印刷電路板及其制造方法
【專利摘要】公開了一種印刷電路板。該印刷電路板包括：包括玻璃纖維的芯絕緣層；在芯絕緣層的上部或下部上的第一絕緣層，該第一絕緣層包括電路圖案凹槽；填充第一絕緣層的電路圖案凹槽的第一電路圖案；覆蓋第一電路圖案的第二絕緣層，第二絕緣層包括在第二絕緣層的頂表面處的電路圖案凹槽；以及填充第二絕緣層的電路圖案凹槽的第二圖案，其中，第一絕緣層包括分布在樹脂材料中的填充物。因此，可以通過如下方式來簡單地形成微型埋入式圖案：通過經(jīng)由鍍覆方案填充基板的凹槽來形成電路圖案的同時(shí)通過化學(xué)機(jī)械蝕刻來去除絕緣層上的鍍覆層。此外，可以通過在將由包括填充物的樹脂形成的絕緣層接合在芯絕緣層上之后在絕緣層中形成埋入式圖案來形成埋入式圖案同時(shí)通過芯絕緣層的玻璃纖維來維持剛度。如上所述，通過單獨(dú)形成用于芯絕緣層上的埋入式圖案的不具有玻璃纖維的薄絕緣層，PCB的總厚度可以薄薄地形成同時(shí)維持剛度。
【專利說明】印刷電路板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種印刷電路板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]印刷電路板(PCB)是通過使用導(dǎo)電材料如銅(Cu)在電絕緣基板上印刷電路線圖案而形成的，并且指的是在其上安裝電子部件之前的板。換言之，PCB指的是這樣的電路板:其中電子部件的安裝位置是確定的，并且連接電子部件的電路圖案固定地印刷在平板上，以使電子器件緊密安裝在平板上。
[0003]在根據(jù)相關(guān)領(lǐng)域的PCB的情況下，根據(jù)電路的設(shè)計(jì)，電路圖案形成為多層構(gòu)造。在這種情況下，通過蝕刻薄銅層或者在絕緣層上鍍覆薄銅層，電路圖案可以從絕緣層向上突起。
[0004]因此，在該絕緣層上形成有其他絕緣層以覆蓋從該絕緣層突起的電路圖案，并且其他電路圖案從其他絕緣層突起，使得PCB的總厚度增加并且存在對(duì)形成微型電路的限制。
[0005]另一方面，近年來，為了電子部件的高性能和小型化的目的，已使用了具有減小的厚度和平坦化的表面的埋入式圖案基板。
[0006]圖1是示出了典型的埋入式圖案PCBlO的圖。
[0007]如圖1所示，埋入式圖案PCBlO包括在絕緣基板I的表面中的埋入式圖案凹槽2和通過經(jīng)由鍍覆工藝填充埋入式圖案凹槽2而形成的電路圖案3。
[0008]具有埋入式電路圖案3的PCBlO因基電路圖案和接觸部的結(jié)構(gòu)而可以相對(duì)于絕緣構(gòu)件具有非常強(qiáng)的粘合強(qiáng)度，并且基電路圖案和接觸部的間距可以均勻和精密地形成。
[0009]然而，當(dāng)埋入式電路圖案3通過鍍覆方案形成時(shí)，在具有圖案凹槽2的區(qū)域與不具有圖案凹槽2的區(qū)域之間出現(xiàn)鍍覆變異，使得在鍍覆處理之后不能均勻地進(jìn)行蝕刻處理。因此，如圖1所示，電路圖案3的預(yù)定區(qū)域可能沒有被蝕刻，使得電路圖案3可能與相鄰電路圖案短路。此外，電路圖案3的其他區(qū)域可能被過蝕刻，使得在信號(hào)傳輸中可能出現(xiàn)錯(cuò)誤。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]技術(shù)問題
[0011]實(shí)施例提供了一種具有埋入式電路圖案的印刷電路板。
[0012]實(shí)施例提供了一種用于制造埋入式電路圖案的新方法。
[0013]問題的解決方案
[0014]根據(jù)實(shí)施例，提供了一種印刷電路板，其包括:包括玻璃纖維的芯絕緣層；在芯絕緣層的上部或下部上的第一絕緣層，該第一絕緣層包括電路圖案凹槽；填充第一絕緣層的電路圖案凹槽的第一電路圖案；覆蓋第一電路圖案的第二絕緣層，第二絕緣層包括在第二絕緣層的頂表面處的電路圖案凹槽；以及填充第二絕緣層的電路圖案凹槽的第二圖案，其中第一絕緣層包括分布在樹脂材料中的填充物。
[0015]根據(jù)實(shí)施例，提供了一種用于制造印刷電路板的方法，該方法包括:在包括玻璃纖維的芯絕緣層的上部或下部處形成不具有玻璃纖維的第一絕緣層；在第一絕緣層中形成第一電路圖案凹槽；通過鍍覆方案形成鍍覆層以填充第一電路圖案凹槽并且覆蓋第一絕緣層的頂表面；通過經(jīng)由化學(xué)機(jī)械蝕刻去除鍍覆層直到露出第一絕緣層為止來形成第一電路圖案；形成第二絕緣層以覆蓋第一埋入式圖案；以及形成第二電路圖案以填充第二絕緣層。
