濺射裝置、薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于對基板進行沉積工序的濺射裝置，提供一種濺射裝置、薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，濺射裝置包括：腔室，配置有基板并且包括實現(xiàn)基板的沉積工序的沉積空間；旋轉(zhuǎn)型靶，在所述腔室內(nèi)配置為與所述基板相對；內(nèi)部磁鐵部件，配置在所述旋轉(zhuǎn)型靶內(nèi)；以及外部磁鐵部件，在所述腔室內(nèi)與所述基板相對并且在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部配置為與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
【專利說明】濺射裝置、薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種濺射裝置、利用該裝置的薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制 造方法，更為詳細地涉及一種能夠有效進行薄膜形成工序并且易于提高沉積膜特性的濺射 裝置、利用該裝置的薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導體元件、顯示裝置以及其他電子元件等具備多個薄膜。這種多個薄膜的形成 方法有多種，沉積方法是其中的一種方法。
[0003] 沉積方法例如有溉射（sputtering)、化學氣相沉積（CVD :chemical vapor deposition)、原子層沉積（ALD:atomic layer deposition)以及其他多種方法。
[0004] 另外，在顯示裝置中有機發(fā)光顯示裝置不僅具有視角寬、對比度高的優(yōu)點，還具有 響應(yīng)速度快的優(yōu)點，因此作為下一代顯示裝置備受矚目。
[0005] 有機發(fā)光顯示裝置在彼此相對的第一電極和第二電極之間包括具備有機發(fā)光層 的中間層，此外還具備一個以上的多種薄膜。此時，為了形成有機發(fā)光顯示裝置的薄膜，有 時利用濺射工序。
[0006] 進行這種濺射工序時，在靶和基板之間發(fā)生等離子放電，不易確保這種等離子放 電特性的均勻度。
[0007] 特別是，隨著有機發(fā)光顯示裝置的大型化、要求高清晰度，對包括在有機發(fā)光顯示 裝置中的薄膜要求均勻的特性。但是，在利用濺射工序形成薄膜時，因難以維持等離子的放 電特性，形成具有期望特性的薄膜是有限的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明能夠提供一種濺射沉積裝置、利用該裝置的薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示 裝置的制造方法，該濺射沉積裝置、薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制造方法能夠有 效進行薄膜形成工序并且易于提高沉積膜特性。
[0009] 本發(fā)明公開一種濺射裝置，用于對基板進行沉積工序，包括：腔室，用于配置基板， 所述腔室包括對基板進行沉積工序的沉積空間；旋轉(zhuǎn)型靶，在所述腔室內(nèi)配置為與所述基 板相對；內(nèi)部磁鐵部件，配置在所述旋轉(zhuǎn)型靶內(nèi)；以及外部磁鐵部件，在所述腔室內(nèi)配置為 與所述基板相對，并且在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
[0010] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件可具備以所述旋轉(zhuǎn)型靶為中心配置在兩側(cè)的第一 磁鐵部件及第二磁鐵部件。
[0011] 在本發(fā)明中，所述第一磁鐵部件可配置為與所述旋轉(zhuǎn)型靶的一側(cè)面區(qū)域相對，所 述第二磁鐵部件可配置為與所述旋轉(zhuǎn)型靶的所述一側(cè)面區(qū)域的相反側(cè)面區(qū)域相對。
[0012] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件可具有與所述旋轉(zhuǎn)型靶的長度方向并排延長的形 狀。
[0013] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件可配置為與所述內(nèi)部磁鐵部件平行。
[0014] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件可配置為與所述基板平行。
[0015] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件可配置為相對于所述基板按規(guī)定的角度傾斜，使 得所述外部磁鐵部件和所述基板之間的距離逐漸變化。
