線圖34和支撐基板90。作為基板IOA的材料,可以使用諸如例如銅、鋁或鐵、或包括這些金屬中的至少一種的合金的具有良好熱導(dǎo)率的金屬。作為絕緣層62的材料,例如,可以使用具有高反射率和熱固化性能的白色絕緣樹脂。另外,絕緣層62的材料優(yōu)選為具有高熱導(dǎo)率的絕緣樹脂。而且,作為白色絕緣樹脂,例如,可以使用由白色氧化鈦或硫酸鋇形成的裝填物或顏料包含在環(huán)氧樹脂或硅樹脂中的樹脂材料。另外,通過熱壓縮在支撐基板90的第一主表面90A上形成薄片形結(jié)構(gòu)62A。通過此時的熱壓縮,如圖22B中所示,布線圖34和金屬層44被推動到絕緣層62中。由此,支撐基板90的第一主表面90A、布線圖34的整個側(cè)表面、金屬層44的整個側(cè)表面、以及布線圖34的整個第二主表面34B由絕緣層62覆蓋。此后,通過在約150°C的溫度環(huán)境下執(zhí)行熱固化處理,來固化絕緣層62,由此形成絕緣層63。另外,通過該步驟,容納布線圖34和絕緣層63的第一主表面63A中的金屬層44的凹入部分64、以及布線圖34形成在凹入部分64的底表面64A上。另外,絕緣層63被形成為覆蓋金屬層44的整個側(cè)表面、布線圖34的整個側(cè)表面、以及布線圖34的整個第二主表面34B。根據(jù)該制造方法,布線圖34和金屬層44被推到絕緣層62中,并且形成覆蓋布線圖34和金屬層44的絕緣層63。為此,根據(jù)該制造方法,即使布線圖34之間的間隙和金屬層44之間的間隙變窄,絕緣層63也可以容易地形成在布線圖34之間和金屬層44之間。另夕卜,在真空環(huán)境中形成絕緣層62,并且由此可以抑制空隙被生成到絕緣層62中。此后,以與圖20C至圖21C中所示的步驟相同的方式,支撐基板90通過蝕刻被去除,基板IOA等沿著切割線Dl被切割,以形成為單位片,并且由此可以獲得圖22C中所示的布線基板1C。另外,在布線基板IC中,省略絕緣層24,并且從而用作反射層的絕緣層63具有將散熱片10粘著到布線圖并且使散熱片10與布線圖34絕緣的功能。另外,在布線基板IC中,在凹入部分64的底表面64A (第一表面)上形成布線圖34的絕緣層63 (第一絕緣層)和被形成為覆蓋布線圖34的側(cè)表面的一部分的絕緣層63 (第二絕緣層)被整體形成。而且,在布線基板IC中,由于絕緣層24被省略,布線圖34和散熱片10之間插入的樹脂層可以制成薄的,并且從 而其可以改進(jìn)散熱性能。另外,例如,如圖23A中所示,絕緣層63可以被形成為覆蓋在支撐基板90的第一主表面90A上形成的金屬層44和布線圖34,并且可以在絕緣層63上形成基板IOA0甚至在該情況下,如圖23B所示,基板IOA和布線圖34經(jīng)由絕緣層63相互粘著,并且基板IOA和布線圖34通過絕緣層63相互絕緣。另外,絕緣層63被形成為覆蓋金屬層44的整個側(cè)表面、布線圖34的整個表面、以及布線圖34的整個第二主表面34B。即,甚至使用該制造方法,也可以制造具有與圖22C中所示的布線基板IC的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的布線基板。而且,在該情況下的絕緣層63優(yōu)選被整體應(yīng)用,并且從而可以使用樹脂糊劑,根據(jù)例如不僅絲網(wǎng)印刷方法而且膠輥包貼方法形成。另外,例如,如圖24中所示,由于可以在覆蓋金屬層44的整個側(cè)表面和布線圖34的側(cè)表面的一部分的絕緣層61形成在支撐基板90的第一主表面90A上的結(jié)構(gòu)上形成與絕緣層61的材料相同的材料制成的薄片形絕緣層62被粘著到基板IOA的結(jié)構(gòu)62A。具體地,如圖24A中所示,通過熱壓縮在絕緣層61的第二主表面61B上形成薄片形結(jié)構(gòu)62A。通過此時的熱壓縮,如圖24B中所示,從絕緣層61暴露的布線圖34被推動到絕緣層62中。由此,絕緣層61的第二主表面61B、以及布線圖34的側(cè)表面和從絕緣層61暴露的布線圖34的整個第二主表面34B由絕緣層62覆蓋。此后,通過在約150°C的溫度環(huán)境下執(zhí)行熱固化處理,來固化絕緣層62,由此形成絕緣層63。通過該步驟,在絕緣層61的第二主表面61B上形成絕緣層63和基板10A。甚至在該結(jié)構(gòu)和制造方法中,可以實現(xiàn)與第一實施例的(I)至(4)相同的效果。雖然在第三實施例中,薄片形絕緣樹脂被用作變?yōu)榻^緣層24的絕緣層24B的材料,但是液體或糊狀絕緣樹脂可以用作絕緣層24B的材料。