發(fā)光元件、發(fā)光裝置、顯示裝置、電子設備以及照明裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于：提供一種使用多種發(fā)光摻雜劑并具有高效率的發(fā)光元件。在本發(fā)明的一個方式中，通過使用上述發(fā)光元件分別提供減少了能量消耗的發(fā)光裝置、發(fā)光模塊、發(fā)光顯示裝置、電子設備及照明裝置。注目到作為分子間的能量轉移機理之一的福斯特機理。通過使提供能量的分子的發(fā)光波長與接受能量的分子的吸收光譜乘以波長的4次方而成的曲線中的最長波長一側的局部極大的峰重疊，可以實現(xiàn)通過上述福斯特機理的高效能量轉移。
【專利說明】發(fā)光元件、發(fā)光裝置、顯示裝置、電子設備以及照明裝置

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種將有機化合物用作發(fā)光物質的發(fā)光元件、顯示裝置、發(fā)光裝置、電 子設備及照明裝置。

【背景技術】
[0002] 近年來，對利用電致發(fā)光（EL Electroluminescence)的發(fā)光元件的研究開發(fā)日 益火熱。在這些發(fā)光元件的基本結構中，在一對電極之間夾有包含發(fā)光物質的層（EL層）。 通過對該元件施加電壓，可以獲得來自發(fā)光物質的發(fā)光。
[0003] 因為這種發(fā)光元件是自發(fā)光型發(fā)光元件，并具有優(yōu)于液晶顯示器的優(yōu)點諸如像素 的可見度高，不需要背光燈等，由此，這種發(fā)光元件被認為適合于平板顯示器元件。另外，使 用這種發(fā)光元件的顯示器可為薄且輕，這也是極大的優(yōu)點。再者，應答速度非常快也是這種 元件的特征之一。
[0004] 因為這種發(fā)光元件的發(fā)光層可以以膜狀形成，所以可以提供面發(fā)光。因此，可以容 易形成大面積的元件。這是在以白熾燈和LED為代表的點光源或以熒光燈為代表的線光源 中難以得到的特征。因此，上述發(fā)光元件也有很大潛力作為可以應用于照明等的面光源。
[0005] 在將有機化合物用作發(fā)光物質且在一對電極之間設置有EL層的有機EL元件中， 通過對一對電極之間施加電壓，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到具有發(fā)光性能的EL 層，而使電流流過。而且，被注入了的電子與空穴復合而使發(fā)光有機化合物成為激發(fā)態(tài)，由 此可以從被激發(fā)的發(fā)光有機化合物得到發(fā)光。
[0006] 應注意由有機化合物形成的激發(fā)態(tài)包括單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)，由單重激發(fā)態(tài) (S，的發(fā)光被稱為熒光，而由三重激發(fā)態(tài)cn的發(fā)光被稱為磷光。另外，在該發(fā)光元件中， 單重激發(fā)態(tài)與三重激發(fā)態(tài)的統(tǒng)計學上的產(chǎn)生比率被認為是= 1:3。
[0007] 當使用從單重激發(fā)態(tài)發(fā)光的化合物（以下稱為熒光化合物）時，在室溫下通常僅 觀察到由單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光（熒光），而觀察不到由三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光（磷光）。因此，基 于S #:f = 1:3的關系，使用熒光化合物的發(fā)光元件中的內(nèi)部量子效率（相對于所注入的載 流子的所產(chǎn)生的光子的比率）的理論上的極限被認為是25%。
[0008] 另一方面，當使用從三重激發(fā)態(tài)發(fā)光的化合物（以下稱為磷光化合物）時，觀察到 由三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光（磷光）。此外，在磷光化合物中，由于容易產(chǎn)生系間竄越（即從單重 激發(fā)態(tài)轉移到三重激發(fā)態(tài)），因此理論上能夠將內(nèi)部量子效率增加到1〇〇%。換句話說，可 以實現(xiàn)比熒光化合物高的發(fā)光效率。由于所述理由，為了實現(xiàn)高效率的發(fā)光元件，近年來對 使用磷光化合物的發(fā)光元件的開發(fā)日益火熱。
