專利名稱：一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線路制作領(lǐng)域，特別是涉及一種板面銅一次曝光負(fù)片直接蝕刻線路制作方法。
背景技術(shù)：
目前，當(dāng)線路板在制作線路，只是要有孔內(nèi)銅和線路銅，由于電鍍藥水對(duì)干膜的影響會(huì)滲鍍蝕刻短路，孔粗糙度大易有孔無(wú)銅，錫缸深鍍力不足，難以保證銅的均勻和孔銅，高速信號(hào)傳輸線路，線的寬度難以保證?，F(xiàn)有的正片由于銅厚均勻性要求較高，所以不能做精細(xì)線路。負(fù)片(Negatave):是指各種底片上(如黑白軟片、掠色軟片)導(dǎo)體線路的圖案是以透明區(qū)呈現(xiàn)，而無(wú)導(dǎo)體之基材部分則呈現(xiàn)為暗區(qū)(即軟片上的黑色或棕色部分)，以阻止紫外光的透過(guò)此種底片謂之負(fù)片。板子壓膜后曝光菲林透明部分光化學(xué)反應(yīng)，顯影所需線路，所用的蝕刻液為堿性蝕刻液。例如申請(qǐng)?zhí)枮镃N201010537301.X，公開(kāi)號(hào)為CN102006728A的中國(guó)發(fā)明專利“一種新型的板面深凹陷線路制作方法”，公開(kāi)了一種新型的板面深凹陷線路制作方法，包括步驟:A)使用負(fù)片蝕刻的方法，對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、內(nèi)層棕化、內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行鉆孔；B)全板沉銅電鍍或加板電鍍；C)整板電鍍后使用干膜蓋孔；D)通過(guò)線路菲林進(jìn)行第二次曝光及顯影處理；E)對(duì)顯影后的外層線路進(jìn)行酸性蝕刻處理；F)將步驟E)所得線路板進(jìn)行退錫處理，檢測(cè)合格，制得成品。本發(fā)明的目的在于提供一種新型的板面深凹陷線路制作方法，使用負(fù)片蝕刻的方法，整板電鍍后使用干膜蓋孔，并通過(guò)絲印濕膜(一種液態(tài)感光油墨)或者涂布濕膜；通過(guò)兩次曝光顯影，制得板面深凹陷線路，解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷。此專利流程時(shí)間較長(zhǎng)，需兩次曝光和顯影，還需印濕膜和電鍍錫，并且銅的使用量大，這樣的方法不僅工藝復(fù)雜，而且生產(chǎn)成本也高，不適用于大批量生產(chǎn)。綜上所述，現(xiàn)有的負(fù)片蝕刻線路制造方法存在生產(chǎn)流程時(shí)間長(zhǎng)，生產(chǎn)效率低，需要鍍錫，還需要對(duì)錫廢液進(jìn)行處理，投資成本高，環(huán)保污染嚴(yán)重的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，提出一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法。本發(fā)明只采用一次曝光克服了現(xiàn)有負(fù)片需要做兩次曝光和顯影的技術(shù)問(wèn)題，縮短了生產(chǎn)流程時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，并且不需鍍錫，減少錫廢液的處理，節(jié)約成本，而且環(huán)保，適用于大批量生產(chǎn)。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于包括以下步驟:
A、對(duì)PC B基板依次進(jìn)行開(kāi)料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對(duì)PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;再對(duì)P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為18-25um ；C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進(jìn)行一次曝光；曝光后經(jīng)過(guò)顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進(jìn)行堿性蝕刻處理，直達(dá)PCB基板的PH值為8-9；
E、經(jīng)D步驟后對(duì)PC B基板進(jìn)行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為12-18萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ;孔的直徑為0.2-6.0mm,公差為±0.03mm。所述步驟 B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;電鍍銅的厚度為18-25um。所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進(jìn)行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以牢固貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P c B基板板面烘干；磨板速度為2.0-2.5m/min，烘干溫度為80_90°C，烘干時(shí)間為30-60秒。所述步驟C中，壓膜時(shí)采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38-42um ;壓膜速度為1.0-1.5/min ;壓力3-5kg/cm2，壓膜溫度110-120°C，壓膜時(shí)間為15-25秒。所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在6-8級(jí)，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力彡680mmhg/cm2。所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為0.8-1.2%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0-2.5m/min，壓力1.5-1.8kg/cm2，顯影點(diǎn)為 50-70%。所述步驟D中，經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13-16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。所述步驟E中，采用濃度為4-6%NaOH溶液進(jìn)行退膜，退膜速度為2.5-4.5m/min，得到半成品線路圖形板。還包括用于檢測(cè)線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對(duì)于對(duì)步驟E中的半成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)和對(duì)步驟F中的成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)；經(jīng)檢測(cè)合格后的半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測(cè)合格后的成品線路圖形板包裝入庫(kù)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于:
1、本發(fā)明采用一次曝光的負(fù)片直接蝕刻方法，在實(shí)際生產(chǎn)中，與現(xiàn)有技術(shù)相比減少了工序，節(jié)約了時(shí)間和生產(chǎn)成本，同時(shí)提高了生產(chǎn)效率,適用于大批量生產(chǎn)。2、本發(fā)明的制造方法不需鍍錫和退錫，節(jié)約成本的前提下，避免了對(duì)錫廢液進(jìn)行處理的時(shí)間和成本，還避免了錫廢液對(duì)環(huán)境的污染；因此，本發(fā)明具有高效、環(huán)保，并且適用于大批量生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。3、本發(fā)明操作簡(jiǎn)化，而且對(duì)蝕刻后工序無(wú)任何影響，也節(jié)約表面處理成本；如現(xiàn)有技術(shù)噴錫時(shí)對(duì)錫的浪費(fèi)，沉金時(shí)對(duì)金的浪費(fèi)。4、本發(fā)明采用主軸轉(zhuǎn)速為12-18萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ;后工序的品質(zhì)更有保證，是評(píng)估鉆孔質(zhì)量的重要參數(shù)之一；孔的直徑0.2-6.0mm,公差為±0.03mm ;是鉆孔機(jī)的自身能力要求，在實(shí)際鉆孔時(shí)用此參數(shù)評(píng)估鉆孔或做鉆孔質(zhì)量檢驗(yàn)，達(dá)到以上的要求，產(chǎn)品在以后工序的質(zhì)量有保證。5、本發(fā)明采用分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;電鍍銅的厚度為18-25um ;可增加導(dǎo)電層的厚度，達(dá)到客戶要求，也增加導(dǎo)電層的導(dǎo)電性。6、本發(fā)明采用壓膜前將P C B基板板面進(jìn)行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以牢固貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.0-2.5m/min，烘干溫度為80_90°C，烘干時(shí)間為30-60秒；可以去除板面銅的氧化層，粗化板面，并使干燥的板子增加與干膜的結(jié)合力。7、本發(fā)明采用壓膜時(shí)光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38-42um;壓膜速度為1.0-1.5/min ;壓力3-5kg/cm2，壓膜溫度110-120°C，壓膜時(shí)間為15-25秒；溫度、壓力達(dá)到要求才使干膜軟化并具有流動(dòng)性和填平性，即與板面貼合，在要求的速度范圍即壓膜時(shí)間內(nèi)才可確保干膜與板面有良好的結(jié)合力。8、本發(fā)明采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在6-8級(jí)，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 680mmhg/cm2 ;以適合的能量對(duì)干膜曝光,使干膜產(chǎn)生光聚合反應(yīng)，適合的能量是用曝光尺級(jí)數(shù)來(lái)評(píng)估，必須抽真空并達(dá)到要求才能使要求的線寬符
入
口 o9、本發(fā)明采用顯影處理是指采用濃度為0.8-1.2%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0-2.5m/min，壓力1.5-1.8kg/cm2，顯影點(diǎn)為50-70% ;以確保顯影后的板面無(wú)殘膜，或顯影過(guò)度影響板面線路邊緣的不平整或短路、開(kāi)路。10、本發(fā)明采用經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13-16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。堿性CuCl2溶液溶銅量高，與圖形轉(zhuǎn)移后的圖形外的銅置換速度較快，易制得精細(xì)的線路。

11、本發(fā)明采用濃度為4_6%NaOH溶液進(jìn)行退膜，退膜速度為2.5-4.5m/min,退膜溫度為50±5°C ;得到半成品線路圖形板。以確保在退膜后板面無(wú)殘膜，影響外觀。12、本發(fā)明采用還包括用于檢測(cè)線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對(duì)于對(duì)步驟E中的半成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)和對(duì)步驟F中的成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)；經(jīng)檢測(cè)合格后的半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測(cè)合格后的成品線路圖形板包裝入庫(kù)。所有成品圖形板包裝前100%進(jìn)行功能性和外觀檢測(cè)，以確保合格的產(chǎn)品給客戶。


圖1為本發(fā)明工藝流程2為本發(fā)明實(shí)施例2工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1:
一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟:
A、對(duì)PC B基板依次進(jìn)行開(kāi)料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對(duì)P C B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.5um ;再對(duì)P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為18um ；