另外,雖然在關(guān)于圖22和圖24描述的修改示例中,薄片形絕緣樹脂被用作變?yōu)榻^緣層63的絕緣層62的材料,但是液體或糊狀絕緣樹脂可以用作絕緣層62的材料。(其他實施例)另外,可以通過適當(dāng)?shù)匦薷膶嵤├谝韵路矫鎴?zhí)行每個上述實施例。每個實施例使用多片制造方法實現(xiàn),但是可以使用單片制造方法實現(xiàn)。換句話說,使用與單個布線基板1、1A、IB或IC相對應(yīng)的尺寸的基體材料,代替多片基板10A,并且可以制造布線基板1、1A、1B或IC和發(fā)光器件2。每個實施例中的每個布線基板1、1A、1B或IC和發(fā)光器件2的平面形狀不限于矩形形狀,并且可以是例如諸如三角形或五邊形形狀的多邊形形狀、或者圓形形狀。不特別限制裝配在每個實施例中的布線基板1、1A、1B或IC上的發(fā)光元件70的數(shù)
      量或布置。不特別限制每個實施例中的布線圖30或34的形狀。例如,可以對如圖25A中所示的布線圖進(jìn)行修改。換句話說 ,在平面圖中具有近似矩形形狀的多個布線圖35可以在平面圖中被設(shè)置為近似于W形狀。在該情況下,在圖的垂直方向上延伸的槽形狀開口 35X形成在在圖的水平方向上相互鄰近的布線圖35之間。另外,在圖的水平方向上延伸的帶形開口35Y形成在在圖的垂直方向上相互鄰近的布線圖35之間。多個布線圖35通過開口 35X和35Y相互分離。在布線圖35上形成用作焊盤40P的金屬層。布線圖35將裝配區(qū)域CA (參考虛線圓圈)布置為矩陣(在此為4X4)。另外,在布線圖35上形成用作電極端子41P的一對金屬層。該對電極端子41P被分別形成在位于布置為近似于W形的多個布線圖35中的W形的起點和終點處的布線圖35上。在發(fā)光元件裝配在提供有布線圖35和電極端子41P的布線基板上的情況下,在一個電極端子41P和另一個電極端子41P之間串聯(lián)連接多個(在此為16個)發(fā)光元件??商鎿Q地,存在對如圖25B中所示的布線圖的修改。換句話說,在平面圖中具有近似帶形形狀的布線圖36可以被設(shè)置,并且可以并行于布線圖36設(shè)置以相互鄰近的在平面圖中具有近似矩形形狀的多個布線圖37可以被設(shè)置為矩陣(在此為6 X 2 )。即,關(guān)于兩行相鄰的布線圖37共同提供布線圖36。在該情況下,在圖的垂直方向上延伸的槽形狀開口 37X形成在布線圖36和37之間以及在圖的水平方向上相互鄰近的各個布線圖37之間。另外,在圖的垂直方向上相互鄰近的布線圖37之間形成在圖的水平方向上延伸的帶狀開口 37Y。布線圖36和37、以及布線圖37通過開口 37X和37Y分別相互分離。在布線圖36和37上形成用作焊盤40P的金屬層。布線圖36和37將裝配區(qū)域CA (參考虛線圓圈)布置為矩陣(在此為6X6)。另外,布線圖37具有一對電極端子37P。在離布線圖36最遠(yuǎn)的兩個布線圖37中形成該對電極端子37P。在提供有布線圖36和37以及電極端子37P的布線基板上裝配發(fā)光元件的情況下,布置為矩陣(在此為6X3)的發(fā)光元件在布線圖36和一個電極端子37P之間串聯(lián)和并聯(lián)連接。另外,布置為矩陣的發(fā)光元件在布線圖36和另一個電極端子37P之間串聯(lián)和并聯(lián)連接。而且,串聯(lián)和并聯(lián)連接的發(fā)光元件組串聯(lián)連接??商鎿Q地,可以對如圖26中所示的布線圖進(jìn)行修改。換句話說,可以形成在平面圖中具有近似于梳子形狀的一對布線圖38。具體地,布線圖38具有在平面圖中形成為矩形形狀的電極部分38A,并且具有在其上形成用作電極端子41P的金屬層的上表面,以及具有從電極部分38A向內(nèi)延伸的梳齒形狀的多個(在圖26中為2)延伸部分38B。該對布線圖38被設(shè)置為使得相互延伸部分38B交替地布置。在該情況下,在布線圖38之間形成在平面圖中具有近似于Z形狀的開口 38X。該對布線圖38通過開口 38X相互分離。在延伸部分38B上形成用作焊盤40P的金屬層。布線圖38將裝配區(qū)域CA布置為矩陣(在此為3X2)。裝配區(qū)CA包括在由開口 38X分離的一對布線圖38上形成的焊盤40P。在提供有布線圖38和電極端子41P的布線基板上裝配發(fā)光元件的情況下,多個發(fā)光元件在一個電極端子41P和另一個電極端子41P之間串聯(lián)和并聯(lián)連接。(發(fā)光器件的應(yīng)用示例)圖27示出當(dāng)根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件2被應(yīng)用至照明裝置3時的截面圖。