接口電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種接口電路，該接口電路根據(jù)調(diào)光器的有無及種類來使調(diào)光器穩(wěn)定地進(jìn)行動作。實(shí)施方式的接口電路包括：整流電路、檢測電路、第一電路、及第二電路。所述整流電路對輸入至一對輸入端子之間的交流電壓進(jìn)行整流。所述檢測電路對所述交流電壓進(jìn)行檢測，將所述交流電壓作為檢測電壓而予以輸出。所述第一電路基于輸入的第一控制信號而被控制成導(dǎo)通或斷開，在導(dǎo)通時，使第一電流流入至所述一對輸入端子之間，在斷開時，將所述第一電流阻斷。所述第二電路基于輸入的第二控制信號而被控制成導(dǎo)通或斷開，在導(dǎo)通時，使比所述第一電流更大的第二電流流入至所述一對輸入端子之間，在斷開時，將所述第二電流阻斷。
【專利說明】接口電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種接口電路(interface circuit)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，在照明裝置中，照明光源正從白熾燈泡或熒光燈更換為節(jié)能且壽命長的光源例如發(fā)光二極管(Light-emitting diode:LED)。另外，例如電致發(fā)光(Electro-Luminescence, EL)兀件或有機(jī)發(fā)光二極管(Organic light-emitting diode:0LED)等新的照明光源也已被開發(fā)。
[0003]雙線式調(diào)光器是以對如下的相位進(jìn)行控制的方式而構(gòu)成，且已作為白熾燈泡的調(diào)光器而得到普及，所述相位是使雙向開關(guān)三極管(triac)導(dǎo)通(turn on)的相位。此種調(diào)光器使用了相位控制的構(gòu)成與逆相位控制的構(gòu)成，所述相位控制的構(gòu)成對在交流電壓的零交叉(zero cross)至最大值之間導(dǎo)通的相位進(jìn)行控制,所述逆相位控制的構(gòu)成對在最大值與零交叉之間阻斷的相位進(jìn)行控制。因此，較為理想的是，也可利用所述調(diào)光器來對LED等照明光源進(jìn)行調(diào)光。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)I美國專利申請公開第2011/0012530號說明書
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種接口電路，該接口電路根據(jù)調(diào)光器的有無及種類來使調(diào)光器穩(wěn)定地進(jìn)行動作。
[0009]解決課題的手段
[0010]實(shí)施方式的接口電路包括:整流電路、檢測電路、第一電路、及第二電路。所述整流電路對輸入至一對輸入端子之間的交流電壓進(jìn)行整流，該交流電壓是借由調(diào)光器而受到相位控制或受到逆相位控制的交流電壓，或是不經(jīng)由調(diào)光器的相位連續(xù)的交流電壓。所述檢測電路對所述交流電壓進(jìn)行檢測，將所述交流電壓作為檢測電壓而予以輸出。基于輸入的第一控制信號，將所述第一電路控制成導(dǎo)通或斷開，當(dāng)所述第一電路導(dǎo)通時，使第一電流流入至所述一對輸入端子之間，當(dāng)所述第一電路斷開時，將所述第一電流阻斷?；谳斎氲牡诙刂菩盘枺瑢⑺龅诙娐房刂瞥蓪?dǎo)通或斷開，當(dāng)所述第二電路導(dǎo)通時，使第二電流流入至所述一對輸入端子之間，該第二電流大于所述第一電流，當(dāng)所述第二電路斷開時，將所述第二電流阻斷。
[0011]發(fā)明的效果
[0012]本發(fā)明提供一種接口電路，該接口電路根據(jù)調(diào)光器的有無及種類來使調(diào)光器穩(wěn)定地進(jìn)行動作?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0013]圖1是例示第一實(shí)施方式的接口電路的電路圖。
[0014]圖2是例示進(jìn)行相位控制的調(diào)光器的電路圖。
[0015]圖3是例示進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器的電路圖。
[0016]圖4(a)?圖4(e)是例示無調(diào)光器時的接口電路的主要信號的波形圖。
[0017]圖5(a)?圖5(e)是例示存在進(jìn)行相位控制的調(diào)光器時的接口電路的主要信號的波形圖。
[0018]圖6(a)?圖6(e)是例示存在進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器時的接口電路的主要信號的波形圖。
[0019]圖7是例示第二實(shí)施方式的接口電路的電路圖。
[0020]圖8是例示接口電路的第一電路及第二電路的動作的概略圖。
[0021]圖9是例示第三實(shí)施方式的接口電路的電路圖。
[0022]圖10是對控制電路的動作進(jìn)行說明的流程圖。
[0023]圖11是對控制電路的動作進(jìn)行說明的其他流程圖。
[0024]附圖標(biāo)記:
[0025]1、la、Ib:接 口電路
[0026]2:交流電源
[0027]3、3a、3b:調(diào)光器
[0028]4:照明設(shè)備
[0029]5:輸入端子/端子
[0030]6:輸入端子
[0031]7、33g、33h:端子
[0032]8、9:輸出端子
[0033]10、40:整流電路
[0034]10a、10b:輸入端子(整流電路的輸入端子)
[0035]IOc:高電位端子
[0036]IOd:低電位端子
[0037]11:平滑電容器
[0038]12:雙向開關(guān)三極管
[0039]13:相位電路
[0040]14:雙向開關(guān)二極管
[0041]15:可變電阻器
[0042]16:整時電容器(timing condenser)
[0043]17:扼流圈
[0044]18、30、39、47:電容器
[0045]19:負(fù)載電路
[0046]20、20a:控制電路
[0047]21、22:整流元件
[0048]23:第一電阻器/電阻器[0049]24:第二電阻器/電阻器
[0050]25:開關(guān)元件
[0051]26、27、32、38、46、50:電阻器
[0052]28、29:晶體管
[0053]31:第三電阻器/電阻器
[0054]33a,33b,33c,33d,33e,33f:控制端子
[0055]34、40:整流電路
[0056]35:半導(dǎo)體開關(guān)
[0057]36:光稱合器
[0058]36a:受光元件
[0059]36b:發(fā)光兀件
[0060]37、49: 二極管
[0061]41:調(diào)光控制電路
[0062]42:檢測電路
[0063]43:第一電路
[0064]44:第二電路
[0065]45:電源電路
[0066]48:齊納二極管
