高頻傳輸線路及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】作為高頻傳輸線路的扁平電纜(60)中的傳輸線路部(10)的結(jié)構(gòu)為，其第1區(qū)域(100S)和第2區(qū)域(100H)交互連接。第1區(qū)域(100S)為具有柔軟性的三片型傳輸線路，包括：電介質(zhì)坯體(110)，該電介質(zhì)坯體包括信號導(dǎo)體(40)；第1接地導(dǎo)體(20)，該第1接地導(dǎo)體包括開口部(24)；以及第2接地導(dǎo)體(30)，該第2接地導(dǎo)體為整體導(dǎo)體。第2區(qū)域(100H)為較硬的三片型傳輸線路，包括：加寬的電介質(zhì)坯體(111H)，該電介質(zhì)坯體包括蛇形導(dǎo)體(40H)；以及第1接地導(dǎo)體(20H)和第2接地導(dǎo)體(30H)，該第1接地導(dǎo)體和第2接地導(dǎo)體為整體導(dǎo)體。第2區(qū)域(100H)的特性阻抗的變化幅度(ΔR1)與第1區(qū)域(100S)的特性阻抗的變化幅度(ΔR0)相比較大。
【專利說明】高頻傳輸線路及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳輸高頻信號的薄型高頻傳輸線路及包括該高頻傳輸線路的電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為傳輸高頻信號的高頻線路，以同軸電纜為代表。同軸電纜包括:中心導(dǎo)體(信號導(dǎo)體)，該中心導(dǎo)體呈向一個方向延伸的形狀(向信號傳輸方向延伸的形狀)；以及屏蔽導(dǎo)體，該屏蔽導(dǎo)體設(shè)置為沿該中心導(dǎo)體的外周面呈同心圓狀。
[0003]然而，近年來，隨著包括移動通信終端在內(nèi)的高頻設(shè)備的小型化、薄型化的推進(jìn)，出現(xiàn)了終端殼體中無法保證用以設(shè)置同軸電纜的空間的情況。另外，同軸電纜較硬，不容易通過彎曲、屈折來進(jìn)行布線。
[0004]為解決使用了像這樣的同軸電纜而產(chǎn)生的問題，使用如專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2所示的高頻傳輸線路得到了廣泛關(guān)注。雖然高頻傳輸線路在寬度上比同軸電纜更寬，但其更加薄，因此在終端殼體內(nèi)只有狹窄縫隙的情況下，十分有用。另外，高頻傳輸線路由于采用具有撓性的電介質(zhì)坯體作為基材，具有柔軟性，能易于通過彎曲、屈折進(jìn)行布線。
[0005]專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2中記載的高頻傳輸線路,具有三片型(tr1-plate)的帶狀線(strip line)構(gòu)造作為基本的構(gòu)造。
[0006]專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2中示出的高頻傳輸線路包括具有撓性和絕緣性的平板狀電介質(zhì)坯體。電介質(zhì)坯體為一條直線狀延伸的長條形狀。在與電介質(zhì)坯體的厚度方向正交的第2面上，設(shè)置有第2接地導(dǎo)體。第2接地導(dǎo)體將基材片材的第2面幾乎完全覆蓋，即所謂的整體導(dǎo)體圖案(?夕導(dǎo)體^夕一 >)。與基材片材的第I面相對的第I面上，設(shè)置有第I接地導(dǎo)體。在與長度方向和厚度方向正交的寬度方向的兩端，第I接地導(dǎo)體包括長條導(dǎo)體，該長條導(dǎo)體呈沿長度方向延伸的形狀。兩根長條導(dǎo)體在長度方向上以特定間隔被設(shè)置，通過在寬度方向上延伸的橋接導(dǎo)體連接。由此，第2接地導(dǎo)體形成為，由特定的開口長度形成的開口部沿長度方向排列形成的形狀。
[0007]在電介質(zhì)坯體的厚度方向的中間，以特定寬度形成有特定厚度的信號導(dǎo)體。信號導(dǎo)體為在與第I接地導(dǎo)體的長條導(dǎo)體部以及第2接地導(dǎo)體平行的方向上延伸的長條狀。信號導(dǎo)體形成在電介質(zhì)坯體的寬度方向的大致中央處。