照明裝置3包括發(fā)光器件2、其上裝配有發(fā)光器件2的安裝板100、以及其中安裝有安裝板100的裝置主體120。另外,照明裝置3包括:蓋子130,其被安裝在裝置主體120中并且覆蓋發(fā)光器件2 ;固定臺140,其固定裝置主體120 ;以及發(fā)光電路150,其被安裝至固定臺140并且接通發(fā)光元件70。裝置主體120在平面圖中形成為合適的去掉尖端的圓錐形形狀。裝置主體120具有大直徑的截面120A,其中,安裝有安裝板100和蓋子130,并且具有小直徑的截面120B。裝置主體120由例如具有良好熱導(dǎo)率的鋁等制成。使用眾所周知的安裝工具(在此為螺絲釘)將安裝板100安裝在裝置主體120的截面120A中。另外,裝置主體120被提供有在截面120A和截面120B之間 穿過的通孔120X。經(jīng)由安裝板100電連接至發(fā)光器件2的發(fā)光元件70的電線160被設(shè)置在通孔120X中。電線160經(jīng)由通孔120X從截面120A側(cè)被引導(dǎo)至截面120B側(cè)。在外視圖中形成為近似圓屋頂形狀的蓋子130通過諸如硅樹脂的粘合劑被固定至裝置主體120的截面120A,使得蓋子130的內(nèi)部處于密封狀態(tài)。另外,蓋子130由例如硬質(zhì)玻璃制成。固定臺140由例如聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)樹脂或聚苯醚砜(PES)樹脂制成。使用眾所周知的安裝工具(粘合劑、螺絲釘?shù)?將固定臺140安裝在裝置主體120的截面120B中。插口(未示出)被安裝至固定臺140。發(fā)光電路150容納在固定臺140和插口內(nèi)部。例如,其上裝配有電路組件的發(fā)光電路150的電路板(未示出)被附著至固定臺140。發(fā)光電路150是將從插口提供的AC電壓轉(zhuǎn)換為DC電壓,并且經(jīng)由電線160將DC電壓提供給發(fā)光元件70,使得發(fā)光元件70發(fā)光的電路。接下來,將描述發(fā)光器件2裝配在安裝板100上的詳細(xì)示例。(發(fā)光器件的安裝示例I)圖28A示出當(dāng)發(fā)光器件2裝配在安裝板100A上時的截面圖。安裝板100A包括金屬板101、形成在金屬板101的上表面上的絕緣層102、以及形成在絕緣層102的上表面上的布線圖103。作為金屬板101的材料,可以使用諸如例如鋁和銅的具有良好熱導(dǎo)率的金屬。作為絕緣層102的材料,例如,可以使用諸如聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂、或諸如二氧化硅或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。作為布線圖103的材料,例如,可以使用銅或銅合金。在絕緣層102中形成暴露一部分金屬板101作為發(fā)光器件2的裝配區(qū)的開口102X。另外,發(fā)光器件2裝配在裝配區(qū)中,S卩,從開口 102X暴露的金屬板101上。具體地,在發(fā)光器件2中,在其下表面上形成的散熱片10通過熱傳導(dǎo)件104被熱粘結(jié)到金屬板101。另外,熱傳導(dǎo)件104可以使用例如諸如銦(In)、硅(或碳化氫)油脂、金屬裝填物、或石墨之類通過樹脂粘合劑以薄片形式產(chǎn)生的高熱傳導(dǎo)物質(zhì)的熱傳導(dǎo)件。另外,裝配在安裝板100A上的發(fā)光器件2的電極端子41P經(jīng)由類似彈簧的連接端子105 (在此為導(dǎo)線引腳)電連接至安裝板100A的布線圖103。根據(jù)該結(jié)構(gòu),由于發(fā)光器件2的散熱片10被粘結(jié)至安裝板100A的金屬板101,從發(fā)光器件2生成的熱可以散發(fā)至金屬板101。此時,絕緣層50被形成為與布線圖30和金屬層40的一部分接觸,從而從布線圖30和金屬層40到絕緣層20和50的熱傳導(dǎo)量增加。從而,由發(fā)光元件70生成的熱可以有效地傳導(dǎo)至散熱片10,進(jìn)一步地,由發(fā)光元件70生成的熱可以有效地傳導(dǎo)至金屬板101。(發(fā)光器件的裝配示例2)圖28B示出當(dāng)發(fā)光器件2裝配在安裝板100B上時的截面圖。安裝板100B包括金屬板111、在金屬板111的上表面上形成的絕緣層112、以及在絕緣層122的上表面上形成的布線圖113。