一種金箔裁切方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種金箔裁切方法，其包括以下步驟：在金箔的一面涂覆一層光刻膠，使用膠帶把金箔粘接到一個(gè)支撐的玻璃基片上，然后采用光刻的方法在金箔上得到抗蝕劑圖形，通過濕法腐蝕的方法把金箔腐蝕分割開來。再用丙酮軟化膠帶使金箔與膠帶分離，最后對(duì)金箔進(jìn)行清洗烘干得到最終需要的金箔尺寸。通過增加玻璃基片支撐解決了金箔光刻蝕過程中難以夾持的問題，采用光刻蝕的方法保證了金箔裁切的一致性、尺寸加工精度。相對(duì)于手工裁切加工效率大幅提高，適合批量生產(chǎn)，值得在生產(chǎn)中推廣。
【專利說明】一種金箔裁切方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于薄膜電路加工制作領(lǐng)域，尤其涉及的是一種金箔裁切方法。
【背景技術(shù)】
[0002]寬帶同軸衰減器是一種常用的微波器件，在許多儀器和系統(tǒng)中都要應(yīng)用到。通常采用懸?guī)Ь€的腔體結(jié)構(gòu)，將陶瓷薄膜衰減片通過錫焊的方式焊接到腔體里。陶瓷衰減片通過側(cè)面金屬化與彈性波紋管接觸連接。陶瓷衰減片側(cè)面金屬化常用金箔環(huán)包熱壓焊的方法實(shí)現(xiàn)。金箔加工質(zhì)量的好壞對(duì)衰減片金箔壓焊質(zhì)量及衰減器的性能指標(biāo)都會(huì)帶來很大影響，因此壓焊所用金箔，對(duì)其尺寸公差、平整度都有嚴(yán)格的要求。
[0003]壓焊所用的金箔厚度一般在0.02-0.03mm。由于金箔的厚度很薄，另外金材質(zhì)柔軟，要實(shí)現(xiàn)精確裁切難度比較大。目前常用的裁切方法主要有手工裁切、劃片機(jī)裁切、激光裁切。手工裁切是采用人工的方法，先用玻璃片把柔軟的金箔壓平整，然后在顯微鏡下用鋼板尺測(cè)量尺寸，使用手術(shù)刀片對(duì)金箔進(jìn)行裁切。劃片機(jī)裁切是用砂輪劃片機(jī)對(duì)金箔進(jìn)行裁切，先用粘接劑把金箔粘接在一玻璃基片上，然后采用真空吸附的方法將粘有金箔的玻璃基板固定在工作臺(tái)上，然后操作劃片機(jī)對(duì)金箔進(jìn)行劃切操作。當(dāng)劃切結(jié)束后，把粘有金箔的玻璃基板從劃片機(jī)的工作臺(tái)上取下，用溶劑溶解粘接劑使金箔從玻璃基板上脫落，并對(duì)金箔進(jìn)行清洗，最終得到所需要的金箔。激光裁切先將一張平整的金箔放在激光加工的托盤上，然后編輯圖形尺寸，使用激光高能量使金箔燒蝕分割開來，形成需要的尺寸圖形，然后對(duì)加工好的金箔進(jìn)行清洗形成最終需要的壓焊金箔。
[0004]目前的金箔裁切方法在加工質(zhì)量方面存在一些問題。
[0005]其中手工裁切由于是純手工加工加工效率低下。另外由于使用鋼板尺測(cè)量尺寸，尺寸公差難以保證。同時(shí)存在一致性差、廢品率高等缺陷。
[0006]劃片機(jī)裁切效率相對(duì)于手工裁切效率有很大的提高，由于劃片機(jī)劃切精度高尺寸公差控制嚴(yán)格，能夠滿足金箔裁切對(duì)尺寸精度的要求。但由于壓焊所用金箔厚度為20-30 μ m，加上金材質(zhì)柔軟，劃切過程中金箔邊緣會(huì)受力卷曲，金箔邊緣卷曲不平整使其加工質(zhì)量也無法滿足加工要求。
[0007]激光加工效率及對(duì)尺寸精度的控制相對(duì)于手工加工也都有很大的提高，能夠滿足壓焊使用需要。但加工過程中激光高熱量會(huì)帶來金箔邊緣的燒蝕使其邊緣平整性變差，也無法滿足壓焊用金箔加工的需求。
[0008]因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高效金箔裁切方法。
[0010]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0011]一種金箔裁切方法，其中，包括如下步驟:[0012]步驟101:在金箔的一面涂覆一層光刻膠；步驟102:用膠帶把金箔粘接到一個(gè)支撐的玻璃基片上；步驟103:用光刻的方法在金箔上得到抗蝕劑圖形；步驟104:通過濕法腐蝕的方法把金箔腐蝕分割成預(yù)定的尺寸形狀；步驟105:用丙酮軟化膠帶使金箔與膠帶分離；步驟106:對(duì)金箔進(jìn)行清洗烘干。