[0009] 專利文獻1公開了一種白色發(fā)光元件，該白色發(fā)光元件具有包括多種發(fā)光摻雜劑 的發(fā)光區(qū)域且該發(fā)光摻雜劑發(fā)射磷光。
[0010][專利文獻1]日本PCT國際申請翻譯2004-522276號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 雖然磷光化合物在理論上能夠實現(xiàn)100 %的內(nèi)部量子效率，但是在不進行元件結 構或與其他材料的組合的最適化的情況下難以實現(xiàn)這樣的高效率。尤其是，當使用將多種 不同帶（發(fā)光顏色）的磷光化合物用作發(fā)光摻雜劑的發(fā)光元件時，當然需要考慮能量轉移， 而且需要將該能量轉移本身的效率最適化，要不然難以獲得高效率的發(fā)光。實際上，在上述 專利文獻1中，即使在發(fā)光元件的發(fā)光摻雜劑都是磷光化合物時，其外部量子效率也為3% 至4%左右。根據(jù)該事實可以認為：即使考慮光取出效率，內(nèi)部量子效率也是20%以下。作 為磷光發(fā)光元件，該內(nèi)部量子效率值低。
[0012] 在使用不同發(fā)光顏色的摻雜劑的多色發(fā)光元件中，不僅需要提高發(fā)光效率，而且 需要使各發(fā)光顏色的摻雜劑平衡地發(fā)射光。在實現(xiàn)高發(fā)光效率的同時保持各摻雜劑的發(fā)光 平衡是困難的。
[0013] 于是，本發(fā)明的一個方式的目的在于提供一種使用多種發(fā)光摻雜劑的發(fā)光效率高 的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的另一目的在于：通過使用上述發(fā)光元件分別提供減 少了能量消耗的發(fā)光裝置、顯示裝置、電子設備及照明裝置。
[0014] 本發(fā)明只要達到上述目的中的至少一個即可。
[0015] 在本發(fā)明的一個方式中，注目到作為分子間的能量轉移機理之一的福斯特機理， 通過采用如下分子組合，可以高效地實現(xiàn)通過福斯特機理的能量轉移，上述分子組合是能 夠使提供能量的分子的發(fā)射光譜的波長帶（band)與波長的4次方乘以接受能量的分子的 吸收光譜而成的特性曲線的最長波長一側的峰彼此重疊的組合。在此，上述能量轉移的特 性之一為不是從主體到摻雜劑的一般的能量轉移，而是摻雜劑之間的能量轉移。如此，通過 采用使摻雜劑之間的能量轉移的效率高的組合的摻雜劑，并設計使各摻雜劑分子之間適當 地分離的元件結構，可以獲得本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件。
[0016] 換言之，本發(fā)明的一個方式是一種發(fā)光兀件，該發(fā)光兀件在一對電極之間包括：第 一發(fā)光層，其中第一磷光化合物分散在第一主體材料；以及第二發(fā)光層，其中呈現(xiàn)波長比所 述第一磷光化合物的發(fā)光長的發(fā)光的第二磷光化合物分散在第二主體材料。所述第二磷光 化合物的函數(shù)ε ( λ ) λ 4的最長波長一側的峰的波長與第一磷光化合物的磷光光譜F( λ ) 重疊。注意，ε (λ)表示各磷光化合物的摩爾吸光系數(shù)并是波長λ的函數(shù)。
[0017] 另外，本發(fā)明的另一個方式是一種發(fā)光兀件，在一對電極之間包括：第一發(fā)光層， 其中第一磷光化合物分散在第一主體材料；以及第二發(fā)光層，其中呈現(xiàn)波長比所述第一磷 光化合物的發(fā)光長的發(fā)光的第二磷光化合物分散在第二主體材料。具有所述第一磷光化合 物的磷光光譜的峰的波長帶與具有第二磷光化合物的函數(shù)ε (λ) λ4的最長波長一側的峰 的波長帶重疊。注意，ε (λ)表示各磷光化合物的摩爾吸光系數(shù)并是波長λ的函數(shù)。
[0018] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中第一發(fā)光層還包含 第一有機化合物，第一主體材料與第一有機化合物形成激基復合物，并且第一磷光化合物 的發(fā)光具有比激基復合物的發(fā)光長的波長。
[0019] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中激基復合物的發(fā)射 光譜與第一磷光化合物的函數(shù)ε (λ) λ4的最長波長一側的峰的波長重疊。注意，ε (λ) 表示各磷光化合物的摩爾吸光系數(shù)并是波長λ的函數(shù)。