[0067]49: 二極管
[0068]51:晶體管
[0069]100:電感器
[0070]101:濾波電容器
[0071]IB:電流
[0072]SI ?S6、S11 ?S14:步驟
[0073]VBl:第一控制信號
[0074]VB2:第二控制信號
[0075]VCT:交流電壓
[0076]VDC:直流電壓
[0077]VIN:電源電壓
[0078]VR:檢測電壓
[0079]Vl:規(guī)定值
【具體實(shí)施方式】
[0080]以下，參照附圖來詳細(xì)地對實(shí)施例進(jìn)行說明。再者，在本申請的說明與各圖中，對與在已出現(xiàn)過的圖中經(jīng)敘述的要素相同的要素附上相同的符號，且適當(dāng)?shù)厥÷栽敿?xì)的說明。
[0081]第一實(shí)施方式
[0082]圖1是例示第一實(shí)施方式的接口電路的電路圖。
[0083]第一實(shí)施方式的接口電路I為如下的接口電路，該接口電路將從交流電源2經(jīng)由調(diào)光器3而被供給的交流電壓VCT及第一控制信號VB1、第二控制信號VB2予以輸入，將直流電壓VDC輸出至例如照明設(shè)備4等。再者，照明設(shè)備4例如包括發(fā)光二極管(LED)等照明光源，將電力經(jīng)由接口電路1，從交流電源2供給至該照明設(shè)備4，接著，該照明設(shè)備4點(diǎn)燈。另外，照明設(shè)備4可借由調(diào)光器3，經(jīng)由接口電路I來對照明設(shè)備4進(jìn)行調(diào)光。
[0084]交流電源2例如為商用電源。另外，在本實(shí)施方式中，例示了如下的構(gòu)成作為調(diào)光器3，該構(gòu)成串聯(lián)地插入至供給電源電壓VIN的一對電源線的一個端子5、7之間，但也可為其他構(gòu)成。另外，也可為不使用調(diào)光器3的構(gòu)成。
[0085]調(diào)光器3 —般有相位控制(leading edge)方式與逆相位控制(trailing edge)方式，所述相位控制(leading edge)方式是對在從交流電壓的零交叉至交流電壓的絕對值達(dá)到最大值的期間中導(dǎo)通的相位進(jìn)行控制，所述逆相位控制(trailing edge)方式是對在從交流電壓的絕對值達(dá)到最大值至交流電壓進(jìn)行零交叉的期間中阻斷的相位進(jìn)行控制。
[0086]進(jìn)行相位控制的調(diào)光器的電路構(gòu)成簡單，可對比較大的電力負(fù)載進(jìn)行處理。然而，在使用有雙向開關(guān)三極管的情況下，難以進(jìn)行輕負(fù)載動作，且若產(chǎn)生電源電壓暫時下降即所謂的電源暫降，則容易陷入不穩(wěn)定的動作。另外，存在如下的特征:例如在連接著電容性負(fù)載的情況下會產(chǎn)生突入電流(inrush current),因此,與電容性負(fù)載之間的相容性(compatibility)差。
[0087]另一方面，進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器即使在輕負(fù)載下也能夠進(jìn)行動作，且即使連接著電容性負(fù)載，也不會產(chǎn)生突入電流，另外，即使產(chǎn)生電源暫降，動作也穩(wěn)定。然而，由于電路構(gòu)成復(fù)雜，且溫度容易上升，因此，不適合于重負(fù)載。另外，存在如下的特征:例如在連接著電感性負(fù)載的情況下，會產(chǎn)生電涌(surge)。
[0088]當(dāng)連接例如白熾燈泡等低阻抗(impedance)元件作為調(diào)光器的負(fù)載時，在交流電壓的整體相位(overall phase)中，電流流動，因此,調(diào)光器不會進(jìn)行誤動作。然而，當(dāng)連接例如使LED等照明光源點(diǎn)燈的點(diǎn)燈電路作為調(diào)光器的負(fù)載時，輸入阻抗根據(jù)交流電壓的相位而發(fā)生變化，調(diào)光器有可能會進(jìn)行誤動作。因此，本實(shí)施方式的接口電路I根據(jù)調(diào)光器的有無，以及在連接有調(diào)光器的情況下，根據(jù)調(diào)光器進(jìn)行相位控制還是進(jìn)行逆相位控制的種類，使電流流動，從而使調(diào)光器穩(wěn)定地進(jìn)行動作。
[0089]圖2是例示進(jìn)行相位控制的調(diào)光器的電路圖。
[0090]調(diào)光器3a包括:雙向開關(guān)三極管12，串聯(lián)地插入至電源線；電感器(inductor) 100，串聯(lián)地連接于雙向開關(guān)三極管12 ;相位電路13，并聯(lián)地連接于雙向開關(guān)三極管12與電感器100的串聯(lián)電路；雙向開關(guān)二極管(diac) 14，連接在雙向開關(guān)三極管12的柵極(gate)與相位電路13之間；以及濾波電容器(filter condenser) 101,并聯(lián)地連接于雙向開關(guān)三極管12與電感器100的串聯(lián)電路。
[0091]通常，雙向開關(guān)三極管(triac) 12的主電極之間處于阻斷狀態(tài)，若脈沖(pulse)信號輸入至柵極，則該雙向開關(guān)三極管12導(dǎo)通。雙向開關(guān)三極管12可使電流向交流的電源電壓VIN為正極性時與負(fù)極性時的兩個方向流動。
[0092]相位電路13包含可變電阻器15與整時電容器(timing condenser) 16,且在整時電容器16的兩端產(chǎn)生相位已延遲的電壓。另外，若使可變電阻器15的電阻值發(fā)生變化，則時間常數(shù)發(fā)生變化，延遲時間發(fā)生變化。
[0093]若對相位電路13的電容器充電的電壓超過固定值，則雙向開關(guān)二極管14產(chǎn)生脈沖電壓，使雙向開關(guān)三極管12導(dǎo)通。
[0094]使相位電路13的時間常數(shù)發(fā)生變化，從而對雙向開關(guān)二極管14產(chǎn)生脈沖時的時機(jī)進(jìn)行控制，借此，可對雙向開關(guān)三極管12導(dǎo)通時的時機(jī)進(jìn)行調(diào)整。因此，調(diào)光器3a可對交流電壓VCT的相位控制的導(dǎo)通期間進(jìn)行調(diào)整。
[0095]電感器100使電流i的變化率di/dt減小，以防止雙向開關(guān)三極管12受到破壞。設(shè)置濾波電容器101作為電感器100的濾波器，以防止噪聲。
[0096]對于能夠進(jìn)行相位控制的范圍而言，例如最小寬度為電源電壓VIN的半個周期的10%?25%。例如當(dāng)交流電源2是頻率為50Hz的商用電源時，半個周期為10ms，最小時間寬度為Ims?2.5msο另外,通過調(diào)光器3a的交流電壓VCT的絕對值為峰值(peak)電壓即最大值的25%?65%左右。例如當(dāng)交流電源2是有效值為100V的商用電源時，峰值電壓為141V，可產(chǎn)生的交流電壓VCT為30V?90V。