作為金屬板111的材料,可以使用諸如例如鋁和銅的具有良好熱導(dǎo)率的金屬。作為絕緣層112的材料,例如可以使用諸如聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂、或諸如 二氧化硅或氧化鋁之類的裝填物與樹脂混合的樹脂材料。作為布線圖113的材料,例如,可以使用銅或銅合金。在布線圖113上裝配發(fā)光器件2。具體地,在發(fā)光器件2中,在其下表面上形成的散熱片10通過熱傳導(dǎo)件114熱粘結(jié)至布線圖113。另外,熱傳導(dǎo)件114可以使用例如熱傳導(dǎo)件,其中,通過樹脂粘合劑以薄片形式產(chǎn)生諸如銦、硅(或碳化氫)油脂、金屬裝填物或石墨之類的高熱導(dǎo)率物質(zhì)。另外,裝配在安裝板100B上的發(fā)光器件2的電極端子41P經(jīng)由焊線115電連接至安裝板100B的布線圖113。根據(jù)該結(jié)構(gòu),由于發(fā)光器件2的散熱片10經(jīng)由熱傳導(dǎo)件114熱粘結(jié)至布線圖113,因此從發(fā)光器件2生成的熱可以經(jīng)由布線圖113和絕緣層112從散熱片10擴(kuò)散至金屬板111。此時,絕緣層50被形成為與布線圖30和金屬層40的一部分接觸,并且從而從布線圖30和金屬層40到絕緣層20和50的熱傳導(dǎo)量增加。從而,由發(fā)光元件70生成的熱可以有效地傳導(dǎo)至散熱片10,進(jìn)一步地,由發(fā)光元件70生成的熱可以有效地傳導(dǎo)至布線圖113、絕緣層112、以及金屬板111。而且,被熱粘結(jié)至布線圖113的散熱片10的布線圖113用作用于散熱的布線層。另外,在該裝配示例中,在絕緣層112中不形成用于暴露金屬板111的開口 ;然而,在絕緣層112薄的情況下,從發(fā)光器件2生成的熱可以經(jīng)由絕緣層112擴(kuò)散至金屬板111。雖然已經(jīng)參考其特定示例性實施例示出和描述了本發(fā)明,但是其他實現(xiàn)在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,在不脫離由所附權(quán)利要求限定的發(fā)明的精神和范圍的情況下,在此可以從形 式和細(xì)節(jié)上作出多種形式的改變。
      權(quán)利要求
      1.一種布線基板,包括: 散熱片; 第一絕緣層,在所述散熱片上; 布線圖,在所述第一絕緣層上,其中,所述布線圖被配置成在其上裝配發(fā)光元件;以及 第二絕緣層,在所述第一絕緣層上,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板, 其中,所述布線圖包括: 第一表面; 與所述第一表面相反的第 二表面,所述第二表面面對所述第一絕緣層;以及 側(cè)表面,在所述第一表面和所述第二表面之間, 其中,所述第二絕緣層與所述布線圖的所述側(cè)表面的至少一部分接觸。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板,其中,所述第一絕緣層的熱導(dǎo)率和所述第二絕緣層的熱導(dǎo)率在lW/mK至10W/mK的范圍內(nèi)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板,其中,所述第二絕緣層的厚度小于所述布線圖的厚度。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線基板,還包括: 金屬層,在所述布線圖上,用以接觸所述布線圖的所述第一表面和所述側(cè)表面,其中,所述發(fā)光元件將經(jīng)由所述金屬層被裝配在所述布線圖上, 其中,所述第二絕緣層接觸所述金屬層的至少一部分。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的布線基板,還包括: 第一反射層,具有在所述第二絕緣層上的開口,使得所述金屬層從所述開口暴露,并且所暴露的金屬層用作用于在其上裝配所述發(fā)光元件的焊盤。
      7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線基板,還包括: 金屬層,在所述布線圖上,用以完全覆蓋所述第一表面; 第一反射層,在所述第二絕緣層上,用以接觸所述金屬層的整個側(cè)表面,以及 其中,所述金屬層的暴露表面與所述第一反射層的暴露表面齊平。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板,其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由相同材料制成。