[0016]發(fā)明的有益效果
[0017]根據(jù)實(shí)施例，可以通過以下方式來簡單地形成微型埋入式圖案:在通過經(jīng)由鍍覆方案填充基板的凹槽來形成電路圖案的同時(shí)通過化學(xué)機(jī)械蝕刻去除絕緣層上的鍍覆層。
[0018]此外，蝕刻可以進(jìn)行直到通過化學(xué)機(jī)械蝕刻露出絕緣層且不會(huì)造成相鄰電路圖案之間的短路為止。
[0019]此外，可以通過在將由包括填充物的樹脂形成的絕緣層接合在芯絕緣層上之后在絕緣層中形成埋入式圖案來形成埋入式圖案同時(shí)通過芯絕緣層的玻璃纖維來維持剛度。
[0020]如上所述，通過單獨(dú)形成用于芯絕緣層上的埋入式圖案的不具有玻璃纖維的薄絕緣層，PCB的總厚度可以薄薄地形成同時(shí)維持剛度。
[0021]此外，由于不包括玻璃纖維，所以在形成用于埋入式圖案的凹槽時(shí)可應(yīng)用激光溝槽結(jié)構(gòu)使得PCB可以容易地制造。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是示出了根據(jù)相關(guān)領(lǐng)域的PCB的截面圖。
[0023]圖2是示出了根據(jù)實(shí)施例的PCB的截面圖。
[0024]圖3至圖12是示出了用于制造圖2的PCB的方法的截面圖。
[0025]圖13是示出了根據(jù)另一實(shí)施例的PCB的截面圖。
[0026]圖14至圖25是示出了用于制造圖13的PCB的方法的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述實(shí)施例，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地利用本實(shí)施例。然而，實(shí)施例可以具有各種修改并且可以不限于所示實(shí)施例。
[0028]在下面的描述中，當(dāng)預(yù)定部件包括預(yù)定元件時(shí)，該預(yù)定部件并非排除其他元件，而是如果存在具體的相反描述，則還可以包括其他元件。
[0029]為了方便或清楚的目的，可以放大、省略或示意性描繪附圖中所示的每個(gè)層的厚度和尺寸。此外，元件的尺寸不完全反映實(shí)際的尺寸。遍及附圖，相同的附圖標(biāo)記將被分配給相同的元件。
[0030]在實(shí)施例的描述中，應(yīng)理解的是，當(dāng)層、膜或板被稱為在另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板之上或之下時(shí)，其可以直接地或間接地在其他層、膜、區(qū)域、板之上，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。已參照附圖描述層的這樣的位置。
[0031]實(shí)施例提供了一種具有埋入式電路圖案的PCB，不具有玻璃纖維的薄絕緣層附接至該埋入式電路圖案以形成接合在包括玻璃纖維的芯絕緣層上的埋入式圖案。
[0032]下文中，將參照?qǐng)D2至圖12來描述根據(jù)本實(shí)施例的PCB。
[0033]圖2是示出了根據(jù)本實(shí)施例的PCB的截面圖。
[0034]參照?qǐng)D2，根據(jù)本實(shí)施例的PCB100包括:芯絕緣層110 ;形成在芯絕緣層110的上部或下部處的第一電路圖案125、第二電路圖案135和第三電路圖案145 ;以及填充第一電路圖案125、第二電路圖案135和第三電路圖案145的第一絕緣層120、第二絕緣層130和第三絕緣層140。
[0035]芯絕緣層100是充滿玻璃纖維IlOa的基板。在芯絕緣層110中，玻璃纖維IlOa可以充滿在樹脂材料I 1b如環(huán)氧基絕緣樹脂中，并且填充物110可以分布在樹脂材料I 1b中。
[0036]填充物IlOc可以通過使用AlO3或S12形成為球形或條形。
[0037]芯絕緣層110可以具有在90m至I1m的范圍內(nèi)的厚度，并且優(yōu)選地，厚度可以為10m0
[0038]芯絕緣層110可以包括形成為穿過芯絕緣層110的過孔111。
[0039]如圖2所示，過孔111基于中心區(qū)域彼此對(duì)稱，但本實(shí)施例不限于此。
[0040]可以通過填充過孔111來形成導(dǎo)電通孔126。導(dǎo)電通孔126可以包括金屬材料如包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和鈀(Pd)中至少之一的合金。
