成膜裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明能夠避免相鄰的蒸鍍頭彼此的蒸氣的混入并且抑制排氣效率的降低。本發(fā)明的成膜裝置具備處理容器、搬運(yùn)機(jī)構(gòu)、多個蒸鍍頭、分隔壁和排氣機(jī)構(gòu)。處理容器區(qū)劃出用于處理基板的處理室。搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在處理室中，在沿著規(guī)定方向延伸的搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)基板。多個蒸鍍頭沿著規(guī)定方向配置于處理室，向由搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)的基板的成膜面噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體。排氣機(jī)構(gòu)經(jīng)由設(shè)置于各收納室的排氣口與各收納室連接，對蒸鍍頭的周圍進(jìn)行排氣。
【專利說明】成膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的各種方面和實(shí)施方式涉及成膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,利用有機(jī)EL (電致發(fā)光:Electro-Luminescence)元件的有機(jī)EL顯示器備受關(guān)注。有機(jī)EL顯示器中利用的有機(jī)EL元件具有自發(fā)光、反應(yīng)速度快、消耗電力低等特征，因此，不需要背光源，例如期待在便攜型機(jī)器的顯示部等中應(yīng)用。
[0003]有機(jī)EL元件的成膜中，存在使用供給氣化的蒸鍍材料的蒸氣在基板上形成蒸鍍膜的成膜裝置的情況。這里，蒸鍍材料例如為有機(jī)EL元件等的有機(jī)材料。成膜裝置例如具備:區(qū)劃出用于處理基板的處理室的處理容器；在處理室中搬運(yùn)基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)；和沿著基板的搬運(yùn)方向配置的向著基板的被成膜面依次噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的多個蒸鍍頭等。另外，成膜裝置具備用于將處理室減壓的排氣機(jī)構(gòu)等。
[0004]然而，在這樣的成膜裝置中，為了避免相鄰的蒸鍍頭彼此的蒸氣的混入，要求將蒸鍍頭之間隔離。這點(diǎn)在專利文件I中公開了在蒸鍍頭之間設(shè)置具有規(guī)定高度的分隔壁，由該分隔壁遮擋來自相鄰的蒸鍍頭的蒸氣。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
`[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-26041號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，沒有考慮到避免相鄰的蒸氣頭彼此的蒸氣的混入且抑制排氣效率的降低。
[0010]即，如現(xiàn)有技術(shù)那樣，僅在蒸氣頭之間設(shè)置具有規(guī)定高度的分隔壁，難以阻擋流過分隔壁的蒸氣，因此，有可能發(fā)生相鄰的蒸氣頭彼此的蒸氣的混入。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于分隔壁阻礙氣體向排氣機(jī)構(gòu)的流動，因此，蒸氣頭的周圍的排氣效率可能降低。
[0011 ] 用于解決課題的方法
[0012]本發(fā)明的一個方面的成膜裝置具備處理容器、搬運(yùn)機(jī)構(gòu)、多個蒸鍍頭、分隔壁和排氣機(jī)構(gòu)。處理容器區(qū)劃出用于處理基板的處理室。搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在上述處理室中，在沿著規(guī)定方向延伸的搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)上述基板。多個蒸鍍頭沿著上述規(guī)定方向配置于上述處理室，向由上述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在上述搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)的上述基板的成膜面噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體。排氣機(jī)構(gòu)經(jīng)由設(shè)置于各上述收納室的排氣口與各上述收納室連接，對上述蒸鍍頭的周圍進(jìn)行排氣。
[0013]發(fā)明的效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明的各個方面和實(shí)施方式，可以實(shí)現(xiàn)能夠避免相鄰的蒸氣頭彼此的蒸氣的混入且抑制排氣效率的降低的成膜裝置?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0015]圖1是示意地表示一個實(shí)施方式的成膜裝置的圖。
[0016]圖2是圖1所示的成膜裝置的P-P線的剖面圖。
[0017]圖3是圖1所示的成膜裝置的Q-Q線的剖面圖。
[0018]圖4是表示在停止由真空泵的排氣時的收納室壓力的時間變動的說明圖。
[0019]圖5是表示收納室的壓力和蒸鍍材料的成膜速率的對應(yīng)關(guān)系的圖。
[0020]圖6是表示支撐基板的載臺靜止時的收納室的壓力和蒸鍍膜的膜厚分布的對應(yīng)關(guān)系的圖。
[0021]圖7是表示收納室的壓力和蒸鍍膜的均勻性的對應(yīng)關(guān)系的圖。
[0022]圖8是表示收納室的壓力和收納室所含的各成分的分壓的對應(yīng)關(guān)系的圖。
[0023]圖9是表示收納室所含的水分(H2O)的分壓和蒸鍍膜的純度的對應(yīng)關(guān)系的圖。
[0024]圖10是表示一個實(shí)施方式的蒸鍍頭的立體圖。
[0025]圖11是示意地表示一個實(shí)施方式的氣體供給源的圖。
[0026]圖12是表示能夠使用一個實(shí)施方式的成膜裝置所制造的有機(jī)EL元件的完成狀態(tài)的一例的圖。
[0027]圖13A是表示利用一個實(shí)施方式的成膜裝置對基板進(jìn)行成膜處理時的蒸鍍膜的均勻性的圖。
[0028]圖13B是表示利用一個實(shí)施方式的成膜裝置對基板進(jìn)行成膜處理時的蒸鍍膜的均勻性的圖。
[0029]圖13C是表示利用一個實(shí)施方式的成膜裝置對基板進(jìn)行成膜處理時的蒸鍍膜的均勻性的圖。
[0030]圖14是表示利用一個實(shí)施方式的成膜裝置對基板進(jìn)行成膜處理時的收納室所含的水分的分壓的變化的圖。