[0008]這種結(jié)構(gòu)中，俯視高頻傳輸線路(從與第I面和第2面正交的方向觀察)，信號導(dǎo)體相對于第I接地導(dǎo)體僅橋接導(dǎo)體重合，在其他區(qū)域則被設(shè)置在開口部內(nèi)。
[0009]采用像這樣的形狀，在具有特定的傳輸特性的同時，高頻傳輸線路能實(shí)現(xiàn)薄型化，能實(shí)現(xiàn)易于通過使其彎曲、屈折進(jìn)行布線的構(gòu)造。另外，這里所說的彎曲、屈折，是指高頻傳輸線路的平板面整體并不存在于同一平面上，而是表現(xiàn)出了立體變形的狀態(tài)。換言之，是指相對于高頻傳輸線路的平板面，在厚度方向彎曲特定角度的狀態(tài)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:國際公開第2011/007660號刊物專利文獻(xiàn)2:日本實(shí)用新型專利第3173143號說明書


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0011]然而，所述結(jié)構(gòu)的高頻傳輸線路中，產(chǎn)生了如下所示的問題。圖14是為說明以往結(jié)構(gòu)的高頻傳輸線路產(chǎn)生的問題，示出了特性阻抗的分布特性的圖。
[0012]以往的高頻傳輸線路中，第I接地導(dǎo)體包括沿長度方向的數(shù)個開口部。由此，第I接地導(dǎo)體和信號導(dǎo)體，只在橋接導(dǎo)體的設(shè)置部位沿厚度方向相對。因此，在沿長度方向的橋接導(dǎo)體的位置上C性(=電容性)最高，在開口部的中央L性(=電感性)最高。
[0013]由于橋接導(dǎo)體如所述那樣以特定間隔設(shè)置，以往的高頻傳輸線路的特性阻抗對應(yīng)于橋接導(dǎo)體的設(shè)置間隔呈周期性變化。而且，為在高頻傳輸線路的整個長度上得到所期望的特性阻抗而進(jìn)行設(shè)定。
[0014]上述特性阻抗的設(shè)定是在高頻傳輸線路不彎曲的狀態(tài)下進(jìn)行。由此，在高頻傳輸線路不彎曲的狀態(tài)下，如圖14(A)所示，對應(yīng)于橋接導(dǎo)體的設(shè)置間隔，特性阻抗發(fā)生遷移，全長中的期望的特性阻抗Z0。這時，特性阻抗的實(shí)數(shù)振幅ARO為定值。
[0015]但是，高頻傳輸線路彎曲的情況下，在彎曲部處，信號導(dǎo)體和第I接地導(dǎo)體以及第2接地導(dǎo)體的位置關(guān)系發(fā)生變化。這種情況下彎曲部的特性阻抗發(fā)生變化。并且，基于彎曲狀態(tài)，例如圖14(B)所示，在開口部L性增加，彎曲部的特性阻抗的實(shí)數(shù)的振幅AR0’比未彎曲部分的特性阻抗的實(shí)數(shù)振幅ARO要大。
[0016]在這里，高頻傳輸線路整體的特性阻抗非常依存于特性阻抗的實(shí)數(shù)振幅的最大值。由此，高頻傳輸線路彎曲時，特性阻抗的實(shí)數(shù)振幅的最大值發(fā)生變化，則高頻特性線路整體的特性阻抗也發(fā)生變化。例如，如圖14(B)所示，具有彎曲部的狀態(tài)下的高頻傳輸線路整體的特性阻抗Z0’，與未彎曲狀態(tài)下的高頻傳輸線路整體的特性阻抗ZO不同。因此，RF信號的傳輸損失增加，傳輸特性呈現(xiàn)劣化。
[0017]本發(fā)明的目的在于提供一種高頻傳輸線路和電子設(shè)備，即使將其部分向厚度方向彎曲其整體的特性阻抗也幾乎不發(fā)生變化。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0018]本發(fā)明的高頻傳輸線路具有以下特征。高頻傳輸線路包括:電介質(zhì)坯體、信號導(dǎo)體和第I接地導(dǎo)體。電介質(zhì)坯體為具有撓性的平板，其一個方向較長，在相對于該長度方向正交的方向上具有特定寬度，并且具有特定厚度。信號導(dǎo)體被設(shè)置在電介質(zhì)坯體上，呈沿長度方向延伸的形狀。第I接地導(dǎo)體沿信號導(dǎo)體被配置在電介質(zhì)坯體上。
