電磁加熱控制電路及電壓力鍋的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種電磁加熱控制電路及電壓力鍋，電磁加熱控制電路包括第一電容、第一電感、絕緣柵雙極型晶體管、控制芯片、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第二電容；第一電阻的一端與第一電容的第二端連接，另一端通過第二電阻與控制芯片的接地端連接；第二電阻的一端與第一電容的第一端連接，另一端通過第三電阻與控制芯片的接地端連接；第一電阻和第二電阻的公共連接端連接至控制芯片的第一信號輸入端和第二電容的一端；第三電阻和第四電阻的公共連接端連接至控制芯片的第二信號輸入端和第二電容的另一端。本實用新型降低了電路的能耗，降低了絕緣柵雙極型晶體管的損壞率。
【專利說明】電磁加熱控制電路及電壓力鍋
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電磁加熱【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種電磁加熱控制電路及電壓力鍋。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電磁加熱技術(shù)的發(fā)展，電磁加熱產(chǎn)品已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)中，電磁加熱產(chǎn)品內(nèi)設(shè)有用于產(chǎn)生振蕩的第一電容和第一電感、集電極與所述第一電容的第一端連接的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和用于控制所述絕緣柵雙極型晶體管工作狀態(tài)的控制芯片，由于LC自由震蕩使得絕緣柵雙極型晶體管集電極的電壓在不斷變化，若在絕緣柵雙極型晶體管集電極的電壓較高時控制芯片輸出控制信號至絕緣柵雙極型晶體管的基極，則容易導(dǎo)致絕緣柵雙極型晶體管消耗的能量較高，甚至損壞絕緣柵雙極型晶體管。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的主要目的在于提供一種電磁加熱控制電路，旨在降低電路的能耗，降低絕緣柵雙極型晶體管的損壞率。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種電磁加熱控制電路，包括用于產(chǎn)生振蕩的第一電容和第一電感、集電極與所述第一電容的第一端連接的絕緣柵雙極型晶體管、用于控制所述絕緣柵雙極型晶體管工作狀態(tài)的控制芯片、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第二電容；所述第一電阻的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端通過第二電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第二電阻的一端與所述第一電容的第一端連接，另一端通過第三電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第一電阻和第二電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第一信號輸入端和第二電容的一端；所述第三電阻和第四電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第二信號輸入端和第二電容的另一端；當所述第一信號輸入端的電壓大于第二信號輸入端的電壓時，所述控制芯片根據(jù)所述輸出啟動信號至所述絕緣柵雙極型晶體管，以控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通。
[0005]優(yōu)選地，所述電磁加熱控制電路還包括橋式整流電路、第二電感和第三電容，其中所述橋式整流電路的正輸出端與所述第二電感的一端連接，所述第二電感的另一端與所述第一電容的第二端連接；所述第三電容的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端與所述控制芯片的接地端連接。
[0006]優(yōu)選地，所述第一信號輸入端為所述控制芯片的比較器反向輸入端，所述第二信號輸入端為所述控制芯片的比較器正向輸入端。
[0007]本實用新型還提供一種電壓力鍋，所述電壓力鍋包括電磁加熱控制電路，所述電磁加熱控制電路包括用于產(chǎn)生振蕩的第一電容和第一電感、集電極與所述第一電容的第一端連接的絕緣柵雙極型晶體管、用于控制所述絕緣柵雙極型晶體管工作狀態(tài)的控制芯片、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第二電容；所述第一電阻的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端通過第二電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第二電阻的一端與所述第一電容的第一端連接，另一端通過第三電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第一電阻和第二電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第一信號輸入端和第二電容的一端；所述第三電阻和第四電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第二信號輸入端和第二電容的另一端；當所述第一信號輸入端的電壓大于第二信號輸入端的電壓時，所述控制芯片根據(jù)所述輸出啟動信號至所述絕緣柵雙極型晶體管，以控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通。