[0013]所述的金箔裁切方法，其中，所述步驟101中，所述金箔為純度99.99%的純金，金箔厚度為0.02mm，尺寸為40mmX40mm ;所述涂覆一層光刻膠為使用勻膠機(jī)涂覆。
[0014]所述的金箔裁切方法，其中，所述涂覆的方法為涂膠前先采用UV膠帶粘接金箔，然后把粘有金箔的UV膠帶放在一平整的玻璃基片上，然后在金箔上覆蓋一層塑料薄膜，用一平整的刮板將金箔刮平整，使金箔平整的粘貼在UV膠帶上；所述UV膠帶的厚度為100 μ m。
[0015]所述的金箔裁切方法，其中，將粘有金箔的UV膠帶，采用真空吸附的方法吸附到勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，然后滴光刻膠，對(duì)金箔進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂膠，涂膠轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分鐘，光刻膠厚度為3-4 μ m ;所述光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠。
[0016]所述的金箔裁切方法，其中，所述步驟102中，所述玻璃基片尺寸為50mmX50mm，先在玻璃基片上粘上一層雙面膠，然后在雙面膠上粘貼一層藍(lán)膜膠帶，藍(lán)膜膠面朝上；然后把涂有光刻膠并粘有U V膠帶的金箔貼到藍(lán)膜上，涂膠一面與藍(lán)膜粘接，并用刮板把金箔刮平整，然后對(duì)U V膠帶進(jìn)行紫外曝光，使U V膠帶粘性降低，然后去除U V膠帶，使金箔轉(zhuǎn)移到藍(lán)膜上。
[0017]所述的金箔裁切方法，其中，所述步驟103中，光刻的具體步驟包括:涂膠、前烘、曝光、顯影及堅(jiān)膜；所述涂膠為采用勻膠機(jī)旋轉(zhuǎn)涂覆，勻膠轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)/分鐘；所述涂膠后光刻膠最終厚度為2.5 μ m-3 μ m,如果厚度不夠需重復(fù)勻膠以達(dá)到2.5 μ m_3 μ m ;所述前烘的步驟為，對(duì)涂覆的光刻膠，進(jìn)行烘焙揮發(fā)部分溶劑，用烘箱烘焙，溫度為90°C，烘焙時(shí)間12min ;所述曝光的步驟為，使用紫外光刻機(jī)用掩膜膠版對(duì)電路圖形部分光刻膠進(jìn)行紫外曝光，紫外光強(qiáng)度控制在6?8mW/cm2，曝光時(shí)間45s，設(shè)置掩膜膠版之間的圖形間縫隙為
0.025mm ;所述顯影的步驟為，使用顯影液把曝光過的光刻膠進(jìn)行去除的操作，采用沉浸法去除，顯影時(shí)間為40?60s，把曝光過的正性光刻膠去除，顯影后形成預(yù)定的尺寸形狀的金箔圖形；所述堅(jiān)膜的步驟中，是對(duì)光刻膠進(jìn)一步烘焙去除溶劑，用烘箱溫度為110°C，烘烤時(shí)間35-45min,所述預(yù)定尺寸形狀為長方形、正方形或圓形。
[0018]所述的金箔裁切方法，其中，所述步驟104中，腐蝕Au采用碘和碘化鉀腐蝕液，具體配方為碘化鉀:碘:水=4:1:14，腐蝕時(shí)間為15-20min。
[0019]所述的金箔裁切方法，其中，通過水浴加熱以加快腐蝕速度，加熱溫度為60_70°C。
[0020]所述的金箔裁切方法，其中，所述步驟105中，光刻完的金箔放入丙酮中浸泡lh，丙酮為分析純，溶解光刻膠，并使藍(lán)膜軟化失去粘性，使金箔與藍(lán)膜分離。
[0021]所述的金箔裁切方法，其中，所述步驟106中，采用丙酮超聲清洗，然后經(jīng)過去離子水超聲清洗，去除金箔表面的光刻膠及其他污物，最后經(jīng)過烘干得到最終需要的金箔。
[0022]采用上述方案，解決微波固定衰減器中衰減片壓焊所需金箔裁切的難題。通過光刻腐蝕的方法，實(shí)現(xiàn)了超薄金箔的精確裁切。重點(diǎn)解決了制作過程中金箔難以夾持、操作過程中易造成翹曲褶皺不平整以及刻蝕完成后金箔難以分離清洗的技術(shù)難題。通過優(yōu)化改進(jìn)提高了金箔裁切的一致性、尺寸加工精度。相對(duì)于手工裁切加工效率大幅提高，適合批量生 產(chǎn)，值得在生產(chǎn)中推廣。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明提供的一種金箔裁切方法的流程圖。
