透明導(dǎo)電性膜的制造方法、透明導(dǎo)電性膜及電子器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜的制造方法中，首先，在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物層。接著，對(duì)化合物層賦予能量而將至少一部分的硅氮烷化合物轉(zhuǎn)換為具有硅氧烷鍵的化合物來(lái)將化合物層進(jìn)行改性。而且，在改性前的化合物層上、或改性后的化合物層上形成由銀或以銀為主要成分的合金形成了的金屬層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】透明導(dǎo)電性膜的制造方法、透明導(dǎo)電性膜及電子器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電性膜的制造方法、以及透明導(dǎo)電性膜及具備其的電子器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，在液晶顯示元件（LCD)、太陽(yáng)能電池（PV)、有機(jī)電致發(fā)光元件（以下，記作 有機(jī)EL元件）等的各種電子器件中，從其安全性的提高、成本降低的實(shí)現(xiàn)、適用范圍的擴(kuò)大 等的觀點(diǎn)出發(fā)，對(duì)電子器件要求輕量化、撓性。為了使這些電子器件具有撓性，作為電子器 件的基材，不是以往使用的玻璃基材，而需要使用塑料基材。進(jìn)一步，例如，在使用有機(jī)EL 元件作為各種顯示器的背光、招牌、應(yīng)急燈等的顯示板、照明等的光源的情況下，為了將進(jìn) 行了面發(fā)光的光取出至外部，需要使用透明電極（透明導(dǎo)電性膜）作為電極。
[0003] 作為透明電極的形成材料，一般使用氧化銦錫（Sn02-In20 3 :ΙΤ0)等的氧化物半導(dǎo) 體系的材料，但在ΙΤ0中含有稀有金屬的銦。因此，在這樣透明電極中存在材料成本高、為 了降低電阻而需要在成膜后在300°C左右進(jìn)行退火處理等的課題。另外，為了擴(kuò)大有機(jī)EL 元件的面積，需要進(jìn)一步降低透明電極的電阻值，但ΙΤ0也存在在電阻值的降低方面有界 限的問(wèn)題。
[0004] 因此，以往，為了降低透明電極的電阻，提案有各種技術(shù)（例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1? 3) 〇
[0005] 在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，提案有將由ΙΤ0構(gòu)成的透明高折射率薄膜層和由銀或銀合金構(gòu) 成的透明金屬薄膜層進(jìn)行層疊而形成透明電極的技術(shù)。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，提案有例如 在由ΙΤ0構(gòu)成的第1透明電極膜上依次層疊氧化銀系薄膜及由ΙΤ0構(gòu)成的第2透明電極膜 而形成透明電極的技術(shù)。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，提案有用含有銀及鋁作為主要成分的合金 薄膜構(gòu)成透明電極的技術(shù)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，通過(guò)該技術(shù)，在透明電極中，以比銀膜單體的 膜厚薄的膜厚確保導(dǎo)電性、謀求光透射率的確保及電阻的降低的兩者。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0008] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2002-15623號(hào)公報(bào)
[0009] 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2006-164961號(hào)公報(bào)
[0010] 專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2009_151%3號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明要解決的課題