[0031]圖15是用于說明使用一個實(shí)施方式的成膜裝置所制造的有機(jī)EL元件的器件特性的說明圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下，參照附圖對各種實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。此外，在各附圖中，對相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注同一附圖標(biāo)記。
[0033]本實(shí)施方式的成膜裝置，在一個實(shí)施方式中，包括:處理容器，其區(qū)劃出用于處理基板的處理室；搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在處理室中，在沿著規(guī)定方向延伸的搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)基板；多個蒸鍍頭，其沿著規(guī)定方向配置于處理室，向著由搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)的基板的成膜面噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體；分隔壁，其以隔離各蒸鍍頭的方式立設(shè)于處理室，使搬運(yùn)路徑插通，并且將處理室分隔成收納各蒸鍍頭的多個收納室；和排氣機(jī)構(gòu)，其經(jīng)由設(shè)置于各收納室的排氣口與各收納室連接，對蒸鍍頭的周圍進(jìn)行排氣。
[0034]另外，本實(shí)施方式的成膜裝置，在一個實(shí)施方式中，排氣口，在各收納室中，從與搬運(yùn)路徑垂直的方向看，設(shè)置在與搬運(yùn)路徑不重疊的位置。
[0035]另外，本實(shí)施方式的成膜裝置，在一個實(shí)施方式中，排氣口，在各收納室中，從與搬運(yùn)路徑垂直的方向看，設(shè)置在沿著與規(guī)定方向交叉的方向夾著蒸鍍頭的位置。
[0036]另外，本實(shí)施方式的成膜裝置，在一個實(shí)施方式中，在從蒸鍍頭噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的狀態(tài)下，將各收納室的壓力設(shè)定為對應(yīng)于分子流的壓力范圍或?qū)?yīng)于中間流的壓力范圍。
[0037]另外，本實(shí)施方式的成膜裝置，在一個實(shí)施方式中，在從蒸鍍頭噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的狀態(tài)下，將各收納室的壓力設(shè)定為3X 10-3Pa以下。
[0038]圖1是示意地表示一個實(shí)施方式的成膜裝置的圖。圖2是圖1所示的成膜裝置的P-P線的剖面圖。圖3是圖1所示的成膜裝置的Q-Q線的剖面圖。圖1~圖3中表示XYZ正交坐標(biāo)系。圖1~圖3所示的成膜裝置10具有區(qū)劃出用于處理基板S的處理室12的處理容器11和支承基板S的載臺14?；錝的一個面(成膜面)例如在鉛直方向(Z方向)向下。即，成膜裝置10為面朝下(face-down)型的成膜裝置。載臺14也可以內(nèi)藏吸附基板S的靜電卡盤。此外，在其他實(shí)施方式中，成膜裝置也可以為在向上的成膜面噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的類型，即、面朝上(face-up)型的成膜裝置。
[0039]成膜裝置10具備具有將含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體G噴射在基板S的噴嘴18b的蒸鍍頭16b。成膜裝置10還可以具備分別具有與噴嘴18b相同結(jié)構(gòu)的噴嘴18a、18c、18d的蒸鍍頭16a、16c、16d。從噴嘴18a、18c、18d可以噴出與從噴嘴18b噴出的蒸鍍材料不同的且互相不同的蒸鍍材料。由此，能夠在基板S上連續(xù)地蒸鍍多種膜。蒸鍍頭16a~16d沿著X方向在處理室12中并列配置。即,X方向?yàn)檎翦冾^16a~16d的并設(shè)方向。蒸鍍頭16a~16d向著通過后述的驅(qū)動裝置22在搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)的基板S的成膜面，依次噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體。
[0040]各蒸鍍頭16a~16d分別設(shè)置于在噴射方向具有開口 41a~41b的箱狀設(shè)置室40a~40d。各設(shè)置室40a~40d通過開口 41a~41b與處理室12連通。
[0041]供給含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的氣體供給源20a~20d分別與各蒸鍍頭16a~16d連接。例如，從氣體供給源20b向蒸鍍頭16b供給氣體G。在噴嘴18a~18d的前端例如形成有圓形的噴射口。從該噴射口噴射含有蒸鍍材料的氣體。此處，氣體供給源20a~20d也可以分別設(shè)置于分別為箱狀的設(shè)置室40a~40d。
[0042]成膜裝置10具備在與Y方向交叉的X方向上驅(qū)動載臺14的驅(qū)動裝置22。此外，成膜裝置10還可以具備多個輥24。輥24以自由旋轉(zhuǎn)的方式安裝于處理容器11的內(nèi)壁，被驅(qū)動裝置22旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。載臺14載置于輥24上。載臺14通過輥24的旋轉(zhuǎn)而在輥24上移動。由此，基板S相對于噴嘴18a~18d相對地在X方向上移動。即，載臺14、驅(qū)動裝置22和輥24在處理室12中在沿著X方向延伸的搬運(yùn)路徑C上搬運(yùn)基板S。載臺14、驅(qū)動裝置22和輥24是搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的一個例子?；錝通過在X方向上移動，成為依次與噴嘴18a~18d的開口對面配置。圖1中的箭頭A表示載臺14的移動方向。另外，成膜裝置10的處理容器11具有閘閥26a和26b?；錝能夠通過形成在處理容器11的閘閥26a導(dǎo)入處理室12內(nèi)，能夠通過形成在處理容器11的閘閥26b搬出到處理室12外。
[0043]成膜裝置10具備真空泵27c和真空泵27d。真空泵27c經(jīng)由管12c與收納蒸鍍頭16a~16c的設(shè)置室40a~40c連接。即，真空泵27c能夠與多個設(shè)置室連接。在設(shè)置室40a的底部形成有開口 50a，并連接有管12c。同樣，在設(shè)置室40b、40c的底部形成有開口 50b、50c，并連接有管12c。即，真空泵27c構(gòu)成為對各設(shè)置室40a~40c進(jìn)行減壓。真空泵27d經(jīng)由管12d與設(shè)置蒸鍍頭16d的設(shè)置室40d連接。即，真空泵27d能夠與一個設(shè)置室連接。在設(shè)置室40d的底部形成有開口 50d，并連接有管12d。即，真空泵27d構(gòu)成為對各設(shè)置室40d進(jìn)行減壓。