[0024]圖2為本發(fā)明提供的金箔通過刮板展平的示意圖。
[0025]圖3為本發(fā)明提供的金箔通過膠帶固定在一玻璃基片上的示意圖。
[0026]圖4為本發(fā)明提供的金箔光刻涂膠后的示意圖。
[0027]圖5本發(fā)明提供的金箔經(jīng)光刻后形成抗刻蝕劑圖形的示意圖。
[0028]圖中:1、刮板，2.塑料薄膜，3.金箔，4.UV膠帶，5.玻璃基片，30、光刻膠，40、藍(lán)膜，50、雙面膠帶
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0030]實(shí)施例1
[0031]如圖1所示，圖1為本發(fā)明提供的一種金箔裁切方法的流程圖，該方法包括以下步驟:
[0032]步驟101:在金箔的一面涂覆一層光刻膠；
[0033]步驟102:用膠帶把金箔粘接到一個(gè)支撐的玻璃基片上；
[0034]步驟103:用光刻的方法在金箔上得到抗蝕劑圖形；
[0035]步驟104:通過濕法腐蝕的方法把金箔腐蝕分割開來；
[0036]步驟105:用丙酮軟化膠帶使金箔與膠帶分離；
[0037]步驟106:對(duì)金箔進(jìn)行清洗烘干。
[0038]所述步驟101中，所用的金箔為純度99.99%的純金，金箔厚度為0.02mm，尺寸為40mmX40mm ；
[0039]所述步驟101中，使用勻膠機(jī)在金箔其中一面涂覆一層光刻膠；
[0040]所述步驟101中，涂膠前先采用UV膠帶4粘接金箔3，然后把粘有金金箔3的UV膠帶4放在一平整的玻璃基片5上，再在金箔3上覆蓋一層塑料薄膜2，用一平整的刮板I把金箔3刮平整，使金箔3平整的粘貼在UV膠帶4上。由于有塑料薄膜2的保護(hù)，刮板I不會(huì)對(duì)金箔3造成損傷。另外由于金箔3柔軟，容易刀刮整平，如圖2。由于金箔3太薄，使用UV膠帶4主要起承載支持作用。
[0041]所述步驟101中，所用UV膠帶為日本T0Y0ADTEC公司，型號(hào)為UDV-100J，厚度為100 μ m。
[0042]所述步驟101中，把粘有金箔的UV膠帶，采用真空吸附的方法吸附到勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，然后滴光刻膠，對(duì)金箔進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂膠，涂膠轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分鐘，光刻膠厚度要在
3-4 μ m 厚。
[0043]所述步驟101中，涂膠時(shí)所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是12?25%酚醛樹脂，溶劑成分是75%以上的丙二醇單甲醚醋酸酯。
[0044]所述步驟101中，涂膠的主要目的是在金箔腐蝕的過程中更好的保護(hù)金箔反面不被滲漏的腐蝕液腐蝕。[0045]所述步驟102中，具體步驟為取一個(gè)支撐玻璃基片5尺寸為50mmX 50mm，先在該基片5上粘上一層雙面膠50，然后在雙面膠50上粘貼一層藍(lán)膜40，藍(lán)膜40膠面朝上；然后把涂膠30并粘有U V膠帶4的金箔3貼到藍(lán)膜40上，涂膠一面與藍(lán)膜40粘接，并用刮板把金箔3刮平整，由于有U V膠帶4的保護(hù)，刮板不會(huì)傷到金箔3。如圖3所示。然后對(duì)UV膠帶4進(jìn)行紫外曝光，U V膠帶4粘性降低，然后去除U V膠帶4。使金箔3轉(zhuǎn)移到藍(lán)膜40上。由于有玻璃基片5的支撐，解決了金箔3光刻蝕過程中難夾持的操作難題。
[0046]所述步驟102中，所用藍(lán)膜膠帶為臺(tái)灣產(chǎn)型號(hào)為BC090-AFL，厚度為100 μ m。
[0047]所述步驟103中，光刻工藝的具體步驟包括:涂膠一前烘一曝光一顯影-堅(jiān)膜。
