絕緣膜以及絕緣膜的制備方法
【專利摘要】本文公開了一種絕緣膜以及該絕緣膜的制備方法，該方法可以通過在絕緣膜的一個表面上提供具有60wt％至80wt％的二氧化硅重量比的增強層而解決由凹陷引起的問題。
【專利說明】絕緣膜以及絕緣膜的制備方法
[0001]相關(guān)申請的引用
[0002]本申請根據(jù)35U.S.C.第119章要求于2012年8月30日提交的題為“絕緣膜以及絕緣膜的制備方法(Insulating Film and Producing Method for Insulating Film) ”的韓國專利申請序列號10-2012-0095652的權(quán)益，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合在本申請中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種絕緣膜以及絕緣膜的制備方法，更具體地，涉及一種用于在PCB(印刷電路板)等上形成絕緣部分的絕緣膜，以及該絕緣膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通常，通過將諸如二氧化硅的填料添加到諸如環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂中制備絕緣膜。
[0005]此處，填料(如二氧化硅)的含量小于絕緣樹脂的含量的一半。
[0006]圖1為一示圖，其示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的典型絕緣膜。
[0007]如示出的，根據(jù)相關(guān)技術(shù)制備典型的絕緣膜，使得聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜層200和雙向拉伸聚丙烯(Biaxially-Oriented Polypropylene,Β0ΡΡ)膜層300形成在由絕緣樹脂和二氧化硅形成的絕緣層10的兩個表面上。
[0008]圖2為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的絕緣膜在一個表面或者任一表面上形成的絕緣部分的基板(基底，substrate) 400。
[0009]參照圖2，絕緣部分形成在基板400的表面上，且絕緣膜僅由絕緣層10形成。
[0010]此處，在將絕緣層10施加到基板400的表面上的過程中，通常使用輥(roll)。
[0011]在這方面，細小的外來物質(zhì)可能粘附在輥的表面上，并且這種外來物質(zhì)在將絕緣層10壓制在基板400上的過程中可能在絕緣層10的表面上產(chǎn)生凹陷(dent)。
[0012]該凹陷可能在通過進行鍍覆法在絕緣層的表面上形成電路圖案的過程中引起線路故障，從而降低產(chǎn)率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的目的是提供一種具有增強層(加固層，reinforcing layer)的絕緣膜，以解決由凹陷引起的問題。
[0014]本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有增強層的絕緣膜的制備方法，以解決由凹陷引起的問題。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種絕緣膜，包括:形成在一個表面上的增強層，其中，增強層的二氧化硅的重量比為60wt %至SOwt %。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式，提供了一種絕緣膜，包括:包含絕緣樹脂和二氧化硅的絕緣層，其中，二氧化硅的重量比為50wt%以下；以及增強層，該增強層的一個表面與絕緣層的一個表面接觸并且包含絕緣樹脂和二氧化硅，其中，二氧化硅的重量比為60wt% 至 80wt%。
[0017]絕緣膜可以進一步包括:PET膜層，提供在增強層的另一個表面上；以及BOPP膜層，提供在絕緣層的另一個表面上。
[0018]增強層的厚度可以為2至4μm。
[0019]絕緣樹脂可以是環(huán)氧樹脂。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種絕緣膜的制備方法，包括:制備第一絕緣材料和第二絕緣材料，其中，第一絕緣材料包含環(huán)氧樹脂、二氧化硅和溶劑，二氧化硅的含量小于環(huán)氧樹脂的含量，并且其中，第二絕緣材料包含環(huán)氧樹脂、二氧化硅和溶劑，二氧化硅的含量是環(huán)氧樹脂的含量的1.5倍至4.0倍；施加該第一絕緣材料和第二絕緣材料，使得該第二絕緣材料與PET膜的上表面接觸，并且該第一絕緣材料與第二絕緣材料的上表面接觸；固化該第一絕緣材料和第二絕緣材料以形成包括該第一絕緣材料的增強層和包括該第二絕緣材料的絕緣層；以及將BOPP膜附著到絕緣層的上表面。
[0021]增強層的厚度為2至4μm。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為一示圖，其示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的典型絕緣膜；
[0023]圖2為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的絕緣膜形成在兩個表面上的絕緣部分的基板；
