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      恒流直驅(qū)式led開(kāi)關(guān)電源的制作方法

      文檔序號(hào):8073283閱讀:472來(lái)源:國(guó)知局
      恒流直驅(qū)式led開(kāi)關(guān)電源的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源,包括整流橋,連接在整流橋正負(fù)極之間的LED串,還包括用于獲取LED串電流信號(hào)的電流采樣電阻、連接在LED之間的NMOS管、連接在NMOS管D、s上的續(xù)流二級(jí)管、由第一NPN管和第一PNP管組成的圖騰柱電路、第一NPN管的偏置電阻、以及第一NPN管和第二NPN管組成的施密特電路。本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源損耗小,可模塊化,芯片化。
      【專利說(shuō)明】恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域,尤其涉及一種恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源。

      【背景技術(shù)】
      [0002]現(xiàn)有技術(shù)中LED驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源的組成器件中包括開(kāi)關(guān)變壓器、輸出電感等耗費(fèi)功率大的器件,從而使得整個(gè)開(kāi)關(guān)電源的電源效率不高,而且由于包括開(kāi)關(guān)變壓器、輸出電感,使得整個(gè)開(kāi)關(guān)電源整體體積變大,使用不方便。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供以一種電源效率高、而且可以實(shí)現(xiàn)模塊化、芯片化的開(kāi)關(guān)電源。
      [0004]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用以下的技術(shù)方案:
      [0005]一種恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源,包括整流橋,連接在整流橋正負(fù)極之間的LED串,包括用于獲取LED串電流信號(hào)的電流采樣電阻、連接在LED之間的NMOS管、連接在NMOS管D、s上的續(xù)流二級(jí)管、由第一 NPN管和第一 PNP管組成的圖騰柱電路、第一 NPN管的偏置電阻、第一 NPN管和第二 NPN管組成的施密特電路;
      [0006]所述整流橋堆的正極與偏置電阻的一端連接后與第一 NPN管的集電極連接,偏置電阻的另一端與圖騰柱電路的輸入端連接,圖騰柱電路的輸入端還與第二 NPN管的集電極連接;第二NPN管的基極與第一PNP管的集電極連接后與電流采樣電阻的一端連接,電流采樣電阻的另一端與第二 NPN管的發(fā)射極連接。
      [0007]進(jìn)一步地,在整流橋堆的正負(fù)極之間連接有濾波電容。
      [0008]本發(fā)明與現(xiàn)有LED驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)有:
      [0009]第一、本發(fā)明由于在負(fù)載與電源之間僅有工頻整流管以及一個(gè)工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的NMOs管、電流采樣電阻,因此,理論上的電源效率可達(dá)到0.98以上。
      [0010]第二、在保證LED原功能不變的情況下,本發(fā)明NMOS管的驅(qū)動(dòng)電壓、正負(fù)電源由LED自身生成,取代常規(guī)開(kāi)關(guān)電源自舉電路或者NMOS管專用驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)。
      [0011]第三、無(wú)輸出電感,本發(fā)明由續(xù)流二極管代替輸出電感,避免了由輸出電感帶來(lái)的磁損耗、電感內(nèi)阻損耗,其續(xù)流效果優(yōu)于輸出電感,而且可以持續(xù)續(xù)流,這是輸出電感做不到的。同時(shí)續(xù)流二極管可以分擔(dān)NMOS管的負(fù)荷,保證電流持續(xù),輸出波紋更小,同時(shí)降低了NMOS管開(kāi)關(guān)頻率,也就是降低了 NMOS管的開(kāi)關(guān)損耗。
      [0012]第四、不再使用開(kāi)關(guān)變壓器,采用直驅(qū)動(dòng)式驅(qū)動(dòng),同樣沒(méi)有開(kāi)關(guān)變壓器磁損耗以及變壓器內(nèi)阻損耗。