[0016] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件可包括多個分割磁鐵部件，并且所述多個分割磁 鐵部件可分別相互獨立地配置，從而獨立控制所述多個分割磁鐵部件和所述基板之間的距 離。
[0017] 在本發(fā)明中，所述外部磁鐵部件至少可具有與所述內(nèi)部磁鐵部件對應(yīng)的長度。
[0018] 在本發(fā)明中，所述旋轉(zhuǎn)型靶形成為中空的圓柱形狀，并且所述旋轉(zhuǎn)型靶的內(nèi)部可 配置有支撐所述旋轉(zhuǎn)型靶的襯板。
[0019] 在本發(fā)明中，所述旋轉(zhuǎn)型靶可發(fā)揮陰極功能。
[0020] 在本發(fā)明中，可包括電極部件，所述電極部件配置在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部，并與所 述基板相對且與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
[0021] 在本發(fā)明中，所述電極部件可包括以所述旋轉(zhuǎn)型靶為中心配置在兩側(cè)的第一電極 部件及第二電極部件。
[0022] 在本發(fā)明中，所述電極部件可配置在所述外部磁鐵部件和所述旋轉(zhuǎn)型靶之間。
[0023] 在本發(fā)明中，所述電極部件可發(fā)揮陽極功能。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開一種薄膜形成方法，利用濺射裝置在基板上形成薄 膜，所述薄膜形成方法包括如下步驟：在腔室內(nèi)裝入所述基板；以及利用旋轉(zhuǎn)型靶將沉積 材料沉積在所述基板上，所述旋轉(zhuǎn)型靶在所述腔室內(nèi)配置為與所述基板相對，且在內(nèi)部配 置有內(nèi)部磁鐵部件，所述將沉積材料沉積在所述基板上的步驟包括利用外部磁鐵部件控制 所述旋轉(zhuǎn)型靶的周邊磁場的步驟，所述外部磁鐵部件配置為與所述基板相對并且在所述旋 轉(zhuǎn)型靶的外部與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
[0025] 在本發(fā)明中，可進一步包括如下步驟：配置電極部件，所述電極部件配置在所述旋 轉(zhuǎn)型靶的外部并與所述基板相對且與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開，并且在將所述沉積材料沉積在 所述基板的步驟中對所述電極部件施加電壓。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的再一方面，公開一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，利用濺射裝置 形成有機發(fā)光顯示裝置，包括如下步驟：在腔室內(nèi)裝入基板；以及利用旋轉(zhuǎn)型靶將沉積材 料沉積在所述基板上，所述旋轉(zhuǎn)型靶在所述腔室內(nèi)配置為與所述基板相對，且在內(nèi)部配置 有內(nèi)部磁鐵部件，所述將沉積材料沉積在所述基板上的步驟包括利用外部磁鐵部件控制所 述旋轉(zhuǎn)型靶的周邊磁場的步驟，所述外部磁鐵部件配置為與所述基板相對并且在所述旋轉(zhuǎn) 型靶的外部與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
[0027] 本發(fā)明的特征可為，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：第一電極、第二電極、配置在所 述第一電極和第二電極之間且具備有機發(fā)光層的中間層以及形成在所述第二電極上的密 封層；通過進行將所述沉積材料沉積在所述基板中的步驟，形成所述密封層。
[0028] 本發(fā)明的特征可為，所述密封層包括一個以上的有機層以及一個以上的無機層， 通過進行將所述沉積材料沉積在所述基板上的步驟，形成所述密封層的所述無機層中的至 少一層。
[0029] 本發(fā)明的沉積裝置、利用該裝置的薄膜形成方法及有機發(fā)光顯示裝置的制造方 法，能夠有效進行薄膜形成工序并且易于提高沉積膜特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030] 圖1是示意地圖示本發(fā)明的一實施例的濺射裝置的立體圖。
[0031] 圖2是圖1的II - II向剖視圖。
[0032] 圖3是圖1的III - III向剖視圖。
[0033] 圖4及圖5是圖示圖1的濺射裝置的外部磁鐵部件的變形例的圖。
[0034] 圖6是示意地圖示本發(fā)明的另一實施例的濺射裝置的圖。
[0035] 圖7是示意地圖示利用本發(fā)明的濺射裝置制造的有機發(fā)光顯示裝置的圖。
[0036] 圖8是圖7中F部分的放大圖。
[0037] 附圖標記說明
[0038] S、30 :基板
[0039] 100、200 :濺射裝置
[0040] 101、201 :腔室
[0041] 120、220 :襯板
[0042] 130、230 :旋轉(zhuǎn)型靶