[0041]芯絕緣層110在其上或其下形成有用作基電路圖案的多個(gè)第一電路圖案120。
[0042]第一電路圖案125可以包括具有高電導(dǎo)率和低電阻的材料。例如，第一電路圖案125可以包括金屬材料如包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和鈀(Pd)中至少之一的合金。
[0043]第一電路圖案125可以包括單個(gè)層或多個(gè)層。當(dāng)通過鍍覆方案形成第一電路圖案125時(shí)，可以在籽晶層上形成電鍍層。
[0044]籽晶層可以包括銅(Cu)、鎳(Ni)或其合金。包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和鈀(Pd)中至少之一的合金可以應(yīng)用于籽晶層上作為電鍍層。
[0045]延伸部可以在芯絕緣層110上從導(dǎo)電通孔126開始延伸。延伸部可以形成為高度與第一電路圖案125相同。
[0046]芯絕緣層110在其上或其下形成有包圍第一電路圖案125的第一絕緣層120。
[0047]第一絕緣層120可以包括不具有玻璃纖維的樹脂材料，并且填充物可以分布在樹脂材料中。第一絕緣層120可以包括味之素(Ajinomoto)增層膜(ABF)，但是實(shí)施例不限于此。
[0048]第一絕緣層120插入第一電路圖案。第一電路圖案125和第一絕緣層120可以具有相同的厚度，并且可以好地滿足厚度在1m至20m的范圍內(nèi)。
[0049]第一絕緣層120包括露出第一電路圖案125和導(dǎo)電通孔126的延伸部的第一電路圖案凹槽121。
[0050]如上所述，由于第一電路圖案凹槽121形成在僅第一絕緣層120中而沒有延伸到芯絕緣層I1中，所以在形成第一電路圖案凹槽121時(shí)可以防止由玻璃纖維IlOa引起的誤差。
[0051]還可以在第一絕緣層120上形成多個(gè)絕緣層130和140。
[0052]如圖2所示，絕緣層130和140可以具有雙層結(jié)構(gòu)。第二絕緣層130可以形成在第一絕緣層120上，并且第三絕緣層140可以形成在第二絕緣層130上。
[0053]第二絕緣層130和第三絕緣層140可以包括不具有玻璃纖維的絕緣層，特別是具有環(huán)氧樹脂的樹脂材料。
[0054]第二絕緣層130和第三絕緣層140可以包括相同的材料，并且可以比第一絕緣層120 厚。
[0055]第二絕緣層130和第三絕緣層140在其頂表面上形成有第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141，并且電路圖案分別填充在第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141中。
[0056]第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141可以具有與第一電路圖案凹槽121相同的深度，并且第一絕緣層120未因第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141而露出。
[0057]通過分別填充第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141來形成第二電路圖案135和第三電路圖案145。
[0058]第二電路圖案135和第三電路圖案145可以具有與第一電路圖案125相同的厚度，并且可以包括連接至導(dǎo)電通孔126的通孔。
[0059]雖然圖2示出了具有基于芯絕緣層110的三個(gè)上層和三個(gè)下層的總共六層的電路圖案，但是本實(shí)施例不限于此。
[0060]還可以形成阻焊劑150以覆蓋最上面的電路圖案145。
[0061]阻焊劑150通過露出最上面的電路圖案145的連接至通孔的延伸部而形成焊盤。
[0062]下文中，將參照?qǐng)D3至圖12來描述制造圖2的PCB100的方法。
[0063]首先，如圖3所示，分別在芯絕緣層110之上和之下形成第一絕緣層120。
[0064]芯絕緣層100是充滿玻璃纖維IlOa的基板。將玻璃纖維IlOa充滿在樹脂材料如環(huán)氧基絕緣樹脂中，并且將填充物110分布在樹脂材料IlOb中，使得可以形成芯絕緣層110。
[0065]第一絕緣層120可以包括其中未充滿玻璃纖維的樹脂材料。
[0066]芯絕緣層110可以具有在90m至IlOm的范圍內(nèi)的厚度，并且第一絕緣層120的厚度可以為10m。
