鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，其公開了一種鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件；該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為：Me1-x-yGe2O2N2:xCe3+,yTb3+；其中，Me1-x-yGe2O2N2是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.01～0.08。鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其電致發(fā)光譜（EL）中，在480nm和575nm位置有很強的發(fā)光峰。
【專利說明】鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法。本發(fā)明還涉及一種使用該發(fā)光薄膜作為發(fā)光層的電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。
[0003]硼鎵磷酸鹽體系綠粉因其合成溫度適中、發(fā)光亮度高、色坐標(biāo)X值較大而倍受研究者青睞，是LED熒光粉的熱門研究材料。但是由于材料的制備都在高溫下反應(yīng)，這樣會有氧化磷蒸發(fā)，導(dǎo)致磷酸根與稀土元素的比例無法控制。氮鍺酸鹽的研制，就是出于克服上述缺點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于上述問題，本發(fā)明提供一種鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]本發(fā)明提供的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其化學(xué)通式為:Mei_x_yGe202N2:xCe3+，yTb3+ ;其中，Mei_x_yGe202N2 是基質(zhì)，Ce3+和 Tb3+是激活光離子，在薄膜中充當(dāng)主要的發(fā)光中心，X的取值0.01~0.05，優(yōu)選0.02，y的取值范圍為0.01~0.08，優(yōu)選0.04, Me選自Mg, Ca, Sr或Ba兀素;Ce3+激發(fā)580nm附近的黃光福射，而Tb3+激發(fā)470nm附近的藍光輻射。
[0007]本發(fā)明還提供上述鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其利用磁控濺射設(shè)備來制備，工藝步驟如下:
[0008](I )、陶瓷靶材的制備:分別稱取MeO，GeO2, Ge3N4, CeO2和Tb4O7粉體，均勻混合后，在900~1300°C下燒結(jié)，制得陶瓷靶材，其中，MeO, GeO2, Ge3N4, CeO2和Tb4O7的摩爾比為Ι-χ-y:0.5:0.5:x:y/4 ；
[0009]優(yōu)選，對陶瓷靶材進行切割，其規(guī)格為Φ 50 X 2mm ;燒結(jié)溫度優(yōu)選1250°C。
[0010](2)、將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設(shè)備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0X 10_1(lPa~1.0X 10_5Pa ；
[0011] 優(yōu)選，ITO玻璃襯底在放入腔體前需清洗處理:先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，然后再放入真空腔體中；
[0012]抽真空處理是采用機械泵和分子泵把腔體進行的；腔體真空度為5.0X 10_4Pa。
[0013](3)、設(shè)置鍍膜工藝參數(shù):設(shè)置基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250°C~750°C，過程中通入流量為15~40SCCm的氧氣，鍍膜激光的能量為80~300W，工作壓強為0.5~5Pa ;待工藝參數(shù)設(shè)置完成后，進行鍍膜處理，隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為:Mei_x_yGe202N2:XCe3+，yTb3+;其中，MenyGe2O2N2是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，X的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08 ;
[0014]優(yōu)選，鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為70mm，襯底溫度為500°C，過程中通入流量為20sccm的氧氣，鍍膜激光的能量為150W，工作壓強為3.0Pa ;以及x的取值為0.02，y的取值為0.04。
[0015]氧氣的作用是為了補償鍍膜制備過程靶材中流失的氧元素，減少氧空位形成的無輻射復(fù)合中心，增加發(fā)光效率。
[0016]本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發(fā)光薄膜層以及陰極層，其中，所述發(fā)光薄膜為鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其化學(xué)通式為:Mei_x_yGe202N2:xCe3+，yTb3+ ;其中，Mei_x_yGe202N2 是基質(zhì)，Ce3+和 Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
[0017]電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0018](I)、陶瓷靶材的制備:分別稱取MeO，GeO2, Ge3N4, CeOjP Tb4O7粉體，均勻混合后，在900~1300°C下燒結(jié)，制得陶瓷靶材，其中，MeO, GeO2, Ge3N4, CeO2和Tb4O7的摩爾比為Ι-χ-y:0.5:0.5:x:y/4 ；
[0019](2)、將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設(shè)備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0X 10_1(IPa~1.0X 10_5Pa ；
[0020](3)、設(shè)置鍍膜工藝參數(shù):設(shè)置基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250°C~750°C，過程中通入流量為15~40SCCm的氧氣，鍍膜激光的能量為80~300W，工作壓強為0.5~5Pa ;待工藝參數(shù)設(shè)置完成后，進行鍍膜處理，隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為:Mei_x_yGe202N2:XCe3+，yTb3+;其中，MenyGe2O2N2是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，X的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08 ;