[0097]圖3是例示進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器的電路圖。
[0098]調(diào)光器3b包括:整流電路34、整流電路40、半導(dǎo)體開關(guān)(switch) 35、光耦合器(photocoupler) 36、二極管37、電阻器38、電容器39、以及調(diào)光控制電路41。
[0099]整流電路34串聯(lián)地插入至一對電源線的單側(cè)。半導(dǎo)體開關(guān)35例如為場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，F(xiàn)ET)，且連接在整流電路34的一對輸出端子之間。另外，二極管37、電阻器38及電容器39串聯(lián)地連接在整流電路34的一對輸出端子之間，構(gòu)成使半導(dǎo)體開關(guān)35導(dǎo)通的偏壓電路(bias circuit)。
[0100]光稱合器36包括受光兀件36a與發(fā)光兀件36b,受光兀件36a連接在半導(dǎo)體開關(guān)35的控制端子(柵極)與構(gòu)成偏壓電路的電容器39之間。若光稱合器36的受光兀件36a導(dǎo)通，則會將電容器39的電壓施加至半導(dǎo)體開關(guān)35的控制端子。
[0101]整流電路40并聯(lián)地連接于一對電源線。調(diào)光控制電路41連接在整流電路40的一對輸出端子之間。另外，光I禹合器36的發(fā)光兀件36b連接于調(diào)光控制電路41的輸出。若發(fā)光兀件36b發(fā)光,則受光兀件36a導(dǎo)通,將電容器39的電壓施加至半導(dǎo)體開關(guān)35的控制端子。結(jié)果，半導(dǎo)體開關(guān)35導(dǎo)通，調(diào)光器3b成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，當(dāng)發(fā)光元件36b不發(fā)光時，受光元件36a阻斷，半導(dǎo)體開關(guān)35阻斷，調(diào)光器3b成為阻斷狀態(tài)。
[0102]調(diào)光控制電路41例如包含微電腦(microcomputer)或微處理器(MicroProcessing Unit, MPU)，該調(diào)光控制電路41對使發(fā)光元件36b發(fā)光的時機(jī)進(jìn)行調(diào)整，對輸入的電源電壓VIN的相位控制的導(dǎo)通期間進(jìn)行控制，從而進(jìn)行調(diào)光。
[0103]對于能夠進(jìn)行逆相位控制的范圍而言,例如最小寬度為電源電壓VIN的半個周期的10%?35%。例如當(dāng)交流電源2是頻率為50Hz的商用電源時，半個周期為10ms，最小時間寬度為Ims?3.5msο
[0104]再次返回至圖1，接口電路I包括:整流電路10、平滑電容器11、扼流圈(chokecoil) 17、電容器18、以及負(fù)載電路19。
[0105]整流電路10包含二極管電橋(diode bridge)。整流電路10的輸入端子10a、10b經(jīng)由扼流圈17而連接于一對輸入端子5、6。受到相位控制或受到逆相位控制的交流電壓VCT經(jīng)由調(diào)光器3而輸入至整流電路10的輸入端子10a、10b。再者，在本實(shí)施方式中，例示了使用調(diào)光器3的構(gòu)成，但也可為使用調(diào)光器3a或調(diào)光器3b的構(gòu)成，另外，也可為不使用調(diào)光器的構(gòu)成。[0106]平滑電容器11連接于整流電路10的高電位端子IOc與低電位端子10d，在平滑電容器11的兩端產(chǎn)生已變得平滑的直流電壓VDC。直流電壓VDC作為調(diào)光接口電路I的輸出電壓而從輸出端子8、9輸出。再者，整流電路10只要可對從調(diào)光器3輸入的交流電壓VCT進(jìn)行整流即可，且也可為其他構(gòu)成。
[0107]負(fù)載電路19連接于整流電路10的輸入端子10a、10b，使電流經(jīng)由扼流圈17而流入至一對輸入端子5、6。負(fù)載電路19包括:一對整流元件21、22、開關(guān)元件25、檢測電路42、第一電路43、及第二電路44等。 [0108]一對整流元件21、22例如為二極管，該一對整流元件21、22各自的陽極(anode)經(jīng)由扼流圈17而連接于一對輸入端子5、6。另外，一對整流元件21、22各自的陰極(cathode)被連接，一對整流元件21、22向逆導(dǎo)通的方向，串聯(lián)地連接于一對輸入端子5、6。
[0109]開關(guān)元件25例如為FET，且例如為GaN-高電子遷移率晶體管(High ElectronMobility Transistor, HEMT),而且為常導(dǎo)通(normally on)型的元件。開關(guān)元件25的漏極(drain)連接于整流元件21的陰極及整流元件22的陰極,開關(guān)元件25的源極(source)經(jīng)由第一電路43及第二電路44而連接于低電位端子10d，開關(guān)元件25的柵極連接于低電位端子10d。
[0110]檢測電路42包括:電阻器(第一電阻器)23、電阻器(第二電阻器)24、電阻器(第三電阻器)31。電阻器23、24經(jīng)由扼流圈17而串聯(lián)地連接于一對輸入端子5、6。再者，將電阻器23的電阻值與電阻器24的電阻值設(shè)定得相等。另外，電阻器31連接在電阻器23、24的連接點(diǎn)與低電位端子IOd之間。電阻器31兩端的電壓作為檢測電壓VR而被輸出，該檢測電壓VR是對交流電壓VCT的絕對值進(jìn)行檢測的電壓。檢測電壓VR經(jīng)由控制端子33b而輸出至微處理器32。
[0111]第一電路43包括:電阻器27與晶體管(transistor) 29。電阻器27的一端連接于開關(guān)元件25的源極，電阻器27的另一端連接于晶體管29的漏極。晶體管29的源極連接于低電位端子10d，晶體管29的柵極經(jīng)由電阻器及控制端子33c而連接于微處理器32。第一控制信號VBl從微處理器32輸入至晶體管29的柵極。
[0112]第二電路44包括:電阻器26、晶體管28、及電容器30。電阻器26的一端連接于開關(guān)元件25的源極，電阻器26的另一端經(jīng)由電容器30而連接于晶體管28的漏極。晶體管28的源極連接于低電位端子10d，晶體管28的柵極經(jīng)由電阻器及控制端子33d而連接于微處理器32。第二控制信號VB2從微處理器輸入至晶體管28的柵極。再者，晶體管28、29例如為FET，且例如為N通道(channel)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor, M0SFET) (N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體(N-MetalOxide Semiconductor, NMOS))?
