一種磷化銦生長的壓力罐的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磷化銦生長的壓力罐，包括外殼4、罐腔，罐腔內(nèi)設(shè)有石英容器9，石英容器9上套有石英帽6，石英容器9外均勻分布有加熱管8，石英容器9內(nèi)套有晶體生長坩堝7，在晶體生長坩堝7圓錐狀缸壁與石英容器9之間有石墨墊10，晶體生長坩堝7種晶管上部放種晶11，下部放陶瓷塞12，石英容器9與罐腔內(nèi)壁充滿保溫材料13，外殼4外纏繞有冷卻管5，控制外殼溫度低于30℃，外殼上下端均有配套的密封蓋(2、14)和密封圈3，其中上封蓋2有氣管1，方便高壓氮?dú)獾妮斎氲焦耷弧Ｔ撛O(shè)備耐高溫高壓、抗腐蝕性，熱傳導(dǎo)系數(shù)恒定且一致性，可以保證InP晶體的生成質(zhì)量。
【專利說明】一種磷化銦生長的壓力罐

【技術(shù)領(lǐng)域】
:
[0001]本發(fā)明涉及一種壓力罐，具體涉及一種磷化銦生長的壓力罐。

【背景技術(shù)】
[0002]磷化銦(InP)晶體是重要的化合物半導(dǎo)體材料，與砷化鎵(GaAs)相比，其優(yōu)越性主要在于高的飽和電場飄移速度、導(dǎo)熱性好以及較強(qiáng)的抗輻射能力等，因此磷化銦晶片通常用于新型微電子、光電子元器件制造。在軍事上應(yīng)用于電子對抗、電子戰(zhàn)、精確制導(dǎo)、預(yù)警探測、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)領(lǐng)域。在民事上應(yīng)用于無線通訊、光通訊、光信息處理、工業(yè)自動控制、醫(yī)療器械、激光技術(shù)、電子計(jì)算機(jī)、電子通信、電視廣播、紅外線科技以及更為先進(jìn)的微波傳導(dǎo)，激光開關(guān)，醫(yī)療診斷和治療，航天事業(yè)，生物，數(shù)據(jù)處理及許多其它領(lǐng)域。
[0003]而磷化銦單晶的質(zhì)量，很大程度上取決于多晶的質(zhì)量。磷化銦的熔點(diǎn)高達(dá)1335±7K，在熔點(diǎn)時，磷化銦要發(fā)生分解，為了防止磷化銦的分解，必須置于有27.5個大氣壓(2.75MPa)的磷蒸汽的環(huán)境中。垂直溫度梯度結(jié)晶生長法中，要獲得高質(zhì)量的磷化銦多晶，需要采用多溫場加熱控溫技術(shù)，使得加熱爐形成適合晶體生長的溫度梯度，從而使得熔化在豎立坩堝中磷化銦多晶材料由經(jīng)置于坩堝底部子晶，緩慢地由下向上結(jié)晶放大成所需要的晶體尺寸。在這么高溫度和如此高的磷蒸汽壓中精確控制晶體生長，壓力罐的性能就顯得非常重要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)以上情況，本發(fā)明的目的在于提供一種磷化銦生長的壓力罐，耐高溫高壓、抗腐蝕性，熱傳導(dǎo)系數(shù)恒定且一致性，以保證InP晶體的生成質(zhì)量。
[0005]本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:一種磷化銦生長的壓力罐，包括外殼、罐腔，罐腔內(nèi)設(shè)有石英容器，石英容器上套有石英帽，石英容器外均勻分布有加熱管，石英容器內(nèi)套有晶體生長坩堝，在晶體生長坩堝圓錐狀缸壁與石英容器之間有石墨墊，晶體生長坩堝種晶管上部放種晶，下部放陶瓷塞，石英容器與罐腔內(nèi)壁充滿保溫材料。
[0006]壓力罐外殼外纏繞有冷卻管，控制外殼溫度低于30°C。
[0007]壓力罐外殼上下端均有配套的密封蓋和密封圈，其中上封蓋有氣管，方便高壓氮?dú)獾妮斎氲焦耷弧?br> [0008]坩堝由氮化硼制成。
[0009]保溫材料由石棉和碳?xì)謽?gòu)成。
[0010]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:耐高溫高壓、抗腐蝕性，熱傳導(dǎo)系數(shù)恒定且一致性，可以保證InP晶體的生成質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是磷化銦生長的壓力罐的示意圖。
[0012]圖中:氣管1、上封蓋2、密封圈3、外殼4、冷卻管5、石英帽6、晶體生長坩堝7、加熱管8、石英容器9、石墨墊10、種晶11、陶瓷塞12、保溫材料13、下封蓋14。

【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明:
[0014]如圖1所示:一種磷化銦生長的壓力罐，包括外殼4、罐腔，罐腔內(nèi)設(shè)有石英容器9，石英容器9上套有石英帽6，石英容器9外均勻分布有加熱管8，石英容器9內(nèi)套有晶體生長坩堝7，在晶體生長坩堝7圓錐狀缸壁與石英容器9之間有石墨墊10，晶體生長坩堝7種晶管上部放種晶11，下部放陶瓷塞12，石英容器9與罐腔內(nèi)壁充滿保溫材料13，外殼4外纏繞有冷卻管5，控制外殼溫度低于30°C，外殼上下端均有配套的密封蓋(2、14)和密封圈3，其中上封蓋2有氣管1，方便高壓氮?dú)獾妮斎氲焦耷弧?br> [0015]工作時先將晶體生長坩堝7按要求套入石英容器9內(nèi)，在晶體生長坩堝7種晶管上部放種晶11，下部放陶瓷塞12，晶體生長坩堝7腔體內(nèi)按配方放入InP多晶料、三氧化二硼、磷等其他組分，在石英容器9上套上石英帽6后將分布有加熱管的石英容器9整體橫放入壓力罐腔內(nèi)，接線、填塞保溫材料13后把壓力罐下端密封好，再將整個罐體垂直放置，接線、填塞保溫材料13后把壓力罐上端密封好，通入高壓氮?dú)獾焦耷?，接冷卻水，升溫即可。
【權(quán)利要求】
1.一種磷化銦生長的壓力罐，其特征在于:包括外殼、罐腔，罐腔內(nèi)設(shè)有石英容器，石英容器上套有石英帽，石英容器外均勻分布有加熱管，石英容器內(nèi)套有晶體生長坩堝，在晶體生長坩堝圓錐狀缸壁與石英容器之間有石墨墊，晶體生長坩堝種晶管上部放種晶，下部放陶瓷塞，石英容器與罐腔內(nèi)壁充滿保溫材料，外殼外纏繞有冷卻管，外殼上下端均有配套的密封蓋和密封圈，其中上封蓋有氣管。
【文檔編號】C30B11/00GK104372398SQ201310355883
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】關(guān)活明 申請人:臺山市華興光電科技有限公司