錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，其公開了一種錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件；該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為:MeIn2Si2O8:xMn4+,yTi4+；其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.01～0.08。錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其電致發(fā)光譜（EL）中，在645nm位置有很強的發(fā)光峰。
【專利說明】錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜及其制備方法。本發(fā)明還涉及一種使用該發(fā)光薄膜作為發(fā)光層的電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。
[0003]銦硅酸鹽類發(fā)光材料是作為LED熒光粉的熱門研究材料。紫外激發(fā)藍色熒光粉已經(jīng)可以作為商用的產(chǎn)品，并在不斷的改善研發(fā)中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于上述問題，本發(fā)明提供一種錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]本發(fā)明提供的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其化學(xué)通式為=MeIn2Si2O8:xMn4+ ，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+在薄膜中充當主要的發(fā)光中心，X的取值0.01~0.05，優(yōu)選0.02，y的取值范圍為0.01~0.08，優(yōu)選0.04，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素。
[0007]本發(fā)明還提供上述錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其利用磁控濺射設(shè)備來制備，工藝步驟如下:
[0008](I )、陶瓷靶材的制備:分別稱取MeO，In2O3, S12, MnO2和T12粉體，均勻混合后，在900~1300°C下燒結(jié)，制得陶瓷靶材，其中，MeO, In2O3, S12, MnO2和T12的摩爾比為1:l:2:x:y ；
[0009]優(yōu)選，對陶瓷靶材進行切割，其規(guī)格為Φ 50 X 2mm ;燒結(jié)溫度優(yōu)選1250°C。
[0010](2)、將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設(shè)備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0X 10_3Pa~1.0X 10_5Pa ；
[0011]優(yōu)選，ITO玻璃襯底在放入腔體前需清洗處理:先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，然后再放入真空腔體中；
[0012]抽真空處理是采用機械泵和分子泵把腔體進行的；腔體真空度為5.0X 10_4Pa。
[0013](3)、設(shè)置鍍膜工藝參數(shù):設(shè)置基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250°C~750°C，過程中通入流量為10~35SCCm的氬氣工作氣體，工作壓強為0.2~4Pa ;待工藝參數(shù)設(shè)置完成后，進行鍍膜處理，得到樣品，隨后將樣品置于0.01Pa真空爐中500~800°C下退火處理I~3h ;隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為=MeIn2Si2O8:xMn4+，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08 ;
[0014]優(yōu)選，鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為60mm，襯底溫度為500°C，過程中通入流量為20sccm的氬氣工作氣體，工作壓強為3Pa，退火溫度為600°C，退火時間為2h ;以及x的取值為0.02，y的取值為0.04。
[0015]本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發(fā)光薄膜層以及陰極層，其中，所述發(fā)光薄膜為錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其化學(xué)通式為:MeIn2Si2O8:xMn4+，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
[0016]電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0017](I)、陶瓷靶材的制備:分別稱取MeO，In2O3, Si02、Mn02和T12粉體，均勻混合后，在900~1300°C下燒結(jié)，制得陶瓷靶材，其中，MeO, In2O3, S12, MnO2和T12的摩爾比為1:l:2:x:y ；
[0018](2)、將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設(shè)備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0X 10_3Pa~1.0X 10_5Pa ；
[0019](3)、設(shè)置鍍膜工藝參數(shù):設(shè)置基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250°C~750°C，過程中通入流量為10~35SCCm的氬氣工作氣體，工作壓強為0.2~4Pa ;待工藝參數(shù)設(shè)置完成后，進行鍍膜處理，得到樣品，隨后將樣品置于0.01Pa真空爐中500~800°C下退火處理I~3h ;隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為= MeIn2Si2O8:xMn4+，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08 ;
[0020](4)、步驟(3)制得含發(fā)光薄膜的ITO玻璃襯底以及Ag納米粒子移入真空蒸鍍設(shè)備中，在發(fā)光薄膜表面蒸鍍一層起陰極作用的Ag層；
[0021 ] 待上述步驟完成后，制得電致發(fā)光器件。
[0022]本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備，制備錳鈦共摻雜銦硅酸鹽發(fā)光薄膜，得到薄膜的電致發(fā)光譜(EL)中,在645nm位置有很強的發(fā)光峰。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為實施例3制得的發(fā)光薄膜樣品的EL光譜圖；
[0024]圖2為實施例12制得的電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。
[0026]實施例1
[0027]選用MgO, In2O3, S12, MnO2 和 T12 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.02mmol, 0.04mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ50X 2mm的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa，襯底溫度為500°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火2h，退火溫度為600°C。得到樣品 MgIn2Si2O8 = 0.02Mn4+，0.04Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0028]實施例2
[0029]選用MgO, In2O3, S12, MnO2 和 T12 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.01mmol, 0.01mmol,經(jīng)過均勻混合后,在90CTC下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火lh，退火溫度為500°C。得到樣品MgIn2Si2O81.0lMn4+, 0.01Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0030]實施例3
[0031]選用MgO，In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.05mmol,0.08mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1150°C下燒結(jié)成C>50X2mm的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0Pa，襯底溫度為750°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火3h，退火溫度為800°C。得到樣品 MgIn2Si2O8 = 0.05Mn4+，0.08Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0032]圖1為實施例3制得的發(fā)光薄膜樣品的EL光譜圖；從圖1可知，在645nm位置有很強的發(fā)光峰。
[0033]實施例4
[0034]選用CaO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.02mmol,0.04mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa，襯底溫度為500°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火2h，退火溫度為600°C。得到樣品 CaIn2Si2O8 = 0.02Mn4+，0.04Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0035]實施例5