[0008]優(yōu)選地，所述電磁加熱控制電路還包括橋式整流電路、第二電感和第三電容，其中所述橋式整流電路的正輸出端與所述第二電感的一端連接，所述第二電感的另一端與所述第一電容的第二端連接；所述第三電容的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端與所述控制芯片的接地端連接。
[0009]優(yōu)選地，所述第一信號輸入端為所述控制芯片的比較器反向輸入端，所述第二信號輸入端為所述控制芯片的比較器正向輸入端。
[0010]本實用新型通過第一電阻和第二電阻對第一電容第二端的電壓進行分壓，通過第三電阻和第四電阻對第一電容第一端的電壓進行分壓，并采用一第二電容連接在第一電阻和第二電阻的公共連接端與第三電阻和第四電阻的公共連接端之間，并通過控制芯片檢測第一電阻和第二電阻的公共連接端與第三電阻和第四電阻的公共連接端的電壓大小，所述控制芯片在第一電阻和第二電阻的公共連接端的電壓大于第三電阻和第四電阻的公共連接端的電壓時輸出控制信號至絕緣柵雙極型晶體管，以控制絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通。因此本實用新型保證了絕緣柵雙極型晶體管的集電極的電壓處于最低狀態(tài)時，控制芯片控制絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通，從而實現(xiàn)了絕緣柵雙極型晶體管的開啟時間與絕緣柵雙極型晶體管的集電極的電壓的最低時的時刻同步，進而降低絕緣柵雙極型晶體管的電能損耗，即降低了電路的電能損耗，同時降低了絕緣柵雙極型晶體管的損壞率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型電磁加熱控制電路一實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]本實用新型目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
【具體實施方式】
[0013]應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0014]本實用新型提供一種電磁加熱控制電路。
[0015]參照圖1，圖1為本實用新型電磁加熱控制電路一實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例提供的電磁加熱控制電路包括用于產(chǎn)生振蕩的第一電容Cl和第一電感L1、集電極與所述第一電容Cl的第一端連接的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)Ql、用于控制所述絕緣柵雙極型晶體管Ql工作狀態(tài)的控制芯片10、第一電阻Rl、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第二電容C2 ;所述第一電阻Rl的一端與所述第一電容Cl的第二端連接，另一端通過第二電阻R2與所述控制芯片10的接地端連接；所述第二電阻R2的一端與所述第一電容Cl的第一端連接，另一端通過第三電阻R3與所述控制芯片10的接地端連接；所述第一電阻Rl和第二電阻R2的公共連接端連接至所述控制芯片10的第一信號輸入端和第二電容C2的一端；所述第三電阻R3和第四電阻R4的公共連接端連接至所述控制芯片10的第二信號輸入端和第二電容C2的另一端；當所述第一信號輸入端的電壓大于第二信號輸入端的電壓時，所述控制芯片10輸出啟動信號至所述絕緣柵雙極型晶體管Q1，以控制所述絕緣柵雙極型晶體管Ql導(dǎo)通。
[0016]本實施例中，當上述電磁加熱控制電路采用市電電網(wǎng)進行供電時，上述電磁加熱控制電路還包括橋式整流電路20、第二電感L2和第三電容C3，其中所述橋式整流電路20的正輸出端與所述第二電感L2的一端連接，所述第二電感L2的另一端與所述第一電容Cl的第二端連接；所述第三電容C3的一端與所述第一電容Cl的第二端連接，另一端與所述控制芯片10的接地端連接。
[0017]工作時，首先通過橋式整流電路20進行整流，然后由第二電感L2和第三電容C3進行濾波后得到穩(wěn)定的直流電壓輸出至第一電容Cl的第一端。然后通過控制芯片輸出相應(yīng)的PWM調(diào)制信號至控制絕緣柵雙極型晶體管Q1，從而控制絕緣柵雙極型晶體管Ql的導(dǎo)通和截止，進而使得第一電容Cl和第一電感LI產(chǎn)生振蕩。應(yīng)當說明的是，上述第一電容Cl和第一電感LI的連接關(guān)系為并聯(lián)，從而構(gòu)成LC振蕩電路。
[0018]具體地，當絕緣柵雙極型晶體管Ql截止時，第一電感LI與第一電容Cl形成電流回路，并將第一電感LI儲存的磁能轉(zhuǎn)換為第一電容Cl的電能，對第一電容Cl進行充電。當控制芯片10檢測到所述第一信號輸入端的電壓大于第二信號輸入端的電壓時，即保證了絕緣柵雙極型晶體管Ql的集電極的電壓處于最低狀態(tài)時，控制芯片10控制絕緣柵雙極型晶體管Ql導(dǎo)通，從而實現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管Ql的開啟時間與絕緣柵雙極型晶體管Ql的集電極的電壓的最低時的時刻同步，進而降低絕緣柵雙極型晶體管Ql的電能損耗，同時防止絕緣柵雙極型晶體管Ql在高電壓下開啟而損壞絕緣柵雙極型晶體管Q1。