[0113]另外，微處理器32經(jīng)由控制端子33a、33e而分別連接于高電位端子10c、低電位端子10d。低電位端子IOd的電位作為基準(zhǔn)電位而輸入至微處理器32，高電位端子IOc的電位作為平滑電容器11的電位而輸入至微處理器32。微處理器32基于經(jīng)由控制端子33a、33b、33e而輸入的信號，將對接口電路I進(jìn)行控制的第一控制信號VB1、第二控制信號VB2輸出至控制端子33c、33d。
[0114]接著，按照無調(diào)光器的情況、存在進(jìn)行相位控制的調(diào)光器3a的情況及存在進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器3b的情況的順序，對接口電路I的動作進(jìn)行說明。[0115]圖4(a)?圖4(e)是例示無調(diào)光器時的接口電路的主要信號的波形圖，其中圖4(a)是電源電壓VIN，圖4(b)是檢測電壓VR，圖4(c)是第一控制信號VB1，圖4(d)是第二控制信號VB2,圖4(e)是電流IB。
[0116]再者，本實(shí)施方式為無調(diào)光器的構(gòu)成，因此，輸入至接口電路I的交流電壓VCT與交流電源2的電源電壓VIN相等。
[0117]交流電源2例如是頻率為50Hz、電壓為100V的商用電源。交流電源2的電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，例如電源電壓VIN成為如下的相位，該相位將輸入端子5側(cè)設(shè)為正極性，將輸入端子6側(cè)設(shè)為負(fù)極性。交流電壓VCT( = VIN)經(jīng)由整流元件21而被供給至開關(guān)元件25的漏極。由于開關(guān)元件25為常導(dǎo)通型的元件，因此導(dǎo)通。
[0118]另外，整流元件22處于阻斷狀態(tài)。電阻器24兩端的電壓高于連接在晶體管28的基極(base)與發(fā)射極(emitter)之間的電阻器32兩端的電壓。結(jié)果，整流電路10中的輸入端子IOb與低電位端子IOd之間成為導(dǎo)通狀態(tài)。
[0119]檢測電壓VR成為利用電阻器23、31來對電源電壓VIN的絕對值進(jìn)行分割所得的電壓，且根據(jù)電源電壓VIN而發(fā)生變化(圖4 (a)、圖4 (b))。
[0120]另外，第一控制信號VBl處于高電平(high level)(圖4(c))，晶體管29導(dǎo)通。結(jié)果，第一電路43被控制成導(dǎo)通，第一電流流入至一對輸入端子5、6之間(圖4(e))。另外，第二控制信號VB2處于低電平(low level)(圖4(d))，晶體管28斷開。結(jié)果，第二電路44被控制成斷開，第二電流被阻斷。
[0121]若電源電壓VIN的相位隨著時間的經(jīng)過而前進(jìn)，則檢測電壓VR經(jīng)過最大值而逐漸減少(圖4(a))。第一電路43使第一電流流入至輸入端子5、6之間。
[0122]若電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，電源電壓VIN的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)，輸入端子5側(cè)變?yōu)樨?fù)極性，輸入端子6側(cè)變?yōu)檎龢O性，則整流元件21會斷開。除了整流元件21、22的動作及電阻器23、24的動作分別被改換之外，此情況下的動作與所述動作相同。
[0123]接著，若電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，電源電壓VIN的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)，輸入端子5側(cè)變?yōu)檎龢O性，輸入端子6側(cè)變?yōu)樨?fù)極性，則整流元件22恢復(fù)至斷開的狀態(tài)，以下反復(fù)地進(jìn)行相同的動作。
[0124]圖5 (a)?圖5(e)是例示存在進(jìn)行相位控制的調(diào)光器3a時的接口電路的主要信號的波形圖，圖5(a)是電源電壓VIN，圖5(b)是檢測電壓VR，圖5(c)是第一控制信號VB1，圖5 (d)是第二控制信號VB2，圖5 (e)是電流IB。
[0125]再者，本實(shí)施方式為存在進(jìn)行相位控制的調(diào)光器3a的構(gòu)成，因此，輸入至接口電路I的交流電壓VCT在調(diào)光器3a處于導(dǎo)通狀態(tài)時，與交流電源2的電源電壓VIN相等。另夕卜，交流電源2是頻率為50Hz、電壓為100V的商用電源。
[0126]交流電源2的電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，例如電源電壓VIN成為如下的相位，該相位將輸入端子5側(cè)設(shè)為正極性，將輸入端子6側(cè)設(shè)為負(fù)極性(圖5 (a))。調(diào)光器3a處于阻斷狀態(tài)，因此，交流電壓VCT的絕對值為小絕對值，電源電壓VIN被施加至調(diào)光器3a。
[0127]在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl的期間，高電平作為第一控制信號VBl被輸入(圖
5(b)、圖5 (C))。第一電路43被控制成導(dǎo)通，第一電流流入至輸入端子5、6之間。另外，在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl的期間，低電平作為第二控制信號VB2被輸入(圖5 (b)、圖5 (d))。第二電路44被控制成斷開，第二電流不流動。結(jié)果，第一電流作為電流IB而流入至輸入端子5、6之間(圖5(e))。
[0128]若交流電源2的電源電壓VIN的絕對值上升，調(diào)光器3a導(dǎo)通，則交流電壓VCT大致與電源電壓VIN相等。結(jié)果，檢測電壓VR上升至規(guī)定值Vl以上(圖5(b))，低電平作為第一控制信號VBl被輸入(圖5(c))。第一電路43被控制成斷開,第一電流被阻斷。
[0129]另外，當(dāng)檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，高電平作為第二控制信號VB2被輸入(圖5(d))。第二電路44中的晶體管28導(dǎo)通，充電電流作為第二電流，經(jīng)由電阻器26而流入至電容器30。借由所述充電電流來對電容器30充電，開關(guān)元件25的源極電位逐漸上升。若開關(guān)元件25的柵極與源極之間的電壓(負(fù)極性)低于臨界值電壓，則開關(guān)元件25會斷開。結(jié)果，第二電流作為脈沖電流而流動(圖5(e))。所述第二電流的峰值被設(shè)定得大于第一電流，使調(diào)光器3a完全導(dǎo)通。
[0130]在電源電壓VIN的相位前進(jìn)，且檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl的期間，高電平作為第一控制信號VBl被輸入(圖5 (b)、圖5 (c))。第一電路43被控制成導(dǎo)通，第一電流流入至輸入端子5、6之間。另外，在此期間，低電平作為第二控制信號VB2被輸入(圖5(b)、圖5(d))。第二電路44被控制成斷開。再者，如上所述，第二電流為脈沖電流，因此，相對于第一電流而言已充分地變小，輸入端子5、6之間的電流IB成為第一電流。
[0131]若電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，電源電壓VIN的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)，輸入端子5側(cè)變?yōu)樨?fù)極性，輸入端子6側(cè)變?yōu)檎龢O性，則整流元件21會斷開。除了整流元件21、22的動作及電阻器23、24的動作分別被改換之外，此情況下的動作與所述動作相同。