[0044]各設(shè)置室40a~40d經(jīng)由開口 41a~41d與處理室12連通。即，真空泵27c經(jīng)由開口 41a、開口 41b、開口 41c與處理室12連通。真空泵27d經(jīng)由開口 41d與處理室12連通。開口 41a~41d形成為向作為處理室12的內(nèi)壁的、基板S的成膜面與蒸鍍頭16a~16d之間的空間(蒸鍍空間)露出。排氣口 50a~50d，從成膜面在蒸鍍頭16a~16d的配置位置方向(-Z方向)上看，設(shè)置在成為與搬運(yùn)路徑C重疊的位置的處理室12的內(nèi)壁上。這里，氣體供給源20a~20d可以分別收納在分別為箱狀的設(shè)置室40a~40d。
[0045]另外，在本實(shí)施方式中，在處理室12中，以隔離各蒸鍍頭16a~16d的方式立設(shè)有分隔壁17。分隔壁17具有形成為與基板S和載臺14對應(yīng)的形狀的開口 17a。分隔壁17從開口 17a使搬運(yùn)路徑C插通，并且將處理室12分隔為收納各蒸鍍頭16a~16d的多個收納室12a~12d。在各收納室12a~12d中分別設(shè)置有排氣口 51a~51d。關(guān)于排氣口51a~51d的設(shè)置位置的詳細(xì)內(nèi)容如后所述。
[0046]各收納室12a~12d經(jīng)由排氣口 51a~51d與真空泵60a~60d連接。SP，收納室12a經(jīng)由排氣口 51a與真空泵60a連接，真空泵60a從排氣口 51a對收納于收納室12a的蒸鍍頭16a的周圍進(jìn)行排氣。另外，收納室12b經(jīng)由排氣口 51b與真空泵60b連接，真空泵60b從排氣口 51b對收納于收納室12b的蒸鍍頭16b的周圍進(jìn)行排氣。另外，收納室12c經(jīng)由排氣口 51c與真空泵60c連 接，真空泵60c從排氣口 51c對收納于收納室12c的蒸鍍頭16c的周圍進(jìn)行排氣。另外，收納室12d經(jīng)由排氣口 51d與真空泵60d連接，真空泵60d從排氣口 51d對收納于收納室12d的蒸鍍頭16d的周圍進(jìn)行排氣。即，通過真空泵60a~60d的動作，收納室12a~12d的內(nèi)部分別被減壓到規(guī)定的壓力。真空泵60a~60d為排氣機(jī)構(gòu)的一個例子。
[0047]這里，在從蒸鍍頭16a~16d噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體(以下，稱為“蒸鍍材料氣體”)的狀態(tài)下，將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為對應(yīng)于分子流的壓力范圍或?qū)?yīng)于中間流的壓力范圍，優(yōu)選設(shè)定為3X KT3Pa以下。換而言之，真空泵60a~60d在從蒸鍍頭16a~16d噴射蒸鍍材料氣體的狀態(tài)下,對蒸鍍頭16a~16d的周圍進(jìn)行排氣,使得各收納室12a~12d的壓力為對應(yīng)于分子流的壓力范圍或?qū)?yīng)于中間流的壓力范圍，優(yōu)選為3 X KT3Pa 以下。
[0048]圖4是表示在停止由真空泵的排氣時的收納室壓力的時間變動的說明圖。在圖4的例子中，表示停止由真空泵60a~60d的排氣時的收納室12b壓力的時間變動。在圖4中，橫軸表示時間，縱軸表示收納室12b的壓力[Pa]。如圖4所示，在停止由真空泵60a~60d的排氣時，在從基板S開始進(jìn)入收納室12b到基板S進(jìn)入收納室12b結(jié)束為止的時間中，收納室12b的壓力上升。此外，在基板S即將開始從收納室12b退出之前，收納室12b的壓力上升。理由是基板S妨礙從開口 50b的排氣、從開口 17a的排氣等，所以收納室12b的壓力上升。即，由基板S的位置，收納室12b的電導(dǎo)發(fā)生變動，收納室12b內(nèi)的壓力也發(fā)生變動。這樣在收納室的壓力過度上升時，收納室的壓力有時超過對應(yīng)于分子流的壓力范圍和對應(yīng)于中間流的壓力范圍，上升至對應(yīng)于粘性流的壓力范圍。當(dāng)收納室的壓力上升至對應(yīng)于粘性流的壓力范圍時，產(chǎn)生以下的問題(I)和(2)。即，(I)由于蒸鍍材料氣體難以從收納于收納室的蒸鍍頭噴出，所以蒸鍍特性(蒸鍍材料的成膜速率和蒸鍍膜的均勻性)降低。另外，(2)收納室所含的水分(H2O)的分壓上升，因此，由水分造成的蒸鍍材料的分解加速而蒸鍍膜的純度降低。
[0049]對于上述問題(1)進(jìn)行說明。圖5是表示收納室的壓力和蒸鍍材料的成膜速率的對應(yīng)關(guān)系的圖。在圖5中，橫軸表示腔室壓力[Pa]，縱軸表示蒸鍍材料的成膜速率[nm/s]。腔室壓力是指收納室的壓力。另外，在圖5中，作為蒸鍍材料使用a-NPD，收納室的溫度設(shè)定為280°C，蒸鍍材料氣體的流量為30SCCm。另外，在圖5中，作為一例，表示了收納室12a的腔室壓力和收納室12b的腔室壓力。如圖5所示，可知腔室壓力越上升，蒸鍍材料的成膜速率越降低。在收納室的壓力過度上升時，收納室的壓力就會上升至對應(yīng)于粘性流的壓力范圍。其結(jié)果，從噴嘴18a出來的蒸鍍材料的分子，在到達(dá)基板S的期間，在途中發(fā)生碰撞，到達(dá)基板S的蒸鍍材料的分子的量減少。另外，成為粘性流的分子易于受到壓力變動的影響，蒸鍍膜的均勻性也惡化。
[0050]圖6是表示收納室的壓力和使基板靜止時的蒸鍍膜的膜厚分布的對應(yīng)關(guān)系的圖。圖7是表示收納室的壓力和蒸鍍膜的均勻性的對應(yīng)關(guān)系的圖。在圖6和圖7的上側(cè)，縱軸表示基板S上的蒸鍍膜的膜厚[a.U.]。另外，在圖6中，橫軸表示距離蒸鍍頭的噴嘴的中心位置的距離[mm]。即，圖6，以蒸鍍頭的噴嘴的中心位置作為“0”，表示從蒸鍍頭的“-150(mm)”的位置到“+150 (mm)”的位置為止的蒸鍍膜的膜厚。另外，在圖7的上側(cè)，橫軸表示基板S的寬度方向(Y方向)的位置。即，圖7的上側(cè)以基板S的中心位置作為“0”，表示從基板S的“-500 (mm)”的位置到“+500 (mm)”的位置為止的蒸鍍膜的膜厚。另外，圖7的下側(cè)，與腔室壓力[Pa]對應(yīng)標(biāo)注表示蒸鍍膜的均勻性[%]。如圖6所示，腔室壓力越上升，則在偏離蒸鍍頭的噴嘴的中心位置的位置處的蒸鍍膜的膜厚越厚。即，腔室壓力越上升，則如上所述蒸鍍材料的分子的碰撞越增加，因此，從蒸鍍頭的噴嘴的中心位置向中心位置以外的位置飛散的蒸鍍材料的量增大。這樣，如圖7的上側(cè)所示，基板S的中央部的蒸鍍膜的膜厚，與基板S的周緣部的蒸鍍膜的膜厚相比，變厚。即，腔室壓力越上升，則基板S的中央部的蒸鍍膜的膜厚與基板S的周緣部的蒸鍍膜的膜厚之差越增大。換而言之，如圖7的下側(cè)所示，腔室壓力越上升，則蒸鍍膜的均勻性越差。在收納室的壓力過度上升時，收納室的壓力就會上升至對應(yīng)于粘性流的壓力范圍。其結(jié)果，變成粘性流的分子易于受到壓力變動的影響，蒸鍍膜的均勻性也惡化。