[0048]所述步驟103中，涂膠時(shí)所使用的光刻膠30為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是12?25%酚醛樹脂，溶劑成分是75%以上的丙二醇單甲醚醋酸酯。采用勻膠機(jī)旋轉(zhuǎn)涂覆，首先采用真空吸附的方法把粘有金箔的玻璃基片吸附到勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，然后在金箔上滴光刻膠，對(duì)金箔進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂膠，勻膠轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)/分鐘。光刻膠30最終厚度要達(dá)到
2.5 μ m-3 μ m0如果厚度不夠需重復(fù)勻膠以達(dá)到要求值。如圖4所示，圖4中，其中3為金箔，5為玻璃基片，30為光刻膠，40為藍(lán)膜，50為雙面膠帶。
[0049]所述步驟103中，在光刻前烘步驟中，對(duì)涂覆的光刻膠30，進(jìn)行烘焙揮發(fā)部分溶齊U，用烘箱烘烤，溫度為90°c，烘烤時(shí)間12min。
[0050]所述步驟103中，在光刻曝光步驟中，使用紫外光刻機(jī)用掩膜膠版對(duì)電路圖形部分光刻膠進(jìn)行紫外曝光，紫外光強(qiáng)度要控制在6?8mW/cm2，曝光時(shí)間45s，該掩膜膠版圖形排版間縫隙為0.025mm。
[0051]所述步驟103中，在光刻顯影步驟中，是用顯影液把曝光過的光刻膠30進(jìn)行去除的操作，采用沉浸法去除，使用廠家專用的堿性顯影液，顯影時(shí)間為40?60s，把曝光過的正性光刻膠30去除，顯影后形成需要的抗刻蝕劑圖形如圖5所示，圖5中為長寬高均相等的，并且間隔相同距離的若干長方形。
[0052]所述步驟103中，在光刻中堅(jiān)膜步驟中，是對(duì)光刻膠進(jìn)一步烘焙去除溶劑，用烘箱溫度為110°c，烘烤時(shí)間35-45min。
[0053]所述步驟104中，腐蝕Au采用碘和碘化鉀腐蝕液，具體配方為K1:12:H20=4:1:14，腐蝕時(shí)間為15_20min。要合理的控制腐蝕時(shí)間，防止金箔的過量側(cè)腐蝕。并通過水浴加熱以加快腐蝕速度，加熱溫度為60-70°C。
[0054]所述步驟105中，光刻完的金箔放入丙酮中浸泡I小時(shí)，丙酮為分析純，溶解光刻膠，并使藍(lán)膜軟化失去粘性，使金箔與藍(lán)膜分離。
[0055]所述步驟106中，采用丙酮超聲清洗，然后經(jīng)過去離子水超聲清洗，去除金箔表面的光刻膠及其他污物，最后經(jīng)過烘干得到最終需要的金箔。
[0056]本實(shí)施例中，采用玻璃基片加上膠帶粘接，解決是0.02mm金箔刻蝕過程中支持及夾取操作的難題。另外通過刮板使金箔平整的貼在膠帶上。避免了金箔翹曲。同時(shí)膠帶擁有一定的彈性，在光刻的時(shí)候使金箔與掩膜板接觸緊密，避免了光刻時(shí)紫外光散射，提高了圖形制作精度。腐蝕的縫隙為0.025mm，減少了金箔的腐蝕損耗，使腐蝕浪費(fèi)的金箔控制在5%以內(nèi)。通過測(cè)量金箔側(cè)腐蝕在0.03-0.035 μ m，在實(shí)際的加工過過程中可以通過制版對(duì)圖形尺寸進(jìn)行補(bǔ)償，解決側(cè)腐蝕帶來的加工尺寸誤差。例如:金箔尺寸為1mm，在制版加工的時(shí)候補(bǔ)嘗為1.03mm。這使金箔加工尺寸精度誤差控制在30 μ m以內(nèi)。提高了加工制作精度。
[0057]實(shí)施例2
[0058]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步，如圖1-圖5所示，一種金箔裁切方法，其中，包括如下步驟:
[0059]步驟101:在金箔的一面涂覆一層光刻膠；步驟102:用膠帶把金箔粘接到一個(gè)支撐的玻璃基片上；步驟103:用光刻的方法在金箔上得到抗蝕劑圖形；步驟104:通過濕法腐蝕的方法把金箔腐蝕分割成預(yù)定的尺寸形狀；步驟105:用丙酮軟化膠帶使金箔與膠帶分離；步驟106:對(duì)金箔進(jìn)行清洗烘干。