[0067]接著，如圖4所示，形成穿過芯絕緣層110的過孔111，并且在第一絕緣層120處形成第一電路圖案凹槽121。
[0068]可以通過使用CO2激光或YAG激光穿過玻璃纖維IlOa來形成過孔111。在這種情況下，對(duì)芯絕緣層I1的上部和下部處進(jìn)行處理，使得如圖4所示形成基于芯絕緣層110的中心部分對(duì)稱的過孔111。
[0069]也就是說，過孔111可以具有沙漏形狀，該形狀的寬度從過孔111的中心部分朝頂表面和底表面逐漸增加。
[0070]然而，當(dāng)過孔11形成在芯絕緣層110的一個(gè)表面處時(shí)，過孔111的寬度從一個(gè)表面向另一表面逐漸減小或者具有相同的形狀。
[0071]之后，在第一絕緣層120處形成第一電路圖案凹槽121?？梢酝ㄟ^使用準(zhǔn)分子激光去除第一絕緣層120來形成第一電路圖案凹槽121。在這種情況下，可以在過孔111的頂表面處形成延伸部。
[0072]接著，如圖5所示，形成鍍覆層128以覆蓋過孔111和第一電路圖案凹槽121。
[0073]首先，通過進(jìn)行表面污物去除處理來去除第一絕緣層120的表面上的污物。
[0074]詳細(xì)地，在使第一絕緣層120的表面凸起之后，通過使用高錳酸來去除凸起的第一絕緣層120，并且進(jìn)行濕法蝕刻處理以中和第一絕緣層120，從而去除污物。
[0075]可以通過表面污物去除處理來在第一絕緣層120的表面上提供粗糙結(jié)構(gòu)。
[0076]可以通過化學(xué)鍍覆方案在第一絕緣層120上形成籽晶層。
[0077]化學(xué)鍍覆方案可以按照以下順序進(jìn)行:脫脂工藝、軟蝕刻工藝、預(yù)催化劑工藝、催化劑處理工藝、加速劑工藝、化學(xué)鍍覆工藝和抗氧化處理工藝。此外，籽晶層可以通過使用等離子體濺射金屬粒子來形成。
[0078]籽晶層包括包含Cu、N1、Pd或Cr的合金。
[0079]接著，使用籽晶層作為籽晶來進(jìn)行關(guān)于導(dǎo)電材料的電鍍處理，從而形成鍍覆層128。
[0080]鍍覆層128可以通過進(jìn)行電鍍處理同時(shí)根據(jù)鍍覆面積控制電流來形成。
[0081]鍍覆層128可以包含具有高電導(dǎo)率的Cu。
[0082]接著，如圖6所示，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械蝕刻以去除第一絕緣層120上的鍍覆層128。
[0083]換言之，在將PCB100放置在研磨機(jī)的板上之后，在pH9或以上的堿性環(huán)境下對(duì)過鍍覆的鍍覆層128進(jìn)行研磨。優(yōu)選地，通過使用其中添加氨作為主要成分和添加少量的過氧化物的研磨液來對(duì)過鍍覆的鍍覆層128進(jìn)行研磨。
[0084]研磨機(jī)在板上旋轉(zhuǎn)以引入對(duì)過鍍覆的鍍覆層128和研磨液的物理蝕刻。
[0085]因此，如圖6所示，通過化學(xué)機(jī)械蝕刻對(duì)鍍覆層128進(jìn)行蝕刻直到露出第一絕緣層120為止，以去除保留在第一絕緣層120上的鍍覆層128，從而研磨結(jié)束。
[0086]板的直徑可以為1200mm或更小。此外，板可以設(shè)置有熱導(dǎo)線以使熱傳遞到PCBlOO0因此，可以同時(shí)蝕刻具有510 410或更大的尺寸的PCB100，使得可以去除具有大的面積的鍍覆層128。
[0087]之后，如圖7所示，在第一絕緣層120上形成第二絕緣層130以覆蓋第一電路圖案125。
[0088]第二絕緣層130可以包括環(huán)氧樹脂，但不包括單獨(dú)的玻璃纖維。第二絕緣層130可以比芯絕緣層110薄而比第一絕緣層120厚。
[0089]通過照射準(zhǔn)分子激光在第二絕緣層130上來形成第二電路圖案凹槽131。
[0090]當(dāng)形成第二電路圖案凹槽131時(shí)，由于第二絕緣層130不具有玻璃纖維，所以露出通孔126的延伸部的過孔可以與第二電路圖案凹槽131同時(shí)形成。
[0091]之后，如圖8所示，通過進(jìn)行鍍覆處理來形成鍍覆層138。
[0092]形成鍍覆層138的處理與形成第一電路圖案125的鍍覆層128的處理相同。
[0093]接著，通過進(jìn)行化學(xué)機(jī)械蝕刻來形成圖9的第二電路圖案135。
[0094]接著，如圖10和圖11所示，形成第三絕緣層140和第三電路圖案145。