      [0013]第五、本發(fā)明恒流工作,在保證NMOS管開(kāi)啟電壓、并且LED串聯(lián)數(shù)量不大于輸入電壓/LEDVF值的前提下,LED串聯(lián)的數(shù)量不受制約。
      [0014]第六、由于NMOS管的D、s間懸浮電壓受控于續(xù)流二級(jí)管,因此可以選用同種工藝的低壓低內(nèi)阻NMOS管,其優(yōu)勢(shì)是造價(jià)更低、損耗更低。
      [0015]第七、本發(fā)明采用造價(jià)低廉的NMOS管。
      [0016]第八、LED燈組、驅(qū)動(dòng)電源合二為一,不占用空間。
      [0017]第九、輸出線不再使用常規(guī)方式正負(fù)兩根線,而是由多段功能不同的LED段組成,共有六根輸出引出線,分別是:整流輸出正極、NMOS管漏極、NMOS管源極、采樣電阻高端、采樣電阻低端、整流輸出負(fù)極。
      [0018]第十、本發(fā)明電路不同于常規(guī)開(kāi)關(guān)電源,本發(fā)明工作頻率取決于輸入電壓,當(dāng)設(shè)定電流一定時(shí),輸入電壓越高開(kāi)關(guān)頻率越高,最低可以零工作頻率,減少開(kāi)關(guān)損耗,甚至達(dá)到零開(kāi)關(guān)損耗。
      [0019]第十一、本發(fā)明輸出功率正比于電壓,反比于電流。
      [0020]第十二、輸入電壓范圍大,交流輸入可在10-440V,其特別之處是NMOS管耐壓并不取決于輸入電壓,也就是對(duì)NMOS管參數(shù)要求更低。其優(yōu)勢(shì)是輸入電壓范圍更大、應(yīng)用范圍更廣。

      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0021]圖1為本發(fā)明恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源電路結(jié)構(gòu)示意圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0022]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖,對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
      [0023]圖1為本發(fā)明恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源電路結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,本發(fā)明提供的恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源,包括整流橋10,連接在整流橋10正負(fù)極之間的LED串9、還包括用于獲取LED串9電流信號(hào)的電流采樣電阻7、連接在LED之間的NMOS管1、連接在NMOS管1D、S之間的續(xù)流二級(jí)管8、由第一 NPN管2和第一 PNP管3組成的圖騰柱電路、第一 NPN管2和第二 NPN管5組成的施密特電路、第一 NPN管2的偏置電阻6 ;
      [0024]所述整流橋堆的正極與偏置電阻6的一端連接后與第一 NPN管2的集電極連接,偏置電阻6的另一端與圖騰柱電路的輸入端連接,圖騰柱電路的輸入端還與第二 NPN管5的集電極連接;第二 NPN管5的基極與第一 PNP管3的集電極連接后與電流采樣電阻7的一端連接,電流采樣電阻7的另一端與第二 NPN管5的發(fā)射極連接。
      [0025]為了減小輸出波紋,本發(fā)明在整流橋堆10的正負(fù)極之間連接有濾波電容4。該濾波電容4與恒流輸出濾波電容共用。
      [0026]本發(fā)明的工作原理:如圖1所示,第一 NPN管2和第一 PNP管3組成圖騰柱電路,第一 NPN管2和第二 NPN管5組成施密特電路,偏置電阻6為第一 NPN管2的偏置電阻。開(kāi)啟電源,圖騰柱第一 NPN管2飽和導(dǎo)通為NMOS管I提供了驅(qū)動(dòng)電壓,NMOS管I飽和導(dǎo)通,LED串9構(gòu)成回路得電工作,當(dāng)電流超過(guò)設(shè)定電流值時(shí),電流采樣電阻7的壓降隨之增大,壓降超過(guò)閥值時(shí),第二 NPN管5導(dǎo)通、第一 NPN管2截止、第一 PNP管3飽和,此時(shí),因NMOs管G極電位被圖騰柱電路第一 PNP管3拉低,強(qiáng)行關(guān)閉NMOS管1,同時(shí)NMOS管lD、s間產(chǎn)生較高的懸浮電壓,當(dāng)該懸浮電壓值超過(guò)續(xù)流二極管8的額定電壓時(shí),續(xù)流二極管8開(kāi)始續(xù)流,由于續(xù)流電流小于設(shè)定電流,因此施密特電路復(fù)位,第一 NPN管2再次飽和,周而復(fù)始,電流便控制在設(shè)定范圍內(nèi)。
