一種碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋的制作方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，包括上頂蓋和下頂蓋，上頂蓋中間設(shè)有第一通孔，下頂蓋中間均設(shè)有第二通孔，第一通孔和第二通孔的中心線在同一直線上，所述下頂蓋設(shè)有頂起裝置，本實用新型頂起裝置的設(shè)置，保證了在拆分上、下頂蓋時更加方便，平頭石墨螺栓的選擇，保證了對上、下頂蓋的無損拆分，同時保證螺栓在高溫環(huán)境下不被破壞。
【專利說明】一種碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及外延生長設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種外延生長設(shè)備反應(yīng)室的頂蓋結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]由于碳化硅本身具有大禁帶寬度、優(yōu)良的穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿場強、高飽和電子漂移速度等優(yōu)良特性，所以碳化硅成為制作高溫、大功率、高頻和強輻射電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅器件能夠在10倍于硅器件的電場強度下正常工作。而用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生長在碳化硅襯底上的碳化硅外延片。目前碳化硅外延生長已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)化，用于外延生長碳化硅的設(shè)備中，反應(yīng)室頂蓋為設(shè)備中重要的一個部件，在外延生長反應(yīng)室設(shè)計中起到了很大的作用，它能調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)部溫度場分布，改善外延生長條件，是外延生長反應(yīng)室重要的組成部分。
[0003]傳統(tǒng)外延反應(yīng)室頂蓋的缺點:
[0004]頂蓋主要分為兩部分:上頂蓋為隔熱材料石墨泡沫，下頂蓋為帶有TaC涂層的高純石墨。在實際使用中，下頂蓋上會有很多中間產(chǎn)物的沉積。這些沉積物隨著使用時間的增加越來越厚，并會在外延生長過程中掉落到晶片上從而引起外延生長缺陷的產(chǎn)生，因此需要定期對下頂蓋進行拆卸、清理和更換。然而當(dāng)前的頂蓋設(shè)計很難避免在拆卸下頂蓋時不對上、下頂蓋造成永久性損壞，其原因在于:在進行多次外延生長后，頂蓋會由于高溫而變形，另外，反應(yīng)的中間產(chǎn)物會將上頂蓋與下頂蓋之間的縫隙填滿，使其牢固的粘附在一起，很難分開。因此，當(dāng)強力拆卸下頂蓋時很容易對上、下頂蓋造成損壞，而且會對反應(yīng)室腔體造成污染。因此，在通常的設(shè)備清理維護時，都不將下頂蓋拆卸下來，而是直接在反應(yīng)室內(nèi)部清理下頂蓋上的沉積物。清理過程中會產(chǎn)生大量粉塵等污染，會對后續(xù)碳化硅外延生長的質(zhì)量造成很大影響。為了保持反應(yīng)室腔體的干凈，減少外延生長過程中的表面掉落物缺陷和其他缺陷，及時拆卸和更換下頂蓋是必須的，然而傳統(tǒng)頂蓋的設(shè)計在拆卸時很難將上、下頂蓋分開，這樣就凸顯上述設(shè)計的不足。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型提出一種方便、無損拆卸的碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，解決了現(xiàn)有技術(shù)中碳化硅外延生長反應(yīng)室頂蓋的上、下頂蓋不易分離、拆卸，不易清理維護，以及在拆卸過程中容易對頂蓋造成破壞的問題。
[0006]本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0007]一種碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，包括上頂蓋和下頂蓋，所述上頂蓋中間設(shè)有第一通孔，所述下頂蓋中間設(shè)有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的中心線在同一直線上，所述下頂蓋設(shè)有頂起裝置。
