專利名稱：一種組合晶體的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種加工方法，尤其是組合晶體的加工方法。
背景技術(shù)：
二極管泵浦固體狀態(tài)(DPSS)激光器的理想模塊組件。DPM (膠合晶體)晶體，采用特殊角和工藝將KTP晶體和YV04晶體膠合在一起。YV04晶體與KTP晶體結(jié)合起來，是用凝膠粘合兩個通光面，容易在粘合面形成界面，降低激光輸出功率。粘合操作不好，凝膠物體會導(dǎo)致組合晶體器件不能產(chǎn)生諧振，因此不出光。雖然工藝簡單操作快捷，但是不合格產(chǎn)品太多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種組合晶體的加工方法，能夠提高YV04晶體與KTP晶體組合晶體的合格率，提高了經(jīng)濟收益。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。一種組合晶體的加工方法，包括步驟:
(I)將光膠板在80 90° C水溫下浸泡5 10分鐘后烘干；(2)在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將YV04晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工；(3)在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將KTP晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工；(4)用90 100° C的去離子水浸泡完成拋光的YV04晶和KTP晶體，再用90-100度熱水沖洗清潔；(5)將YV04晶和KTP晶體的經(jīng)過拋光的單面光膠，然后在光交處涂抹一層聚氨酯膠密封粘接；(6)對YV04晶和KTP晶體的組合晶體進行鍍膜加工。進一步地，上述步驟(2)中，YV04晶體粘固時，在其周圍填充一圈YV04晶體粉末。進一步地，上述步驟(2)中，KTP晶體粘固時，在其周圍填充一圈KTP晶體粉末。本發(fā)明的有益效果:通過本發(fā)明提供的方法，加工制備的YV04晶體與KTP晶體組合晶體輸出功率基本一致，激光模式穩(wěn)定，提高了組合晶體的合格率，同時經(jīng)濟效益提高了 23%-30%。
具體實施例方式下面根據(jù)實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明。實施案例1:組合晶體的加工方法，包括步驟:( I)將光膠板在8(T90° C水溫下浸泡5 10分鐘后烘干；(2)在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將YV04晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工；YV04晶體粘固時，在其周圍填充一圈YV04晶體粉末，粉末可以起到保護晶體的作用。(3)在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將KTP晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工；KTP晶體粘固時，在其周圍填充一圈KTP晶體粉末，粉末可以起到保護晶體的作用。(4)用90 100° C的去離子水浸泡完成拋光的YV04晶和KTP晶體，再用90-100度熱水沖洗清潔；(5)將YV04晶和KTP晶體的經(jīng)過拋光的單面光膠，然后在光交處涂抹一層聚氨酯膠密封粘接；聚氨酯膠是激光器件粘于固定器件接專用膠，耐高溫，在后續(xù)的鍍膜工藝中不易融化導(dǎo)致YV04晶和KTP晶體之間的位置發(fā)生偏移。(6)對YV04晶和KTP晶體的組合晶體進行鍍膜加工。鍍膜加工采用的參數(shù)為:S1:R>99.8% §1064&532nm, R<5% §808 nm;S2: R>99.8%@1064 nm， R<5% @532 nm。本發(fā)明，組合晶體的加工方法，加工制備的YV04晶體與KTP晶體組合晶體輸出功率基本一致，激光模式穩(wěn)定，提高了組合晶體的合格率，同時經(jīng)濟效益提高了 23%-30%。上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都`應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種組合晶體的加工方法，其特征在于，包括步驟: (1)將光膠板在8(T90°C水溫下浸泡5 10分鐘后烘干； (2)在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將YV04晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工； (3)在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將KTP晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工； (4)用90 100°C的去離子水浸泡完成拋光的YV04晶和KTP晶體，再用90-100度熱水沖洗清潔； (5)將YV04晶和KTP晶體的經(jīng)過拋光的單面光膠，然后在光交處涂抹一層聚氨酯膠密封粘接； (6)對YV04晶和KTP晶體的組合晶體進行鍍膜加工。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合晶體的加工方法，其特征在于，所述步驟(2)中，YV04晶體粘固時，在其周圍填充一圈YV04晶體粉末。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合晶體的加工方法，其特征在于，所述步驟(2)中，KTP晶體粘固時，在其周圍填充一圈KTP 晶體粉末。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種組合晶體的加工方法，包括步驟將光膠板在80~90°C水溫下浸泡5~10分鐘后烘干；在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將YVO4晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工；在光膠板上均勻涂抹上一層凝膠將KTP晶體粘固，進行單面光學(xué)拋光加工；用90~100°C的去離子水浸泡完成拋光的YVO4晶和KTP晶體，再用90-100度熱水沖洗清潔；將YVO4晶和KTP晶體的經(jīng)過拋光的單面光膠，然后在光交處涂抹一層聚氨酯膠密封粘接；對YVO4晶和KTP晶體的組合晶體進行鍍膜加工。本發(fā)明的優(yōu)點在于，加工制備的YVO4晶體與KTP晶體組合晶體輸出功率基本一致，激光模式穩(wěn)定，提高了組合晶體的合格率，同時經(jīng)濟效益提高了23%-30%。
文檔編號C30B33/06GK103074689SQ201310030368
公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月25日
發(fā)明者萬文, 萬黎明 申請人:安徽環(huán)巢光電科技有限公司