一種直拉單晶的新型籽晶的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種直拉單晶的新型籽晶，所述籽晶的一端開有凹槽，并且凹槽的上部為斜面；所述凹槽的下部也為斜面。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、實(shí)用，在拆爐、清洗過程中抗磕碰能力強(qiáng)，能夠有效降低籽晶斷造成悶爐事故發(fā)生的概率，同時(shí)有效延長(zhǎng)籽晶的使用壽命。
【專利說(shuō)明】一種直拉單晶的新型籽晶
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于單晶硅制備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種直拉法單晶硅生長(zhǎng)用新型籽晶。
【背景技術(shù)】
[0002]目前常用的直拉單晶籽晶的一端開有凹槽，凹槽的上部為斜面，下部為與斜面連接的弧面，如圖1所示。這種籽晶在使用時(shí)有以下兩方面弊端:一方面在拆爐、清洗時(shí)容易對(duì)開槽部分造成磕碰，影響到了籽晶的使用壽命；另一方面，在進(jìn)行回熔操作時(shí)，由于鑰銷與籽晶磕碰，一定程度上降低了籽晶的抗拉能力，增大了籽晶斷的可能，進(jìn)而增大了單晶掉入石英堝事故發(fā)生的幾率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種直拉單晶的新型籽晶，在拆爐和清洗過程中抗磕碰能力強(qiáng)，能夠減少事故率，同時(shí)延長(zhǎng)籽晶的使用壽命。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種直拉單晶的新型籽晶，所述籽晶的一端開有凹槽，并且凹槽的上部為斜面；所述凹槽的下部也為斜面。
[0005]其中，所述凹槽的上部斜面與下部斜面相互對(duì)稱設(shè)置。
[0006]其中，所述凹槽的上部斜面與下部斜面的接合處為弧形過渡面。
[0007]其中，所述凹槽的上部斜面與所述籽晶的軸向的夾角為45度。
[0008]其中，所述籽晶的橫截面形狀為正方形或圓形。
[0009]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:
[0010]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、實(shí)用，在拆爐、清洗過程中抗磕碰能力強(qiáng)，能夠有效降低籽晶斷造成悶爐事故發(fā)生的概率，同時(shí)有效延長(zhǎng)籽晶的使用壽命，一般情況下可以延長(zhǎng)籽晶壽命0.5爐以上。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是現(xiàn)有直拉單晶籽晶的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型籽晶的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0014]如圖2所示，本實(shí)用新型為一種直拉單晶的新型籽晶，籽晶的橫截面形狀為正方形或圓形；籽晶的一端開有凹槽，凹槽的上部為斜面，并且凹槽的上部斜面與籽晶的軸向的夾角為45度；凹槽的下部也為斜面，并且凹槽的上部斜面與下部斜面相互對(duì)稱設(shè)置，上部斜面與下部斜面的接合處為弧形過渡面。本實(shí)用新型能夠有效降低籽晶斷造成悶爐事故發(fā)生的概率，同時(shí)有效延長(zhǎng)籽晶的使用壽命。
【權(quán)利要求】
1.一種直拉單晶的新型籽晶，所述籽晶的一端開有凹槽，并且凹槽的上部為斜面；其特征在于:所述凹槽的下部也為斜面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的新型籽晶，其特征在于:所述凹槽的上部斜面與下部斜面相互對(duì)稱設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的新型籽晶，其特征在于:所述凹槽的上部斜面與下部斜面的接合處為弧形過渡面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的新型籽晶，其特征在于:所述凹槽的上部斜面與所述籽晶的軸向的夾角為45度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的新型籽晶，其特征在于:所述籽晶的橫截面形狀為正方形或圓形。
【文檔編號(hào)】C30B15/36GK203462167SQ201320524472
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】閆廣寧, 王怡然, 李永鋒 申請(qǐng)人:河北寧晉松宮半導(dǎo)體有限公司