C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進(jìn)行一次曝光；曝光后經(jīng)過(guò)顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進(jìn)行堿性蝕刻處理，直達(dá)PCB基板的PH值為8;
E、經(jīng)D步驟后對(duì)PC B基板進(jìn)行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。本發(fā)明所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為12萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ；孔的直徑為0.2mm,公差為±0.03mm。本發(fā)明所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5um ;電鍍銅的厚度為18um。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進(jìn)行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以粘貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.0m/min，烘干溫度為80°C，烘干時(shí)間為60秒。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜時(shí)采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38um ;壓膜速度為1.0/min ;壓力3kg/cm2，壓膜溫度110°C，壓膜時(shí)間為25秒。本發(fā)明所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在6級(jí)，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 680mmhg/cm2。本發(fā)明所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為0.8%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0m/min，壓力1.5kg/cm2,顯影點(diǎn)為 50%o本發(fā)明所述步驟D中，經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為 135g/l。本發(fā)明所述步驟E中，采用濃度為4%的NaOH溶液進(jìn)行退膜，退膜速度為2.5m/min，得到半成品線路圖形板。本發(fā)明在使用時(shí)，
用鉆孔機(jī)鉆出需要的孔，轉(zhuǎn)速:12萬(wàn)轉(zhuǎn)/min，將孔徑控制在0.2mm ;公差0.03mm ；
在鉆孔后的PCB基板的絕緣樹(shù)脂上以化學(xué)反應(yīng)沉積一層銅形成化學(xué)銅，化學(xué)銅厚度為0.5um，縱橫比為8:1。再在銅的基礎(chǔ)上以電沉積的方式加厚形成電鍍銅，以達(dá)到成品銅厚的要求，電鍍銅的厚度為18um ；
采化學(xué)法或機(jī)械法處理PCB基板的板面，以增加板面上電鍍銅的粗糙度，達(dá)到可將光致抗蝕干膜粘貼在電鍍銅的程度，再將其烘干；磨板速度為2.0m/min，烘干溫度80°C ；采用膠轆以機(jī)械法將光致抗蝕干膜貼在電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38um ;壓膜速度為1.0/min ;壓力3kg/cm2，壓膜溫度110°C，壓膜時(shí)間為？；
采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，采用5kw的曝光機(jī)進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在6級(jí)，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 68Ommhg/cm2 ；
顯影處理是指采用濃度為0.8%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0m/min，壓力1.5kg/cm2，顯影點(diǎn)為50% ；經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用堿性CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。以堿性氯化銅溶液將顯影后板面單質(zhì)銅進(jìn)行化學(xué)置換反應(yīng)溶解而留下基材，同時(shí)顯影后板面光致抗蝕干膜即線路圖形可以抗蝕刻藥水攻擊，從而保護(hù)了光致抗蝕干膜下的銅不被蝕刻掉，也就形成了蝕刻后的線路，氯離子的量為180-210g/l，銅離子的量為135-155g/l，PH 值為 8，溶解速度為 3.0-4.0m/min，壓力為 1.8-2.2kg/cm2 ；
采用濃度為4%的NaOH溶液進(jìn)行退膜，退膜速度為2.5m/min，得到半成品線路圖形板； 在半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板；
采用在成品線路圖形板的裸銅線路上涂覆防焊層，防焊層的厚度為銅面> ISum ;線拐角的厚度為彡10um。實(shí)施例2:``
一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟:
A、對(duì)PC B基板依次進(jìn)行開(kāi)料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對(duì)PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.8um ;再對(duì)P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為20um ；
C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進(jìn)行一次曝光；曝光后經(jīng)過(guò)顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進(jìn)行堿性蝕刻處理，直達(dá)PCB基板的PH值為8;