[0012] 如上所述，以往，提案有各種構(gòu)成的透明電極（透明導(dǎo)電性膜）。但是，例如，在上 述專(zhuān)利文獻(xiàn)1及2中提案的技術(shù)中，由于使用ΙΤ0作為透明電極的形成材料之一，因此殘留 上述的ΙΤ0的問(wèn)題。另外,上述專(zhuān)利文獻(xiàn)3中提案的技術(shù)中，存在透明電極中所含的鋁容易 氧化、在氧化后生成的氧化鋁成為非常高的電阻體而因此電極制作時(shí)和/或因經(jīng)時(shí)變化而 透明電極的電阻增大這樣的課題。
[0013] 另外，目前，也進(jìn)行了使用由電導(dǎo)率高的銀等構(gòu)成的金屬薄膜作為透明電極的研 究。但是，一般已知：例如膜厚為l〇nm以下的銀薄膜不是均勻的連續(xù)膜而形成不連續(xù)的島 狀結(jié)構(gòu)的膜。因此，為了使銀薄膜作為導(dǎo)電膜起作用，需要某種程度上加厚其膜厚（例如 15nm以上）。但是，在該情況下，難以確保光透明性。
[0014] 即使為lOrnn以下的膜厚，只要可以以均勻的連續(xù)膜形成銀薄膜，則可得到具備低 電阻及光透射性的兩者的透明電極，可以解決上述銀薄膜的問(wèn)題，但迄今為止對(duì)于這樣的 技術(shù)，實(shí)用上沒(méi)有進(jìn)行充分的提案。
[0015] 進(jìn)一步，一般已知：在高濕度的環(huán)境下對(duì)銀電極施加電壓時(shí)，在銀電極內(nèi)由于電分 解作用而容易產(chǎn)生離子遷移。在銀電極中產(chǎn)生離子遷移時(shí)，也有可能產(chǎn)生配線短路。因此， 如上所述，在作為電子器件的基材要求塑料基材的利用的現(xiàn)狀中，為了穩(wěn)定地維持銀薄膜， 需要以高的水平抑制來(lái)自基材的水分透過(guò)。
[0016] 本發(fā)明是鑒于上述狀況而完成的發(fā)明。本發(fā)明的目的在于，提供兼?zhèn)涑浞值膶?dǎo)電 性和光透射性、且性能穩(wěn)定性優(yōu)異（水蒸氣阻隔性優(yōu)異）的透明導(dǎo)電性膜的制造方法、透明 導(dǎo)電性膜及具備其的電子器件。
[0017] 用于解決課題的手段
[0018] 為了解決上述課題，本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜的制造方法按照以下的步驟來(lái)進(jìn)行。 首先，在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物層。接著，對(duì)化合物層賦予能量而將至少一 部分的硅氮烷化合物轉(zhuǎn)換為具有硅氧烷鍵的化合物來(lái)將化合物層進(jìn)行改性。而且，在改性 前的化合物層上或改性后的化合物層上形成由銀或以銀為主要成分的合金形成、具有透明 性的金屬層。
[0019] 另外，本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜，為用上述本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜的制造方法制造 了的透明導(dǎo)電性膜，具備：基材、設(shè)于基材上的改性化合物層、和設(shè)于改性化合物層上的金 屬層。予以說(shuō)明，改性化合物層含有通過(guò)將硅氮烷化合物進(jìn)行改性而得到的具有硅氧烷鍵 的化合物。另外，金屬層由銀或以銀為主要成分的合金形成，具有透明性。
[0020] 進(jìn)一步，本發(fā)明的電子器件，具備上述本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜。
[0021] 發(fā)明的效果
[0022] 如上所述，在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜的制造方法中，對(duì)在基材和金屬層之間形成 的、含有硅氮烷化合物的化合物層賦予能量而將至少一部分的硅氮烷化合物轉(zhuǎn)換為具有硅 氧烷鍵的化合物來(lái)將化合物層進(jìn)行改性。由此，根據(jù)本發(fā)明，可以得到兼?zhèn)涑浞值膶?dǎo)電性和 光透射性、且性能穩(wěn)定性優(yōu)異的（水蒸氣阻隔性優(yōu)異的）透明導(dǎo)電性膜、及具備其的電子器 件。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的概略構(gòu)成剖面圖。