[0020] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中具有激基復合物的 發(fā)射光譜的峰的波長帶與具有第一磷光化合物的函數(shù)ε (λ) λ4的最長波長一側的峰的波 長帶重疊。注意，ε (λ)表示各磷光化合物的摩爾吸光系數(shù)并是波長λ的函數(shù)。
[0021] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中第一磷光化合物在 500nm至600nm的范圍內(nèi)具有磷光峰，并且第二磷光化合物在600nm至700nm的范圍內(nèi)具有 磷光峰。
[0022] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中電子與空穴的復合 區(qū)域是第一發(fā)光層。
[0023] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中與第二發(fā)光層相比， 第一發(fā)光層更接近陽極，并且至少第二發(fā)光層具有比空穴傳輸性高的電子傳輸性。
[0024] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中與第二發(fā)光層相比， 第一發(fā)光層更接近陽極，并且第一主體材料及第二主體材料都具有電子傳輸性。注意，具有 電子傳輸性的材料優(yōu)選為電子傳輸性高于空穴傳輸性的材料。
[0025] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中與第二發(fā)光層相比， 第一發(fā)光層更接近陰極，并且至少第二發(fā)光層具有比電子傳輸性高的空穴傳輸性。
[0026] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中與第二發(fā)光層相比， 第一發(fā)光層更接近陰極，并且第一主體材料及第二主體材料都具有空穴傳輸性。注意，具有 空穴傳輸性的材料優(yōu)選為空穴傳輸性高于電子傳輸性的材料。
[0027] 另外，本發(fā)明的另一個方式是具有上述結構的發(fā)光元件，其中第一發(fā)光層及第二 發(fā)光層以彼此接觸的方式層疊。
[0028] 另外，本發(fā)明的另一個方式是一種具備具有上述結構的發(fā)光元件的發(fā)光裝置、發(fā) 光顯示裝置、電子設備及照明裝置。
[0029] 注意，本說明書中的發(fā)光裝置在其范疇中包括使用發(fā)光元件的圖像顯示器件。此 夕卜，如下模塊都包括在本說明書中的發(fā)光裝置的范疇中：發(fā)光元件安裝有連接器諸如各向 異性導電薄膜或TCP (Tape Carrier Package :帶載封裝）的模塊；在TCP的頂部設置有印刷 線路板的模塊；通過COG (Chip On Glass :玻璃覆晶）方式在發(fā)光元件上直接安裝有1C (集 成電路）的模塊。再者，本說明書中的發(fā)光裝置還包括用于照明設備等的發(fā)光裝置。
[0030] 本發(fā)明的一個方式可以提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光元件。通過使用該發(fā)光元件本 發(fā)明的另一個方式可以提供減少了能量消耗的發(fā)光裝置、發(fā)光顯示裝置、電子設備及照明 裝直。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 圖1Α至圖1C是發(fā)光元件的示意圖；
[0032] 圖2Α和圖2Β是示出發(fā)光層的能量轉移的圖；
[0033] 圖3Α和圖3Β是說明福斯特能量轉移的圖；
[0034] 圖4Α和圖4Β是有源矩陣型發(fā)光裝置的示意圖；
[0035] 圖5Α和圖5Β是無源矩陣型發(fā)光裝置的示意圖；
[0036] 圖6Α和圖6Β是有源矩陣型發(fā)光裝置的結構的示意圖；
[0037] 圖7是有源矩陣型發(fā)光裝置的示意圖；
[0038] 圖8Α和圖8Β是照明裝置的示意圖；
[0039] 圖9Α、圖9Β1、圖9Β2、圖9C以及圖9D是示出電子設備的圖；
[0040] 圖10是示出電子設備的圖；
[0041] 圖11是示出照明裝置的圖；
[0042] 圖12是示出照明裝置及顯示裝置的圖；