[0019]信號導(dǎo)體和第I接地導(dǎo)體至少其中一方其特性阻抗沿著長度方向呈周期性變化，并且其形狀包括第I區(qū)域和第2區(qū)域，該第I區(qū)域和第2區(qū)域特性阻抗的變化幅度不同。第2區(qū)域的特性阻抗的變化幅度與第I區(qū)域的特性阻抗的變化幅度相比要大。
[0020]該結(jié)構(gòu)中，高頻傳輸線路全體的特性阻抗由第2區(qū)域的特性阻抗支配。由此，即便將第I區(qū)域彎曲，第I區(qū)域的特性阻抗發(fā)生變化，由于第2區(qū)域的特性阻抗未發(fā)生變化，作為高頻傳輸線路全體的特性阻抗也幾乎不發(fā)生變化。
[0021]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路優(yōu)選采用下述結(jié)構(gòu)。高頻傳輸線路的第I區(qū)域中，第I接地導(dǎo)體呈沿長度方向延伸的形狀，包括:兩個長條導(dǎo)體，所述兩個該長條導(dǎo)體以被相互間隔開的方式設(shè)置在寬度方向的兩端，呈沿長度方向延伸的形狀；以及數(shù)個橋接導(dǎo)體，所述數(shù)個橋接導(dǎo)體以沿著長度方向空開間隔的方式連接所述兩個長條導(dǎo)體。第2接地導(dǎo)體為在另一端面幾乎整面形成的導(dǎo)體。
[0022]該結(jié)構(gòu)中的高頻傳輸線路的第I區(qū)域的具體的形狀例被示出。采用像這樣的形狀，第I接地導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)呈沿著長度方向排列設(shè)置數(shù)個未形成導(dǎo)體的部分即開口部。由此，第I區(qū)域中，比電介質(zhì)坯體更硬的導(dǎo)體所占據(jù)的比例變小，形成了易于彎曲或屈折的結(jié)構(gòu)。
[0023]另外，該發(fā)明的高頻傳輸線路的第2區(qū)域的形狀優(yōu)選為:通過在輸入端和輸出端之間進(jìn)行傳送，高頻信號的相位被旋轉(zhuǎn)規(guī)定量。
[0024]該結(jié)構(gòu)中第2區(qū)域還起到相位調(diào)整電路的作用。由此，將輸入的高頻信號通過高頻傳輸線路傳輸?shù)耐瑫r，能以特定的相位進(jìn)行輸出。
[0025]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路優(yōu)選采用下述結(jié)構(gòu)。高頻傳輸線路的第2區(qū)域中，信號導(dǎo)體為導(dǎo)體線路，該導(dǎo)體線路的長度使得對于高頻信號而言，相位被旋轉(zhuǎn)規(guī)定量。高頻傳輸信號的第2區(qū)域中，第I接地導(dǎo)體為在一個端面的幾乎整面上形成的導(dǎo)體。
[0026]該結(jié)構(gòu)中，高頻傳輸線路的第2區(qū)域通過分布常數(shù)線路實(shí)現(xiàn)。由此，能夠起到頻率特性優(yōu)良的相位調(diào)整電路(延遲線)的作用。另外，由于第I接地導(dǎo)體和第2接地導(dǎo)體是所謂的整體導(dǎo)體，因此使得第2區(qū)域更硬，彎曲和屈折較困難。
[0027]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路優(yōu)選采用下述結(jié)構(gòu)。高頻傳輸線路的第2區(qū)域中包括第3接地導(dǎo)體，該第3接地導(dǎo)體形成在厚度方向上與信號導(dǎo)體大致相同的位置上，該第3接地導(dǎo)體的形狀為與信號導(dǎo)體保持大致特定的間隔而平行延伸的形狀，該第3接地導(dǎo)體與第I接地導(dǎo)體高頻連接。
[0028]該結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成相位調(diào)整電路的導(dǎo)體線路被地線包圍。由此,作為相位調(diào)整電路的特性能被高精度地設(shè)定，期望的相位旋轉(zhuǎn)量也能被高精度地實(shí)現(xiàn)。