[0043] 150、250 :內(nèi)部磁鐵部件
[0044] 190、290 :外部磁鐵部件

【具體實施方式】
[0045] 以下，參照附圖中圖示的有關(guān)本發(fā)明的實施例，詳細說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及作用。
[0046] 圖1是示意地圖示本發(fā)明的一實施例的濺射裝置的立體圖，圖2是圖1的II - II 向剖視圖，圖3是圖1的III - III向剖視圖。
[0047] 參照圖1至圖3,濺射裝置100大致包括腔室101、旋轉(zhuǎn)型靶130、內(nèi)部磁鐵部件150 及外部磁鐵部件190。
[0048] 腔室101可連接在泵(未圖示)上，以控制沉積工序的壓力氣氛，并且收容及保護基 板S、靶130及外部磁鐵部件190等。此外，腔室101可包括用于使基板S進出的一個以上 的出入口（未圖示)。圖1僅圖示了腔室101的底面，但這是為了說明上的方便，腔室101可 具有類似箱子的形狀。
[0049] 基板S可配置在支撐部105上。支撐部105在進行對基板S的沉積工序期間，避 免基板S移動或者搖晃。為此，支撐部105可具備夾具(未圖示)。此外，為了支撐部105和 基板S之間的吸附，支撐部105也可具備一個以上的吸附孔(未圖示)。此外，優(yōu)選地支撐部 105由耐熱性及耐用性高的材質(zhì)形成，使得防止在沉積工序中由熱引起的變形及破損。
[0050] 旋轉(zhuǎn)型靶130配置為與基板S相對。在沉積工序中，旋轉(zhuǎn)型靶130在旋轉(zhuǎn)的同時 向基板S提供沉積材料，使得在基板S上形成沉積膜。為此，優(yōu)選地旋轉(zhuǎn)型靶130的長度至 少與基板S的一方向的寬度相同或者大于該寬度。
[0051] 襯板（backing plate)120可配置為支撐旋轉(zhuǎn)型祀130。S卩，形成為與中空圓柱形 狀的旋轉(zhuǎn)型靶130類似形狀的襯板120可配置在旋轉(zhuǎn)型靶130的內(nèi)部，并且支撐旋轉(zhuǎn)型靶 130。此外，在沉積工序中，襯板120能夠?qū)⑿D(zhuǎn)型靶130的溫度保持為穩(wěn)定不變，可通過電 源(未圖示）對襯板120施加功率。例如，可對襯板120施加 RF或者DC電源的功率，襯板 120可發(fā)揮陰極功能。由此，與襯板120連接的旋轉(zhuǎn)型靶130可發(fā)揮陽極功能。
[0052] 當然，沒有襯板120也能夠使用旋轉(zhuǎn)型靶130,此時，可對旋轉(zhuǎn)型靶130施加功率。
[0053] -個以上的內(nèi)部磁鐵部件150配置在旋轉(zhuǎn)型靶130內(nèi)。內(nèi)部磁鐵部件150可具有 與旋轉(zhuǎn)型靶130的長度方向并排延長的形狀。在前述旋轉(zhuǎn)型靶130旋轉(zhuǎn)的同時進行沉積工 序的期間，內(nèi)部磁鐵部件150不旋轉(zhuǎn)。即，內(nèi)部磁鐵部件150不與旋轉(zhuǎn)型靶130及襯板120 連接。
[0054] 內(nèi)部磁鐵部件150在旋轉(zhuǎn)型靶130和基板S之間產(chǎn)生磁場。內(nèi)部磁鐵部件150的 個數(shù)可確定為各種各樣，使得易于控制對于基板S的沉積膜的特性。此外，可進行配置變 更，使得內(nèi)部磁鐵部件150的N極或S極有選擇地與基板S相對。此外，在配置多個內(nèi)部磁 鐵部件150時，當然能夠自由地進行各個極性的配置。
[0055] 驅(qū)動軸122配置為發(fā)揮襯板120及旋轉(zhuǎn)型靶130的旋轉(zhuǎn)軸的功能。具體來講，驅(qū) 動軸122可連接在如驅(qū)動帶等驅(qū)動部124上，并接受傳來的驅(qū)動力，使襯板120及旋轉(zhuǎn)型靶 130旋轉(zhuǎn)。此時，前述電源(未圖示）連接在驅(qū)動軸122上，并可通過驅(qū)動軸122對襯板120 施加功率。
[0056] 驅(qū)動軸122形成為在襯板120的兩端延長的形狀，可由外殼129收容。
[0057] 可配置襯管125,使得襯板120和驅(qū)動軸122連接及固定。當然，可以省略襯管 125,將襯板120和驅(qū)動軸122形成為一體。
[0058] 冷卻水輸入管126及冷卻水排出管127連接于旋轉(zhuǎn)型靶130的內(nèi)部。由此，維持 旋轉(zhuǎn)型靶130、襯板120以及驅(qū)動軸122的內(nèi)部溫度。
[0059] 外部磁鐵部件190配置在旋轉(zhuǎn)型靶130的外部，并與基板S相對且與旋轉(zhuǎn)型靶130 相隔開。外部磁鐵部件190包括第一磁鐵部件191及第二磁鐵部件192。第一磁鐵部件191 及第二磁鐵部件192分別以旋轉(zhuǎn)型靶130為中心，配置在旋轉(zhuǎn)型靶130的兩側(cè)。具體來講， 第一磁鐵部件191配置為與旋轉(zhuǎn)型靶130的一側(cè)面區(qū)域相對，第二磁鐵部件192配置為與 旋轉(zhuǎn)型靶130的側(cè)面區(qū)域中對應(yīng)第一磁鐵部件191的區(qū)域的相反側(cè)區(qū)域相對。