[0043] 圖13是示出車載顯示裝置及照明裝置的圖；
[0044] 圖14A至圖14C是示出電子設備的圖；
[0045] 圖15是示出發(fā)光元件1的亮度-電流效率特性的圖；
[0046] 圖16是示出發(fā)光元件1的電壓-亮度特性的圖；
[0047] 圖17是不出發(fā)光兀件1的亮度-外部量子效率特性的圖；
[0048] 圖18是示出發(fā)光元件1的亮度-功率效率特性的圖；
[0049] 圖19是示出發(fā)光元件1的發(fā)射光譜的圖；
[0050] 圖20A和圖20B是說明發(fā)光元件1的福斯特能量轉移的圖；
[0051] 圖21A和圖21B是說明發(fā)光元件1的福斯特能量轉移的圖；
[0052] 圖22是說明發(fā)光元件1的福斯特能量轉移的圖；
[0053] 圖23是示出2mDBTroBq_II、PCBA1BP以及它們的混合膜的PL光譜的圖；
[0054] 圖24是示出發(fā)光元件2的亮度-電流效率特性的圖；
[0055] 圖25是示出發(fā)光元件2的電壓-亮度特性的圖；
[0056] 圖26是不出發(fā)光兀件2的亮度-外部量子效率特性的圖；
[0057] 圖27是示出發(fā)光元件2的亮度-功率效率特性的圖；
[0058] 圖28是示出發(fā)光元件2的發(fā)射光譜的圖；
[0059] 圖29是示出發(fā)光元件2的可靠性測試的結果的圖；
[0060] 圖30是示出發(fā)光元件3的亮度-電流效率特性的圖；
[0061] 圖31是示出發(fā)光元件3的電壓-亮度特性的圖；
[0062] 圖32是示出發(fā)光元件3的亮度-外部量子效率特性的圖；
[0063] 圖33是示出發(fā)光元件3的亮度-功率效率特性的圖；
[0064] 圖34是示出發(fā)光元件3的發(fā)射光譜的圖；
[0065] 圖35是示出發(fā)光元件4的亮度-電流效率特性的圖；
[0066] 圖36是示出發(fā)光元件4的電壓-亮度特性的圖；
[0067] 圖37是不出發(fā)光兀件4的亮度-外部量子效率特性的圖；
[0068] 圖38是示出發(fā)光元件4的亮度-功率效率特性的圖；
[0069] 圖39是示出發(fā)光元件4的發(fā)射光譜的圖；
[0070] 圖40是示出發(fā)光元件5的亮度-電流效率特性的圖；
[0071] 圖41是示出發(fā)光元件5的電壓-亮度特性的圖；
[0072] 圖42是不出發(fā)光兀件5的亮度-外部量子效率特性的圖；
[0073] 圖43是示出發(fā)光元件5的亮度-功率效率特性的圖；
[0074] 圖44是示出發(fā)光元件5的發(fā)射光譜的圖；
[0075] 圖45A和45B是說明發(fā)光元件4的福斯特能量轉移的圖；
[0076] 圖46是說明發(fā)光元件4的福斯特能量轉移的圖；
[0077] 圖47A和47B是說明發(fā)光元件5的福斯特能量轉移的圖；
[0078] 圖48A和48B是說明發(fā)光元件5的福斯特能量轉移的圖；
[0079] 圖49是說明發(fā)光元件5的福斯特能量轉移的圖。

【具體實施方式】
[0080] 以下，參照附圖詳細地說明本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下說明， 所屬【技術領域】的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是在不脫離本發(fā)明的宗旨及 其范圍的情況下可以進行多種變化和改變。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅局限在以下所 示的實施方式所記載的內(nèi)容中。
[0081] 實施方式1
[0082] 首先，將對本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的工作原理進行說明。本發(fā)明的宗旨在 于：使用第一磷光化合物和呈現(xiàn)波長比該第一磷光化合物的發(fā)光長的發(fā)光的第二磷光化合 物，并使第一及第二磷光化合物高效地發(fā)光，由此獲得高效的多色發(fā)光元件。
[0083] 作為獲得包含磷光化合物的多色發(fā)光元件的一般方法，可以舉出以適當?shù)谋嚷蕦?不同發(fā)光顏色的多種磷光化合物分散在某個主體材料中的方法。然而，在采用這種方法的 情況下，由于發(fā)射最長波長的光的磷光化合物易發(fā)光，所以非常難以設計并控制用來獲得 多色發(fā)光的結構（尤其是，主體材料中的各磷光化合物的濃度）。