[0024]圖3為一簡化圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜的結(jié)構(gòu)；
[0025]圖4為一簡化圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的絕緣膜的結(jié)構(gòu)；
[0026]圖5為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜形成在兩個表面上的絕緣部分的基板；
[0027]圖6為一流程圖，其示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜的制備方法；
[0028]圖7Α是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有55?七％的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上的基板的表面；
[0029]圖7Β是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有55?〖％的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上并且在其上進行表面拋光的基板的表面；
[0030]圖8Α是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有70?〖％的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上的基板的表面；
[0031]圖8Β是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有70?七％的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上并且進行表面拋光的基板的表面；以及
[0032]圖9是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有85wt%的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上的基板的表面。
【具體實施方式】
[0033]參照附圖由以下示例性實施方式的描述，本發(fā)明和其實現(xiàn)方法的各種優(yōu)點和特征將變得顯而易見。然而，可以以許多不同的形式改變本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)僅限于本文給出的示例性實施方式?？梢蕴峁┻@些示例性實施方式以使得公開充分且完整，并且將充分地向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達本發(fā)明的范圍。相同的參考標(biāo)號表示整個描述的相同元件。
[0034]本說明書中使用的術(shù)語用于解釋示例性實施方式，而不是限制本發(fā)明。除非另外明確提及，否則在本說明書中的單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式。在整個說明書中，詞語“包括”和諸如“包含”或“含有”的變型將理解為意圖包含所述成份、步驟、操作和/或元件，但不排除任何其它成份、步驟、操作和/或元件。
[0035]為了簡化和清楚地示出，附圖中將示出一般結(jié)構(gòu)方案，并且將省去本領(lǐng)域中所公知的特征和技術(shù)的細節(jié)描述，以防止對本發(fā)明的示例性實施方式的討論變得不清楚。此外，附圖中示出的組件不必按比例示出。例如，附圖中示出的一些組件的尺寸可以放大以與其它組件相比較，從而有助于理解本發(fā)明的示例性實施方式。不同附圖中的相同參考標(biāo)號將表示相同的組件，并且不同的附圖中的相似參考標(biāo)號將表示相似的組件，但不必限于此。
[0036]在說明書和權(quán)利要求中，諸如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等的術(shù)語(如果有的話)將用于區(qū)分各個相似的組件，并且用于描述具體順序或者產(chǎn)生順序，但不必限于此?？梢岳斫獾氖牵谶m當(dāng)?shù)沫h(huán)境下，這些術(shù)語彼此一致，使得下面將描述的本發(fā)明的示例性實施方式可以以不同于本文示出或描述的順序?qū)嵤?。同樣地，在本說明書中，如果其中描述了一種方法包括一系列的步驟，則此處提示這些步驟的順序不必是其中可以進行這些步驟的順序。即，可以省去任何所述的步驟和/或可以將本文描述的任何其它步驟添加到該方法中。
[0037]在說明書和權(quán)利要求中，諸如“左”、“右”、“前”、“后”、“頂部”、“底部”、“上方”、“下
方”等術(shù)語(如果有的話)不必須表示沒有改變的相對位置，而是用于描述?？梢岳斫獾氖?，在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下，這些術(shù)語彼此一致，使得下面將描述的本發(fā)明的示例性實施方式可以以不同于在本文中示出或描述的方式實施。在本文中使用的術(shù)語“連接”定義為以電或者非電的方式直接地或者間接地連接。術(shù)語“相鄰的”定義為物理接觸、接近于彼此、或者處于相同的、共有的范圍或區(qū)域，這取決于上述術(shù)語使用的上下文。通常盡管沒有必要在本文中規(guī)定，然而短語“在示例性實施方式中”指的是相同的示例性實施方式。