[0060] 此外，第一磁鐵部件191及第二磁鐵部件192具有與旋轉(zhuǎn)型靶130的長度方向并 排延長的形狀。具體來講，第一磁鐵部件191及第二磁鐵部件192可與內(nèi)部磁鐵部件150 的延長方向并排配置。
[0061] 對于本實施例的濺射裝置100的操作及效果進行簡略說明。
[0062] 將基板S配置在濺射裝置100的腔室101內(nèi)，并將能夠提供用于在基板S上形成 沉積膜的材料的旋轉(zhuǎn)型靶130配置為與基板S相對。并且，通過向腔室101內(nèi)注入的氣體 等形成等離子狀態(tài)后激發(fā)的粒子與旋轉(zhuǎn)型靶130碰撞，從而從旋轉(zhuǎn)型靶130脫落的粒子到 達基板S上而形成沉積膜。
[0063] 本實施例的濺射裝置100包括旋轉(zhuǎn)型靶130。在沉積工序中，在旋轉(zhuǎn)型靶130旋 轉(zhuǎn)的同時進行沉積工序。因此，能夠均勻地使用旋轉(zhuǎn)型靶130的全部表面并執(zhí)行沉積工序。 由此，提高旋轉(zhuǎn)型靶130的使用效率而增加旋轉(zhuǎn)型靶130的使用周期，有效地進行通過濺射 裝置100的沉積工序。
[0064] 此外，旋轉(zhuǎn)型靶130的內(nèi)部具有內(nèi)部磁鐵部件150,以提高對基板S的沉積效率。
[0065] 此外，在本實施例中，以旋轉(zhuǎn)型靶130為中心，在旋轉(zhuǎn)型靶130的兩側(cè)配置有外部 磁鐵部件190,從根本上切斷由于內(nèi)部磁鐵部件150而可產(chǎn)生的非正常的放電，以增大沉積 效率。即，由于內(nèi)部磁鐵部件150,在旋轉(zhuǎn)型靶130和基板S之間產(chǎn)生磁場，而在這種區(qū)域中 產(chǎn)生等離子放電。但是內(nèi)部磁鐵部件150在旋轉(zhuǎn)型靶130的周邊，特別在側(cè)面產(chǎn)生不均勻 的磁場。這種在旋轉(zhuǎn)型靶130側(cè)面產(chǎn)生的不均勻的磁場引起非正常的等離子放電，從而產(chǎn) 生旋轉(zhuǎn)型靶130的不均勻的磨損、基板S的沉積膜厚度不均勻以及旋轉(zhuǎn)型靶130的損傷等 問題。但是，在本實施例中，將外部磁鐵部件190配置為與旋轉(zhuǎn)型靶130的兩側(cè)側(cè)面對應(yīng)， 從而抑制這種不均勻的磁場的產(chǎn)生。
[0066] 由此，切斷在旋轉(zhuǎn)型靶130的側(cè)面產(chǎn)生的非正常的磁場，以易于實現(xiàn)旋轉(zhuǎn)型靶130 的均勻的使用、提高沉積膜特性的效果。
[0067] 優(yōu)選地，外部磁鐵部件190至少具有與內(nèi)部磁鐵部件150的長度對應(yīng)的長度，以增 大這種效果。
[0068] 圖4及圖5是圖示圖1的濺射裝置的外部磁鐵部件的變形例的圖。
[0069] 前述外部磁鐵部件190沿與配置在旋轉(zhuǎn)型靶130內(nèi)部的內(nèi)部磁鐵部件150平行的 方向配置。
[0070] 但是，本發(fā)明并不限于此。首先，參照圖4,外部磁鐵部件19Γ配置為具有相對于 內(nèi)部磁鐵部件150'按規(guī)定的角度傾斜的形狀。即，外部磁鐵部件19Γ相對于基板S不維 持固定的間隔，而是按區(qū)域相對于基板S具有不同的間隔。即，外部磁鐵部件19Γ和基板 S之間的距離逐漸變化。由此，能夠易于調(diào)整旋轉(zhuǎn)型靶130周邊的磁場的密度。此外，可通 過調(diào)整旋轉(zhuǎn)型靶130周邊的磁場的密度來控制沉積在基板S上的沉積膜的厚度。即，以圖 4為準，當基板S的右側(cè)區(qū)域沉積膜的厚度大于左側(cè)區(qū)域沉積膜的厚度，從而有必要使其均 勻時，如圖4所示，可配置外部磁鐵部件19Γ，以降低旋轉(zhuǎn)型靶130'的右側(cè)區(qū)域的磁場密 度，從而使基板S的右側(cè)區(qū)域的沉積速度與左側(cè)區(qū)域相比減小。
[0071] 此外，參照圖5,外部磁鐵部件191"具備多個分割磁鐵部件191"A、191"B、191"C、 191"D、191"E。多個分割磁鐵部件191"A、191"B、19r'C，19r'D，19r'E)可彼此分割并可 彼此獨立地配置。由此，能夠不同地控制多個分割磁鐵部件191"A、191"B、19r'C、19r'D、 191" E中的每一個與基板S之間的距離。
[0072] 由此，能夠按旋轉(zhuǎn)型靶130"的區(qū)域，不同地調(diào)整旋轉(zhuǎn)型靶130"周邊的磁場的密 度。此外，通過調(diào)整旋轉(zhuǎn)型靶130"周邊的磁場的密度，能夠控制沉積在基板S上的沉積膜 的厚度。
[0073] 圖6是示意地圖示本發(fā)明的另一實施例的濺射裝置的圖。
[0074] 參照圖6,濺射裝置200大致包括腔室201、旋轉(zhuǎn)型靶230、內(nèi)部磁鐵部件250、外部 磁鐵部件290及電極部件270。