[0024]圖2A?2C是表示第1實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的制造手法的步驟的工序 圖。
[0025] 圖3A?3C是表示第1實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的制造手法的其它步驟（變 形例1)的工序圖。
[0026]圖4A?4D是表示第1實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的制造手法的其它步驟（變 形例2)的工序圖。
[0027]圖5是本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的概略構(gòu)成剖面圖。
[0028]圖6A?6D是表示第2實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的制造手法的步驟的工序 圖。
[0029]圖7是本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的電子器件（有機(jī)EL元件）的概略構(gòu)成剖面 圖。
[0030]圖8是變形例3的電子器件的概略構(gòu)成剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜及其制造方法、以及具備本發(fā)明 的實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的電子器件的一例，一邊參照附圖，一邊按下述的順序進(jìn) 行說(shuō)明。予以說(shuō)明，本發(fā)明的技術(shù)的范圍應(yīng)該基于專(zhuān)利權(quán)利要求的記載而確定，并不限定于 以下的實(shí)施方式。另外，附圖中所示的各部的尺寸比率在說(shuō)明的方便上被夸張，有時(shí)與實(shí)際 的尺寸比率不同。
[0032] 1.第1實(shí)施方式：透明導(dǎo)電性膜的第1構(gòu)成例
[0033] 2.第2實(shí)施方式：透明導(dǎo)電性膜的第2構(gòu)成例
[0034] 3_第3實(shí)施方式：電子器件的構(gòu)成例
[0035] 4.各種實(shí)施例
[0036] < 1·第1實(shí)施方式：透明導(dǎo)電性膜的第1構(gòu)成例>
[0037][透明導(dǎo)電性膜的整體構(gòu)成]
[0038] 圖1中表示第1實(shí)施方式涉及的透明導(dǎo)電性膜的概略構(gòu)成剖面圖。予以說(shuō)明，本 說(shuō)明書(shū)中所說(shuō)的"透明"，是指波長(zhǎng)550nm下的光透射率為50%以上。
[0039] 透明導(dǎo)電性膜10,如圖1中所示，具備：基材11、改性化合物層12和金屬層13。而 且，在本實(shí)施方式中，在基材11的一個(gè)面上依次層疊改性化合物層12及金屬層13。予以說(shuō) 明，圖1中沒(méi)有示出，但在基材11的改性化合物層12側(cè)的表面也可以設(shè)置防滲出層。所謂 防滲出層，是指用于防止基材11中含有的各種添加劑隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而析出于基材11的 表面的層。予以說(shuō)明，各部的構(gòu)成，在后面進(jìn)行詳述。
[0040] [透明導(dǎo)電性膜的制造手法]
[0041] 在此，一邊參照?qǐng)D2A?2C，一邊對(duì)本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜10的制造手法的 一例簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。予以說(shuō)明，圖2A?2C是表示透明導(dǎo)電性膜10的制造工序的步驟的 圖，各圖是各工序結(jié)束時(shí)的層疊構(gòu)件的概略構(gòu)成剖面圖。另外，對(duì)于各制造工序中的更詳細(xì) 的處理?xiàng)l件等，在后述的各部的詳細(xì)說(shuō)明中進(jìn)行說(shuō)明。
[0042] 首先，準(zhǔn)備在表面設(shè)有防滲出層（未圖示）的基材11。接著，將含有硅氮烷化合物 的涂布液涂布于基材11的防滲出層側(cè)的表面上。而且，將涂布于基材11上的涂布液進(jìn)行 干燥，形成規(guī)定膜厚的硅氮烷化合物層14 (化合物層）（圖2A的狀態(tài)）。
