一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法，該方法包括下列步驟：A、將平鋪在坩堝底部的硅塊料部分溶化，余少部分作為長晶用，降溫至硅溶點以下，開始長晶；B、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h，時間持續(xù)3-4h；C、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h，時間持續(xù)在4-6h；D、長晶穩(wěn)定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h，時間持續(xù)20-24h；E、長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h，時間持續(xù)6-8h。采用本發(fā)明，控制過程增加了長晶過渡期，長晶速度由慢至快，再由快至慢，使長晶處于相對均衡狀態(tài)，能減少長晶中的位錯，減少雜質(zhì)沉積，有效地提高了光電轉(zhuǎn)換效率。據(jù)實驗數(shù)據(jù)表明，位錯率較原有工藝減少了20%以上。
【專利說明】—種多晶娃鑄錠時的長晶控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，多晶硅鑄錠時的長晶控制方法是:先將平鋪在坩堝底部的硅塊料大部分溶化，余少部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開始長晶，長晶過程分長晶初期、長晶期和收尾期三個階段，其中長晶初期的長晶速度控制在2.4-2.8mm/h,時間在2_2。5h ;長晶期的長晶速度控制在1.8-2.2mm/h,時間在20_25h ; (5)收尾期長晶速度控制在1.2-1.4mm/h,時間在8-10h，由上看出，三個階段的長晶速度由快至慢。通過這種方法澆鑄出來的多晶硅錠，由于長晶控制不均衡，造成位錯多，易沉積雜質(zhì)，影響多晶硅的光電轉(zhuǎn)換效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供能使長晶過程減少位錯的一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法。
[0004]本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法，其特征在于它包括下列步驟:A、將平鋪在坩堝底部的硅塊料部分溶化，余部分或少部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開 始長晶；B、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h,時間持續(xù)3_4h ;C、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h,時間持續(xù)在4_6h ;D、長晶穩(wěn)定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h,時間持續(xù)20_24h ;E、長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h,時間持續(xù) 6-8h。
[0005]采用本發(fā)明，由于控制過程增加了長晶過渡期，同時在長晶的四個過程中，長晶速度由慢至快，再由快至慢，使長晶處于相對均衡狀態(tài)，因此，能減少長晶中的位錯，減少雜質(zhì)沉積，有效地提高了光電轉(zhuǎn)換效率。據(jù)實驗數(shù)據(jù)表明，位錯率較原有工藝減少了 20%以上。
【具體實施方式】
[0006]下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明作進一步說明。它包括下列步驟:
一、將平鋪在坩堝底部約30mm左右的硅塊料部分溶化，余8-20mm部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開始長晶；
二、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h,時間持續(xù)3_4h ；
三、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h,時間持續(xù)在4_6h ；
四、長晶穩(wěn)定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h,時間持續(xù)20_24h ；
長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h,時間持續(xù)6_8h。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法，其特征在于它包括下列步驟:A、將平鋪在坩堝底部的硅塊料部分溶化，余部分或少部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開始長晶；B、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h,時間持續(xù)3_4h ;C、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h,時間持續(xù)在4_6h ;D、長晶穩(wěn)定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h,時間持續(xù)20-24h ;E、長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h,時間持續(xù)6_8h。
【文檔編號】C30B28/06GK103696001SQ201310668942
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月11日
【發(fā)明者】王土軍, 徐聞韜, 徐增宏 申請人:浙江硅宏電子科技有限公司