電路板及其制作方法
【專利摘要】一種電路板，其包括絕緣層、第一導(dǎo)電線路層和第二導(dǎo)電線路層，所述第一導(dǎo)電線路層和第二導(dǎo)電線路層形成于所述絕緣層的相對兩側(cè)，所述電路板內(nèi)形成有開孔，所述開孔內(nèi)自開孔的內(nèi)壁向開孔的中心依次形成導(dǎo)電性高分子膜層、無電鍍金屬層及電鍍金屬，構(gòu)成導(dǎo)電孔，所述導(dǎo)電性高分子膜層直接形成于開孔的內(nèi)壁，所述無電鍍金屬層形成于導(dǎo)電性高分子膜層與電鍍金屬之間，所述第一導(dǎo)電線路層與第二導(dǎo)電線路層通過所述導(dǎo)電孔相互電導(dǎo)通。本發(fā)明還提供所述電路板的制作方法。
【專利說明】電路板及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電路板制作技術(shù)，尤其涉及一種電路板及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)品往小型化、高速化方向的發(fā)展，電路板也從單面電路板、雙面電路板 往多層電路板方向發(fā)展。多層電路板是指具有多層導(dǎo)電線路的電路板，其具有較多的布線 面積、較高互連密度，因而得到廣泛的應(yīng)用，參見文獻(xiàn)Takahashi，A. Ooki，N. Nagai，A. Akahoshij H. Mukohj A. Wajimaj Μ. Res. Lab. , High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880， IEEE Trans, on Components, Packaging, and Manufacturing Technology， 1992， 15(4): 418-425。
[0003] 電路板中，通常需要制作導(dǎo)電孔以電導(dǎo)通兩層或者兩層以上的導(dǎo)電線路。現(xiàn)有技 術(shù)中，導(dǎo)電孔的制作過程通常包括如下步驟：在基板內(nèi)形成孔；對孔內(nèi)進(jìn)行除膠渣處理，使 得成孔過程中留在孔內(nèi)的多余膠渣去除；對孔的內(nèi)壁進(jìn)行多次清洗、微蝕、活化及速化等處 理，使得孔的內(nèi)壁形成有化學(xué)鍍銅的晶種層；在孔的內(nèi)壁進(jìn)行化學(xué)鍍銅，從而在孔內(nèi)形成化 學(xué)鍍銅層。在上述的制作過程中，需要進(jìn)行多次的濕處理過程，制作過程繁瑣且造成水資源 的大量損耗。另外，在化學(xué)鍍銅的過程中，通常采用甲醛作為還原劑，而甲醛為致癌性物質(zhì)， 對現(xiàn)場操作人員的身體造成較大的損害，對環(huán)境損害也較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 因此，有必要提供一種制作過程簡單并且對環(huán)境污染較少的電路板制作方法及電 路板。
[0005] -種電路板，其包括絕緣層、第一導(dǎo)電線路層和第二導(dǎo)電線路層，所述第一導(dǎo)電線 路層和第二導(dǎo)電線路層形成于所述絕緣層的相對兩側(cè)，所述電路板內(nèi)形成有開孔，所述開 孔內(nèi)自開孔的內(nèi)壁向開孔的中心依次形成導(dǎo)電性高分子層、無電鍍金屬層及電鍍金屬，構(gòu) 成導(dǎo)電孔，所述導(dǎo)電性高分子膜層直接形成于開孔的內(nèi)壁，所述無電鍍金屬層形成于導(dǎo)電 性高分子層與電鍍金屬之間，所述第一導(dǎo)電線路層與第二導(dǎo)電線路層通過所述導(dǎo)電孔相互 電導(dǎo)通。
[0006] -種電路板制作方法，包括步驟：提供基板，所述基板包括絕緣層及第一銅箔層； 在基板內(nèi)形成開孔，所述開孔貫穿所述絕緣層及第一銅箔層；采用堿性高錳酸鉀溶液對開 孔的內(nèi)部進(jìn)行處理，使得開孔內(nèi)由于形成開孔時(shí)而產(chǎn)生的膠渣被氧化去除，并使得開孔的 內(nèi)壁吸附有由堿性高錳酸鉀被還原而產(chǎn)生的二氧化錳；將所述基板浸泡于導(dǎo)電性高分子單 體內(nèi)，所述二氧化錳作為催化劑，從而在開孔的內(nèi)壁形成導(dǎo)電性高分子膜層；在所述導(dǎo)電性 高分子膜層表面形成無電鍍金屬層；對所述基板進(jìn)行電鍍，在開孔內(nèi)形成電鍍金屬；以及 將所述第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層。
[0007] -種電路板制作方法，包括步驟：提供基板，所述基板包括絕緣層及第一銅箔層； 在基板內(nèi)形成開孔，所述開孔貫穿所述絕緣層及第一銅箔層；采用堿性高錳酸鉀溶液對開 孔的內(nèi)部進(jìn)行處理，使得開孔內(nèi)由于形成開孔時(shí)而產(chǎn)生的膠渣被氧化去除，并使得開孔的 內(nèi)壁吸附有由堿性高錳酸鉀被還原而產(chǎn)生的二氧化錳；將所述基板浸泡于導(dǎo)電性高分子單 體內(nèi)，所述二氧化錳作為催化劑，從而在開孔的內(nèi)壁形成導(dǎo)電性高分子膜層；在導(dǎo)電性高分 子膜層表面形成金屬鈀層在所述金屬鈀層表面形成無電鍍金屬層；對所述基板進(jìn)行電鍍， 在開孔內(nèi)形成電鍍金屬；以及將所述第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層。