[0021](4)、步驟(3)制得含發(fā)光薄膜的ITO玻璃襯底以及Ag納米粒子移入真空蒸鍍設(shè)備中，在發(fā)光薄膜表面蒸鍍一層起陰極作用的Ag層；
[0022]待上述步驟完成后，制得電致發(fā)光器件。
[0023]本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備，制備鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽發(fā)光薄膜，得到薄膜的電致發(fā)光譜(EL)中，在480nm和575nm位置有很強的發(fā)光峰。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為實施例3制得的發(fā)光薄膜樣品的EL光譜圖；
[0025]圖2為實施例12制得的電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。
[0027]實施例1
[0028]取MgO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.02:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ50Χ2πιπι的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150W，得到樣品Mga94Ge2O2N2 = 0.02Ce3+, 0.04Tb3+發(fā)光薄膜。
[0029]實施例2
[0030]稱取MgO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.91:0.5:0.5:0.01:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成Φ50X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80W，得到樣品Mga91Ge2O2N2 = 0.01Ce3+, 0.08Tb3發(fā)光薄膜。
[0031]實施例3
[0032]稱取MgO,GeO2,Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.05:0.0025，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2_的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強調(diào)節(jié)為5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300W，得到樣品Mga94Ge2O2N2 = 0.05Ce3+, 0.01Tb3+發(fā)光薄膜。
[0033]圖1為實施例3制得的發(fā)光薄膜樣品的EL光譜圖；從圖1可知，在480nm和575nm位置有很強的發(fā)光峰。
[0034]實施例4
[0035]稱取CaO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.02:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150W，得到樣品Caa94Ge2O2N2 = 0.02Ce3+, 0.04Tb3+發(fā)光薄膜。
[0036]實施例5
[0037]稱取CaO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.91:0.5: 0.5:0.01:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成Φ50X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80W，得到樣品Caa91Ge2O2N2 = 0.01Ce3+, 0.08Tb3+發(fā)光薄膜。
[0038]實施例6
[0039]稱取CaO,GeO2,Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.05:0.0025，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2_的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強調(diào)節(jié)為5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300W，得到樣品Caa94Ge2O2N2 = 0.05Ce3+, 0.01Tb3+發(fā)光薄膜。
[0040]實施例7
[0041]稱取SrO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.02:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150W，得到樣品Sra94Ge2O2N2 = 0.02Ce3+, 0.04Tb3+發(fā)光薄膜。
[0042]實施例8
[0043]稱取SrO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.91:0.5:0.5:0.01:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成Φ50X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80W，得到樣品Sra91Ge2O2N2 = 0.01Ce3+, 0.08Tb3+發(fā)光薄膜。
[0044]實施例9
[0045]稱取SrO,GeO2,Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.05:0.0025，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2_的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強調(diào)節(jié)為5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300W，得到樣品Sra94Ge2O2N2 = 0.05Ce3+, 0.01Tb3+發(fā)光薄膜。
[0046]實施例10