[0084] 作為獲得多色發(fā)光元件的另一個方法，可以舉出將不同發(fā)光顏色的發(fā)光元件串聯(lián) 層疊的所謂串置結構（tandem structure)。例如，將藍色發(fā)光元件、綠色發(fā)光元件、紅色發(fā) 光元件串聯(lián)層疊使其同時發(fā)光，由此可以容易獲得多色光（在此情況下，白色光）。可以將 藍色發(fā)光元件、綠色發(fā)光元件、紅色發(fā)光元件分別最適化，因此元件結構的設計和控制較容 易。然而，由于層疊三個元件，所以層數(shù)增大，制造變復雜。另外，當元件之間的連接部（所 謂的中間層）的電接觸產(chǎn)生問題時，有可能導致驅動電壓的增大，即能量浪費。
[0085] 另一方面，在本發(fā)明的一個方式的發(fā)光兀件中，在一對電極之間層疊有：在第一主 體材料中分散有第一磷光化合物的第一發(fā)光層；以及在第二主體材料中分散有呈現(xiàn)波長比 所述第一磷光化合物的發(fā)光長的發(fā)光的第二磷光化合物的第二發(fā)光層。此時，與串置結構 不同，第一發(fā)光層及第二發(fā)光層也可以以彼此接觸的方式設置。
[0086] 圖1A至圖1C示意性地示出上述本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的元件結構。圖1C 示出第一電極101、第二電極l〇2、EL層103。EL層103至少設置有發(fā)光層113,且也可以適 當?shù)卦O置其他層。在圖1C所示的結構中，假設設置有空穴注入層111、空穴傳輸層112、電 子傳輸層114及電子注入層115。注意，假設第一電極101用作陽極，第二電極102用作陰 極。
[0087] 另外，圖1A、圖1B是將該發(fā)光元件中的發(fā)光層113放大而示出的圖。圖1A、圖1B 不出第一發(fā)光層113a、第二發(fā)光層113b、該兩層的組合而成的發(fā)光層113、第一磷光化合物 113Da、第二磷光化合物113Db、第一主體材料113Ha及第二主體材料113Hb。圖1B是示出 第一發(fā)光層113a還包含第一有機化合物113A的情況的示意圖。不管是上述哪一種情況， 由于各磷光化合物（第一磷光化合物及第二磷光化合物）分散在主體材料中，所以各磷光 化合物被各主體材料彼此隔離。注意，第一主體材料與第二主體材料可以彼此相同或不同。 第一發(fā)光層113a可位于陽極一側且第二發(fā)光層113b可位于陰極一側，或第一發(fā)光層113a 可位于陰極一側且第二發(fā)光層113b可位于陽極一側。
[0088] 在此情況下，在各磷光化合物之間，電子交換相互作用（所謂的德克斯特 (Dexter)機理）所引起的能量轉移被抑制。換言之，可以防止如下現(xiàn)象，即在第一磷光化合 物113Da被激發(fā)之后，該激發(fā)能量通過德克斯特機理轉移到第二磷光化合物113Db的現(xiàn)象。 因此，可以抑制呈現(xiàn)最長波長的發(fā)光的第二磷光化合物113Db主要發(fā)光的現(xiàn)象。注意，由于 當在第二發(fā)光層113b中直接生成激子時第二磷光化合物113Db主要發(fā)光，所以載流子的復 合區(qū)域優(yōu)選在第一發(fā)光層113a內(nèi)（即，第一磷光化合物113Da主要進行激發(fā)）。
[0089] 但是若完全抑制從第一磷光化合物113Da的能量轉移，則不能獲得來自第二磷光 化合物113Db的發(fā)光。因此，在本發(fā)明的一個方式中，以使第一磷光化合物113Da的激發(fā)能 量部分地轉移到第二磷光化合物113Db的方式進行元件設計。通過利用偶極-偶極相互作 用（福斯特（Fdrster)機理），可以實現(xiàn)上述被隔離了的分子間的這種能量轉移。
[0090] 在此，將說明福斯特機理。以下，將提供激發(fā)能量的分子記載為能量供體，并且將 接受激發(fā)能量的分子記載為能量受體。換言之，在本發(fā)明的一個方式中，能量供體、能量受 體都是磷光化合物，并被主體材料彼此隔離。
[0091] 福斯特機理在能量轉移中不需要分子間的直接接觸。通過能量供體和能量受體間 的偶極振蕩（dipolar oscillation)的共振現(xiàn)象發(fā)生能量轉移。由于偶極振蕩的共振現(xiàn)象， 能量供體向能量受體供應能量，因此處于激發(fā)態(tài)的能量供體弛豫（relax)為基態(tài)且處于基 態(tài)的能量受體變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。算式（1)示出通過福斯特機理的能量轉移的速度常數(shù)k F。