[0095]可以通過重復(fù)形成第二絕緣層130和第二電路圖案135的工藝來進(jìn)行形成第三絕緣層140和第三電路圖案145的工藝。
[0096]之后，如圖12所示，通過形成露出最上層的連接至通孔126的延伸部并且覆蓋第三電路圖案145的阻焊劑150而制成該P(yáng)CB。
[0097]最上層的通過阻焊劑150露出的延伸部可以用作焊盤。
[0098]如上所述，由于形成有電路圖案的絕緣層不具有玻璃纖維，同時(shí)確保了包括厚芯絕緣層110的PCB100的剛度，所以簡化了電路圖案凹槽的形成，使得可以降低制造成本和時(shí)間。
[0099]此外，PCB100可以通過薄地形成絕緣層而小型化。
[0100]下文中，將參照?qǐng)D13至圖25來描述另一實(shí)施例。
[0101]參照?qǐng)D13，根據(jù)本實(shí)施例的PCB100A包括:芯絕緣層110 ;第一電路圖案125、第二電路圖案135和第三電路圖案145 ;以及形成在芯絕緣層110的上部或下部處的第一絕緣層120、第二絕緣層130和第三絕緣層140。
[0102]芯絕緣層100是充滿玻璃纖維IlOa的基板。在芯絕緣層110中，玻璃纖維IlOa可以充滿在樹脂材料I 1b如環(huán)氧基絕緣樹脂中，并且填充物110可以分布在樹脂材料I 1b中。
[0103]填充物IlOc可以通過使用AlO3或S12而形成為球形或條形。
[0104]芯絕緣層110可以具有在90m至IlOm的范圍內(nèi)的厚度，并且優(yōu)選地，厚度可以為10m0
[0105]芯絕緣層110可以包括形成為穿過芯絕緣層110的過孔111。
[0106]如圖2所示，過孔111基于中心區(qū)域彼此對(duì)稱，但本實(shí)施例不限于此。
[0107]可以通過填充過孔111來形成導(dǎo)電通孔126。導(dǎo)電通孔126可以包括金屬材料如包括鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和鈀(Pd)中至少之一的合金。
[0108]芯絕緣層110在其上或其下形成有用作基電路圖案的多個(gè)第一電路圖案120。
[0109]第一電路圖案125可以包括具有高電導(dǎo)率和低電阻的材料。例如，第一電路圖案125可以包括金屬材料如包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和鈀(Pd)中至少之一的合金。
[0110]第一電路圖案125可以包括單個(gè)層或多個(gè)層。當(dāng)通過鍍覆方案形成第一電路圖案125時(shí)，可以在籽晶層上形成電鍍層。
[0111]籽晶層可以包括銅(Cu)、鎳(Ni)或其合金。合金包括可應(yīng)用在籽晶層上作為電鍍層的鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和鈀(Pd)中至少之一。
[0112]延伸部可以從芯絕緣層110上的導(dǎo)電通孔126延伸。延伸部可以形成為高度與第一電路圖案125相同。
[0113]芯絕緣層110在其上或其下形成有包圍第一電路圖案125的第一絕緣層120。
[0114]第一絕緣層120可以包括不具有玻璃纖維的樹脂材料，并且填充物可以分布在樹脂材料中。第一絕緣層120可以包括味之素(Ajinomoto)增層膜(ABF)，但本實(shí)施例不限于此。
[0115]第一絕緣層120插入第一電路圖案。第一電路圖案125和第一絕緣層120可以具有相同的厚度，并且可以好地滿足在1m至20m的范圍內(nèi)的厚度。
[0116]第一絕緣層120包括露出第一電路圖案125和導(dǎo)電通孔126的延伸部的第一電路圖案凹槽121。
[0117]如上所述，由于第一電路圖案凹槽121僅形成在第一絕緣層120中而沒有延伸到芯絕緣層I1中，所以在形成第一電路圖案凹槽121時(shí)可以防止由玻璃纖維IlOa引起的誤差。
[0118]還可以在第一絕緣層120上形成多個(gè)絕緣層130和140。
[0119]如圖2所示，絕緣層130和140可以具有雙層結(jié)構(gòu)。第二絕緣層130可以形成在第一絕緣層120上，并且第三絕緣層140可以形成在第二絕緣層130上。
[0120]第二絕緣層130和第三絕緣層140分別包括玻璃纖維130a和140a。在第二絕緣層130和第三絕緣層140中，玻璃纖維130a和140a可以分別地充滿在樹脂材料130b和140b中，并且填充物130c和140c可以分別分布在樹脂材料130b和140b中。