[0047]稱取BaO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.02:0.01，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為20SCCm，壓強調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150W，得到樣品Baa94Ge2O2N2 = 0.02Ce3+, 0.04Tb3+發(fā)光薄膜。
[0048]實施例11
[0049]稱取BaO，GeO2, Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.91:0.5:0.5:0.01:0.02，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成Φ50X 2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為250°C，激光能量為80W，得到樣品Baa91Ge2O2N2 = 0.01Ce3+, 0.08Tb3+發(fā)光薄膜。
[0050]實施例12
[0051]本實施為電致發(fā)光器件，如圖2所示，其中，I為玻璃襯底；2為ITO透明導(dǎo)電薄膜，作為陽極；3為發(fā)光材料薄膜層；4為Ag層，作為陰極。
[0052]稱取BaO,GeO2,Ge3N4, CeO2 和 Tb4O7 粉體，其摩爾比為 0.94:0.5:0.5:0.05:0.0025，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成Φ 50 X 2_的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為40SCCm，壓強調(diào)節(jié)為5Pa，襯底溫度為750°C，激光能量為300W，得到樣品Baa94Ge2O2N2 = 0.05Ce3+, 0.01Tb3+發(fā)光薄膜。然后在將發(fā)光薄膜移入真空蒸鍍設(shè)備中，在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0053] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其特征在于，其化學(xué)通式為:Me1TyGe2O2N2:xCe3+，yTb3+ ;其中，Mei_x_yGe202N2 是基質(zhì)，Ce3+和 Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其特征在于，X的取值為0.02，y的取值為0.04。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其特征在于，包括下述化學(xué)式的發(fā)光薄膜:
Mg0.94Ge 202N2: 0.0 2Ce3 +，0.0 4 T b3+ ; M g0.91G e 202N2: 0.01Ce3 + , 0.0 8 Tb3+ ;Mg0.94Ge 202N2: 0.0 5Ce3 +，0.0 ITb3+ ； C a 0.94G e 20 2N2: 0.02Ce3 +，0.04Tb3+ ;Ca0.91Ge 202N2: 0.0 ICe3 + , 0.0 8 T b 3+ ; C a 0.94G e 20 2N2: 0.0 5Ce3 +，0.01Tb3+ ;Sr0.94Ge 202N2: 0.0 2Ce3 +，0.04Tb3+ ； S r 0.91G e 20 2N2: 0.0 ICe3 + , 0.08 Tb3+ ;Sr0.94Ge 202N2: 0.0 5Ce3 +，0.0 ITb3+ ； B a 0.94G e 20 2N2: 0.02Ce3 +，0.04Tb3+ ;Ba0 91Ge2O2N21.0lCe3+, 0.08Tb3+ !Ba0 94Ge2O2N2:0.05Ce3+，0.01Tb3+。
4.一種鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 陶瓷靶材的制備:分別稱取MeO, GeO2, Ge3N4, CeO2和Tb4O7粉體，均勻混合后，在900~1300°C下燒結(jié)，制得陶瓷靶材，其中，MeO, GeO2, Ge3N4, CeO2和Tb4O7的摩爾比為Ι-χ-y:0.5:0.5:x:y/4 ； 將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設(shè)備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0X 1-10Pa~LOXlO-5Pa; 設(shè)置鍍膜工藝參數(shù):設(shè)置基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250°C~750°C，過程中通入流量為15~40SCCm的氧氣，鍍膜激光的能量為80~300W，工作壓強為0.5~5Pa ;待工藝參數(shù)設(shè)置完成后，進行鍍膜處理，隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為:Mei_x_yGe202N2:XCe3+，yTb3+;其中，MenyGe2O2N2是基質(zhì)，Ce3+和Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，X的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制備過程中的燒結(jié)溫度為1250°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述抽真空處理是采用機械泵和分子泵把腔體進行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述腔體真空度為5.0X 10_4Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為70mm，襯底溫度為500°C，過程中通入流量為20sCCm的氧氣，鍍膜激光的能量為150W，工作壓強為3.0Pa0
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，X的取值為0.02，y的取值為0.04。
10.一種電致發(fā)光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發(fā)光薄膜層以及Ag陰極層，其特征在于，所述發(fā)光薄膜為鈰鋱共摻雜氮鍺酸鹽的發(fā)光薄膜，其化學(xué)通式為:Me i_x_yGe202N2:xCe3+，yTb3+ ;其中，Mei_x_yGe202N2 是基質(zhì)，Ce3+和 Tb3+是激活光離子，為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
【文檔編號】H05B33/14GK104178145SQ201310196245
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月23日
【發(fā)明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司