[0036]選用CaO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol , lmmol , 2mmo1 ,0.01mmol, 0.01mmol,經(jīng)過均勻混合后,在90CTC下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火lh，退火溫度為500°C。得到樣品CaIn2Si208:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0037]實施例6
[0038]選用CaO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.05mmol,0.08mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1150°C下燒結(jié)成C>50X2mm的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0Pa，襯底溫度為750°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火3h，退火溫度為800°C。得到樣品 CaIn2Si208:0.05Mn4+，0.08Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0039]實施例7
[0040]選用SrO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.02mmol,0.04mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa，襯底溫度為500°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火2h，退火溫度為600°C。得到樣品 SrIn2Si2O8 = 0.02Mn4+，0.04Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0041]實施例8
[0042]選用SrO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.01mmol, 0.01mmol,經(jīng)過均勻混合后,在90CTC下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火lh，退火溫度為500°C。得到樣品SrIn2Si208:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0043]實施例9
[0044]選用SrO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.05mmol,0.08mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1150°C下燒結(jié)成C>50X2mm的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0?&，襯底溫度為7501:。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火3h，退火溫度為800°C。得到樣品 SrIn2Si208:0.05Mn4+，0.08Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0045]實施例10
[0046]選用BaO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,0.02mmol,0.04mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為
2.0Pa，襯底溫度為500°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火2h，退火溫度為600°C。得到樣品 BaIn2Si2O8 = 0.02Mn4+，0.04Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0047]實施例11
[0048]選用BaO，In2O3, S12, Mn2O3 和 Ti4O7 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol，lmmol，2mmoI，0.01mmol, 0.01mmol,經(jīng)過均勻混合后,在90CTC下燒結(jié)成Φ50Χ2ι?πι的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火lh，退火溫度為500°C。得到樣品BaIn2Si208:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ 發(fā)光薄膜。
[0049]實施例12
[0050]本實施為電致發(fā)光器件，如圖2所示，其中，I為玻璃襯底；2為ITO透明導(dǎo)電薄膜，作為陽極；3為發(fā)光材料薄膜層；4為Ag層，作為陰極。
[0051]選用BaO, In2O3, S12, MnO2 和 T1 粉體，其摩爾數(shù)分別為 lmmol, lmmol, 2mmol,
0.05mmol,0.08mmol,經(jīng)過均勻混合后，在1150°C下燒結(jié)成C>50X2mm的陶瓷革巴材，并將革巴材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為
4.0Pa，襯底溫度為750°C。得到的樣品在0.01Pa真空爐中退火3h，退火溫度為800°C。得到樣品BaIn2Si2O8 = 0.05Mn4+，0.08Ti4+發(fā)光薄膜。然后在將發(fā)光薄膜移入真空蒸鍍設(shè)備中，在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0052]應(yīng)當理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其特征在于，其化學(xué)通式為=MeIn2Si2O8:xMn4+，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~.0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其特征在于，X的取值為.0.02，y的取值為0.04。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其特征在于，包括下述化學(xué)式的發(fā)光薄膜:
MgIn2Si2O81.02Mn4+，0.04Ti4+ ；MgIn2Si208:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ ；
MgIn2Si208:0.05Mn4+，0.08Ti4+ ；CaIn2Si2O8:0.02Mn4+，0.04Ti4+ ；
CaIn2Si2O8:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ ；CaIn2Si2O8:0.05Mn4+，0.08Ti4+ ；
SrIn2Si2O8:0.02Mn4+，0.04Ti4+ ；SrIn2Si208:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ ；
SrIn2Si2O8:0.05Mn4+，0.08Ti4+ ；BaIn2Si208:0.02Mn4+，0.04Ti4+ ；
BaIn2Si208:0.01Mn4+, 0.01Ti4+ ；BaIn2Si208:0.05Mn4+，0.08Ti4+。
4.一種錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 陶瓷靶材的制備:分別稱取MeO，In2O3, S12, MnO2和T12粉體，均勻混合后，在900~.1300°C下燒結(jié)，制得陶瓷靶材，其中，MeO，In2O3, S12, MnO2和T12的摩爾比為l:l:2:x:y ；將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設(shè)備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0X 10_3Pa~1.0X 10_5Pa ； 設(shè)置鍍膜工藝參數(shù):設(shè)置基靶間距為45~95mm，襯底溫度為250°C~750°C，過程中通入流量為10~35SCCm的氬氣工作氣體，工作壓強為0.2~4Pa ;待工藝參數(shù)設(shè)置完成后，進行鍍膜處理，得到樣品，隨后將樣品置于0.01Pa真空爐中500~800°C下退火處理I~3h ;隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，該發(fā)光薄膜的其化學(xué)通式為=MeIn2Si2O8:xMn4+，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為.0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制備過程中的燒結(jié)溫度為1250°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述抽真空處理是采用機械泵和分子泵把腔體進行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述腔體真空度為5.0X 10_4Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為60mm，襯底溫度為500°C，過程中通入流量為20sCCm的氬氣工作氣體，工作壓強為3Pa，退火溫度為600°C，退火時間為2h。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，X的取值為0.02，y的取值為0.04。
10.一種電致發(fā)光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發(fā)光薄膜層以及Ag陰極層，其特征在于，所述發(fā)光薄膜為錳鈦共摻雜銦硅酸鹽的發(fā)光薄膜，其化學(xué)通式為:MeIn2Si2O8:xMn4+，yTi4+ ;其中，MeIn2Si2O8是基質(zhì)，Mn4+和Ti4+分別是激活光離子和敏化離子 ，Mn4+為發(fā)光薄膜的發(fā)光中心，Me選自Mg，Ca，Sr或Ba元素，x的取值范圍為0.01~.0.05，y的取值范圍為0.01~0.08。
【文檔編號】H05B33/14GK104178140SQ201310196723
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月23日
【發(fā)明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司