[0051]對于上述問題(2)進(jìn)行說明。圖8是表示收納室的壓力和收納室所含的各成分的分壓的對應(yīng)關(guān)系的圖。在圖8中，橫軸表示收納室的壓力，即，表示腔室壓力[Pa]，縱軸表示收納室所含的各成分的分壓[Pa]。如圖8所示，腔室壓力越上升，收納室所含的各成分的分壓也越上升。更詳細(xì)而言，腔室壓力超過3X10_3Pa時，收納室所含的各成分的分壓的上升率，比腔室壓力為3X 10_3Pa以下時增大。特別在腔室壓力超過3X 10_3Pa時，收納室所含的水分(H2O)的分壓的上升率比腔室壓力為3X 10_3Pa以下時增大。收納室所含的H2O的分壓的上升成為使基板S上的蒸鍍膜純度下降的主要原因。
[0052]圖9是表示收納室所含的水分(H2O)的分壓和蒸鍍膜的純度的對應(yīng)關(guān)系的圖。在圖9中，縱軸表示基板S上的蒸鍍膜的純度[%]，橫軸表示收納室所含的H2O的分壓[Pa]。蒸鍍膜的純度是表示蒸鍍材料相對于蒸鍍膜整體的比例。在圖9所示的例子中，作為蒸鍍材料使用HAT-CN。如圖9所示，可知收納室所含的H2O的分壓越上升，基板S上的蒸鍍膜的純度越降低?？梢哉J(rèn)為這是由于伴隨收納室所含的H2O的增加，由H2O造成的蒸鍍材料的分解加速的緣故。
[0053]對此，在本實(shí)施方式中，在由分隔壁17分隔的各收納室12a~12d設(shè)置排氣口51a~51d，經(jīng)由排氣口 51a~51d使真空泵60a~60d與各收納室12a~12d連接，由此，能夠?qū)⒄翦冾^之間隔離并且進(jìn)行排氣。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠阻擋來自相鄰的蒸鍍頭的蒸氣，并且高效地使各收納室減壓。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠避免相鄰的蒸鍍頭彼此的蒸氣的混入并且抑制各收納室的排氣效率的降低，因此，對于基板S的成膜面，能夠進(jìn)行高純度且均勻的成膜處理。
[0054]另外，在本實(shí)施方式中，在噴射蒸鍍材料氣體的狀態(tài)下，將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為對應(yīng)于分子流的壓力范圍或?qū)?yīng)于中間流的壓力范圍，優(yōu)選設(shè)定為3 X I (T 3P a以下，由此，使蒸鍍材料氣體的噴射順暢，且能夠抑制收納室所含的H2O的分壓的上升。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠進(jìn)一步抑制各收納室的排氣效率的降低，因此，對于基板S的成膜面，能夠進(jìn)行更高純度且均勻的成膜處理。[0055]返回圖1~圖3的說明，對于排氣口 51a~51d的設(shè)置位置的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。排氣口 51a~51d，在各收納室12a~12d中，從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向(圖2所示的Z方向)看設(shè)置在不與搬運(yùn)路徑C重疊的位置。更詳細(xì)而言，排氣口 51a，在收納室12a中，從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向(圖2所示的Z方向)看，設(shè)置在沿著與基板S的移動方向(X方向)交叉的方向(Y方向)夾著蒸鍍頭16a的位置。排氣口 51b，在收納室12b中，從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向(圖2所示的Z方向)看，設(shè)置在沿著與基板S的移動方向(X方向)交叉的方向(Y方向)夾著蒸鍍頭16b的位置。排氣口 51c，在收納室12c中，從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向(圖2所示的Z方向)看，設(shè)置在沿著與基板S的移動方向(X方向)交叉的方向(Y方向)夾著蒸鍍頭16c的位置。排氣口 51d，在收納室12d中，從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向(圖2所示的Z方向)看，設(shè)置在沿著與基板S的移動方向(X方向)交叉的方向(Y方向)夾著蒸鍍頭16d的位置。
[0056]如本實(shí)施方式所不，通過將排氣口 51a~51d從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向看設(shè)置在與搬運(yùn)路徑C不重疊的位置，能夠避免向排氣口 51a~51d的排氣被搬運(yùn)中的基板S阻礙。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式，由于能夠高效地使設(shè)置有排氣口 51a~51d的收納室12a~12d的內(nèi)部減壓，所以對于基板S的成膜面，能夠進(jìn)行更高純度且均勻的成膜處理。
[0057]接著，對于蒸鍍頭16a~16d的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。圖10是表示一個實(shí)施方式的蒸鍍頭的立體圖。如圖10所示，蒸鍍頭16b，在一個實(shí)施方式中，可以具有多個噴射口 14b。從多個噴射口 14b向Z方向的軸線中心噴射由氣體供給源20b供給的氣體。這些噴射口14b可以在與載臺14的移動方向(X方向)交叉的方向(Y方向)上排列。
[0058]另外，蒸鍍頭16b中可以內(nèi)藏加熱器15。在一個實(shí)施方式中,加熱器15將蒸鍍頭16b加熱至在蒸鍍頭16b中作為蒸氣供給的蒸鍍材料不發(fā)生析出的溫度。
[0059]接著，說明氣體供給源20a~20d的詳細(xì)情況。其中，氣體供給源20a~20d可以具有同樣的結(jié)構(gòu)，因此，在以下的說明中，對氣體供給源20c進(jìn)行說明，省去對于其他氣體供給源的說明。圖11是示意地表示一個實(shí)施方式的供給源的圖。如圖11所示，氣體供給源20c具備輸送管111、121、131、輸送管(個別輸送管)112、122、132、輸送管(共通輸送管)L40、第一蒸氣發(fā)生部101、第二蒸氣發(fā)生部201、第三蒸氣發(fā)生部301、第一收納容器120、第二收納容器220和第三收納容器320。
[0060]第一蒸氣發(fā)生部101被收納在由第一收納容器120區(qū)劃出的收納室Rl內(nèi)。同樣地，第二、第三蒸汽發(fā)生部201、301分別被收納在由第二、第三收納容器220、320區(qū)劃出的收納室R2、R3內(nèi)。即，第一~第三蒸汽發(fā)生部101~301在收納室Rl~R3內(nèi)分別獨(dú)立地收納。
[0061]第一蒸氣發(fā)生部101具有由隔壁102區(qū)劃出的蒸氣發(fā)生室103。在蒸氣發(fā)生室103內(nèi)配置加入有蒸鍍材料X的容器104。在第一蒸氣發(fā)生部101中設(shè)置有加熱器105。加熱器105對添加到容器104中的蒸鍍材料X進(jìn)行加熱。由此，在第一蒸氣發(fā)生部101內(nèi)，由蒸鍍材料X產(chǎn)生含有該蒸鍍材料X的蒸氣。容器104經(jīng)由分別設(shè)置于隔壁102和第一收納容器120的取出口，能夠從第一收納容器120外被搬入蒸氣發(fā)生室103內(nèi)，并且能夠從蒸氣發(fā)生室103內(nèi)被搬出到第一收納容器120外。