[0008]進一步，所述頂起裝置包括螺栓和螺孔，所述螺孔均勻分布在所述下頂蓋邊緣，所述螺栓與所述螺孔螺紋連接。[0009]優(yōu)選的，所述螺孔的數(shù)量為6個-12個，相鄰的所述螺孔間距為5mm-15mm，所述螺孔的直徑為2mm-10mm。
[0010]進一步，所述螺栓為平頭螺栓。
[0011]進一步，所述螺栓為石墨螺栓。
[0012]本實用新型的有益效果:
[0013]1、頂起裝置的設(shè)置，保證了在拆分上、下頂蓋時更加方便，在拆卸所述下頂蓋時，將頂起裝置中的螺栓擰緊，利用擰緊螺栓時產(chǎn)生的推力推動上頂蓋與下頂蓋分離。
[0014]2、選擇平頭石墨螺栓，平頭的螺栓可保證其與上頂蓋接觸時，上頂蓋不被損壞，保證了上、下頂蓋能夠完好無損地分離；含有石墨材質(zhì)的螺栓具有耐高溫的特性，保證了其在高溫環(huán)境下不被破壞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本實用新型的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0019]參照圖1和2，一種碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，包括上頂蓋I和下頂蓋2，所述上頂蓋中間設(shè)有第一通孔3，所述下頂蓋中間設(shè)有第二通孔4，所述第一通孔3和所述第二通孔4的中心線在同一直線上，所述下頂蓋2設(shè)有頂起裝置。
[0020]本實用新型連接于一個不銹鋼外蓋上，不銹鋼外蓋中間設(shè)有一個凸起，該凸起上設(shè)有卡槽，將所述第一通孔3和所述第二通孔4套進該凸起后，再將設(shè)有卡扣的石墨卡環(huán)套進凸起，旋轉(zhuǎn)石墨卡環(huán)，將卡扣旋進卡槽，從而將所述上頂蓋I和所述下頂蓋2鎖緊固定。
[0021]所述上頂蓋I為一種隔熱材料石墨泡沫制成，該材料具有隔熱、保溫的功能，下頂蓋2為帶有TaC涂層的高純度石墨，所述下頂蓋2在保溫的同時，還與反應(yīng)器內(nèi)的感應(yīng)圈配合，形成一定的加熱功能。
[0022]優(yōu)選的，所述頂起裝置包括螺栓5和螺孔6，所述螺孔6均勻分布在所述下頂蓋2邊緣，所述螺栓5與所述螺孔6螺紋連接。在拆卸所述下頂蓋2時，由于反應(yīng)的中間產(chǎn)物會將所述上頂蓋I與所述下頂蓋2之間的縫隙填滿，使其牢固的粘附在一起，很難分開，因此將所述螺栓5擰緊，利用擰緊所述螺栓5時產(chǎn)生的推力推動所述上頂蓋I與所述下頂蓋2分離，優(yōu)選的，所述螺孔6的數(shù)量可設(shè)置6個-12個，相鄰的所述螺孔6間距在5mm-15mm之間，所述螺孔6的直徑在2mm-10mm之間，當(dāng)然，由于頂蓋直徑的不同，可以根據(jù)需要設(shè)置所述螺孔6的個數(shù)、間距和直徑。
[0023]優(yōu)選的，所述螺栓5為平頭螺栓，選擇所述平頭螺栓，可保證其與所述上頂蓋I接觸時，所述上頂蓋I不被損壞。
[0024]優(yōu)選的，所述螺栓5為石墨螺栓，石墨具有耐高溫的特性，可保護所述螺栓5在高溫環(huán)境中不被破壞。
[0025]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，包括上頂蓋和下頂蓋，其特征在于:所述上頂蓋中間設(shè)有第一通孔，所述下頂蓋中間設(shè)有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的中心線在同一直線上，所述下頂蓋設(shè)有頂起裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，其特征在于:所述頂起裝置包括螺栓和螺孔，所述螺孔均勻分布在所述下頂蓋邊緣，所述螺栓與所述螺孔螺紋連接。
3.如權(quán)利要求2所述的碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，其特征在于:所述螺孔的數(shù)量為6-12個，相鄰的所述螺孔間距為5-15mm，所述螺孔的直徑為2-lOmm。
4.如權(quán)利要求2或3所述的碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，其特征在于:所述螺栓為平頭螺栓。
5.如權(quán)利要求4所述的碳化硅外延生長反應(yīng)室的頂蓋，其特征在于:所述螺栓為石墨螺栓。
【文檔編號】C30B35/00GK203462174SQ201320583082
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月21日
【發(fā)明者】馮淦, 趙建輝 申請人:瀚天天成電子科技（廈門）有限公司