[0075] 腔室210可連接在泵(未圖示)上，以控制沉積工序的壓力氣氛，并且收容及保護基 板S、靶230及外部磁鐵部件290等。此外，腔室201可具有用于使基板S進出的一個以上 的出入口（未圖示)。
[0076] 基板S可配置在支撐部205上。支撐部205在進行對基板S的沉積工序的期間， 防止基板S移動或搖晃。為此，支撐部205可具備夾具(未圖示)。此外，為了支撐部205和 基板S之間的吸附，支撐部205也可具備一個以上的吸附孔(未圖示)。此外，優(yōu)選地支撐部 205由耐熱性及耐用性高的材質(zhì)形成，以防止在沉積工序中由熱產(chǎn)生的變形及破損。
[0077] 旋轉(zhuǎn)型靶230配置為與基板S相對。在沉積工序中，旋轉(zhuǎn)型靶230在旋轉(zhuǎn)的同時 向基板S提供沉積材料，從而在基板S上形成沉積膜。為此，優(yōu)選地旋轉(zhuǎn)型靶230的長度至 少與基板S的一方向的寬度相同或者大于該寬度。
[0078] 襯板（backing plate)220可配置為支撐旋轉(zhuǎn)型祀230。S卩，形成為與中空圓柱形 狀的旋轉(zhuǎn)型靶230類似形狀的襯板220可配置在旋轉(zhuǎn)型靶230的內(nèi)部，并且支撐旋轉(zhuǎn)型靶 230。此外，在沉積工序中，襯板220可將旋轉(zhuǎn)型靶230的溫度保持為穩(wěn)定不變，可通過電源 (未圖示）對襯板220施加功率。例如，可對襯板220施加 RF或者DC電源的功率，襯板220 可發(fā)揮陰極功能。
[0079] 當然，沒有襯板220也能夠使用旋轉(zhuǎn)型靶230,此時，可對旋轉(zhuǎn)型靶230施加功率。
[0080] 一個以上的內(nèi)部磁鐵部件250配置在旋轉(zhuǎn)型靶230內(nèi)。內(nèi)部磁鐵部件250可具有 與旋轉(zhuǎn)型靶230的長度方向并排延長的形狀。在前述旋轉(zhuǎn)型靶230旋轉(zhuǎn)的同時進行沉積工 序的期間，內(nèi)部磁鐵部件250不旋轉(zhuǎn)。即，內(nèi)部磁鐵部件250不與旋轉(zhuǎn)型靶230及襯板220 連接。
[0081] 內(nèi)部磁鐵部件250在旋轉(zhuǎn)型靶230和基板S之間產(chǎn)生磁場。內(nèi)部磁鐵部件250的 個數(shù)可確定為各種各樣，使得易于控制對于基板S的沉積膜的特性。此外，可進行配置變更 使得內(nèi)部磁鐵部件250的N極或S極有選擇地與基板S相對。此外，在配置多個內(nèi)部磁鐵 部件250時，當然能夠自由地進行各極性的配置。
[0082] 驅(qū)動軸（未圖不)、外殼(未圖不)、襯管(未圖不)、冷卻水輸入管(未圖不）以及冷卻 水排出管(未圖示）與前述實施例相同，因此省略具體說明。
[0083] 外部磁鐵部件290配置在旋轉(zhuǎn)型靶230的外部并與基板S相對且與旋轉(zhuǎn)型靶230 相隔開。外部磁鐵部件290具備第一磁鐵部件291及第二磁鐵部件292。第一磁鐵部件291 及第二磁鐵部件292分別以旋轉(zhuǎn)型靶230為中心配置在旋轉(zhuǎn)型靶230的兩側(cè)。具體來講， 第一磁鐵部件291配置為與旋轉(zhuǎn)型靶230的一側(cè)面區(qū)域相對，第二磁鐵部件292配置為與 旋轉(zhuǎn)型靶230的側(cè)面區(qū)域中對應(yīng)第一磁鐵部件291區(qū)域的相反側(cè)區(qū)域相對。
[0084] 此外，第一磁鐵部件291及第二磁鐵部件292具有與旋轉(zhuǎn)型靶230的長度方向并 排延長的形狀。具體來講，第一磁鐵部件291及第二磁鐵部件292可與內(nèi)部磁鐵部件250 的延長方向并排配置。
[0085] 雖然未圖示，但本實施例的濺射裝置200,當然可適用圖4及圖5的結(jié)構(gòu)。
[0086] 電極部件270配置在旋轉(zhuǎn)型靶230的外部，并與基板S相對且與旋轉(zhuǎn)型靶230相 隔開。電極部件270連接在電源280上。
[0087] 電極部件270具備第一電極部件271及第二電極部件272。第一電極部件271及 第二電極部件272分別以旋轉(zhuǎn)型靶230為中心，配置在旋轉(zhuǎn)型靶230的兩側(cè)。具體來講，第 一電極部件271及第二電極部件272配置為分別比第一電磁部件291及第二電磁部件292 更加接近旋轉(zhuǎn)型靶230。此外，第一電極部件271及第二電極部件272分別對應(yīng)于第一電磁 部件291及第二電磁部件292的上表面，并且對應(yīng)于在第一電磁部件291及第二電磁部件 292的側(cè)面中朝向旋轉(zhuǎn)型靶230的側(cè)面。通過這種第一電極部件271及第二電極部件272 的形狀，第一電極部件271及第二電極部件272還能夠執(zhí)行防止第一電磁部件291及第二 電磁部件292的損傷及污染的功能。
[0088] 此外，第一電極部件271配置為與旋轉(zhuǎn)型靶230的一側(cè)面區(qū)域相對，第二電極部件 272配置為與旋轉(zhuǎn)型靶230的側(cè)面區(qū)域中對應(yīng)第一電極部件271的區(qū)域的相反側(cè)區(qū)域相對。