[0043] 接著，在硅氮烷化合物層14上形成由銀（Ag)或以銀為主要成分的合金構(gòu)成的金 屬層13 (圖2B的狀態(tài)）。此時(shí)，在本實(shí)施方式中，用現(xiàn)有已知的手法在硅氮烷化合物層14 上形成金屬層13,將其膜厚設(shè)為例如約4?12nm、優(yōu)選約4?9nm左右。
[0044] 而且，對(duì)在基材11上形成有硅氮烷化合物層14及金屬層13的層疊構(gòu)件（層疊 體）賦予光、等離子體、熱等的能量（以下，稱(chēng)為改性能量），將硅氮烷化合物層14(改性對(duì) 象層）內(nèi)的至少一部分的硅氮烷化合物進(jìn)行改性，生成改性化合物層12 (圖2C的狀態(tài)）。 [0045]在本實(shí)施方式中，這樣制作透明導(dǎo)電性膜1〇。予以說(shuō)明，在硅氮烷化合物層 14的 改性處理中，硅氮烷化合物層14內(nèi)的至少一部分的硅氮烷化合物轉(zhuǎn)換為具有硅氧烷鍵的 化合物（例如氧氮化硅化合物等）。
[0046]在本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜10的制造手法中，如上所述，在硅氮烷化合物層14 上形成薄膜的金屬層13。此時(shí)，通過(guò)金屬層13內(nèi)的銀和硅氮烷化合物層14內(nèi)的具有氮原 子的化合物之間的相互作用，銀的凝聚受到抑制。其結(jié)果，在本實(shí)施方式中，可以在硅氮烷 化合物層14上穩(wěn)定地形成均勻的薄膜的金屬層13(連續(xù)膜），可以得到導(dǎo)電性及光透射性 的兩者優(yōu)異的金屬層13。予以說(shuō)明，對(duì)于該效果，在后面進(jìn)行詳述。
[0047]另外，在本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜10的制造手法中，如上所述，對(duì)硅氮烷化合 物層14實(shí)施改性處理而生成改性化合物層12。該情況下，可以使改性化合物層丨2的致密 性提高，可以對(duì)改性化合物層12附加水蒸氣阻隔性能。即，在本實(shí)施方式的上述制造手法 中，可以制作兼?zhèn)涑浞值膶?dǎo)電性和光透射性、且性能穩(wěn)定性高的（水蒸氣阻隔性也優(yōu)異的） 透明導(dǎo)電性膜10。
[0048][制造方法的變形例]
[0049] 本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜10的制造手法并不限定于圖2A?2C中所示的例子。 例如，可以對(duì)在硅氮烷化合物層14上層疊金屬層13之前的層疊構(gòu)件進(jìn)行上述改性處理 (變形例1)。另外，例如，可以對(duì)在硅氮烷化合物層14上層疊金屬層13之前及之后的各層 疊構(gòu)件實(shí)施改性處理（變形例2)。
[0050] 圖3A?3C中表示變形例1中的透明導(dǎo)電性膜10的制造工序的步驟。予以說(shuō)明， 圖3A?3C的各圖為各工序結(jié)束時(shí)的層疊構(gòu)件的概略構(gòu)成剖面圖。
[0051] 在變形例1中，首先，與上述實(shí)施方式同樣地，在基材11的防滲出層（未圖示）側(cè) 的表面上形成硅氮烷化合物層14 (圖3A的狀態(tài)）。
[0052] 接著，對(duì)在基材11上形成有硅氮烷化合物層14的層疊構(gòu)件賦予改性能量，將至少 一部分的硅氮烷化合物進(jìn)行改性，生成改性化合物層12 (圖3B的狀態(tài)）。
[0053] 而且，在改性化合物層12上形成由銀或以銀為主要成分的合金構(gòu)成的金屬層 13 (圖3C的狀態(tài)）。在變形例1中，這樣制作透明導(dǎo)電性膜10。
[0054] 另外，圖4A?4D中表示變形例2中的透明導(dǎo)電性膜10的制造工序的步驟。予以 說(shuō)明，圖4A?4D的各圖為各工序結(jié)束時(shí)的層疊構(gòu)件的概略構(gòu)成剖面圖。
[0055] 在變形例2中，首先，與上述實(shí)施方式同樣地，在基材11的防滲出層（未圖示）側(cè) 的表面上形成硅氮烷化合物層14 (圖4A的狀態(tài)）。