[0132]接著，若電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，電源電壓VIN的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)，輸入端子5側(cè)變?yōu)檎龢O性，輸入端子6側(cè)變?yōu)樨?fù)極性，則整流元件22恢復(fù)至斷開的狀態(tài)，以下反復(fù)地進(jìn)行相同的動作。
[0133]再者，在本實(shí)施方式中例示了如下的構(gòu)成，即，第二電路44包括電容器30，當(dāng)檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，達(dá)到高電平的信號作為第二控制信號VB2被輸入。然而，也可從第二電路44中刪除電容器30，當(dāng)檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將達(dá)到高電平的指定寬度的脈沖信號予以輸入作為第二控制信號VB2。
[0134]圖6(a)?圖6(e)是例示存在進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器3b時的接口電路的主要信號的波形圖，圖6(a)是電源電壓VIN，圖6(b)是檢測電壓VR，圖6(c)是第一控制信號VB1，圖6(d)是第二控制信號VB2，圖6(e)是電流IB。
[0135]再者，本實(shí)施方式為存在進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器3b的構(gòu)成，因此，輸入至接口電路I的交流電壓VCT在調(diào)光器3b處于導(dǎo)通狀態(tài)時，與交流電源2的電源電壓VIN相等。另外，交流電源2是頻率為50Hz、電壓為100V的商用電源。
[0136]交流電源2的電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，例如電源電壓VIN成為如下的相位，該相位將輸入端子5側(cè)設(shè)為正極性，將輸入端子6側(cè)設(shè)為負(fù)極性(圖6 (a))。調(diào)光器3b處于阻斷狀態(tài)，因此，交流電壓VCT的絕對值為小絕對值，電源電壓VIN被施加至調(diào)光器3b。
[0137]經(jīng)由導(dǎo)通狀態(tài)的調(diào)光器3b，將與電源電壓VIN大致相等的交流電壓VCT輸入至輸入端子5、6，除了該方面以外，如下的動作與參照圖4(a)?圖4(e)來說明的無調(diào)光器的情況相同，所述動作是指交流電源2的電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，例如從電源電壓VIN成為將輸入端子5側(cè)設(shè)為正極性，且將輸入端子6側(cè)設(shè)為負(fù)極性的相位的狀態(tài)起，電源電壓VIN上升，直至檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl為止。[0138]在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl的期間，高電平作為第一控制信號VBl被輸入(圖6(b)、圖6(c))。第一電路43被控制成導(dǎo)通，第一電流流入至輸入端子5、6之間。另外，低電平作為第二控制信號VB2被輸入，而并不依賴于檢測電壓VR (圖6 (d))。結(jié)果，第二電路44被控制成斷開，第二電流被阻斷。
[0139]若電源電壓VIN的相位隨著時間的經(jīng)過而前進(jìn)，則檢測電壓VR會上升至規(guī)定值Vl以上(圖6(b))。低電平作為第一控制信號VBl被輸入(圖6(c))。第一電路43被控制成斷開，輸入端子5、6之間的第一電流被阻斷。再者，如上所述，低電平總是作為第二控制信號VB2被輸入(圖6(d))，因此，第二電路44被控制成斷開，第二電流被阻斷。結(jié)果，輸入端子5、6之間的電流IB變?yōu)榱?圖6(e))。
[0140]另外，若電源電壓VIN的相位隨著時間的經(jīng)過而前進(jìn)，則調(diào)光器3b會變?yōu)樽钄酄顟B(tài)，檢測電壓VR逐漸下降(圖6(b))。此時，在至少直至檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以下為止的期間，高電平作為第一控制信號VBl被輸入(圖6(c))。第一電路43使第一電流流入至輸入端子5、6之間。結(jié)果，連接在輸入端子5、6之間的用以防止噪聲的電容器等中所積存的電荷被釋放，可使輸入至輸入端子5、6的交流電壓VCT迅速地下降至零。
[0141]若電源電壓VIN隨著時間的經(jīng)過而進(jìn)行零交叉，電源電壓VIN的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)，輸入端子5側(cè)變?yōu)樨?fù)極性，輸入端子6側(cè)變?yōu)檎龢O性，則整流元件21會斷開。除了整流元件2U22的動作及電阻器23、24的動作分別被改換之外，此情況下的動作與所述動作相同。
[0142]接著，若電源電壓VIN進(jìn)行零交叉，電源電壓VIN的極性發(fā)生反轉(zhuǎn)，輸入端子5側(cè)變?yōu)檎龢O性，輸入端子6側(cè)變?yōu)樨?fù)極性，則整流元件22恢復(fù)至斷開的狀態(tài)，以下反復(fù)地進(jìn)行相同的動作。
[0143]再者，在本實(shí)施方式中例示了如下的構(gòu)成，S卩，在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上的期間，低電平作為第一控制信號VBl被輸入，第一電路43被控制成斷開。然而，當(dāng)調(diào)光器3b處于阻斷狀態(tài)時，只要可在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上的期間中的、至少直至檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以下為止的期間，將第一電路43控制成導(dǎo)通即可，例如也可設(shè)為如下的構(gòu)成，即，即使在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上的期間，高電平作為第一控制信號VBl被輸入，將第一電路43控制成導(dǎo)通。
[0144]在本實(shí)施方式中，根據(jù)第一控制信號VB1、第二控制信號VB2來對流入至輸入端子5、6之間的電流IB進(jìn)行控制，因此，可使調(diào)光器穩(wěn)定地進(jìn)行動作，所述第一控制信號VBl、第二控制信號VB2是根據(jù)調(diào)光器的有無及種類而被輸入的信號。
[0145]另外，在本實(shí)施方式中，對應(yīng)于調(diào)光器為進(jìn)行相位控制的調(diào)光器3a的情況，當(dāng)調(diào)光器3a處于阻斷狀態(tài)時，使第一電流流動，因此，可使交流電壓VCT下降至零左右。結(jié)果，可確實(shí)地使調(diào)光器3a達(dá)到阻斷狀態(tài)。另外，在調(diào)光器3a達(dá)到導(dǎo)通狀態(tài)之后，立即使比第一電流更大的第二電流流動，因此，調(diào)光器3a的導(dǎo)通狀態(tài)無不均，可確實(shí)地使調(diào)光器3a達(dá)到導(dǎo)通狀態(tài)。
[0146]另外，在本實(shí)施方式中，對應(yīng)于調(diào)光器為進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器3b的情況，當(dāng)調(diào)光器3b從導(dǎo)通狀態(tài)變成阻斷狀態(tài)時，使第一電流流動，因此，可將連接在輸入端子5、6之間的用以除去噪聲的電容器等中所積存的電荷釋放。結(jié)果，可使交流電壓VCT下降至零左右，從而可確實(shí)地使調(diào)光器3b達(dá)到阻斷狀態(tài)。
[0147]再者，在本實(shí)施方式中例示了如下的構(gòu)成，S卩，在接口電路I的外部設(shè)置有微處理器(MPU) 32，對交流電壓的絕對值進(jìn)行檢測，將該交流電壓的絕對值作為檢測電壓VR，輸出至連接于外部的微處理器32，另外，根據(jù)從微處理器32輸入的第一控制信號VB1、第二控制信號VB2等來進(jìn)行控制。然而，也可為如下的構(gòu)成，該構(gòu)成在接口電路I的內(nèi)部產(chǎn)生第一控制信號VB1、第二控制信號VB2。