[0008] 本技術(shù)方案提供的電路板及其制作方法，通過在開孔內(nèi)形成導(dǎo)電性高分子層，利 用導(dǎo)電性高分子具有氧化/還原狀態(tài)轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生自由電子的特性，從而可以利用導(dǎo)電性高 分子作為還原劑還原可溶性金屬鹽中的金屬離子，從而在開孔內(nèi)形成無電鍍金屬層。本技 術(shù)方案中無電鍍金屬層可以取代現(xiàn)有技術(shù)中的化學(xué)鍍銅工藝，從而可以減少操作流程，并 且無須使用甲醛等有害物質(zhì)，能夠提高電路板制作的效率，減少資源的浪費(fèi)，并且降低對環(huán) 境的污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的基板的剖面示意圖。
[0010] 圖2是圖1的基板內(nèi)形成開孔后的剖面示意圖。
[0011] 圖3是圖2中的III區(qū)域的局部放大圖。
[0012] 圖4是圖3的開孔內(nèi)形成導(dǎo)電性高分子層后的剖面示意圖。
[0013] 圖5是圖4的導(dǎo)電性高分子層表面形成無電鍍金屬層后的剖面不意圖。
[0014] 圖6是圖5的開孔內(nèi)形成電鍍金屬后的剖面示意圖。
[0015] 圖7是本技術(shù)方案制作的電路板的剖面示意圖。
[0016] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種電路板，其包括絕緣層、第一導(dǎo)電線路層和第二導(dǎo)電線路層，所述第一導(dǎo)電線路 層和第二導(dǎo)電線路層形成于所述絕緣層的相對兩側(cè)，所述電路板內(nèi)形成有開孔，所述開孔 內(nèi)自開孔的內(nèi)壁向開孔的中心依次形成導(dǎo)電性高分子膜層、無電鍍金屬層及電鍍金屬，構(gòu) 成導(dǎo)電孔，所述導(dǎo)電性高分子膜層直接形成于開孔的內(nèi)壁，所述無電鍍金屬層形成于導(dǎo)電 性高分子膜層與電鍍金屬之間，所述第一導(dǎo)電線路層與第二導(dǎo)電線路層通過所述導(dǎo)電孔相 互電導(dǎo)通。
2. 如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述導(dǎo)電性高分子膜層的材料為聚苯胺、 聚吡咯、聚噻吩、苯胺的衍生物的聚合物、聚吡咯衍生物的聚合物或者噻吩衍生物的聚合 物。
3. 如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述導(dǎo)電孔貫穿第一導(dǎo)電線路層、絕緣層 及第二導(dǎo)電線路層。
4. 如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述導(dǎo)電孔貫穿第一道導(dǎo)電線路層及絕 緣層，部分第二導(dǎo)電線路層從所述開孔內(nèi)部露出。
5. 如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述開孔內(nèi)還形成有金屬鈀層，所述金屬 鈀層形成于無電鍍金屬層與導(dǎo)電性高分子膜層之間，并與無電鍍金屬層與導(dǎo)電性高分子層 相接觸。
6. -種電路板制作方法，包括步驟： 提供基板，所述基板包括絕緣層及第一銅箔層； 在基板內(nèi)形成開孔，所述開孔貫穿所述絕緣層及第一銅箔層； 采用堿性高錳酸鉀溶液對開孔的內(nèi)部進(jìn)行處理，使得開孔內(nèi)由于形成開孔時(shí)而產(chǎn)生的 膠渣被氧化去除，并使得開孔的內(nèi)壁吸附有由高錳酸鉀被還原而產(chǎn)生的二氧化錳； 將所述基板浸泡于導(dǎo)電性高分子單體內(nèi)，所述二氧化錳作為催化劑，從而在開孔的內(nèi) 壁形成導(dǎo)電性高分子膜層； 在所述導(dǎo)電性高分子膜層表面形成無電鍍金屬層； 對所述基板進(jìn)行電鍍，在開孔內(nèi)形成電鍍金屬；以及 將所述第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層。
7. 如權(quán)利要求6所述的電路板制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電性高分子單體為苯胺、 吡咯、噻吩、苯胺的衍生物、吡咯衍生物或者噻吩衍生物。
8. 如權(quán)利要求6所述的電路板制作方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電性高分子膜層表面 形成無電鍍金屬層的方法為：將所述基板浸泡于可溶性金屬鹽溶液中，使得可溶性金屬 鹽溶液中的金屬離子被還原為金屬單質(zhì)，以在所述導(dǎo)電性高分子膜層表面形成無電鍍金屬 層。
9. 如權(quán)利要求8所述的電路板制作方法，其特征在于，所述可溶性金屬鹽為硫酸銅。
10. -種電路板制作方法，包括步驟： 提供基板，所述基板包括絕緣層及第一銅箔層； 在基板內(nèi)形成開孔，所述開孔貫穿所述絕緣層及第一銅箔層； 采用堿性高錳酸鉀溶液對開孔的內(nèi)部進(jìn)行處理，使得開孔內(nèi)由于形成開孔時(shí)而產(chǎn)生的 膠渣被氧化去除，并使得開孔的內(nèi)壁吸附有由高錳酸鉀被還原而產(chǎn)生的二氧化錳； 將所述基板浸泡于導(dǎo)電性高分子單體內(nèi)，所述二氧化錳作為催化劑，從而在開孔的內(nèi) 壁形成導(dǎo)電性高分子膜層； 在導(dǎo)電性高分子膜層表面形成金屬鈀層 在所述金屬鈀層表面形成無電鍍金屬層； 對所述基板進(jìn)行電鍍，在開孔內(nèi)形成電鍍金屬；以及 將所述第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層。
【文檔編號】H05K3/46GK104349588SQ201310332300
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月2日
【發(fā)明者】黃黎明 申請人:宏啟勝精密電子(秦皇島)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司