[0089] 此外，第一電極部件271及第二電極部件272可具有與第一電磁部件291及第二 電磁部件292的長度相同或大于該長度的長度。由此，第一電極部件271及第二電極部件 272能夠有效地保護第一電磁部件291及第二電磁部件292,特別是第一電極部件271及第 二電極部件272優(yōu)選具有大于第一電磁部件291及第二電磁部件292的長度的長度。
[0090] 電極部件270具有與襯板220相反的極性。即，電極部件270發(fā)揮陽極功能。
[0091] 如前所述，襯板220發(fā)揮陰極功能。此時，在旋轉(zhuǎn)型靶230和基板S之間，為了沉積 工序而產(chǎn)生的等離子會給基板S帶來損傷。即，由于等離子的產(chǎn)生而產(chǎn)生的陰離子、電子等 碰撞在基板S上。特別是，對腔室201或者支撐部205施加正電壓時，增加了這種陰離子、 電子等碰撞在基板S上的次數(shù)而可能會產(chǎn)生基板S的損傷。
[0092] 但是，在本實施例中，電極部件270發(fā)揮陽極功能，因此抑制由于等離子的產(chǎn)生而 產(chǎn)生的陰離子、電子等向基板S的移動。即，能夠在將基板S保持在一種浮動狀態(tài)的情況下 進行沉積工序。由此，防止基板S的損傷及電弧（arc)的產(chǎn)生等，并且提高沉積工序的效率 性。
[0093] 此外，通過外部磁鐵部件290和電極部件270的組合，部分增加在旋轉(zhuǎn)型靶230和 基板S之間的空間中產(chǎn)生的等離子的密度，從而即使施加低功率也能夠進行沉積工序。
[0094] 對于本實施例的濺射裝置200的操作及效果進行簡略說明。
[0095] 將基板S配置在濺射裝置200的腔室201中，并且將能夠提供用于在基板S上形 成沉積膜的材料的旋轉(zhuǎn)型靶230配置為與基板S相對。并且，通過向腔室201內(nèi)注入的氣 體形成等離子狀態(tài)后激發(fā)的粒子與旋轉(zhuǎn)型靶230碰撞，從而從旋轉(zhuǎn)型靶230脫落的粒子到 達基板S上而形成沉積膜。
[0096] 本實施例的濺射裝置200包括旋轉(zhuǎn)型靶230。在沉積工序中，在旋轉(zhuǎn)型靶230旋 轉(zhuǎn)的同時進行沉積工序。因此，能夠均勻地使用旋轉(zhuǎn)型靶230的全部表面并執(zhí)行沉積工序。 由此，提高旋轉(zhuǎn)型靶230的使用效率而增加旋轉(zhuǎn)型靶130的使用周期，有效地進行通過濺射 裝置200的沉積工序。
[0097] 此外，旋轉(zhuǎn)型靶230的內(nèi)部具備內(nèi)部磁鐵部件250,以提高對于基板S的沉積效率。
[0098] 此外，在本實施例中，以旋轉(zhuǎn)型靶230為中心，在旋轉(zhuǎn)型靶230的兩側(cè)配置外部磁 鐵部件290,從根本上切斷由于內(nèi)部磁鐵部件250而可能會產(chǎn)生的非正常的放電，以增大沉 積效率。即，由于內(nèi)部磁鐵部件250,在旋轉(zhuǎn)型靶230和基板S之間產(chǎn)生磁場，在這種區(qū)域中 產(chǎn)生等離子放電。但是內(nèi)部磁鐵部件250在旋轉(zhuǎn)型靶230的周邊，特別在側(cè)面產(chǎn)生不均勻 的磁場。這種在旋轉(zhuǎn)型靶230側(cè)面產(chǎn)生的不均勻的磁場引起非正常的等離子放電，從而產(chǎn) 生旋轉(zhuǎn)型靶230的不均勻的磨損、基板S的沉積膜厚度不均勻以及旋轉(zhuǎn)型靶230的損傷等 問題。但是，在本實施例中，將外部磁鐵部件290配置為與旋轉(zhuǎn)型靶230的兩側(cè)側(cè)面對應(yīng)， 以抑制這種不均勻的磁場的產(chǎn)生。
[0099] 由此，切斷在旋轉(zhuǎn)型靶230的側(cè)面產(chǎn)生的非正常的磁場，以易于實現(xiàn)旋轉(zhuǎn)型靶230 的均勻使用、提高沉積膜特性的效果。
[0100] 此外，利用電極部件270抑制由于等離子的產(chǎn)生而產(chǎn)生的陰離子、電子等向基板S 的移動。即，能夠在將基板S保持在一種浮動狀態(tài)的情況下進行沉積工序。由此，防止基板 S的損傷、電?。╝rc)的產(chǎn)生等，并且提高沉積工序的效率性。
[0101] 此外，通過外部磁鐵部件290和電極部件270的組合，部分增加在旋轉(zhuǎn)型靶230和 基板S之間的空間中產(chǎn)生的等離子的密度，從而即使施加了低功率也能夠進行沉積工序。
[0102] 圖7是示意地圖示利用本發(fā)明的濺射裝置制造的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖，圖 8是圖7的F部分的放大圖。
[0103] 參照圖7及圖8,有機發(fā)光顯示裝置10 (organic light emitting display apparatus)形成在基板30上?；?0可由玻璃材料、塑料材料或者金屬材料形成。
[0104] 在基板30上形成有含有絕緣物的緩沖層31，所述緩沖層31在基板30上方提供平 坦面，并且防止水分及異物向基板30方向的浸透。