[0060]所述步驟101中，所述金箔為純度99.99%的純金，金箔厚度為0.02mm，尺寸為40mmX40mm ;所述涂覆一層光刻膠為使用勻膠機(jī)涂覆所述涂覆的方法為涂膠前先采用UV膠帶粘接金箔，然后把粘有金箔的UV膠帶放在一平整的玻璃基片上，然后在金箔上覆蓋一層塑料薄膜，用一平整的刮板將金箔刮平整，使金箔平整的粘貼在UV膠帶上；所述UV膠帶的厚度為100 μ m。將粘有金箔的UV膠帶，采用真空吸附的方法吸附到勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，然后滴光刻膠，對(duì)金箔進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂膠，涂膠轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分鐘，光刻膠厚度為3-4 μ m ;所述光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠。
[0061]所述步驟102中，所述玻璃基片尺寸為50mmX 50mm，先在玻璃基片上粘上一層雙面膠，然后在雙面膠上粘貼一層藍(lán)膜，藍(lán)膜膠面朝上；然后把涂有光刻膠并粘有U V膠帶的金箔貼到藍(lán)膜上，涂膠一面與藍(lán)膜粘接，并用刮板把金箔刮平整，然后對(duì)U V膠帶進(jìn)行紫外曝光，使U V膠帶粘性降低，然后去除U V膠帶，使金箔轉(zhuǎn)移到藍(lán)膜上。
[0062]所述步驟103中，光刻的具體步驟包括:涂膠、前烘、曝光、顯影及堅(jiān)膜；所述涂膠為采用勻膠機(jī)旋轉(zhuǎn)涂覆，勻膠轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)/分鐘；所述涂膠后光刻膠最終厚度為
2.5 μ m-3 μ m，如果厚度不夠需重復(fù)勻膠以達(dá)到2.5 μ m_3 μ m ;所述前烘的步驟為，對(duì)涂覆的光刻膠，進(jìn)行烘焙揮發(fā)部分溶劑，用烘箱烘焙，溫度為90°C，烘焙時(shí)間12min ;所述曝光的步驟為，使用紫外光刻機(jī)用掩膜膠版對(duì)電路圖形部分光刻膠進(jìn)行紫外曝光，紫外光強(qiáng)度控制在6?8mW/cm2,曝光時(shí)間45s,設(shè)置掩膜膠版之間的圖形間縫隙為0.025mm ;所述顯影的步驟為，使用顯影液把曝光過的光刻膠進(jìn)行去除的操作，采用沉浸法去除，顯影時(shí)間為40?60s，把曝光過的正性光刻膠去除，顯影后形成預(yù)定的尺寸形狀的金箔圖形；所述堅(jiān)膜的步驟中，是對(duì)光刻膠進(jìn)一步烘焙去除溶劑，用烘箱溫度為110°C，烘烤時(shí)間35-45min，所述預(yù)定尺寸形狀為長方形、正方形或圓形。
[0063]所述步驟104中，腐蝕Au采用碘和碘化鉀腐蝕液，具體配方為碘化鉀:碘:水=4:1:14，腐蝕時(shí)間為15-20min。通過水浴加熱以加快腐蝕速度，加熱溫度為60_70°C。
[0064]所述步驟105中，光刻完的金箔放入丙酮中浸泡lh，丙酮為分析純，溶解光刻膠，并使藍(lán)膜軟化失去粘性，使金箔與藍(lán)膜分離。
[0065]所述步驟106中，采用丙酮超聲清洗，然后經(jīng)過去離子水超聲清洗，去除金箔表面的光刻膠及其他污物，最后經(jīng)過烘干得到最終需要的金箔。
[0066]綜上所述，本發(fā)明的一種金箔的裁切方法，能夠?qū)崿F(xiàn)金箔的精確裁切，解決了超薄金箔柔軟難加工的難題，且具有操作簡單，加工效率高，利于批量生產(chǎn)，值得在生產(chǎn)中推廣。
[0067]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種金箔裁切方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟101:在金箔的一面涂覆一層光刻膠； 步驟102:用膠帶把金箔粘接到一個(gè)支撐的玻璃基片上； 步驟103:用光刻的方法在金箔上得到抗蝕劑圖形； 步驟104:通過濕法腐蝕的方法把金箔腐蝕分割成預(yù)定的尺寸形狀； 步驟105:用丙酮軟化膠帶使金箔與膠帶分離； 步驟106:對(duì)金箔進(jìn)行清洗烘干。
2.如權(quán)利要求1所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述步驟101中，所述金箔為純度99.99%的純金，金箔厚度為0.02mm，尺寸為40mmX40mm ;所述涂覆一層光刻膠為使用勻膠機(jī)涂覆。
3.如權(quán)利要求2所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述涂覆的方法為涂膠前先采用UV膠帶粘接金箔，然后把粘有金箔的UV膠帶放在一平整的玻璃基片上，然后在金箔上覆蓋一層塑料薄膜，用一平整的刮板將金箔刮平整，使金箔平整的粘貼在UV膠帶上；所述UV膠帶的厚度為100 μ m。