E、經(jīng)D步驟后對(duì)PC B基板進(jìn)行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。本發(fā)明所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為15萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ；孔的直徑為3mm,公差為±0.03mm。本發(fā)明所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.Sum ;電鍍銅的厚度為20um。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進(jìn)行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以粘貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.2m/min，烘干溫度為85°C，烘干時(shí)間為40秒。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜時(shí)采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為40um ;壓膜速度為1.2/min ;壓力4kg/cm2，壓膜溫度115°C，壓膜時(shí)間為20秒。本發(fā)明所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在7級(jí),菲林重合度< 0.05mm,真空壓力彡680mmhg/cm2。本發(fā)明所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為1.0%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.2m/min，壓力1.5kg/cm2,顯影點(diǎn)為 60%o經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為14%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為145g/l。本發(fā)明所述步驟E中，采用濃度為5%的NaOH溶液進(jìn)行退膜，退膜速度為3.5m/min，得到半成品線路圖形板。本發(fā)明還包括用于檢測(cè)線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對(duì)于對(duì)步驟E中的半成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)和對(duì)步驟F中的成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)；經(jīng)檢測(cè)合格后的半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測(cè)合格后的成品線路圖形板包裝入庫(kù)。本發(fā)明在使用時(shí)，采用以通、斷路測(cè)試機(jī)測(cè)試，測(cè)試半成品線路圖形板不可以有短路、斷路，100%測(cè)試；在合格的半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板；再采用以 通、斷路測(cè)試機(jī)測(cè)試，測(cè)試成品線路圖形板不可以有短路、斷路，100%測(cè)試；在合格的成品線路圖形板的裸銅線路上涂覆防焊層，防焊層的厚度為銅面> ISum ；線拐角的厚度為> 10um。實(shí)施例3:
一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟:
A、對(duì)PC B基板依次進(jìn)行開(kāi)料、磨邊、圓角、鉆孔；
B、經(jīng)A步驟后先對(duì)PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為Ium ;再對(duì)P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為25um ；
C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進(jìn)行一次曝光；曝光后經(jīng)過(guò)顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移；
D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進(jìn)行堿性蝕刻處理，直達(dá)PCB基板的PH值為9;
E、經(jīng)D步驟后對(duì)PC B基板進(jìn)行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板；
F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。本發(fā)明所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為18萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ；孔的直徑為6mm,公差為±0.03mm。本發(fā)明所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為Ium ;電鍍銅的厚度為25um。
本發(fā)明所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進(jìn)行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以粘貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.5m/min，烘干溫度為90°C，烘干時(shí)間為30秒。本發(fā)明所述步驟C中，壓膜時(shí)采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為42um ;壓膜速度為1.5/min ;壓力5kg/cm2，壓膜溫度120°C，壓膜時(shí)間為15秒。本發(fā)明所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在8級(jí)，菲林重合度< 0.05mm,真空壓力> 680mmhg/cm2。本發(fā)明所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為1.2%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.5m/min，壓力