      9.一種發(fā)光器件,包括: 權(quán)利要求1所述的布線基板; 發(fā)光元件,裝配在所述布線基板上;以及 封裝樹脂,封裝所述發(fā)光元件。
      10.一種制造布線基板的方法,所述方法包括: (a)在第一絕緣層上形成布線圖,該第一絕緣層形成在散熱片上; (b)在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露;以及 (C)形成在所述第二絕緣層上具有開口的第一反射層,使得一部分布線圖從所述開口暴露,其中,從所述開口暴露的所述部分布線圖用作用于在其上裝配發(fā)光元件的焊盤。
      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述布線圖包括: 第一表面; 與所述第一表面相反的第二表面,所述第二表面面對所述第一絕緣層;以及 側(cè)表面,在所述第一表面和所述第二表面之間, 其中,所述第二絕緣層接觸所述布線圖的所述側(cè)表面的至少一部分。
      12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第二絕緣層的材料不同于所述第一絕緣層的材料。
      13.—種制造布線基板的方法,所述方法包括: (a)在第一絕緣層上形成布線圖,該第一絕緣層形成在散熱片上; (b )在加熱所述布線圖的同時,將所述第一絕緣層按壓在所述布線圖上,使得所述布線圖的一部分嵌入所述第一絕緣層中;以及 (C)形成在所述第一絕緣層上具有開口的第一反射層,使得一部分布線圖從所述開口暴露,其中,從所述開口暴露的所述部分布線圖用作用于在其上裝配發(fā)光元件的焊盤。
      14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,還包括: Cd)在所述布線圖上形成金屬層,以接觸所述布線圖的所述第一表面和所述側(cè)表面,其中,所述發(fā)光元件將經(jīng)由所述金屬層被安裝在所述布線圖上。
      15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法, 其中,步驟(a)包括: 在所述第一絕緣層上形成布線圖、用于電解電鍍的饋線、以及將所述布線圖連接至所述饋線的連接部分, 其中,所述方法還包括: (d)在所述布線圖上形成金屬層,以通過使用所述布線層作為饋送層的電解電鍍,來接觸所述布線層的所述第一表面和所述側(cè)表面;以及 Ce)在步驟(b)之后去除所述饋線和所述連接部分中的至少一個, 其中,步驟(b)包括: 在所述第一絕緣層上形成所述第二絕緣層,以覆蓋所述金屬層的至少一部分,以及 其中,步驟(C)包括: 在步驟(d)之后使用絲網(wǎng)印刷方法在所述第二絕緣層上形成所述第一反射層。
      16.一種制造布線基板的方法,所述方法包括: (a)在支撐基板上形成具有開口的抗蝕層; (b)通過使用所述支撐基板作為饋送層的電解電鍍,在從所述開口暴露的所述支撐基板的一部分上形成金屬層,并且在所述金屬層上形成布線圖; (C)去除所述抗蝕層; (d)在所述支撐基板上形成第一反射層,以覆蓋所述金屬層的整個側(cè)表面; Ce)在所述第一反射 層上形成第一絕緣層,以覆蓋所述布線圖;以及 (f)去除所述支撐基板。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了布線基板、發(fā)光器件以及制造布線基板的方法。一種布線基板,包括散熱片;散熱片上的第一絕緣層;第一絕緣層上的布線圖,其中,布線圖被配置成將發(fā)光元件安裝在其上;以及第一絕緣層上的第二絕緣層,使得布線圖從第二絕緣層暴露。
      文檔編號H05K1/02GK103227275SQ201310030269
      公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月25日
      發(fā)明者村松茂次, 清水浩, 小林和貴 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社
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