[0092] [算式 1]
[0093]

【權利要求】
1. 一種發(fā)光兀件，包括： 第一電極； 所述第一電極上的第一發(fā)光層，包括： 第一磷光化合物；以及 第一主體材料； 所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層，包括： 第二磷光化合物；以及 第二主體材料； 所述第二發(fā)光層上的第二電極， 其中從所述第二磷光化合物發(fā)射的光具有比從所述第一磷光化合物發(fā)射的光長的波 長， 所述第二磷光化合物的函數(shù)ε (λ) λ4的最長波長一側的峰與所述第一磷光化合物的 磷光光譜F( λ)重疊， λ表不波長， 并且ε (λ)表示所述波長λ處的摩爾吸光系數(shù)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中所述第一發(fā)光層還包含第一有機化合物， 所述第一主體材料與所述第一有機化合物形成激基復合物， 并且從所述第一磷光化合物發(fā)射的光具有比從所述激基復合物發(fā)射的光長的波長。
3. 根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光元件， 其中所述激基復合物的發(fā)射光譜與所述第一磷光化合物的函數(shù)ε (λ) λ4的最長波長 一側的峰重疊。
4. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中所述第一磷光化合物在500nm至600nm的范圍內(nèi)具有磷光峰， 并且所述第二磷光化合物在600nm至700nm的范圍內(nèi)具有磷光峰。
5. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中電子與空穴的復合區(qū)域是所述第一發(fā)光層。
6. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中與所述第二發(fā)光層相比，所述第一發(fā)光層更接近陽極， 并且在所述第二發(fā)光層中電子傳輸性比空穴傳輸性高。
7. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中與所述第二發(fā)光層相比，所述第一發(fā)光層更接近陽極， 并且所述第一主體材料及所述第二主體材料都具有電子傳輸性。
8. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中與所述第二發(fā)光層相比，所述第一發(fā)光層更接近陰極， 并且在所述第二發(fā)光層中空穴傳輸性比電子傳輸性高。
9. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中與所述第二發(fā)光層相比，所述第一發(fā)光層更接近陰極， 并且所述第一主體材料及所述第二主體材料都具有空穴傳輸性。
10. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光元件， 其中所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層彼此接觸。
11. 一種照明裝置，該照明裝置包括權利要求1所述的發(fā)光元件。
12. -種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括： 權利要求1所述的發(fā)光元件；以及 控制所述發(fā)光元件的單元。
13. -種顯示裝置，該顯示裝置包括： 顯示部中的權利要求1所述的發(fā)光元件；以及 控制所述發(fā)光元件的單元。
14. 一種電子設備，該電子設備包括權利要求1所述的發(fā)光元件。
【文檔編號】H05B33/12GK104247075SQ201380020736
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年4月9日 優(yōu)先權日:2012年4月20日
【發(fā)明者】瀨尾哲史, 山崎舜平, 石曾根崇浩 申請人:株式會社半導體能源研究所