[0105] 在緩沖層31上形成有薄膜晶體管40 (TFT: thin film transistor)、電容器50、 有機發(fā)光元件（organic light emitting device)60。薄膜晶體管40大體包括活性層41、 柵電極42、源極/漏極電極43。有機發(fā)光兀件60包括第一電極61、第二電極62以及中間 層63。電容器50具備第一電容器電極51及第二電容器電極52。
[0106] 具體來講，在緩沖層31的上表面配置有以規(guī)定的圖案形成的活性層41?；钚詫?41可含有硅等無機半導體材料、有機半導體材料或者氧化物半導體材料，也可以有選擇地 注入P型或者η型摻雜材料形成。
[0107] 在活性層41的上方形成有柵絕緣膜32。柵絕緣膜32的上方形成有柵電極42,該 柵電極42與活性層41對應(yīng)。柵絕緣膜32的上方可形成有第一電容器電極51，且可以與柵 電極42相同的材質(zhì)形成。
[0108] 以覆蓋柵電極42的方式形成有層間絕緣膜33,并且在層間絕緣膜33上形成有源 極/漏極電極43,該源極/漏極電極43形成為與活性層41的規(guī)定的區(qū)域接觸。在層間絕 緣膜33上可形成有第二電容器電極52,且可以與源極/漏極電極43相同的材質(zhì)形成。
[0109] 以覆蓋源極/漏極電極43的方式形成有鈍化層34,并且為了薄膜晶體管40的平 坦化，在鈍化層34上還可形成其他絕緣膜。
[0110] 在鈍化層34上形成有第一電極61。第一電極61形成為與源極/漏極電極43中 的任一個電極電連接。并且，以覆蓋第一電極61的方式形成有像素限定膜35。在該像素限 定膜35中形成規(guī)定的開口 64之后，在由該開口 64限定的區(qū)域內(nèi)形成具備有機發(fā)光層的中 間層63。在中間層63上形成有第二電極62。
[0111] 在第二電極62上形成有密封層70。密封層70可含有有機物或者無機物，可以是 有機物和無機物交替地層壓的結(jié)構(gòu)。
[0112] 作為具體例子，密封層70可利用前述濺射裝置100、200形成。即，將形成有第二 電極62的基板30裝入腔室101、201內(nèi)之后，可利用濺射裝置100、200形成期望的層。
[0113] 特別是，密封層70具備無機層71及有機層72,并且無機層71具備多個層71a、 71b、71c，有機層72具備多個層72a、72b、72c。此時，可利用濺射裝置100、200形成無機層 71 的多個層 71a、71b、71c。
[0114] 但是本發(fā)明并不限于此。即，也可利用前述濺射裝置100、200形成有機發(fā)光顯示 裝置10的如柵電極42、源極/漏極電極43、第一電極61及第二電極62等電極。
[0115] 此外，當然可以利用前述濺射裝置100、200形成緩沖層31、柵絕緣膜32、層間絕緣 膜33、鈍化層34以及像素限定膜35等其他絕緣膜。
[0116] 如前所述，當利用本實施例的濺射裝置100、200時，能夠提高形成在有機發(fā)光顯 示裝置10的沉積膜的特性，結(jié)果是能夠提高有機發(fā)光顯示裝置10的電特性以及圖像質(zhì)量 特性。
[0117] 本發(fā)明參照圖中圖示的實施例進行了說明，但這只不過是本發(fā)明的示例，在所屬 【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)能理解，基于上述實施例可進行各種變形以及其他等同的實施例。 因此，本發(fā)明真正的技術(shù)保護范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書的技術(shù)思想來確定。
【權(quán)利要求】
1. 一種濺射裝置，用于對基板進行沉積工序，包括： 腔室，用于配置基板，所述腔室包括對基板進行沉積工序的沉積空間； 旋轉(zhuǎn)型靶，在所述腔室內(nèi)配置為與所述基板相對； 內(nèi)部磁鐵部件，配置在所述旋轉(zhuǎn)型靶內(nèi)；以及 外部磁鐵部件，在所述腔室內(nèi)配置為與所述基板相對并且在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部與所 述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件包括以所述旋轉(zhuǎn)型靶為中心配置在兩側(cè)的第一磁鐵部件及第二磁 鐵部件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置， 所述第一磁鐵部件配置為與所述旋轉(zhuǎn)型靶的一側(cè)面區(qū)域相對，所述第二磁鐵部件配置 為與所述旋轉(zhuǎn)型靶的所述一側(cè)面區(qū)域的相反側(cè)面區(qū)域相對。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件具有與所述旋轉(zhuǎn)型靶的長度方向并排延長的形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件配置為與所述內(nèi)部磁鐵部件平行。