[0148]第二實(shí)施方式
[0149]圖7是例示第二實(shí)施方式的接口電路的電路圖。
[0150]本實(shí)施方式的接口電路Ia在第一實(shí)施方式的接口電路I中新增了控制電路20。接口電路Ia中的控制電路20以外的構(gòu)成與接口電路I的構(gòu)成相同。
[0151]控制電路20例如為微處理器，從外部將表示調(diào)光器的有無及種類的信號予以輸入，從而產(chǎn)生第一控制信號VB1、第二控制信號VB2。此處，表示調(diào)光器的有無及種類的信號例如為第一信號、第二信號、及第三信號，所述第一信號表不借由調(diào)光器3b來對交流電壓VCT進(jìn)行逆相位控制，所述第二信號表示借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制，所述第三信號表示無調(diào)光器且交流電壓VCT的相位連續(xù)。例如，第一信號經(jīng)由端子33f而被輸入，第二信號經(jīng)由端子33g而被輸入，第三信號經(jīng)由端子33h而被輸入。再者，控制電路20可設(shè)為與第一實(shí)施方式中的連接于接口電路的外部的微處理器相同的構(gòu)成。
[0152]圖8是例示接口電路中的負(fù)載電路的動作的概略圖。
[0153]第一電路43、第二電路44分別將從控制電路20輸出的第一控制信號VBl、第二控制信號VB2予以輸入，并以圖8所示的方式進(jìn)行動作。
[0154]在多數(shù)情況下，例如在交流電源為例如商用電源的情況下，一旦預(yù)先檢測出調(diào)光器的有無及種類，則在比較長的期間內(nèi)，該調(diào)光器的有無及種類相同，可從外部設(shè)定例如第一信號?第三信號。對應(yīng)于調(diào)光器的有無及種類，由控制電路20產(chǎn)生第一控制信號VB1、第二控制信號VB2，因此，易于進(jìn)行處理。
[0155]如此，在本實(shí)施方式中，由于設(shè)置有控制電路20，因此，容易對應(yīng)于調(diào)光器的有無及種類。
[0156]第三實(shí)施方式
[0157]圖9是例示第三實(shí)施方式的接口電路的電路圖。
[0158]在本實(shí)施方式的接口電路Ib中設(shè)置有控制電路20a，以代替第二實(shí)施方式的接口電路Ia中的控制電路20，還新增了電源電路45。接口電路Ib中的控制電路20a及電源電路45以外的構(gòu)成與接口電路Ia的構(gòu)成相同。
[0159]控制電路20a與控制電路20相比較，不同點(diǎn)在于:未將表示調(diào)光器的有無及種類的第一信號?第三信號予以輸入，而是將檢測電壓VR、高電位端子IOc的電位予以輸入,并產(chǎn)生第一控制信號VB1、第二控制信號VB2?？刂仆?0a例如包含微處理器。
[0160]電源電路45將電源供給至控制電路20a。電源電路45包括:電阻器46、電阻器50、電容器47、齊納二極管(zener diode) 48、二極管49、及晶體管51。電阻器46與電容器47構(gòu)成平滑電路，將已變得平滑的電壓供給至控制電路20a。另外，齊納二極管48與晶體管51構(gòu)成穩(wěn)定化電源。二極管49為保護(hù)二極管。再者，在本實(shí)施方式中例示了如下的構(gòu)成，即，使用PNP晶體管作為晶體管51，并利用齊納二極管48來產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓，但只要可將已變得穩(wěn)定的電壓供給至控制電路，則也可為其他構(gòu)成。
[0161]圖10是對控制電路的動作進(jìn)行說明的流程圖。[0162]首先，控制電路20a將檢測電壓VR予以輸入，求出斜率dVR/dt (步驟(st印)SI)。
[0163]接著，對求出的斜率dVR/dt的絕對值I dVR/dt I與指定值進(jìn)行比較，求出斜率的絕對值I dVR/dt I是否為指定值以上(步驟S2)。
[0164]當(dāng)斜率的絕對值I dVR/dt I為指定值以上時，判斷為存在調(diào)光器(步驟S2:Yes)。在借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制的情況下，當(dāng)調(diào)光器3a從阻斷狀態(tài)變化成導(dǎo)通狀態(tài)時，檢測電壓VR的斜率會驟變。另外，在借由調(diào)光器3b來進(jìn)行逆相位控制的情況下，當(dāng)調(diào)光器3b從導(dǎo)通狀態(tài)變化成阻斷狀態(tài)時，檢測電壓VR的斜率會驟變。另一方面，在無調(diào)光器的情況下，檢測電壓VR大致為正弦波，檢測電壓VR的斜率不會驟變，且小于指定值。因此，在本實(shí)施方式中，當(dāng)斜率的絕對值I dVR/dt I為指定值以上時，判斷為存在調(diào)光器(步驟S2:Yes)，當(dāng)斜率的絕對值I dVR/dt |小于指定值時，判斷為無調(diào)光器(步驟S2:No)。
[0165]當(dāng)判斷為無調(diào)光器時(步驟S2:No)，前進(jìn)至步驟S3，產(chǎn)生第一控制信號VB1、第二控制信號VB2并結(jié)束，所述第一控制信號VBl將第一電路43控制成導(dǎo)通，所述第二控制信號VB2將第二電路44控制成斷開(步驟S3)。
[0166]另外，當(dāng)判斷為存在調(diào)光器時(步驟S2:Yes)，前進(jìn)至步驟S4，求出檢測電壓VR的規(guī)定值Vl的斜率dVR/dt是否為指定值以上(步驟S4)。
[0167]當(dāng)檢測電壓VR的規(guī)定值Vl的斜率dVR/dt為指定值以上時，判斷為借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制(步驟S4:Yes)。在借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制的情況下，當(dāng)調(diào)光器3a從阻斷狀態(tài)變化成導(dǎo)通狀態(tài)，檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，檢測電壓VR的斜率會驟變。另外，在借由調(diào)光器3b來進(jìn)行逆相位控制的情況下，當(dāng)檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，與無調(diào)光器的情況同樣地，檢測電壓VR的斜率不會驟變。因此，當(dāng)檢測電壓VR的規(guī)定值Vl的斜率dVR/dt為指定值以上時，判斷為借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制(步驟S4:Yes)，當(dāng)檢測電壓VR的規(guī)定值Vl的斜率dVR/dt小于指定值時，判斷為借由調(diào)光器3b來對交流電壓VCT進(jìn)行逆相位控制(步驟S4:No)。
[0168]當(dāng)判斷為借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制時(步驟S4:Yes)，前進(jìn)至步驟S5，產(chǎn)生第一控制信號VBl，該第一控制信號VBl在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl時，將第一電路43控制成導(dǎo)通，在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將第一電路43控制成斷開(步驟S5)。另外，產(chǎn)生第二控制信號VB2并結(jié)束，所述第二控制信號VB2在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將第二電路44控制成在指定期間內(nèi)導(dǎo)通(步驟S5)。