[0056] 接著，對(duì)在基材11上形成有硅氮烷化合物層14的層疊構(gòu)件賦予改性能量，對(duì)硅氮 烷化合物層14實(shí)施第1改性處理，生成硅氮烷化合物層14的改性化合物層I 5 (圖4B的狀 態(tài)）。予以說(shuō)明，第1改性處理設(shè)為以硅氮烷化合物層14的平滑化為目的，以硅氮烷化合 物層14的表面層沒(méi)有完全被改性的程度進(jìn)行。由此，由第1改性處理生成的改性化合物層 15,以在其表面層殘留有某種程度的氮的狀態(tài)來(lái)生成，其次，確保與在其上部形成的層的密 合性。
[0057] 接著，在第1改性處理形成的改性化合物層15上形成由銀或以銀為主要成分的合 金構(gòu)成的金屬層13 (圖4C的狀態(tài)）。而且，對(duì)在基材11上形成有改性化合物層15及金屬 層13的層疊構(gòu)件再次賦予改性能量，對(duì)改性化合物層15實(shí)施第2改性處理，生成對(duì)改性化 合物層15進(jìn)一步進(jìn)行了改性的改性化合物層12(圖4D的狀態(tài)）。在變形例2中，這樣制作 透明導(dǎo)電性膜10。
[0058] 即使在上述的變形例1及2的制造手法中，也可以制作本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性 膜10,得到同樣的效果。特別是如變形例1及2那樣，對(duì)層疊金屬層13之前的層疊構(gòu)件實(shí) 施了改性處理（在變形例2中為第1改性處理）的情況下，可以更穩(wěn)定地得到均勻的金屬 膜，其結(jié)果，即使在其后接下來(lái)的層疊工序中，也可以更穩(wěn)定地制作層疊體。
[0059][各部的構(gòu)成及改性處理的細(xì)節(jié)]
[0060] 以下，對(duì)構(gòu)成透明導(dǎo)電性膜10的各部分，更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
[0061] ⑴基材
[0062] 基材11只要是具有透明性的基材，就可以由任意的基材構(gòu)成。予以說(shuō)明，在本實(shí) 施方式中，優(yōu)選由撓性及光透射性優(yōu)異的樹(shù)脂膜構(gòu)成基材11。
[0063] 作為樹(shù)脂膜，可以使用例如由丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)、聚芳酯、聚氯 乙烯（PVC)、聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)、聚苯乙烯（PS)、尼龍（Ny)、芳香族聚酰胺、聚醚醚 酮、聚砜、聚醚砜、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺等的材料構(gòu)成的樹(shù)脂膜。另外，作為樹(shù)脂膜，可以 使用由以倍半硅氧烷為基本骨架的材料構(gòu)成、具有有機(jī)無(wú)機(jī)混合結(jié)構(gòu)的耐熱透明膜（例如 Sila-DEC(注冊(cè)商標(biāo)）^株式會(huì)社制）等。
[0064] 上述各種膜中，在成本或獲得的容易性的觀點(diǎn)方面，優(yōu)選使用由聚對(duì)苯二甲酸乙 二醇酯（PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)構(gòu)成的 樹(shù)脂膜。另外，在光學(xué)的透明性、耐熱性等的觀點(diǎn)方面，優(yōu)選將具有有機(jī)無(wú)機(jī)混合結(jié)構(gòu)的耐 熱透明膜作為樹(shù)脂膜來(lái)使用。予以說(shuō)明，在本實(shí)施方式中，既可以分別單獨(dú)使用上述各種 膜，也可以組合使用2種以上的膜。
[0065] 另外，使用了上述各種樹(shù)脂膜的基材11，既可以為未拉伸膜，也可以為拉伸膜。該 情況下，可以利用以往公知的一般的手法來(lái)制造樹(shù)脂膜。例如，將作為材料的樹(shù)脂通過(guò)擠出 機(jī)而熔融、將該熔融樹(shù)脂從環(huán)狀口?；騎型口模擠出后，進(jìn)行驟冷，由此可以以實(shí)質(zhì)上無(wú)定 形制造沒(méi)有取向性的未拉伸膜。另外，可以通過(guò)利用未拉伸膜進(jìn)行單軸拉伸、拉幅機(jī)式依次 雙軸拉伸、拉幅機(jī)式同時(shí)雙軸拉伸、管式同時(shí)雙軸拉伸等的公知的方法在樹(shù)脂基材的流動(dòng) (縱軸）方向、或與樹(shù)脂基材的流動(dòng)方向正交（橫軸）的方向進(jìn)行拉伸來(lái)制造拉伸膜。該情 況的拉伸倍數(shù)，可以根據(jù)作為樹(shù)脂基材的原料的樹(shù)脂來(lái)適當(dāng)選擇，例如，各方向的拉伸倍數(shù) 優(yōu)選為約2倍?10倍。