[0121]第二絕緣層130和第三絕緣層140可以比芯絕緣層110薄并且比第一絕緣層120厚。
[0122]在第二絕緣層130和第三絕緣層140上形成有第二電路圖案135和第三電路圖案145，并且分別地設(shè)置有包圍第二電路圖案135和第三電路圖案145的第一圖案絕緣層133和第二圖案絕緣層143。
[0123]第一圖案絕緣層133和第二圖案絕緣層143可以包括與第一絕緣層120中一樣的不具有玻璃纖維的樹脂材料，并且填充物可以分布在樹脂材料中。第一圖案絕緣層133和第二圖案絕緣層143可以包括味之素(Ajinomoto)增層膜(ABF)，但本實(shí)施例不限于此。
[0124]第一圖案絕緣層133和第二圖案絕緣層143在其頂表面上形成有第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141，并且在第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141中分別地填充電路圖案。
[0125]第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141可以具有與第一電路圖案凹槽121相同的深度，并且第二絕緣層130和第三絕緣層140未因第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141而露出。
[0126]通過分別填充第二電路圖案凹槽131和第三電路圖案凹槽141來形成第二電路圖案135和第三電路圖案145。
[0127]第二電路圖案135和第三電路圖案145可以具有與第一電路圖案125相同的厚度，并且可以包括連接至導(dǎo)電通孔126的通孔。
[0128]雖然圖13示出了具有基于芯絕緣層110的三個(gè)上層和三個(gè)下層的總共六個(gè)層的電路圖案，但本實(shí)施例不限于此。
[0129]還可以形成阻焊劑150以覆蓋最上面的電路圖案145。
[0130]阻焊劑150通過露出最上面的電路圖案145的連接至通孔的延伸部而形成焊盤。
[0131]下文中，將參照?qǐng)D14至圖25來描述制造圖13的PCB100A的方法。
[0132]首先，如圖14所示，分別在芯絕緣層110之上和之下形成第一絕緣層120。
[0133]芯絕緣層100是充滿玻璃纖維IlOa的基板。將玻璃纖維IlOa充滿在樹脂材料如環(huán)氧基絕緣樹脂中，并且將填充物110分布在樹脂材料IlOb中，使得可以形成芯絕緣層110。
[0134]第一絕緣層120可以包括其中未充滿玻璃纖維的樹脂材料。
[0135]芯絕緣層110可以具有在90m至IlOm的范圍內(nèi)的厚度，并且第一絕緣層120的厚度可以為10m。
[0136]接著，形成穿過芯絕緣層110的過孔111，并且在第一絕緣層120處形成第一電路圖案凹槽121。
[0137]可以通過使用CO2激光或YAG激光穿過玻璃纖維IlOa來形成過孔111。在這種情況下，對(duì)芯絕緣層I1的上部和下部進(jìn)行處理，以形成如圖4所示的基于芯絕緣層110的中心部分對(duì)稱的過孔111。
[0138]也就是說，過孔111可以具有沙漏形狀，該形狀的寬度從過孔111的中心部分朝頂表面和底表面逐漸增加。
[0139]然而，當(dāng)過孔111形成在芯絕緣層110的一個(gè)表面處時(shí)，過孔111的寬度從一個(gè)表面向另一表面逐漸減小或者具有相同的形狀。
[0140]之后，在第一絕緣層120處形成第一電路圖案凹槽121?？梢酝ㄟ^使用準(zhǔn)分子激光去除第一絕緣層120來形成第一電路圖案凹槽121。在這種情況下，可以在過孔111的頂表面處形成延伸部。
[0141]接著，如圖15所示，形成鍍覆層128以覆蓋過孔111和第一電路圖案凹槽121。
[0142]首先，通過進(jìn)行表面污物去除處理來去除第一絕緣層120的表面上的污物。
[0143]詳細(xì)地，在使第一絕緣層120的表面凸起之后，通過使用高錳酸來去除凸起的第一絕緣層120，并且進(jìn)行濕法蝕刻處理以中和第一絕緣層120，從而去除污物。
[0144]可以通過表面污物去除處理來在第一絕緣層120的表面上提供粗糙結(jié)構(gòu)。
[0145]可以通過化學(xué)鍍覆方案在第一絕緣層120上形成籽晶層。
[0146]化學(xué)鍍覆方案可以按照以下順序進(jìn)行:脫脂工藝、軟蝕刻工藝、預(yù)催化劑工藝、催化劑處理工藝、加速劑工藝、化學(xué)鍍覆工藝和抗氧化處理工藝。此外，籽晶層可以通過使用等離子體濺射金屬粒子來形成。