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件配置為與所述基板平行。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件配置為相對于所述基板按規(guī)定的角度傾斜，使得所述外部磁鐵部件 和所述基板之間的距離逐漸變化。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件包括多個分割磁鐵部件，所述多個分割磁鐵部件分別相互獨立地配 置，從而獨立地控制所述多個分割磁鐵部件和所述基板之間的距離。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述外部磁鐵部件至少具有與所述內(nèi)部磁鐵部件對應(yīng)的長度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述旋轉(zhuǎn)型靶形成為中空的圓柱形狀，并且在所述旋轉(zhuǎn)型靶的內(nèi)部配置有支撐所述旋 轉(zhuǎn)型靶的襯板。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 所述旋轉(zhuǎn)型靶發(fā)揮陰極功能。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置， 包括電極部件，配置在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部并與所述基板相對且與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔 開。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的濺射裝置， 所述電極部件包括以所述旋轉(zhuǎn)型靶為中心配置在兩側(cè)的第一電極部件及第二電極部 件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的濺射裝置， 所述電極部件配置在所述外部磁鐵部件和所述旋轉(zhuǎn)型靶之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的濺射裝置， 所述電極部件發(fā)揮陽極功能。
16. -種薄膜形成方法，利用濺射裝置在基板上形成薄膜，所述薄膜形成方法包括如下 步驟： 在腔室內(nèi)裝入所述基板；以及 利用旋轉(zhuǎn)型靶將沉積材料沉積在所述基板上，所述旋轉(zhuǎn)型靶在所述腔室內(nèi)配置為與所 述基板相對并且在內(nèi)部配置有內(nèi)部磁鐵部件， 所述將沉積材料沉積在所述基板上的步驟包括利用外部磁鐵部件控制所述旋轉(zhuǎn)型靶 的周邊磁場的步驟，所述外部磁鐵部件配置為與所述基板相對并且在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部 與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜形成方法，進一步包括如下步驟： 配置電極部件，所述電極部件配置在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部并與所述基板相對且與所述 旋轉(zhuǎn)型靶相隔開； 在將所述沉積材料沉積在所述基板上的步驟中對所述電極部件施加電壓。
18. -種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，利用濺射裝置形成有機發(fā)光顯示裝置，包括如 下步驟： 在腔室內(nèi)裝入基板；以及 利用旋轉(zhuǎn)型靶將沉積材料沉積在所述基板上，所述旋轉(zhuǎn)型靶在所述腔室內(nèi)配置為與所 述基板相對，且在內(nèi)部配置有內(nèi)部磁鐵部件， 所述將沉積材料沉積在所述基板上的步驟包括利用外部磁鐵部件控制所述旋轉(zhuǎn)型靶 的周邊磁場的步驟，所述外部磁鐵部件配置為與所述基板相對并且在所述旋轉(zhuǎn)型靶的外部 與所述旋轉(zhuǎn)型靶相隔開。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述有機發(fā)光顯示裝置包括： 第一電極、第二電極、配置在所述第一電極和第二電極之間且具備有機發(fā)光層的中間 層以及形成在所述第二電極上的密封層， 通過進行將所述沉積材料沉積在所述基板上的步驟，形成所述密封層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述密封層包括一個以上的有機層以及一個以上的無機層， 通過進行將所述沉積材料沉積在所述基板上的步驟，形成所述密封層的所述無機層中 的至少一層。
【文檔編號】H05B33/10GK104120391SQ201310301221
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】崔丞鎬 申請人:三星顯示有限公司