[0038]在下文中，將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施方式的結(jié)構(gòu)和作用效果O
[0039]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100的結(jié)構(gòu)簡圖。
[0040]參照圖3，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100可以包括增強層120和絕緣層 110。
[0041]如同根據(jù)相關(guān)技術(shù)的典型絕緣膜的絕緣層10，絕緣層110是由諸如環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂和諸如二氧化硅的填料形成的，其中，二氧化硅的重量比為50wt %以下。
[0042]增強層120形成在絕緣層110的一個表面上并且用于防止出現(xiàn)凹陷。
[0043]增強層120是由諸如環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂和諸如二氧化硅的填料形成，其中，不同于絕緣層110, 二氧化娃的重量比優(yōu)選為60wt %至80wt %。
[0044]此外，增強層120的厚度優(yōu)選為2至4 μ m。
[0045]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的絕緣膜100的結(jié)構(gòu)簡圖。
[0046]參照圖4，PET膜層200可以提供在增強層120的上表面，并且BOPP膜層300可以提供在絕緣層110的下表面300。[0047]通常,通過棍對棍法(roll-to-roll process)連續(xù)制備絕緣膜100,使得在制備過程中隨著絕緣膜被輥壓而提供絕緣膜。為此，需要提供PET膜層200和BOPP膜層300。
[0048]圖5為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100形成在兩個表面上的絕緣部分的基板400。
[0049]參照圖5，將理解的是，在利用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100在基板400的任一表面上形成絕緣部分中，絕緣層110提供在基板400的任一表面上，并且增強層120提供在絕緣層110的外表面上。
[0050]如示出的,根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100包括在形成絕緣部分的過程中與輥筒直接接觸的表面上的增強層120，使得可以顯著降低凹陷發(fā)生的頻率。
[0051]圖6為一流程圖，其示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100的制備方法。
[0052]參照圖6，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜100的制備方法可以包括:制備第一絕緣材料和第二絕緣材料(SllO);在PET膜層200的表面上施用第一絕緣材料和第二絕緣材料(S120);固化材料(S130);附著BOPP膜層300(S140)。
[0053]第一和第二絕緣材料的制備可以包括將絕緣樹脂和二氧化硅與溶劑混合(SllO)。
[0054]此處，第一絕緣材料用于形成絕緣層100，并且混合第一絕緣材料，使得二氧化硅的含量小于絕緣樹脂的含量。
[0055]第二絕緣材料用于形成增強層120，并且混合第二絕緣材料，使得二氧化硅的含量優(yōu)選為絕緣樹脂的含量的1.5倍至4.0倍。
[0056]溶劑用于混合絕緣樹脂和二氧化硅以將絕緣樹脂和二氧化硅制成液體狀態(tài)，并且在下面將描述的固化過程中溶劑大部分揮發(fā)和被去除?？梢允褂迷谥苽涑Ｒ?guī)絕緣膜100中使用的任何已知溶劑，因此將不進行其細節(jié)描述。
[0057]此處，環(huán)氧樹脂可以用于絕緣樹脂。
[0058]隨后，第一絕緣材料和第二絕緣材料施加于PET膜層200的上表面上(S120)。
[0059]此處，用于形成增強層120的第二絕緣材料可以首先施加于PET膜層200的上表面，使得第二絕緣材料覆蓋上表面的大部分。然后，第一絕緣材料可以施加于第二絕緣材料的上表面以形成絕緣層110。
[0060]可替代地，可以按照這樣的方式進行該過程，即施加第二絕緣材料然后施加第一絕緣材料。
[0061]可替代地，通過將用于提供第二絕緣材料的噴嘴提供在下側(cè)，而將用于提供第一絕緣材料的噴嘴提供在上側(cè)，可以同時以這樣的方式施加第一和第二絕緣材料，即第二絕緣材料施加于PET膜層200的上表面,而第一絕緣材料施加于第二絕緣材料上。
[0062]在這種情況下，與之前的情況相比，可以縮短用于制備絕緣膜100所需的時間段。
[0063]隨后，通過在第一和第二絕緣材料周圍鼓風(fēng)預(yù)定的時間段來進行固化過程(S130)。