[0147]籽晶層包括包含Cu、N1、Pd或Cr的合金。
[0148]接著，使用籽晶層作為籽晶來進(jìn)行關(guān)于導(dǎo)電材料的電鍍處理，從而形成鍍覆層128。
[0149]鍍覆層128可以通過進(jìn)行電鍍處理同時(shí)根據(jù)鍍覆面積控制電流來形成。
[0150]鍍覆層128可以包含具有高電導(dǎo)率的Cu。
[0151]接著，如圖16所示，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械蝕刻以去除第一絕緣層120上的鍍覆層128。
[0152]換言之，在將PCB100放置在研磨機(jī)的板上之后，在pH 9或以上的堿性環(huán)境下對(duì)過鍍覆的鍍覆層128進(jìn)行研磨。優(yōu)選地，通過使用其中添加氨作為主要成分和添加少量的過氧化物的研磨液來對(duì)過鍍覆的鍍覆層128進(jìn)行研磨。
[0153]研磨機(jī)在板上旋轉(zhuǎn)以引入對(duì)過鍍覆的鍍覆層128和研磨液的物理蝕刻。
[0154]因此，如圖6所示，通過化學(xué)機(jī)械蝕刻對(duì)鍍覆層128進(jìn)行蝕刻直到露出第一絕緣層120為止，以去除保留在第一絕緣層120上的鍍覆層128，從而研磨結(jié)束。
[0155]板的直徑可以為1200mm或更小。此外，板可以設(shè)置有熱導(dǎo)線以使熱傳遞到PCBlOO0因此，可以同時(shí)蝕刻具有510410或更大的尺寸的PCB100，使得可以去除具有大的面積的鍍覆層128。
[0156]之后，如圖7所示，在第一絕緣層120上形成第二絕緣層130和第一圖案絕緣層133以覆蓋第一電路圖案125。
[0157]第二絕緣層130可以包括玻璃纖維，并且第一圖案絕緣層133可以包括環(huán)氧樹脂，但不包括單獨(dú)的玻璃纖維。第二絕緣層130可以比芯絕緣層110薄并且比第一絕緣層120厚。
[0158]通過照射準(zhǔn)分子激光在圖案絕緣層133上來形成圖18的第二電路圖案凹槽131。
[0159]當(dāng)形成第二電路圖案凹槽131時(shí)，由于圖案絕緣層133不具有玻璃纖維，所以露出通孔126的延伸部的過孔可以與第二電路圖案凹槽131同時(shí)形成。
[0160]之后，如圖19所示，通過進(jìn)行鍍覆處理來形成鍍覆層138。
[0161]形成鍍覆層138的工藝與形成第一電路圖案125的鍍覆層128的工藝相同。
[0162]接著，通過進(jìn)行化學(xué)機(jī)械蝕刻來形成圖20的第二電路圖案135。
[0163]接著，如圖21和圖24所示，形成第三絕緣層140、第二圖案絕緣層143和第三電路圖案145。
[0164]可以通過重復(fù)形成第二絕緣層130和第二電路圖案135的工藝來進(jìn)行形成第三絕緣層140、第二圖案絕緣層143和第三電路圖案145的工藝。
[0165]之后，如圖25所示，通過形成露出最上層的連接至通孔126的延伸部并且覆蓋第三電路圖案145的阻焊劑150而制成該P(yáng)CB。
[0166]最上層的通過阻焊劑150露出的延伸部可以用作焊盤。
[0167]如上所述，由于形成有電路圖案的絕緣層不具有玻璃纖維，同時(shí)確保了包括厚芯絕緣層110的PCB100的剛度，因此簡化了電路圖案凹槽的形成，使得可以降低制造成本和時(shí)間。
[0168]此外，PCB100可以通過薄地形成絕緣層而小型化。
[0169]雖然已參照其若干示例性實(shí)施例來描述實(shí)施例，但是應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)許多其他修改和實(shí)施例，這些修改和實(shí)施例將落入本公開的原理的精神和范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種印刷電路板,包括: 芯絕緣層，所述芯絕緣層包括玻璃纖維； 第一絕緣層，所述第一絕緣層在所述芯絕緣層的上部或下部上，所述第一絕緣層包括電路圖案凹槽； 第一電路圖案，所述第一電路圖案填充所述第一絕緣層的所述電路圖案凹槽； 第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一電路圖案并且包括在所述第二絕緣層的頂表面處的電路圖案凹槽；以及 第二圖案，所述第二圖案填充所述第二絕緣層的所述電路圖案凹槽， 其中，所述第一絕緣層包括分布在樹脂材料中的填充物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其中，所述第一絕緣層的所述電路圖案凹槽形成為穿過所述第一絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其中，所述第一絕緣層比所述芯絕緣層薄。