[0066] 作為基材11使用樹(shù)脂膜的情況下，樹(shù)脂膜的厚度優(yōu)選為約5?500μηι，更優(yōu)選為 約 25 ?250 μ m。
[0067] 另外，作為基材11使用樹(shù)脂膜的情況下，樹(shù)脂膜的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為約50ppm/°C 以下，更優(yōu)選為約1?50ppm/°C。通過(guò)將樹(shù)脂膜的線膨脹系數(shù)設(shè)為5〇ppm/°C以下，在將本 實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜10應(yīng)用于液晶顯示裝置（LCD面板）、有機(jī)EL元件等的電子器件 的情況下，可以抑制對(duì)于環(huán)境溫度變化等的色偏移的產(chǎn)生、樹(shù)脂膜（基材11)的變形。
[0068] 予以說(shuō)明，在本說(shuō)明書(shū)中，所謂"線膨脹系數(shù)"，是指通過(guò)下述的方法而測(cè)定了的線 膨脹系數(shù)的值。具體而言，使用EXSTAR TMA/SS6000型熱應(yīng)力變形測(cè)定裝置（七4 3 - 4 > 乂 V >株式會(huì)社制），將基材11在氮氛圍下以5? /分鐘加熱至30?5(TC后，暫時(shí)維持其 溫度。其后，再次將基材11以5°C /分鐘加熱至30?15(TC,此時(shí)，以拉伸模式（荷重5g) 測(cè)定基材11的尺寸變化。而且，由此時(shí)的基材11的尺寸變化求出線膨脹系數(shù)。
[0069] 另外，在本實(shí)施方式中，基材11對(duì)于可見(jiàn)光（400nm?700nm)的光透射率，優(yōu)選為 約80%以上，更優(yōu)選為約90%以上。通過(guò)將基材11的光透射率設(shè)為80%以上，在將本實(shí)施 方式的透明導(dǎo)電性膜10應(yīng)用于液晶顯示裝置（LCD面板）或有機(jī)EL元件等的電子器件的 情況下，可以得到高的亮度。
[0070] 予以說(shuō)明，在本說(shuō)明書(shū)中，所謂"光透射率"，是指：通過(guò)使用分光度計(jì)（可見(jiàn)紫外 線分光度計(jì)uv-2500PC :株式會(huì)社島津制作所制）、根據(jù)ASTM D-1003規(guī)格測(cè)定相對(duì)于可見(jiàn) 光線的入射光量的全透過(guò)光量而算出的、可見(jiàn)光區(qū)域中的平均透射率。
[0071] 另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)于基材11，可以實(shí)施電暈處理等的親水化處理。在該情 況下，可以使基材11與層疊于其上的層的密合性提高。
[0072] 進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中，在層疊例如改性化合物層12等的基材11的表面，可以 根據(jù)需要設(shè)置如下的各種層。例如，也可以在基材11的表面設(shè)置錨涂層（易粘接層）。在 該情況下，可以使基材11與改性化合物層12 (或硅氮烷化合物層14)、后述的平滑層的密合 性提尚。
[0073]作為錨涂層的形成材料（錨涂劑），可以使用任意的錨涂劑，例如，優(yōu)選使用硅烷 偶聯(lián)劑。在該情況下，可以在基材11上形成從單分子水平到納米水平的薄膜，可以在層界 面形成分子鍵，可以得到高的粘接性。
[0074] 另外，例如，可以在由丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、硅氧烷聚合物等的材料構(gòu)成的基材11的表 面設(shè)置用于將該基材11的表面平滑化的平滑層。予以說(shuō)明，平滑層優(yōu)選為兼具備層間密合 性、應(yīng)力緩和性、及防止來(lái)自基材11等的滲出的性能的層。