[0019]本實用新型通過第一電阻Rl和第二電阻R2對第一電容Cl第二端的電壓進行分壓，通過第三電阻R3和第四電阻R4對第一電容Cl第一端的電壓進行分壓，并采用一第二電容C2連接在第一電阻Rl和第二電阻R2的公共連接端與第三電阻R3和第四電阻R4的公共連接端之間，并通過控制芯片10檢測第一電阻Rl和第二電阻R2的公共連接端與第三電阻R3和第四電阻R4的公共連接端的電壓大小，所述控制芯片10在第一電阻Rl和第二電阻R2的公共連接端的電壓大于第三電阻R3和第四電阻R4的公共連接端的電壓時輸出控制信號至絕緣柵雙極型晶體管Q1，以控制絕緣柵雙極型晶體管Ql導(dǎo)通。因此本實用新型保證了絕緣柵雙極型晶體管Ql的集電極的電壓處于最低狀態(tài)時，控制芯片10控制絕緣柵雙極型晶體管Ql導(dǎo)通，從而實現(xiàn)了絕緣柵雙極型晶體管Ql的開啟時間與絕緣柵雙極型晶體管Ql的集電極的電壓的最低時的時刻同步，進而降低絕緣柵雙極型晶體管Ql的電能損耗，即降低了電路的電能損耗，同時降低了絕緣柵雙極型晶體管Ql的損壞率。
[0020]可以理解的是，上述控制芯片10檢測第一電阻Rl和第二電阻R2的公共連接端與第三電阻R3和第四電阻R4的公共連接端的電壓大小的方式可根據(jù)實際需要進行設(shè)置，本實施例中，可通過控制芯片10內(nèi)部的比較器進行檢測。具體地，上述控制芯片10為控制電磁加熱專用芯片，上述第一信號輸入端為所述控制芯片10的比較器反向輸入端(即控制芯片的20腳)，所述第二信號輸入端為所述控制芯片10的比較器正向輸入端(即控制芯片的19 腳)。
[0021]本實用新型還提供一種電壓力鍋，該電壓力鍋包括電磁加熱控制電路，該電磁加熱控制電路的結(jié)構(gòu)可參照上述實施例，在此不再贅述。理所應(yīng)當?shù)兀捎诒緦嵤├碾妷毫﹀伈捎昧松鲜鲭姶偶訜峥刂齐娐返募夹g(shù)方案，因此該電壓力鍋具有上述電磁加熱控制電路所有的有益效果。
[0022]以上僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電磁加熱控制電路,包括用于產(chǎn)生振蕩的第一電容和第一電感、集電極與所述第一電容的第一端連接的絕緣柵雙極型晶體管和用于控制所述絕緣柵雙極型晶體管工作狀態(tài)的控制芯片；其特征在于，所述電磁加熱控制電路還包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第二電容；所述第一電阻的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端通過第二電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第二電阻的一端與所述第一電容的第一端連接，另一端通過第三電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第一電阻和第二電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第一信號輸入端和第二電容的一端；所述第三電阻和第四電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第二信號輸入端和第二電容的另一端；當所述第一信號輸入端的電壓大于第二信號輸入端的電壓時，所述控制芯片輸出啟動信號至所述絕緣柵雙極型晶體管，以控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁加熱控制電路，其特征在于，所述電磁加熱控制電路還包括橋式整流電路、第二電感和第三電容，其中所述橋式整流電路的正輸出端與所述第二電感的一端連接，所述第二電感的另一端與所述第一電容的第二端連接；所述第三電容的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端與所述控制芯片的接地端連接。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁加熱控制電路，其特征在于，所述第一信號輸入端為所述控制芯片的比較器反向輸入端，所述第二信號輸入端為所述控制芯片的比較器正向輸入端。
4.一種電壓力鍋，其特征在于，包括電磁加熱控制電路，所述電磁加熱控制電路包括用于產(chǎn)生振蕩的第一電容和第一電感、集電極與所述第一電容的第一端連接的絕緣柵雙極型晶體管、用于控制所述絕緣柵雙極型晶體管工作狀態(tài)的控制芯片、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第二電容；所述第一電阻的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端通過第二電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第二電阻的一端與所述第一電容的第一端連接，另一端通過第三電阻與所述控制芯片的接地端連接；所述第一電阻和第二電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第一信號輸入端和第二電容的一端；所述第三電阻和第四電阻的公共連接端連接至所述控制芯片的第二信號輸入端和第二電容的另一端；當所述第一信號輸入端的電壓大于第二信號輸入端的電壓時，所述控制芯片輸出啟動信號至所述絕緣柵雙極型晶體管，以控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通。
5.如權(quán)利要求4所述的電壓力鍋，其特征在于，所述電磁加熱控制電路還包括橋式整流電路、第二電感和第三電容，其中所述橋式整流電路的正輸出端與所述第二電感的一端連接，所述第二電感的另一端與所述第一電容的第二端連接；所述第三電容的一端與所述第一電容的第二端連接，另一端與所述控制芯片的接地端連接。
6.如權(quán)利要求4所述的電壓力鍋，其特征在于，所述第一信號輸入端為所述控制芯片的比較器反向輸入端，所述第二信號輸入端為所述控制芯片的比較器正向輸入端。
【文檔編號】H05B6/06GK203563219SQ201320578350
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】陳建化 申請人:美的集團股份有限公司, 廣東美的生活電器制造有限公司