[0062]第二、第三蒸氣發(fā)生部201、301也與第一蒸氣發(fā)生部101同樣，分別具備由隔壁202,302區(qū)劃出的蒸氣發(fā)生室203、303、和加熱器205、305。另外，在第二、第三蒸氣發(fā)生部201,301內(nèi)，也配置加入有蒸鍍材料X的容器204、304。在第二、第三蒸氣發(fā)生部201、301內(nèi)，也由蒸鍍材料X產(chǎn)生含有該蒸鍍材料X的蒸氣。容器204、304與容器104同樣，能夠分別從第二、第三收納容器220、320外被搬入蒸氣發(fā)生室203、303內(nèi)，并且能夠從蒸氣發(fā)生室203,303內(nèi)被搬出到第二、第三收納容器220、320外。分別配置在第一~第三蒸汽發(fā)生部101、201、301內(nèi)的蒸鍍材料X可以為同種的蒸鍍材料。
[0063]輸送管L11、L21、L31分別與第一~第三蒸汽發(fā)生部101、201、301連接。輸送管L11、L21、L31分別在第一~第三蒸汽發(fā)生部101、201、301的蒸氣發(fā)生室103、203、303內(nèi)輸送作為載氣的氬氣。此外，也可以代替氬氣使用其他不活潑氣體。另外，輸送管L12的一端、L22的一端、L32的一端分別與第 一~第三蒸汽發(fā)生部101、201、301連接。輸送管L12的另一端、L22的另一端、L32的另一端與輸送管L40連接。輸送管L12、L22、L32將導(dǎo)入到蒸氣發(fā)生室103、203、303內(nèi)的氬氣和蒸鍍材料X的蒸氣輸送到處理室12內(nèi)。輸送管L40將由輸送管L12、22、32輸送到處理室12內(nèi)的氬氣和蒸鍍材料X的蒸氣輸送到蒸鍍頭16c內(nèi)。即，在第一~第三蒸汽發(fā)生部101、201、301產(chǎn)生的蒸鍍材料X的蒸氣與被導(dǎo)入到蒸氣發(fā)生室103、203、303內(nèi)的氬氣一起被輸送到蒸鍍頭16c內(nèi)。
[0064]在輸送管Lll上，從接近第一蒸氣發(fā)生部101 —側(cè)開始，依次設(shè)置有閥V102、絕熱輸送管140、閥V103、第一 MFC (質(zhì)量流量控制器)110和閥V104。閥V102、V103、V104用于選擇性地阻斷輸送管Lll內(nèi)的氬氣的流動。第一 MFCllO控制輸送管Lll內(nèi)流動的氬氣的流量。
[0065]閥V102和絕熱輸送管140設(shè)置于第一收納容器120內(nèi)的輸送管LI I。在絕熱輸送管140與閥V102之間的輸送管L11、閥V102、閥V102與第一蒸氣發(fā)生部101之間的輸送管Lll分別設(shè)置有加熱器115a、115b和115c。通過加熱器115a、115b和115c，能夠分別控制安裝這些加熱器的部分的溫度。另外，由這些加熱器，能夠在收納室Rl內(nèi)加熱輸送管Lll和閥V102，使氬氣達(dá)到對應(yīng)于蒸鍍材料X的氣化溫度的溫度。
[0066]另外，絕熱輸送管140能夠抑制第一收納容器120外的輸送管Lll與第一收納容器120內(nèi)的輸送管Lll之間的熱交換。因此，絕熱輸送管140具有比輸送管Lll的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率。例如，輸送管Lll為不銹鋼制，絕熱輸送管140可以為石英制。[0067]在輸送管L12上，從接近第一蒸氣發(fā)生部101 —側(cè)開始，依次設(shè)置有絕熱輸送管141和閥V101。閥VlOl在處理室12內(nèi)設(shè)置于輸送管L12上。閥VlOl用于選擇性地阻斷從輸送管L12向輸送管L40的氬氣和蒸鍍材料X的蒸氣的供給。在第一蒸氣發(fā)生部101與絕熱輸送管141之間的輸送管L12以及絕熱輸送管141與閥VlOl之間的輸送管L12上分別設(shè)置有加熱器(加熱部)125a和加熱器(加熱部)125b。通過加熱器125a和加熱器125b，能夠分別控制安裝這些加熱器的部分的溫度。另外，通過這些加熱器，能夠?qū)⑤斔凸躄12加熱至蒸鍍材料X不發(fā)生析出的溫度為止。
[0068]另外，絕熱輸送管141在第一收納容器120內(nèi)設(shè)置于輸送管L12上。絕熱輸送管141能夠抑制第一收納容器120外的輸送管L12與第一收納容器120內(nèi)的輸送管L12之間的熱交換。因此，絕熱輸送管141具有比輸送管L12的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率。例如，輸送管L12為不銹鋼制，絕熱輸送管141可以為石英制。
[0069]另外，在輸送管L21上，與輸送管Lll同樣地，從接近第二蒸氣發(fā)生部201 —側(cè)開始，依次設(shè)置有閥V202、絕熱輸送管240、閥V203、第二 MFC210和閥V204。另外，在絕熱輸送管240與閥V202之間的輸送管L21、閥V202、以及閥V202與第二蒸氣發(fā)生部201之間的輸送管L21上分別設(shè)置有加熱器215a、加熱器215b、加熱器215c。閥V202、絕熱輸送管240、閥V203、第二 MFC210、閥V204、加熱器215a、加熱器215b、加熱器215c的構(gòu)成和功能分別與閥V102、絕熱輸送管140、閥V103、第一 MFC110、閥V104、加熱器115a、加熱器115b、加熱器115c的功能和構(gòu)成相同。
[0070]另外，在輸送管L22上，也與輸送管L12同樣地，從接近第二蒸氣發(fā)生部201 —側(cè)開始，依次設(shè)置有絕熱輸送管241和閥V201。另外，在第二蒸氣發(fā)生部201與絕熱輸送管241之間的輸送管L22以及絕熱輸送管241與閥V201之間的輸送管L22上，分別設(shè)置有加熱器(加熱部)225a和加熱器(加熱部)225b。絕熱輸送管241、閥V201、加熱器225a、加熱器225b的構(gòu)成和功能分別與絕熱輸送管141、閥V101、加熱器125a、加熱器125b的構(gòu)成和功能相同。
[0071]另外，在輸送管L31上，也與輸送管Lll同樣地，從接近第三蒸氣發(fā)生部301 —側(cè)開始，依次設(shè)置有閥V302、絕熱輸送管340、閥V303、第三MFC310和閥V304。另外，在絕熱輸送管340與閥V302之間的輸送管L31、閥V302、以及閥V302與第三蒸氣發(fā)生部301之間的輸送管L31上分別設(shè)置有加熱器315a、加熱器315b、加熱器315c。閥V302、絕熱輸送管340、閥V303、第三MFC310、閥V304、加熱器315a、加熱器315b、加熱器315c的構(gòu)成和功能分別與閥V102、絕熱輸送管140、閥V103、第一 MFC110、閥V104、加熱器115a、加熱器115b、加熱器115c的功能和構(gòu)成相同。
[0072]另外，在輸送管L32上，也與輸送管L12同樣地，從接近第三蒸氣發(fā)生部301 —側(cè)開始，依次設(shè)置有絕熱輸送管341和閥V301。另外，在第三蒸氣發(fā)生部301與絕熱輸送管341之間的輸送管L32以及絕熱輸送管341與閥V301之間的輸送管L32上分別設(shè)置有加熱器(加熱部)325a和加熱器(加熱部)325b。絕熱輸送管341、閥V301、加熱器325a、加熱器325b的構(gòu)成和功能分別與絕熱輸送管141、閥VlOl、加熱器125a、加熱器125b的構(gòu)成和功能相同。