[0075] 另外，在本實(shí)施方式中，可以在基材11的背面（與層疊改性化合物層12等的面相 反側(cè)的面）設(shè)置背涂層。該情況下，可以改良透明導(dǎo)電性膜10的卷曲平衡調(diào)整時(shí)、器件的 制作過(guò)程時(shí)的耐性、操作適合性等。
[0076] (2)改性化合物層及其生成手法
[0077] (2_1)改性化合物層的構(gòu)成
[0078] 改性化合物層12,如上所述，可以通過(guò)對(duì)硅氮烷化合物層14賦予光、等離子體、熱 等的改性能量而生成。通過(guò)該改性能量的施加處理（改性處理），硅氮烷化合物層14內(nèi)的 至少一部分的硅氮烷化合物轉(zhuǎn)換（改性）為具有硅氧烷鍵的化合物。
[0079] 予以說(shuō)明，在本實(shí)施方式中，既可以為改性化合物層12內(nèi)部的一部分進(jìn)行了改性 的狀態(tài)，也可以為改性化合物層12內(nèi)部整體進(jìn)行了改性的狀態(tài)。在前者的情況下，形成在 改性化合物層12內(nèi)部混雜了硅氮烷化合物和通過(guò)將硅氮烷化合物進(jìn)行改性而生成了的具 有硅氧烷鍵的化合物的狀態(tài)，在后者的情況下，形成在改性化合物層12內(nèi)部的大致整體范 圍內(nèi)生成了具有硅氧烷鍵的化合物的狀態(tài)。
[0080] 另外，改性化合物層12的厚度，優(yōu)選為約lnm?10 μ m，更優(yōu)選為約2nm?1 μ m， 最優(yōu)選為約5?600nm。在本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜1〇(改性化合物層12)中，優(yōu)選具有 水蒸氣阻隔性，通過(guò)將改性化合物層12的膜厚設(shè)為lnm以上，可以對(duì)透明導(dǎo)電性膜10附加 水蒸氣阻隔性。另外，通過(guò)將改性化合物層12的膜厚設(shè)為10 μ m以下，在改性化合物層12 中難以產(chǎn)生裂縫。
[0081]予以說(shuō)明，在本說(shuō)明書(shū)中，所謂"具有水蒸氣阻隔性"，是指：用根據(jù)JIS κ 7129-1的2的方法測(cè)定的水蒸氣透過(guò)度（溫度：40±0_5°C、相對(duì)濕度（RH) :90±2% )為 0.01gAm2*24h)以下、或用鈣法測(cè)定的水蒸氣透過(guò)率為0.01gAm2,24h)以下。予以說(shuō)明， 在本實(shí)施方式中，透明導(dǎo)電性膜 10優(yōu)選用根據(jù)JIS K 7126_1987的方法測(cè)定的氧透過(guò)度為 〇· 01mlV(m2 · 24h · atm)以下。
[0082] 進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中，既可以以單層構(gòu)成改性化合物層12,也可以以多層構(gòu) 成。
[0083]例如，將改性化合物層12設(shè)為2層構(gòu)成的情況下，首先，與上述第1實(shí)施方式同樣 地，在基材上設(shè)置第1硅氮烷化合物層。接著，對(duì)第1硅氮烷化合物層實(shí)施充分的改性處理 而形成第1改性化合物層。接著，在第1改性化合物層上再次層疊第2硅氮烷化合物層。接 著，在第2硅氮烷化合物層上設(shè)置由銀或以銀為主要成分的合金構(gòu)成的金屬層。而且，對(duì)形 成有各種層的層疊構(gòu)件再次實(shí)施改性處理。這樣，可以制作改性化合物層為2層構(gòu)成的透 明導(dǎo)電性膜。
[0084] 這樣，在設(shè)有多個(gè)改性化合物層的情況下，可以有效地修復(fù)由雜質(zhì)引起的缺陷、針 孔等的納米水平的缺陷，可以制作具有更高的水蒸氣阻隔性的透明導(dǎo)電性膜。
[0085] (2-2)硅氮烷化合物層
[0086] (2-2-A)硅氮烷化合物
[0087] 作為硅氮烷化合物層14的形成材料的硅氮烷化合物，為在其結(jié)構(gòu)內(nèi)具有Si-N鍵 的化合物，且為通過(guò)上述改性能量的施加而轉(zhuǎn)換為具有硅氧烷鍵的化合物的化合物。具體 而言，可以將例如作為無(wú)機(jī)前體而已知的六甲基二硅氮烷等的硅烷偶聯(lián)劑、聚硅氮烷等的 硅氮烷化合物作為硅氮烷化合物層14的形成材料來(lái)使用。其中，優(yōu)選將通過(guò)賦予改性能量 而有效率地改性為具有硅氧烷鍵的無(wú)機(jī)化合物的聚硅氮烷作為硅氮烷化合物層14的形成 材料來(lái)使用。
