專利名稱：多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，涉及一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置。
背景技術(shù)：
在制備InP單晶之前，必須先把符合一定純度要求的In和P合成為化合物InP多晶，在此基礎(chǔ)上才能進(jìn)一步制備InP單晶?？焖儆行У剡M(jìn)行InP多晶的合成是降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率的重要途徑，同時(shí)也是制備高質(zhì)量InP單晶的前提。傳統(tǒng)合成InP多晶料的方法有:水平布里奇曼法(HB)，水平溫度梯度凝固法(HGF)，溶質(zhì)擴(kuò)散合成技術(shù)(SSD)等。這些方法的缺點(diǎn)是合成時(shí)間長(zhǎng)，合成效率低，且在制備單晶時(shí)需分步驟進(jìn)行，即首先在特制容器內(nèi)合成InP多晶，然后將其裝入單晶爐內(nèi)進(jìn)行拉晶。因此這些傳統(tǒng)方法會(huì)帶來(lái)二次污染，造成單晶質(zhì)量嚴(yán)重下降。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足 ，提出了一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置。本實(shí)用新型一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，包括一個(gè)大圓柱體容器、一個(gè)小圓柱型裝卸口和多根導(dǎo)氣管，所述的大圓柱體容器頂部設(shè)有小圓柱型裝卸料口，底部對(duì)稱分布著多根導(dǎo)氣管；所述多根導(dǎo)氣管對(duì)稱分布于以大圓柱體容器下底面的圓心為圓心，底部圓半徑的2/3長(zhǎng)度為半徑的圓周上；多根導(dǎo)氣管垂直貫穿大圓柱體容器下底面，即分為容器內(nèi)部的內(nèi)管和容器外部的外管；所述導(dǎo)氣管內(nèi)管末端封閉，上部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)氣小孔；所述導(dǎo)氣管外管末端開(kāi)放，下部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)氣小孔。所述的導(dǎo)氣管直徑為大圓柱體容器底面直徑的1/10 1/6。所述的導(dǎo)氣管內(nèi)管高度為大圓柱體容器高度的1/2 3/4。所述的大圓柱體容器上下底部邊緣采用倒圓角。所述的小圓柱型裝卸口外側(cè)有螺紋。所述的大圓柱體容器、小圓柱型裝卸口和多根導(dǎo)氣管都是由石英玻璃制成的。本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)和效果:1、本實(shí)用新型對(duì)稱分布的多根根導(dǎo)氣管的外管上設(shè)置有若干個(gè)通氣小孔，可以提高磷蒸汽同銦熔體的接觸面積和接觸均勻性，從而大大提高了合成磷化銦的速率和均勻性，非常適合工業(yè)化生產(chǎn)。2、本實(shí)用新型對(duì)稱分布的多根導(dǎo)氣管上設(shè)置有若干個(gè)通氣小孔，更有利于容器內(nèi)的磷蒸汽順利排出，避免炸泡和磷殘留較多等問(wèn)題。3、本實(shí)用新型配合磷注入法液封直拉技術(shù)可以減少二次污染，減低缺陷，提高磷化銦的純度。

[0015]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為大圓柱體容器底部俯視圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，包括一個(gè)大圓柱體容器2、一個(gè)小圓柱型裝卸口 I和三根導(dǎo)氣管4，所述的大圓柱體容器2頂部設(shè)有小圓柱型裝卸料口 1，小圓柱型裝卸口外側(cè)有螺紋，大圓柱體容器底部對(duì)稱分布著三根導(dǎo)氣管；所述三根導(dǎo)氣管4對(duì)稱分布于以大圓柱體容器下底面的圓心為圓心，底部圓半徑的2/3長(zhǎng)度為半徑的圓周上；三根導(dǎo)氣管垂直貫穿大圓柱體容器下底面，即分為容器內(nèi)部的內(nèi)管和容器外部的外管；所述導(dǎo)氣管內(nèi)管末端封閉，上部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)氣小孔3 ;所述導(dǎo)氣管外管末端開(kāi)放，下部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)氣小孔3,導(dǎo)氣管直徑為大圓柱體容器底面直徑的1/10 1/6,導(dǎo)氣管內(nèi)管高度為大圓柱體容器高度的1/2 3/4。所述的大圓柱體容器上下底部邊緣采用倒圓角，所述的大圓柱體容器、小圓柱型裝卸口和三根導(dǎo)氣管都是由石英玻璃制成的。本實(shí)用新型的工作過(guò)程:固體磷從小圓柱型裝卸口 I裝入，將小圓柱型裝卸口密封受熱，磷蒸汽由容器內(nèi)部的內(nèi)管導(dǎo)氣小孔3，通過(guò)導(dǎo)氣管4，由容器外部的外管導(dǎo)氣小孔3導(dǎo)出 。
權(quán)利要求1.多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，包括一個(gè)大圓柱體容器、一個(gè)小圓柱型裝卸口和多根導(dǎo)氣管，其特征在于: 所述的大圓柱體容器頂部設(shè)有小圓柱型裝卸料口，底部對(duì)稱分布著多根導(dǎo)氣管；所述多根導(dǎo)氣管對(duì)稱分布于，以大圓柱體容器下底面的圓心為圓心，底部圓半徑的2/3長(zhǎng)度為半徑的圓周上；多根導(dǎo)氣管垂直貫穿大圓柱體容器下底面，即分為容器內(nèi)部的內(nèi)管和容器外部的外管；所述導(dǎo)氣管內(nèi)管末端封閉，上部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)氣小孔；所述導(dǎo)氣管外管末端開(kāi)放，下部設(shè)有多個(gè)導(dǎo)氣小孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，其特征在于:所述的導(dǎo)氣管直徑為大圓柱體容器底面直徑的1/10 1/6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，其特征在于:所述的導(dǎo)氣管內(nèi)管高度為大圓柱體容器高度的1/2 3/4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，其特征在于:所述的大圓柱體容器上下底部邊緣采用倒圓角。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，其特征在于:所述的小圓柱型裝卸口外側(cè)有螺紋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置，其特征在于:所述的大圓柱體容器、小圓 柱型裝卸口和多根導(dǎo)氣管都是由石英玻璃制成的。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種多管快速合成磷化銦多晶磷泡裝置。傳統(tǒng)合成InP多晶料的方法有:水平布里奇曼法(HB)，水平溫度梯度凝固法(HGF)，溶質(zhì)擴(kuò)散合成技術(shù)(SSD)等。這些方法的缺點(diǎn)是合成時(shí)間長(zhǎng)，合成效率低，且在制備單晶時(shí)需分步驟進(jìn)行。本實(shí)用新型包括一個(gè)圓柱形的石英容器和多根石英導(dǎo)氣管。多根導(dǎo)氣管垂直貫穿圓柱形容器底部，且對(duì)稱分布于，以圓柱形容器底部圓的圓心為圓心，底部圓半徑的2/3長(zhǎng)度為半徑的圓周上。導(dǎo)氣管的上部、下部底部設(shè)置有多干個(gè)導(dǎo)氣小孔。本實(shí)用新型具有合成磷化銦多晶速度快，均勻性高，純度高等優(yōu)點(diǎn)，解決了炸泡和殘留磷較多等問(wèn)題。
文檔編號(hào)C30B28/04GK203112962SQ20132011867
公開(kāi)日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月15日
發(fā)明者駱新江 申請(qǐng)人:杭州電子科技大學(xué)