[0073]在輸送管L40上設(shè)置有對該輸送管L40進(jìn)行加熱的加熱器(加熱部)415。加熱器415將輸送管L40加熱至成為蒸氣的蒸鍍材料X不發(fā)生析出的溫度為止。加熱器125a~b、225a~b、325a~b、415能夠互相獨(dú)立地進(jìn)行溫度控制。
[0074]另外，氣體供給源20c具備對收納室Rl~R3進(jìn)行減壓的減壓機(jī)構(gòu)500。更詳細(xì)而言，減壓機(jī)構(gòu)500具備減壓配管L501、L511、L521、L531、閥V107、V207、V307、渦輪分子泵(TMP) 501 和干泵(DP) 502。
[0075]在減壓配管L511的一端以與收納室Rl連通的方式與第一收納容器120連接。同樣，減壓配管L521的一端、L531的一端以與收納室R2、R3連通的方式，分別與第二、第三收納容器220、320連接。減壓配管L511、L521和L531各自的另一端，與減壓配管L501連接。該減壓配管L501與渦輪分子泵501和干泵502連接。通過渦輪分子泵501和干泵502的吸引作用，經(jīng)由減壓配管L501、L511將收納室Rl減壓，經(jīng)由減壓配管L501、L521將收納室R2減壓，經(jīng)由減壓配管L501、L531將收納室R3減壓。
[0076]閥V107、V207、V307 分別設(shè)置于減壓配管 L511、L521、L531 上。利用閥 V107、V207、V307的開閉，能夠使收納室Rl~R3獨(dú)立地選擇性地減壓。通過將收納室Rl~R3內(nèi)減壓，能夠抑制水分等附著于第一~第三蒸氣發(fā)生部101、201、301內(nèi)的蒸鍍材料X。另外，收納室Rl~R3的絕熱效果提高。
[0077]在一個實(shí)施方式中，成膜裝置10還可以具備QCM (石英晶體微天平，QuartzCrystal Microbalance)傳感器30。QCM傳感器30可以設(shè)置在配置于處理室12內(nèi)的基板S的附近。QCM傳感器30測定從蒸鍍頭16c噴出的蒸鍍材料X的量。
[0078]另外，在一個實(shí)施方式中，成膜裝置10還可以具備氣體排出系統(tǒng)(排出管)600。氣體排出系統(tǒng)600將來自 第一~第三蒸氣發(fā)生部101、201、301的氣體分別且選擇性地不是向蒸鍍頭16c而是向外部排出。具體而言，氣體排出系統(tǒng)600具備排出配管L601、L611、L621、L631、閥 V105、V205、V305、絕熱配管 142、242、342 和加熱器 155a ~c、255a ~c、355a ~C。
[0079]在絕熱輸送管141與第一蒸氣發(fā)生部101之間從輸送管L12分支出排出配管L611。排出配管L611將在輸送管L12內(nèi)流動的氬氣、蒸鍍材料X的蒸氣不是導(dǎo)出到蒸鍍頭16c而是導(dǎo)出到第一收納容器120外。與排出配管L611同樣，分別從輸送管L22、L32分支出排出配管L621、L631。排出配管L621、L631分別將在輸送管L22、L32內(nèi)流動的氬氣、蒸鍍材料X的蒸氣不是導(dǎo)出到蒸鍍頭16c而是導(dǎo)出到第二、第三收納容器220、320外。
[0080]排出配管L611在第一收納容器120外與排出配管L601連接。同樣，排出配管L621在第二收納容器220外與排出配管L601連接。另外，同樣地，排出配管L631在第三收納容器320外與排出配管L601連接。排出配管L601將導(dǎo)入到第一~第三收納容器120、220、320外的氬氣、蒸鍍材料X的蒸氣不是排出到蒸鍍頭16c而是排出到成膜裝置10的外部。
[0081]在排出配管L611、L621、L631上分別設(shè)置有閥V105、V205、V305。通過閥V105的開閉，能夠?qū)碜缘谝徽魵獍l(fā)生部101的氣體選擇性地經(jīng)由輸送管L12和L40供給到蒸鍍頭16c，或者經(jīng)由排出配管L611和L601排出。同樣地，通過閥V205的開閉，能夠?qū)碜缘诙魵獍l(fā)生部201的氣體選擇性地經(jīng)由輸送管L22和L40供給到蒸鍍頭16c，或者經(jīng)由排出配管L621和L601排出。另外，同樣地能夠?qū)碜缘谌魵獍l(fā)生部301的氣體選擇性地經(jīng)由輸送管L32和L40供給到蒸鍍頭16c，或者經(jīng)由排出配管L631和L601排出。
[0082]在成膜裝置10中，在輸送管L12與閥V105之間的排出配管L611、閥V105、以及閥V105與絕熱配管142之間的排出配管L611上，分別設(shè)置有加熱器155a、加熱器155b和155c。同樣地，在輸送管L22與閥V205之間的排出配管L621、閥V205、以及閥V205與絕熱配管242之間的排出配管L621上，分別設(shè)置有加熱器255a、加熱器255b和255c。另外，同樣地，在輸送管L32與閥V305之間的排出配管L631、閥V305、以及閥V305與絕熱配管342之間的排出配管L631上，分別設(shè)置有加熱器355a、加熱器355b和355c。通過這樣的構(gòu)成，在收納室Rl、R2、R3中，在排出配管L611、L621、L631的內(nèi)部各自，可以抑制蒸鍍材料X析出。
[0083]另外，在第一收納容器120外的排出配管L611與第一收納容器120內(nèi)的排出配管L611之間，設(shè)置有絕熱配管142。絕熱配管142抑制第一收納容器120外的排出配管L611與第一收納容器120內(nèi)的排出配管L611之間的熱交換。同樣地，在第二收納容器220外的排出配管L621與第二收納容器220內(nèi)的排出配管L621之間，設(shè)置有絕熱配管242，該絕熱配管242抑制第二收納容器220外的排出配管L621與第二收納容器220內(nèi)的排出配管L621之間的熱交換。同樣地，在第三收納容器320外的排出配管L631與第三收納容器320內(nèi)的排出配管L631之間，設(shè)置有絕熱配管342，該絕熱配管342抑制第三收納容器320外的排出配管L631與第三收納容器320內(nèi)的排出配管L631之間的熱交換。例如，排出配管L61UL621和L631為不銹鋼制，絕熱配管142、242、342可以為石英制。
[0084]另外，在一個實(shí)施方式中，成膜裝置10還可以具有將吹掃氣體導(dǎo)入收納室Rl~R3內(nèi)的氣體導(dǎo)入系統(tǒng)(氣體導(dǎo)入路徑)700。該氣體導(dǎo)入系統(tǒng)700具備導(dǎo)入配管L701、L711、L721、L731和閥V106、V206、V306。在導(dǎo)入配管L701中可以導(dǎo)入氮?dú)?吹掃氣體)。此外，也可以代替氮?dú)?，使用其他氣體。導(dǎo)入配管L711的一端，以與收納室Rl連通的方式與第一收納容器120連接。導(dǎo)入配管L711的另一端與導(dǎo)入配管L701連接。同樣地，導(dǎo)入配管L721、L731的一端，以與收納室R2、R3連通的方式分別與第二、第三收納容器220、320連接。導(dǎo)入配管L721、L731的另一端與 導(dǎo)入配管L701連接。