[0169]當(dāng)判斷為借由調(diào)光器3b來對交流電壓VCT進(jìn)行逆相位控制時(步驟S4:No)，前進(jìn)至步驟S6，產(chǎn)生第一控制信號VBl，該第一控制信號VBl在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl時，將第一電路43控制成導(dǎo)通，在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將第一電路43控制成導(dǎo)通，直到至少檢測電壓VR下降，且檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以下為止(步驟S6)。另外，產(chǎn)生第二控制信號VB2并結(jié)束，所述第二控制信號VB2將第二電路44控制成斷開(步驟S6)。
[0170]在本實(shí)施方式中，基于檢測電壓VR的斜率dVR/dt來對調(diào)光器的有無進(jìn)行檢測，基于檢測電壓VR上升至規(guī)定值Vl以上時的檢測電壓VR的斜率，檢測出交流電壓VCT是受到相位控制還是受到逆相位控制。
[0171]圖11是對控制電路的動作進(jìn)行說明的其他流程圖。
[0172]首先，控制電路20a將檢測電壓VR予以輸入，求出檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間的寬度(步驟Sll)。[0173]接著，對求出的期間的長度與指定值進(jìn)行比較，求出期間的長度是否為指定值以上(步驟S12)。
[0174]當(dāng)期間的長度為指定值以上時，判斷為存在調(diào)光器(步驟S12:Yes)。
[0175]如參照圖2進(jìn)行的說明所述，對于進(jìn)行相位控制的調(diào)光器3a而言，檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間的最小時間寬度是交流電壓VCT的周期(電源電壓VIN的半個周期)的10%?25%。當(dāng)交流電源2的頻率為50Hz時，半個周期為10ms，最小時間寬度例如為Ims?2.5ms。另外，如參照圖3進(jìn)行的說明所述，對于進(jìn)行逆相位控制的調(diào)光器3b而言，檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間的最小寬度是交流電壓VCT的周期(電源電壓VIN的半個周期)的10%?35%。當(dāng)交流電源2的頻率為50Hz時，最小時間寬度例如為Ims?
2.5ms ο
[0176]因此，例如利用相對于無調(diào)光器時的值而言的臨界值0.5ms，對檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間進(jìn)行判定，借此，可檢測出調(diào)光器的有無。因此，在本具體例中，當(dāng)檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間的長度達(dá)到指定值以上時，判斷為存在調(diào)光器(步驟S12:Yes)，當(dāng)所述長度小于指定值時，判斷為無調(diào)光器(步驟S12:No)。
[0177]當(dāng)判斷為無調(diào)光器時(步驟S12:No)，前進(jìn)至步驟S3，產(chǎn)生第一控制信號VBl、第二控制信號VB2并結(jié)束，所述第一控制信號VBl將第一電路43控制成導(dǎo)通，所述第二控制信號VB2將第二電路44控制成斷開(步驟S3)。再者，步驟S3是與參照圖10來說明的步驟S3相同。
[0178]另外，當(dāng)判斷為存在調(diào)光器時(步驟S12:Yes)，前進(jìn)至步驟S13，求出檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR(步驟S13)。
[0179]接著，求出檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR是否為指定值以上(步驟S14)。
[0180]如參照圖10的步驟S4進(jìn)行的說明所述，在借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制的情況下，當(dāng)調(diào)光器3a從阻斷狀態(tài)變化成導(dǎo)通狀態(tài)，檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，檢測電壓VR的斜率會驟變。結(jié)果，檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR成為相對較大的值。另外，在借由調(diào)光器3b來進(jìn)行逆相位控制的情況下，當(dāng)檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，與無調(diào)光器的情況同樣地，檢測電壓VR的斜率不會驟變。結(jié)果，檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR成為相對較小的值。因此，當(dāng)檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR為指定值以上時，判斷為借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制(步驟S14:Yes)，當(dāng)所述檢測電壓VR小于指定值時，判斷為借由調(diào)光器3b來對交流電壓VCT進(jìn)行逆相位控制(步驟S14:No)。
[0181]當(dāng)判斷為借由調(diào)光器3a來對交流電壓VCT進(jìn)行相位控制時(步驟S14:Yes)，前進(jìn)至步驟S5，產(chǎn)生第一控制信號VBl，該第一控制信號VBl在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl時，將第一電路43控制成導(dǎo)通，在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將第一電路43控制成斷開(步驟S5)。另外，產(chǎn)生第二控制信號VB2并結(jié)束，所述第二控制信號VB2在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將第二電路44控制成在指定期間內(nèi)導(dǎo)通(步驟S5)。再者，步驟S5是與參照圖10來說明的步驟S5相同。
[0182]當(dāng)判斷為借由調(diào)光器3b來對交流電壓VCT進(jìn)行逆相位控制時(步驟S14:No)，前進(jìn)至步驟S6，產(chǎn)生第一控制信號VBl，該第一控制信號VBl在檢測電壓VR小于規(guī)定值Vl時，將第一電路43控制成導(dǎo)通，在檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以上時，將第一電路43控制成導(dǎo)通，直到至少檢測電壓VR下降，且檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以下為止(步驟S6)。另夕卜，產(chǎn)生第二控制信號VB2并結(jié)束，所述第二控制信號VB2將第二電路44控制成斷開(步驟S6)。再者，步驟S6是與參照圖10來說明的步驟S6相同。
[0183]在本實(shí)施方式中，基于檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間的長度，對調(diào)光器的有無進(jìn)行檢測，基于檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR，檢測出交流電壓VCT是受到相位控制還是受到逆相位控制。
[0184]再者，在所述內(nèi)容中說明了如下的具體例，該具體例是指基于檢測電壓VR為規(guī)定值Vl以下的期間的長度、或檢測電壓VR的斜率dVR/dt，對調(diào)光器的有無進(jìn)行檢測。另外，說明了如下的具體例，該具體例是指基于檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上之后的檢測電壓VR、或檢測電壓VR達(dá)到規(guī)定值Vl以上時的檢測電壓VR的斜率，對調(diào)光器的種類進(jìn)行檢測。然而，除了所述實(shí)施方式中所說明的組合之外，還可以其他任意的組合來使用。