4.如權(quán)利要求3所述的金箔裁切方法，其特征在于，將粘有金箔的UV膠帶，采用真空吸附的方法吸附到勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)·盤上，然后滴光刻膠，對(duì)金箔進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂膠，涂膠轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分鐘，光刻膠厚度為3-4 μ m ;所述光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠。
5.如權(quán)利要求1所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述步驟102中，所述玻璃基片尺寸為50mmX50mm，先在玻璃基片上粘上一層雙面膠，然后在雙面膠上粘貼一層藍(lán)膜膠帶，藍(lán)膜膠面朝上；然后把涂有光刻膠并粘有U V膠帶的金箔貼到藍(lán)膜上，涂膠一面與藍(lán)膜粘接，并用刮板把金箔刮平整，然后對(duì)U V膠帶進(jìn)行紫外曝光，使U V膠帶粘性降低，然后去除U V膠帶，使金箔轉(zhuǎn)移到藍(lán)膜上。
6.如權(quán)利要求1所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述步驟103中，光刻的具體步驟包括:涂膠、前烘、曝光、顯影及堅(jiān)膜；所述涂膠為采用勻膠機(jī)旋轉(zhuǎn)涂覆，勻膠轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)/分鐘；所述涂膠后光刻膠最終厚度為2.5 μ m-3 μ m，如果厚度不夠需重復(fù)勻膠以達(dá)到2.5 μ m-3 μ m ;所述前烘的步驟為，對(duì)涂覆的光刻膠，進(jìn)行烘焙揮發(fā)部分溶劑，用烘箱烘焙，溫度為90°C，烘焙時(shí)間12min ;所述曝光的步驟為，使用紫外光刻機(jī)用掩膜膠版對(duì)電路圖形部分光刻膠進(jìn)行紫外曝光，紫外光強(qiáng)度控制在6~8mW/cm2，曝光時(shí)間45s，所用掩膜膠版圖形間縫隙為0.025mm ;所述顯影的步驟為，使用顯影液把曝光過的光刻膠進(jìn)行去除的操作，采用沉浸法去除，顯影時(shí)間為40~60s，把曝光過的正性光刻膠去除，顯影后形成預(yù)定的尺寸形狀的金箔圖形；所述堅(jiān)膜的步驟中，是對(duì)光刻膠進(jìn)一步烘焙去除溶劑，用烘箱溫度為110°C,烘烤時(shí)間35-45min,所述預(yù)定尺寸形狀為長方形、正方形或圓形。
7.如權(quán)利要求1所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述步驟104中，腐蝕Au采用碘和碘化鉀腐蝕液，具體配方為碘化鉀:碘:水=4:1:14，腐蝕時(shí)間為15-20min。
8.如權(quán)利要求7所述的金箔裁切方法，其特征在于，通過水浴加熱以加快腐蝕速度，加熱溫度為60-70°C。
9.如權(quán)利要求1所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述步驟105中，光刻完的金箔放入丙酮中浸泡lh，丙酮為分析純，溶解光刻膠，并使藍(lán)膜軟化失去粘性，使金箔與藍(lán)膜分離。
10.如權(quán)利要求1所述的金箔裁切方法，其特征在于，所述步驟106中，采用丙酮超聲清洗，然后經(jīng)過去離子水超聲清洗，去除金箔表面的光刻膠及其他污物，最后經(jīng)過烘干得到最終需要的金 箔。
【文檔編號(hào)】H05K3/06GK103716998SQ201310680619
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月12日
【發(fā)明者】王進(jìn), 劉金現(xiàn), 馬子騰 申請(qǐng)人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所