[0085]導(dǎo)入配管L711、L721、L731分別將在導(dǎo)入配管L701中流動的氮?dú)鈱?dǎo)入收納室Rl~R3內(nèi)。閥V106、V206、V306分別設(shè)置于導(dǎo)入配管L711、L721、L731上。通過閥V106的開閉，能夠?qū)⒃趯?dǎo)入配管L701中流動的氮?dú)膺x擇性地經(jīng)由導(dǎo)入配管L711導(dǎo)入收納室Rl內(nèi)或者阻斷。同樣地，通過閥V206的開閉，能夠?qū)⒃趯?dǎo)入配管L701中流動的氮?dú)膺x擇性地經(jīng)由導(dǎo)入配管L721導(dǎo)入收納室R2內(nèi)或者阻斷。同樣地，通過閥V306的開閉，能夠?qū)⒃趯?dǎo)入配管L701中流動的氮?dú)膺x擇性地經(jīng)由導(dǎo)入配管L731導(dǎo)入收納室R3內(nèi)或者阻斷。
[0086]圖12是表示能夠使用一個實(shí)施方式的成膜裝置制造的有機(jī)EL元件的完成狀態(tài)的一例的圖。圖12所不的有機(jī)EL兀件D可以具備基板S、第一層D1、第二層D2、第三層D3、第四層D4、第五層D5和第六層D6?；錝為玻璃基板這樣的光學(xué)上透明的基板。
[0087]在基板S的一個主面上設(shè)置有第一層Dl。第一層Dl可以用作陽極層。該第一層Dl為光學(xué)上透明的電極層，例如，可以由ITO (氧化銦錫，Indium Tin Oxide)這樣的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。第一層Dl例如由濺射法形成。
[0088]在第一層Dl上依次疊層有第二層D2、第三層D3、第四層D4和第五層D5。第二層D2、第三層D3、第四層D4和第五層D5為有機(jī)層。第二層D2可以為空穴注入層。第三層D3例如可以包含非發(fā)光層D3a、非發(fā)光層D3b。另外,第四層D4可以為發(fā)光層。第五層D5可以為電子輸送層?？梢允褂贸赡ぱb置10形成作為有機(jī)層的第二層D2、第三層D3、第四層D4和第五層D5。
[0089]在第五層D5上設(shè)置有第六層D6。第六層D6為陰極層,例如可以由Ag、Al等構(gòu)成。第六層D6可以由濺射法等形成。這樣構(gòu)成的元件D還可以由通過微波等離子體CVD等所形成的SiN這樣的材料的絕緣性的密封膜進(jìn)行密封。
[0090]接著，說明由一個實(shí)施方式的成膜裝置帶來的效果(蒸鍍膜的均勻性)。圖13A~圖13C是表示由一個實(shí)施方式的成膜裝置對基板S進(jìn)行成膜處理時的蒸鍍膜的均勻性的圖。在圖13A~圖13B中，左上的圖表示在基板S上成膜的蒸鍍膜的放大立體圖，右上的圖表示在基板S上成膜的蒸鍍膜的放大頂視圖。另外，在圖13A~圖13B中，下方的圖表示腔室壓力[Pa]與在基板S上成膜的蒸鍍膜的均勻性[%]的對應(yīng)關(guān)系。另外，圖13A是表示由成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3 X KT3Pa的1.92 X KT2Pa時(t匕較例I)的蒸鍍膜的均勻性的圖。另外，圖13B是表示通過成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3X 10_3Pa的5.56X 10_3Pa時(比較例2)的蒸鍍膜的均勻性的圖。另一方面，圖13C是表示通過本實(shí)施方式的成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X 10?以下時的蒸鍍膜的均勻性的圖。[0091]如圖13A所示，在將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3X 10_3Pa的1.92X 10?的比較例I中，基板S的中央部與基板S的周緣部的蒸鍍膜的膜厚之差比較大，作為結(jié)果，蒸鍍膜的均勻性為±3.0%。另外，如圖13B所示，在將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3X10_3Pa的5.56X 10?的比較例2中，與比較例I同樣，基板S的中央部與基板S的周緣部的蒸鍍膜的膜厚之差比較大，蒸鍍膜的均勻性為±2.5%。這些比較例I和2的蒸鍍膜的均勻性不滿足預(yù)先規(guī)定的可接受規(guī)格。
[0092]對此，如圖13C所示，在將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X10，a以下的本實(shí)施方式中，基板S的中央部與基板S的周緣部的蒸鍍膜的膜厚之差小于比較例I和2，作為結(jié)果，蒸鍍膜的均勻性為±1.8%。即，如本實(shí)施方式那樣，通過將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3 X KT3Pa以下，蒸鍍膜的均勻性滿足預(yù)先規(guī)定的可接受規(guī)格。
[0093]接著，說明一個實(shí)施方式的成膜裝置帶來的效果(收納室所含的水分的分壓的變化)。圖14是表示通過一個實(shí)施方式的成膜裝置對基板S進(jìn)行成膜處理時的收納室所含的水分的分壓的變化的圖。在圖14中，橫軸表示作為載氣的Ar的流量[seem]，縱軸表示收納室所含的水分(H2O)的分壓[Pa]。
[0094]另外，在圖14中，曲線502表示通過成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3X 10_3Pa的值時(比較例)的收納室所含的H2O的分壓。另一方面，曲線504表示通過本實(shí)施方式的成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X 10_3Pa以下時的收納室所含的水分(H2O)的分壓。
[0095]首先，如曲線502所示，在將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3 X KT3Pa的值的比較例中，伴隨Ar的流量的增加，收納室所含的水分(H2O)的分壓也增大?？梢哉J(rèn)為這是由于在將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3X10_3Pa的值時，收納室內(nèi)的流動成為粘性流而排氣阻滯，因此未排氣而殘留的水分的分壓比較大的緣故。
[0096]另一方面，如曲線504所示，在將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X10_3Pa以下的本實(shí)施方式中，即使在使Ar的流量增加的情況下，收納室所含的水分(H2O)的分壓與比較例比較，也能夠維持在較小的值。即，可知如本實(shí)施方式那樣，通過將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X10_3Pa以下,可抑制由水分造成的蒸鍍材料的分解并抑制蒸鍍膜純度的降低。[0097]接著，說明由一個實(shí)施方式的成膜裝置帶來的效果(器件特性)。圖15是用于說明使用一個實(shí)施方式的成膜裝置制造的有機(jī)EL元件的器件特性的說明圖。在圖15中，橫軸表示使用成膜裝置10制得的有機(jī)EL元件D的第一層Dl (陽極層)與第六層D6 (陰極層)之間的驅(qū)動電壓[V]，縱軸表示第一層Dl (陽極層)與第六層D6 (陰極層)之間的電流密度[mA / cm2]。驅(qū)動電壓為有機(jī)EL元件的器件特性的一例。