[0185]在本實(shí)施方式中，基于檢測電壓小于規(guī)定值Vl時的期間的長度、與檢測電壓VR的斜率dVR/dt及檢測電壓VR上升至規(guī)定值Vl以上之后的電壓值中的至少任一個值，檢測出交流電壓VCT是受到相位控制、逆相位控制還是相位連續(xù)，并產(chǎn)生第一控制信號VB1、第二控制信號VB2。結(jié)果，可不從外部將表示調(diào)光器的有無及種類的信號予以輸入而獲得與第一實(shí)施方式相同的效果。
[0186]以上，已一面參照具體例，一面對實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但并不限定于這些實(shí)施方式，可進(jìn)行各種變形。
[0187]例如在各實(shí)施方式中例示了如下的構(gòu)成，即，第一控制信號VB1、第二控制信號VB2使用高電平與低電平的二進(jìn)制信號。然而，也可設(shè)為如下的構(gòu)成，即，第一控制信號VB1、第二控制信號VB2使用例如能夠連續(xù)地發(fā)生變化的模擬(analog)信號、例如能夠階段性地發(fā)生變化的多值信號，對第一電流的電流值、第二電流的電流值進(jìn)行控制。例如也可設(shè)為如下的構(gòu)成，即，使第一控制信號VBl發(fā)生變化，使得若檢測電壓VR增加，則第一電流減少，從而使第一電路43具有恒功率特性(constant power characteristic)。例如在無調(diào)光器的情況下，將第一電路43控制成連續(xù)地導(dǎo)通，因此，使該第一電路43具有恒功率特性，借此，可使消耗功率減少。
[0188]另外，開關(guān)元件25只要為常導(dǎo)通型的元件即可，且除了 MOSFET之外，還可使用HEMT。另外，HEMT并不限定于GaN系HEMT。例如也可為如下的半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件是在半導(dǎo)體基板中，使用如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)或金剛石(diamond)之類的具有寬能隙(wideband gap)的半導(dǎo)體(寬能隙半導(dǎo)體)而形成。此處，所謂寬能隙半導(dǎo)體，是指能隙比能隙約為1.4eV的砷化鎵(GaAs)更大的半導(dǎo)體。例如包含:能隙為1.5eV以上的半導(dǎo)體、磷化鎵(GaP，能隙約為2.3eV)、氮化鎵(GaN,能隙約為3.4eV)、金剛石(C，能隙約為
5.27eV)、氮化鋁(A1N，能隙約為5.9eV)、以及碳化硅(SiC)等。對于此種寬能隙半導(dǎo)體元件而言，在使耐壓相等的情況下，可比硅半導(dǎo)體元件更小，因此，能夠使接口電路實(shí)現(xiàn)小型化。
[0189]雖已對本發(fā)明的若干實(shí)施方式及實(shí)施例進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式或?qū)嵤├亲鳛槔佣惶崾镜膶?shí)施方式或?qū)嵤├o對發(fā)明的范圍進(jìn)行限定的意圖。所述實(shí)施方式或?qū)嵤├梢云渌母鞣N方式來實(shí)施，在不脫離發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、替換、以及變更。這些實(shí)施方式或?qū)嵤├蛘咂渥冃伟诎l(fā)明的范圍或宗旨，并且包含在其均等的范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種接口電路，其特征在于包括: 整流電路，對輸入至一對輸入端子之間的交流電壓進(jìn)行整流，所述交流電壓是借由調(diào)光器而受到相位控制或受到逆相位控制的交流電壓，或是不經(jīng)由調(diào)光器的相位連續(xù)的交流電壓； 檢測電路，對所述交流電壓進(jìn)行檢測，將所述交流電壓作為檢測電壓而予以輸出； 第一電路，基于輸入的第一控制信號而被控制成導(dǎo)通或斷開，在導(dǎo)通時，使第一電流流入至所述一對輸入端子之間，在斷開時，將所述第一電流阻斷；以及 第二電路，基于輸入的第二控制信號而被控制成導(dǎo)通或斷開，在導(dǎo)通時，使比所述第一電流更大的第二電流流入至所述一對輸入端子之間，在斷開時，將所述第二電流阻斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口電路，其特征在于: 還包括產(chǎn)生所述第一控制信號與所述第二控制信號的控制電路， 所述第一電路在所述檢測電壓小于規(guī)定值時，被控制成導(dǎo)通，在所述檢測電壓為所述規(guī)定值以上時，被控制成導(dǎo)通直到至少所述檢測電壓下降且所述檢測電壓達(dá)到所述規(guī)定值以下為止， 所述第二電路被控制成斷開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口電路，其特征在于: 還包括產(chǎn)生所述第一控制信號與所述第二控制信號的控制電路， 所述第一電路在所述檢測電壓小于規(guī)定值時，被控制成導(dǎo)通，在所述檢測電壓為所述規(guī)定值以上時，被控制成斷開， 所述第二電路在所述檢測電壓為`所述規(guī)定值以上時，在指定期間內(nèi)控制成導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口電路，其特征在于: 還包括產(chǎn)生所述第一控制信號與所述第二控制信號的控制電路， 所述第一電路被控制成導(dǎo)通， 所述第二電路被控制成斷開。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接口電路，其特征在于: 所述控制電路基于所述檢測電壓小于規(guī)定值時的期間的長度、與所述檢測電壓上升至所述規(guī)定值以上時的所述檢測電壓的斜率及所述檢測電壓上升至所述規(guī)定值以上之后的電壓值中的至少任一個值，檢測出所述交流電壓是受到相位控制、逆相位控制還是相位連續(xù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接口電路，其特征在于: 所述控制電路基于所述檢測電壓小于規(guī)定值時的期間的長度、與所述檢測電壓上升至所述規(guī)定值以上時的所述檢測電壓的斜率及所述檢測電壓上升至所述規(guī)定值以上之后的電壓值中的至少任一個值，檢測出所述交流電壓是受到相位控制、逆相位控制還是相位連續(xù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接口電路，其特征在于: 所述控制電路基于所述檢測電壓小于規(guī)定值時的期間的長度、與所述檢測電壓上升至所述規(guī)定值以上時的所述檢測電壓的斜率及所述檢測電壓上升至所述規(guī)定值以上之后的電壓值中的至少任一個值，檢測出所述交流電壓是受到相位控制、逆相位控制還是相位連續(xù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口電路，其特征在于: 所述第一電路具有如下的恒功率特性，所述如下的恒功率特性為若所述檢測電壓增加則所述第一電流減少。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接口電路，其特征在于: 還包括經(jīng)由一對整流元件而連接于所述一對輸入端子的開關(guān)元件， 所述第一電路經(jīng)由所述開關(guān)元件而使電流流動。
【文檔編號】H05B37/02GK103582237SQ201310038771
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年1月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】北村紀(jì)之, 石北徹, 笹井敏彥, 赤星博, 大武寬和, 高橋雄治 申請人:東芝照明技術(shù)株式會社