[0088] 聚硅氮烷為其結(jié)構(gòu)內(nèi)具有Si-N、Si-H、N-Η等鍵的聚合物，作為Si02、Si具及這些 中間固溶體SiOxNy等的無(wú)機(jī)前體起作用。予以說(shuō)明，作為聚硅氮烷，可以使用任意的化合 物，但考慮后述的硅氮烷化合物的改性處理時(shí)，優(yōu)選使用在比較低的溫度下變化為陶瓷而 改性為二氧化硅的化合物。具體而言，聚硅氮烷，優(yōu)選為例如日本特開(kāi)平8-112879號(hào)公報(bào) 中記載的具有由下述通式（1)表示的單元構(gòu)成的主骨架的化合物。
[0089] [化學(xué)式1]
[0090]

【權(quán)利要求】
1. 一種透明導(dǎo)電性膜的制造方法，其包含： 在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物層； 對(duì)所述化合物層賦予能量而將至少一部分的所述硅氮烷化合物轉(zhuǎn)換為具有硅氧烷鍵 的化合物來(lái)將所述化合物層進(jìn)行改性； 在改性前的所述化合物層上、或改性后的所述化合物層上形成由銀或以銀為主要成分 的合金形成、具有透明性的金屬層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性膜的制造方法，其中，所述化合物的改性在形成 所述金屬層前及形成了金屬層后的至少一種情況下進(jìn)行。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明導(dǎo)電性膜的制造方法，其中，所述硅氮烷化合物為聚 硅氮烷。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性膜的制造方法，其中，通過(guò)紫外線照 射、等離子體照射及加熱的任意的方法對(duì)所述化合物層賦予能量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電性膜的制造方法，其中，所述紫外線照射為真空紫 外線照射。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性膜的制造方法，進(jìn)一步包含：在所 述化合物層和所述金屬層之間形成具有以氮原子作為雜原子的雜環(huán)的雜環(huán)化合物層。
7. -種透明導(dǎo)電性膜，其為通過(guò)權(quán)利要求1?6的任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性膜的制造 方法而制造了的。
8. -種透明導(dǎo)電性膜，其具備： 基材； 設(shè)于所述基材上、含有通過(guò)將硅氮烷化合物進(jìn)行改性而得到了的具有硅氧烷鍵的化合 物的改性化合物層； 設(shè)于所述改性化合物層上、由銀或以銀為主要成分的合金形成、具有透明性的金屬層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導(dǎo)電性膜，其中，所述改性化合物層含有硅氮烷化合物 和所述具有硅氧烷鍵的化合物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的透明導(dǎo)電性膜，其中，所述改性化合物層具有水蒸氣阻 隔性。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8?10的任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性膜，其中，進(jìn)一步在所述改性化合 物層和所述金屬層之間具備具有以氮原子作為雜原子的雜環(huán)的雜環(huán)化合物層。
12. -種電子器件，其具備透明導(dǎo)電性膜，所述透明導(dǎo)電性膜具有：基材；設(shè)于所述基 材上、含有通過(guò)將硅氮烷化合物進(jìn)行改性而得到的具有硅氧烷鍵的化合物的改性化合物 層；設(shè)于所述改性化合物層上、由銀或以銀為主要成分的合金形成、具有透明性的金屬層。
【文檔編號(hào)】H05B33/28GK104246918SQ201380020474
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月19日
【發(fā)明者】竹村千代子 申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)株式會(huì)社