專利名稱：一種多晶硅的硅芯母料的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種多晶娃的娃芯母料。
背景技術：
在多晶硅的生產(chǎn)中，熱載體從最初的鑰絲或鉭管到區(qū)熔法生產(chǎn)的硅芯，再到線切方硅芯，歷經(jīng)了數(shù)代的改進和進步，每一次進步都給多晶硅的質(zhì)量和工藝帶來提升。用鑰絲或鉭管做熱載體，使用方便設備簡單，但高溫下金屬原子擴散影響多晶硅純度和品質(zhì)，這一工藝很快被硅芯熱載體取而代之。硅是半導體，具有溫度越高電阻越低的負阻效應.用區(qū)熔法拉制的硅芯作為熱載體在還原爐內(nèi)進行CVD生長多晶硅，生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量明顯提高。隨著線切技術的日趨成熟，線切方硅芯應運而生，用CZ直拉法所生產(chǎn)的圓柱體硅芯母料進行線切割加工，一次可以切出一百多根方硅芯，生產(chǎn)效率比區(qū)熔法拉制的圓硅芯更上一層樓。目前多晶硅生產(chǎn)采用的熱載體全部為圓硅芯和方硅芯，鑰絲或鉭管已不再使用。目前，硅芯母料主要由兩種生產(chǎn)方法:方法一:用還原爐中得到的硅芯母料直接切割；這往往受到硅芯母料的長度的限制而無法得到理想長度的硅芯，直接還原得到的硅芯母料質(zhì)地較為疏松，切割過程中成品率低，最終得到的硅芯的強度較差，在生產(chǎn)中使用易產(chǎn)生倒爐現(xiàn)象。方法二:用CZ直拉法單晶生長爐生產(chǎn)硅芯母料；這樣得到的母料克服了上述方法一中長度、質(zhì)地等不足，但受限于工藝得到的硅芯母料的電阻率均勻性較差，且同上述方法一的一樣均為圓柱體硅芯母料固存在在切割過程中都存在邊皮的損耗較大，最終成品硅芯的得材率較低；單晶生 長爐功率大拉制時間久能耗高，相應的也增加了最終成品硅芯的生產(chǎn)成本。

實用新型內(nèi)容本實用新型目的在于針對現(xiàn)有技術的不足，將硅芯母料進行改進，提供一種損耗小，得材率高，成本低的硅芯母料。本實用新型為實現(xiàn)上述目的，采用如下技術方案:一種多晶硅的硅芯母料，包括母料本體，其特征在于所述母料本體的形狀為長方體。進一步特征在于:所述母料本體長度不低于1500mm,寬和高不低于100mm。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型采用定向凝固法生產(chǎn)的長方體硅芯母料，用于切割方硅芯，切割過程中邊皮的損耗極小，得材率高；生產(chǎn)出來的硅芯母料電阻率均勻，成品合格率較高；采用定向凝固法生產(chǎn)的硅芯母料，能耗大幅降低，相應的硅芯生產(chǎn)成本也降低；產(chǎn)量大，可生產(chǎn)單個達500公斤以上的硅芯母料。

圖1為本實用新型生廣多晶娃的娃芯母料的不意圖；[0012][0010]圖2為傳統(tǒng)型圓柱體硅芯母料的示意具體實施方式
如圖1所示的一種生產(chǎn)多晶硅的硅芯母料，包括母料本體1，其特征在于:所述母料本體I的形狀為長方體。作為本實用新型的一種優(yōu)化結構:所述母料本體I長度不低于1500mm，寬和高不低于100mm。本實用新型采用定向凝固法生產(chǎn)硅芯母料，不同于傳統(tǒng)的直拉法所生產(chǎn)的硅芯母料，如圖2所示圓柱體硅芯母料，區(qū)別在于本實用新型所生產(chǎn)的硅芯母料形狀為長方體而非圓柱體。而且長度要求達到所要求的成品硅芯的長度，生產(chǎn)出來的硅錠專門用于切割硅芯的母料。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍 之內(nèi)。
權利要求1.一種多晶硅的硅芯母料，包括母料本體，其特征在于:所述母料本體的形狀為長方體。
2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅的硅芯母料，其特征在于:所述母料本體長度不低于1500mm,寬和高不低 于100mm。
專利摘要本實用新型公布了一種多晶硅的硅芯母料，包括母料本體，其特征在于所述母料本體的形狀為長方體。本實用新型采用定向凝固法生產(chǎn)的長方體硅芯母料，用于切割方硅芯，切割過程中邊皮的損耗極小，得材率高；生產(chǎn)出來的硅芯母料電阻率均勻，成品合格率較高；采用定向凝固法生產(chǎn)的硅芯母料，能耗大幅降低，相應的硅芯生產(chǎn)成本也降低；產(chǎn)量高，可生產(chǎn)單個達500公斤以上的硅芯母料。
文檔編號C30B29/06GK203128691SQ201320083449
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月25日 優(yōu)先權日2013年2月25日
發(fā)明者孫勇 申請人:無錫中硅科技有限公司