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的印刷電路板，其中，所述第一絕緣層的厚度等于所述第一電路圖案的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，還包括形成為穿過所述芯絕緣層的通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的印刷電路板，其中，所述通孔具有關(guān)于所述芯絕緣層的中心部分對(duì)稱的截面形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷電路板，其中，所述通孔的在所述芯絕緣層的中心部分處的面積比所述通孔的在所述芯絕緣層的頂表面和底表面處的面積小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其中，所述第二絕緣層包括: 蓋絕緣層，所述蓋絕緣層覆蓋所述第一電路圖案并且包括玻璃纖維；以及 圖案絕緣層，所述圖案絕緣層在所述蓋絕緣層上包圍所述第二電路圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的印刷電路板，其中，所述圖案絕緣層包括與所述第一絕緣層的材料相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的印刷電路板，其中，所述第二電路凹槽形成在所述圖案絕緣層中。
11.一種用于制造印刷電路板的方法，所述方法包括: 在包括玻璃纖維的芯絕緣層的上部或下部處形成不具有玻璃纖維的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層中形成第一電路圖案凹槽； 通過鍍覆方案形成鍍覆層以填充所述第一電路圖案凹槽并且覆蓋所述第一絕緣層的頂表面； 通過經(jīng)由化學(xué)機(jī)械蝕刻去除所述鍍覆層直到露出所述第一絕緣層為止來形成第一電路圖案； 形成第二絕緣層以覆蓋第一埋入式圖案；以及 形成第二電路圖案以填充所述第二絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成所述第一電路圖案凹槽包括使用激光來形成所述電路圖案凹槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述化學(xué)機(jī)械蝕刻包括通過使用研磨液在pH9或以上的堿性環(huán)境下去除所述鍍覆層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述堿性環(huán)境通過將氨和過氧化物與所述研磨液混合而形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二絕緣層比所述第一絕緣層厚并且比所述芯絕緣層薄。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成所述第二絕緣層包括: 形成包括玻璃纖維的蓋絕緣層以覆蓋所述第一電路圖案；以及 在所述蓋絕緣層上形成不具有玻璃纖維的圖案絕緣層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述圖案絕緣層包括與所述第一絕緣層的材料相同的材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，埋入所述第二電路圖案包括: 在所述圖案絕緣層處形成電路圖案凹槽； 形成鍍覆層以填充所述電路圖案凹槽；以及 通過經(jīng)由所述化學(xué)機(jī)械蝕刻對(duì)所述鍍覆層進(jìn)行蝕刻來形成所述第二電路圖案。
【文檔編號(hào)】H05K3/46GK104247584SQ201380020634
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月14日
【發(fā)明者】南明和, 金秉浩, 徐英郁, 徐玄錫, 劉昌佑, 李尚銘 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司