      [0027]本發(fā)明與現(xiàn)有LED驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)有:
      [0028]第一、本發(fā)明由于在負(fù)載與電源之間僅有工頻整流管以及一個(gè)工作在,開(kāi)關(guān)狀態(tài)的NMOS管、電流采樣電阻,因此,理論上的電源效率可達(dá)到0.98以上。
      [0029]第二、在保證LED原功能不變的情況下,本發(fā)明NMOS管的驅(qū)動(dòng)電壓、正負(fù)電源由LED自身生成,取代常規(guī)開(kāi)關(guān)電源自舉電路或者NMOS管專用驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)。
      [0030]第三、無(wú)輸出電感,本發(fā)明由續(xù)流二極管代替輸出電感,避免了由輸出電感帶來(lái)的磁損耗、電感內(nèi)阻損耗,其續(xù)流效果優(yōu)于輸出電感,而且可以持續(xù)續(xù)流,這是輸出電感做不到的。同時(shí)續(xù)流二極管可以分擔(dān)NMOS管的負(fù)荷,保證電流持續(xù),輸出波紋更小,同時(shí)降低了NMOS管開(kāi)關(guān)頻率,也就是降低了 NMOS管的開(kāi)關(guān)損耗。
      [0031]第四、不再使用開(kāi)關(guān)變壓器,采用直驅(qū)動(dòng)式驅(qū)動(dòng),同樣沒(méi)有開(kāi)關(guān)變壓器磁損耗以及變壓器內(nèi)阻損耗。
      [0032]第五、本發(fā)明恒流工作,在保證NMOS管開(kāi)啟電壓、并且LED串聯(lián)數(shù)量不大于輸入電壓/LEDVF值的前提下,LED串聯(lián)的數(shù)量不受制約。
      [0033]第六、由于NMOS管的D、s間懸浮電壓受控于續(xù)流二級(jí)管,因此可以選用同種工藝的低壓低內(nèi)阻NMOS管,其優(yōu)勢(shì)是造價(jià)更低、損耗更低。
      [0034]第七、本發(fā)明采用造價(jià)低廉的NMOS管。
      [0035]第八、LED燈組、驅(qū)動(dòng)電源合二為一,不占用空間。
      [0036]第九、輸出線不再使用常規(guī)方式正負(fù)兩根線,而是由多段功能不同的LED段組成,共有六根輸出引出線,分別是:整流輸出正極、NMOS管D、NMOS管S、采樣電阻高端、采樣電阻低端、整流輸出負(fù)極。
      [0037]第十、本發(fā)明電路不同于常規(guī)開(kāi)關(guān)電源,本發(fā)明工作頻率取決于輸入電壓,當(dāng)設(shè)定電流一定時(shí),輸入電壓越高開(kāi)關(guān)頻率越高,最低可以零工作頻率,減少開(kāi)關(guān)損耗,甚至達(dá)到零開(kāi)關(guān)損耗。
      [0038]第十一、本發(fā)明輸出功率正比于電壓,反比于電流。
      [0039]第十二、輸入電壓范圍大,交流輸入可在10-440V,其特別之處是NMOs管耐壓并不取決于輸入電壓,也就是對(duì)NMOs管參數(shù)要求更低。其優(yōu)勢(shì)是輸入電壓范圍更大、應(yīng)用范圍更廣。
      [0040]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源,包括整流橋(10),連接在整流橋(10)正負(fù)極之間的LED串(9),其特征在于,包括用于獲取LED串(9)電流信號(hào)的電流采樣電阻(7)、連接在LED之間的NMOS管(I)、連接在NMOs管(l)D、s上的續(xù)流二級(jí)管⑶、由第一 NPN管⑵和第一 PNP管⑶組成的圖騰柱電路、第一 NPN管⑵的偏置電阻(6)、第一 NPN管⑵和第二 NPN管(5)組成的施密特電路; 所述整流橋堆(10)的正極與偏置電阻(6)的一端連接后與第一NPN管(2)的集電極連接,偏置電阻(6)的另一端與圖騰柱電路的輸入端連接,圖騰柱電路的輸入端還與第二 NPN管(5)的集電極連接;第二 NPN管(5)的基極與第一 PNP管(3)的集電極連接后與電流采樣電阻(7)的一端連接,電流采樣電阻(7)的另一端與第二 NPN管(5)的發(fā)射極連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流直驅(qū)式LED開(kāi)關(guān)電源,其特征在于,在整流橋堆(10)的正負(fù)極之間連接有濾波電容(4)。
      【文檔編號(hào)】H05B37/02GK104518691SQ201310445975
      【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
      【發(fā)明者】曲日 申請(qǐng)人:青島芯美電源科技有限公司
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