[0064]接下來，在完成固化之后，BOPP膜層300可以附著在由第二絕緣材料形成的用于輥壓和包裝的絕緣層Iio的表面上(S140)。
[0065]最后，可以輥壓具有BOPP膜層300附著在其上的絕緣膜100(S150)。
[0066]圖7A是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其不出了具有55wt%的二氧化娃含量的增強層120的絕緣膜100附著在其上的基板400的表面；圖7B是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有55wt%的二氧化硅含量的增強層120的絕緣膜100附著在其上并且進行表面拋光的基板400的表面；圖8么是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有70Wt%的二氧化硅含量的增強層120的絕緣膜100附著在其上的基板400的表面；圖8B是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有70wt%的二氧化硅含量的增強層120的絕緣膜100附著在其上并且進行表面拋光的基板400的表面；以及圖9是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有85wt%的二氧化硅含量的增強層120的絕緣膜100附著在其上的基板400的表面。
[0067]下文可以從圖7A和圖7B、圖8A和圖8B以及圖9中看出。當(dāng)增強層120的二氧化硅的重量比為55wt% (圖7A和圖7B)時，會產(chǎn)生具有相對較大尺寸的大量凹陷。相反，當(dāng)增強層120的二氧化硅的重量比是70wt% (圖8A和圖8B)時，與圖7A和圖7B示出的實施例相比較，會產(chǎn)生具有相對較小尺寸的少量凹陷(圖8A和圖8B)。
[0068]此外，從圖9中可以看出，當(dāng)二氧化硅的重量比為85￥七％時，甚至在進行表面拋光之前就已經(jīng)出現(xiàn)裂紋。
[0069]推測這些裂紋是由下表面的伸縮差引起的。
[0070]此處，表面拋光指的是在基板400的表面上形成絕緣部分，并且在鍍覆之前利用化學(xué)材料處理表面，表面拋光也稱為去污過程(除污過程，Desmear process)。
[0071]總之，隨著二氧化硅含量的增加，可以降低凹陷出現(xiàn)的頻率；然而，如果二氧化硅的含量過多增加，則可能出現(xiàn)裂紋。
[0072]此外，考慮到通常用于絕緣膜100的二氧化硅填料的顆粒尺寸為約I到3 μ m，為了有效防止凹陷產(chǎn)生，期 望增強層120的厚度為約2至4μ m。
[0073]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜具有處于其上的增強層，并且可以解決由凹陷引起的問題。
[0074]此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜的制備方法，可以快速進行制備過程。
【權(quán)利要求】
1.一種絕緣膜，包括形成在一個表面上的增強層，其中，所述增強層的二氧化硅的重量比為 60wt % 至 80wt %。
2.一種絕緣膜，包括: 絕緣層，所述絕緣層包含絕緣樹脂和二氧化硅，其中，所述二氧化硅的重量比為50wt%以下；以及 增強層，所述增強層的一個表面與所述絕緣層的一個表面接觸，并且包含絕緣樹脂和二氧化硅,其中，所述二氧化硅的重量比為6(^七％至80wt%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜，進一步包括: 提供在所述增強層的另一個表面上的PET膜層；以及 提供在所述絕緣層的另一個表面上的BOPP膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜，其中，所述增強層的厚度為2至4μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜，其中，所述絕緣樹脂是環(huán)氧樹脂。
6.—種絕緣膜的制備方法,包括: 制備第一絕緣材料和第二絕緣材料，其中，所述第一絕緣材料包含環(huán)氧樹脂、二氧化硅、和溶劑，所述二氧化硅的含量小于所述環(huán)氧樹脂的含量，以及其中，所述第二絕緣材料包含環(huán)氧樹脂、二氧化硅、和溶劑，所述二氧化硅的含量是所述環(huán)氧樹脂的含量的1.5至4.0 倍; 施加所述第一絕緣材料和所述第二絕緣材料，以使所述第二絕緣材料與PET膜的上表面接觸，并且所述第一絕緣材料與所述第二絕緣材料的上表面接觸； 固化所述第一絕緣材料和所述第二絕緣材料以形成包括所述第一絕緣材料的增強層和包括所述第二絕緣材料的絕緣層；以及 將BOPP膜附著到所述絕緣層的上表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述增強層的厚度為2至4μm。
【文檔編號】H05K1/03GK103687287SQ201310373300
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月30日
【發(fā)明者】李忠熙, 趙在春, 張鐘允, 田喜善, 樸鐘洙, 金成賢 申請人:三星電機株式會社