1.5kg/cm2,顯影點(diǎn)為 70%o經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為155g/l。本發(fā)明所述步驟E中，采用濃度為6%的NaOH溶液進(jìn)行退膜，退膜速度為4.5m/min，得到半成品線路圖形板。本發(fā)明還包括用于檢測(cè)線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對(duì)于對(duì)步驟E中的半成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)和對(duì)步驟F中的成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)；經(jīng)檢測(cè)合格后的半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測(cè)合格后的成品線路圖形板包裝入庫(kù)。
權(quán)利要求
1.一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于包括以下步驟: A、對(duì)PC B基板依次進(jìn)行開(kāi)料、磨邊、圓角、鉆孔； B、經(jīng)A步驟后先對(duì)PC B基板全板鍍化學(xué)銅，化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;再對(duì)P C B基板電鍍銅，電鍍銅的厚度為18-25um ； C、經(jīng)B步驟后PC B基板板面進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形轉(zhuǎn)移包括壓膜、一次曝光和顯影處理；所述一次曝光是指采用線路菲林將經(jīng)壓膜后的P C B基板板面電鍍銅進(jìn)行一次曝光；曝光后經(jīng)過(guò)顯影處理完成圖形轉(zhuǎn)移； D、經(jīng)C步驟后的PCB基板進(jìn)行堿性蝕刻處理，直達(dá)PCB基板的PH值為8-9； E、經(jīng)D步驟后對(duì)PC B基板進(jìn)行退膜；退膜后制得半成品線路圖形板； F、經(jīng)E步驟后在半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟A中，主軸轉(zhuǎn)速為12-18萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘，鉆孔后孔的粗糙度為彡25um ;孔的直徑為0.2-6.0mm,公差為±0.03mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟B中，分別在孔內(nèi)和P C B基板面上沉積有金屬層，金屬層可將孔與線、孔與內(nèi)層互聯(lián)導(dǎo)通，孔內(nèi)化學(xué)銅的厚度為0.5-lum ;電鍍銅的厚度為18-25um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，壓膜前將P C B基板板面進(jìn)行磨板，磨板是指將P C B基板板面電鍍銅的粗糙度磨至可以牢固貼光致抗蝕干膜的程度，磨板后將P C B基板板面烘干；磨板速度為2.0-2.5m/min，烘干溫度為80-90°C，烘干時(shí)間為30-60秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，壓膜時(shí)采用光致抗蝕干膜貼在經(jīng)磨板后的P C B基板的電鍍銅上，光致抗蝕干膜的厚度為38-42um ;壓膜速度為1.0-1.5/min ;壓力3-5kg/cm2，壓膜溫度110_120°C，壓膜時(shí)間為15-25 秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，采用外層透明的線路菲林，覆蓋光致抗蝕干膜上，并將線路菲林與孔位正對(duì)，進(jìn)行一次曝光；曝光時(shí)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)；曝光能量為以21級(jí)曝光尺測(cè)量在6-8級(jí)，菲林重合度^ 0.05mm,真空壓力 > 680mmhg/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟C中，顯影處理是指采用濃度為0.8-1.2%的Na2CO3溶液將沒(méi)有曝光的光致抗蝕干膜溶解后留下需要的光致抗蝕干膜線路圖形，溶解速度為2.0-2.5m/min，壓力1.5-1.8kg/cm2，顯影點(diǎn)為 50-70%o
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟D中，經(jīng)顯影處理后制得所需線路圖形，再用濃度為13-16%的CuCl2溶液還原所需線路圖形外的銅，直至光致抗蝕干膜完全覆蓋所需線路圖形，被還原的銅量為135-155g/l。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:所述步驟E中，采用濃度為4-6%NaOH溶液進(jìn)行退膜， 退膜速度為2.5-4.5m/min，得到半成品線路圖形板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，其特征在于:還包括用于檢測(cè)線路是否合格的步驟G，所述步驟G分別用對(duì)于對(duì)步驟E中的半成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)和對(duì)步驟F中的成品線路圖形進(jìn)行檢測(cè)；經(jīng)檢測(cè)合格后的半成品線路圖形板依次進(jìn)行防焊、銅表面處理后，制得成品線路圖形板，再經(jīng)檢測(cè)合格后的成品線路圖形板包裝 入庫(kù)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種負(fù)片直接蝕刻線路的制作方法，包括以下步驟開(kāi)料、磨邊、圓角、鉆孔；鍍化學(xué)銅；電鍍銅；圖形轉(zhuǎn)移；堿性蝕刻；退膜；防焊、銅表面處理。本發(fā)明只采用一次曝光克服了現(xiàn)有負(fù)片需要做兩次曝光和顯影的技術(shù)問(wèn)題，縮短了生產(chǎn)流程時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，并且不需鍍錫，減少錫廢液的處理，節(jié)約成本，而且環(huán)保，適用于大批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H05K3/06GK103209546SQ201310113908
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
發(fā)明者陳勝平, 羅獻(xiàn)軍 申請(qǐng)人:遂寧市廣天電子有限公司