用于單晶爐的坩堝軸的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于光伏太陽能領(lǐng)域，具體是一種用于單晶爐的坩堝軸，它用于生長晶硅的單晶爐。它包括軸體以及軸體內(nèi)的內(nèi)管，所述的軸體的壁內(nèi)設(shè)有一個(gè)冷卻通路，該冷卻通路一端與軸體的冷卻夾層連通，另一端與冷卻夾層的出水口連通，軸體的一端設(shè)有用于連接石墨托桿軸的內(nèi)螺紋孔。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是通過內(nèi)螺紋孔防止了螺紋損壞，通過冷卻通路與通路內(nèi)凹槽的設(shè)置，增強(qiáng)了冷卻效果，延長了設(shè)備的使用壽命。
【專利說明】用于單晶爐的坩堝軸
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于光伏太陽能領(lǐng)域，具體是一種用于單晶爐的坩堝軸，它用于生長晶硅的單晶爐。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶爐是多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅工藝過程中的必備設(shè)備，而單晶硅又是光伏發(fā)電和半導(dǎo)體行業(yè)中的基礎(chǔ)原料。單晶硅作為現(xiàn)代信息社會(huì)的關(guān)鍵支撐材料，是目前世界上最重要的單晶材料之一，它不僅是發(fā)展計(jì)算機(jī)與集成電路的主要功能材料，也是光伏發(fā)電利用太陽能的主要功能材料。單晶爐用坩堝軸的作用如下:在硅單晶拉制過程中，坩堝軸按照設(shè)定值勻速上升，便于單晶硅晶體的結(jié)晶?，F(xiàn)有技術(shù)的單晶爐用坩堝軸，包括坩堝軸本體和內(nèi)管，坩堝軸本體套裝在內(nèi)管外，坩堝軸本體和內(nèi)管之間有間隙，坩堝軸本體上端為短柱體，坩堝軸本體下端為長柱體，短柱體外表面開有螺紋，石墨托桿軸通過螺紋連接固定在坩堝軸本體I上端。循環(huán)冷卻水通過內(nèi)管流進(jìn)坩堝軸本體，再由內(nèi)管與坩堝軸本體之間的間隙流出坩堝軸本體。現(xiàn)有技術(shù)的單晶爐用坩堝軸都是采用常規(guī)的直管夾套冷卻結(jié)構(gòu)，其冷卻效果差，而且頂部采用外周面螺紋結(jié)構(gòu)，工作過程中容易損壞。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是針對上述技術(shù)中存在的不足之處，提出一種用于單晶爐的坩堝軸，它具有結(jié)構(gòu)簡單實(shí)用、冷卻效果好的特點(diǎn)。
[0004]實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案如下:
[0005]用于單晶爐的坩堝軸，它包括軸體以及軸體內(nèi)的內(nèi)管，所述的軸體的壁內(nèi)設(shè)有一個(gè)冷卻通路，該冷卻通路一端與軸體的冷卻夾層連通，另一端與冷卻夾層的出水口連通，軸體的一端設(shè)有用于連接石墨托桿軸的內(nèi)螺紋孔。
[0006]所述的冷卻通路為環(huán)形的通道，通道內(nèi)壁均勻設(shè)有凹槽。
[0007]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是通過內(nèi)螺紋孔防止了螺紋損壞，通過冷卻通路與通路內(nèi)凹槽的設(shè)置，增強(qiáng)了冷卻效果，延長了設(shè)備的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]如圖1所示，用于單晶爐的坩堝軸，它包括軸體I以及軸體內(nèi)的內(nèi)管2，所述的軸體I的壁內(nèi)設(shè)有一個(gè)冷卻通路3，該冷卻通路3 —端與軸體的冷卻夾層4連通，另一端與冷卻夾層4的出水口 5連通，軸體的一端設(shè)有用于連接石墨托桿軸的內(nèi)螺紋孔。
[0010]所述的冷卻通路為環(huán)形的通道，通道內(nèi)壁均勻設(shè)有凹槽。
【權(quán)利要求】
1.用于單晶爐的坩堝軸，它包括軸體以及軸體內(nèi)的內(nèi)管，其特征在于:所述的軸體的壁內(nèi)設(shè)有一個(gè)冷卻通路，該冷卻通路一端與軸體的冷卻夾層連通，另一端與冷卻夾層的出水口連通，軸體的一端設(shè)有用于連接石墨托桿軸的內(nèi)螺紋孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的坩堝軸，其特征在于:所述的冷卻通路為環(huán)形的通道，通道內(nèi)壁均勻設(shè)有凹槽。
【文檔編號】C30B15/10GK203513829SQ201320529397
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】秦青云 申請人:常州華騰合金材料有限公司