[0098]另外，圖15中，曲線602表示通過成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為大于3X 10_3Pa的值時(比較例)的有機(jī)EL元件D的驅(qū)動電壓。另一方面，曲線604表示通過本實(shí)施方式的成膜裝置10將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X 10_3Pa以下時的有機(jī)EL元件D的驅(qū)動電壓。
[0099]從曲線602和曲線604的比較結(jié)果可知，在如本實(shí)施方式那樣將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X10_3Pa以下時，用于得到規(guī)定的電流密度的有機(jī)EL元件D的驅(qū)動電壓，與比較例相比、變小。例如，在比較例中，用于作為電流密度得到IOOmA / cm2的有機(jī)EL元件D的驅(qū)動電壓為2.9V。對此，在本實(shí)施方式中，用于作為電流密度得到IOOmA / cm2的有機(jī)EL元件D的驅(qū)動電壓為2.7V。即，可知通過如本實(shí)施方式那樣將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為3X10_3Pa以下，可以抑制由水分造成的蒸鍍材料的分解并抑制蒸鍍膜的純度的降低。
[0100]以上，根據(jù)本實(shí)施方式的成膜裝置，通過在由分隔壁17分隔的各收納室12a~12d中設(shè)置排氣口 51a~51d，經(jīng)由排氣口 51a~51d使真空泵60a~60d與各收納室12a~12d連接，能夠?qū)⒄翦冾^之間隔離并且進(jìn)行排氣。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠遮擋來自相鄰的蒸鍍頭的蒸氣，并高效地將各收納室減壓。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠避免相鄰的蒸鍍頭彼此的蒸氣的混入并且抑制各收納室的排氣效率的降低，因此，對于基板S的成膜面能夠進(jìn)行高純度且均勻的 成膜處理。
[0101]另外，在本實(shí)施方式中，在噴射蒸鍍材料氣體的狀態(tài)下，將各收納室12a~12d的壓力設(shè)定為對應(yīng)于分子流的壓力范圍、或者對應(yīng)于中間流的壓力范圍、優(yōu)選設(shè)定為3 X KT3Pa以下，由此，能夠使蒸鍍材料氣體的噴射順暢，且抑制收納室所含的H2O的分壓的上升。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠進(jìn)一步抑制各收納室的排氣效率的降低，從而對于基板S的成膜面，能夠進(jìn)行更高純度且均勻的成膜處理。
[0102]另外，在本實(shí)施方式中，通過將排氣口 51a~51d從與基板S的搬運(yùn)路徑C垂直的方向看設(shè)置在與搬運(yùn)路徑C不重疊的位置，能夠避免由搬運(yùn)中的基板妨礙向排氣口 51a~51d的排氣。其結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式，由于能夠高效地將設(shè)置有排氣口 51a~51d的收納室12a~12d的內(nèi)部減壓，所以對于基板S的成膜面，能夠進(jìn)行更進(jìn)一步高純度且均勻的成膜處理。
[0103]符號說明
[0104]10成膜裝置
[0105]11處理容器
[0106]12處理室
[0107]12a~12d收納室
[0108]14載臺(搬運(yùn)機(jī)構(gòu))
[0109]16a~16d蒸鍛頭[0110]17分隔壁
[0111]22驅(qū)動裝置(搬運(yùn)機(jī)構(gòu))
[0112]24輥(搬運(yùn)機(jī)構(gòu))
[0113]51a ~51d 排氣口
[0114]60a~60d真空泵(排氣機(jī)構(gòu))
[0115]C搬運(yùn)路徑
[0116]S 基 板
【權(quán)利要求】
1.一種成膜裝置，其特征在于，具備: 處理容器，其區(qū)劃出用于處理基板的處理室； 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在所述處理室中，在沿著規(guī)定方向延伸的搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)所述基板； 多個蒸鍍頭，其沿著所述規(guī)定方向配置于所述處理室，向由所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在所述搬運(yùn)路徑上搬運(yùn)的所述基板的成膜面噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體； 分隔壁，其以隔離各所述蒸鍍頭的方式立設(shè)于所述處理室，使所述搬運(yùn)路徑插通，并且將所述處理室分隔成收納各所述蒸鍍頭的多個收納室；和 排氣機(jī)構(gòu)，其經(jīng)由設(shè)置于各所述收納室的排氣口與各所述收納室連接，對所述蒸鍍頭的周圍進(jìn)行排氣。
2.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于: 所述排氣口，在各所述收納室中，從與所述搬運(yùn)路徑垂直的方向看，設(shè)置在與所述搬運(yùn)路徑不重疊的位置。
3.如權(quán) 利要求1或2所述的成膜裝置，其特征在于: 所述排氣口，在各所述收納室中，從與所述搬運(yùn)路徑垂直的方向看，設(shè)置在沿著與所述規(guī)定方向交叉的方向夾著所述蒸鍍頭的位置。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于: 在從所述蒸鍍頭噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的狀態(tài)下，將各所述收納室的壓力設(shè)定為對應(yīng)于分子流的壓力范圍或?qū)?yīng)于中間流的壓力范圍。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于: 在從所述蒸鍍頭噴射含有蒸鍍材料的蒸氣的氣體的狀態(tài)下，將各所述收納室的壓力設(shè)定為3 X 10 3Pa以下。
【文檔編號】H05B33/10GK103805947SQ201310552626
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月9日
【發(fā)明者】久保田紳治, 森田治 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社