[0029]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路中，優(yōu)選第2區(qū)域的寬度與第I區(qū)域的寬度相比更寬。
[0030]該結(jié)構(gòu)中，通過使得第2區(qū)域的面積較寬，能夠使得第2區(qū)域更硬，彎曲或屈折較困難。
[0031]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路中優(yōu)選采用下述結(jié)構(gòu)。高頻傳輸線路的第2區(qū)域在該高頻傳輸線路的長度方向上有數(shù)個，數(shù)個該第2區(qū)域的特性阻抗的變化幅度優(yōu)選大致相同。
[0032]該結(jié)構(gòu)中，沒有彎曲或屈折的數(shù)個第2區(qū)域的特性阻抗幾乎相同，因此能夠使得高頻傳輸線路全體的特性阻抗更穩(wěn)定。
[0033]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路中，優(yōu)選具有第2接地導(dǎo)體，該第2接地導(dǎo)體在與第I接地導(dǎo)體相反的一側(cè)形成并將信號導(dǎo)體包夾其間。
[0034]由此，三片型的傳輸線路能得到實(shí)現(xiàn)。
[0035]另外，本發(fā)明的高頻傳輸線路中，長度方向的至少其中一端上，優(yōu)選包括與信號導(dǎo)體連接的連接器部件。
[0036]該結(jié)構(gòu)中，由于具有連接器部件，能夠方便地將高頻傳輸線路連接至外部電路基板等。
[0037]并且，本發(fā)明涉及的電子設(shè)備，其特征在于如下結(jié)構(gòu)。電子設(shè)備包括:上所的任一項(xiàng)記載的高頻傳輸線路；數(shù)個安裝電路基板，所述數(shù)個安裝電路基板利用高頻傳輸線路進(jìn)行連接；以及殼體，該殼體將安裝電路基板內(nèi)藏其中。
[0038]該結(jié)構(gòu)中，示出了使用上述高頻傳輸線路的電子設(shè)備。采用上述的高頻傳輸線路，即使以彎曲或屈折的方式使用高頻傳輸線路，傳輸損失也不會增加，能在安裝電路基板之間傳輸高頻信號。
[0039]另外，本發(fā)明的電子設(shè)備中，優(yōu)選高頻傳輸線路中，第I區(qū)域中的至少一處部位呈彎曲的形狀。
[0040]該結(jié)構(gòu)中，能使高頻傳輸線路的設(shè)置方式得到增加。更進(jìn)一步，無論在哪一種設(shè)置方式中使其彎折，高頻傳輸線路的特性阻抗都為定值。由此，電子設(shè)備內(nèi)的高頻信號的傳輸特性得以提聞。
發(fā)明效果
[0041]通過本發(fā)明，即使扁平電纜的部分被彎曲，整體的特性阻抗也幾乎不發(fā)生變化。由此，能實(shí)現(xiàn)不受使用方式影響、傳輸特性穩(wěn)定的扁平電纜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]圖1是發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的扁平電纜60的外觀透視圖。
圖2是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第I區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖3是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖4是示出了本實(shí)施方式涉及的扁平電纜的傳輸線路部沿長度方向的特性阻抗分布特性的圖。
圖5是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的便攜電子設(shè)備的部件結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖和平面剖視圖。
圖6是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖7是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的扁平電纜的傳輸線路部沿長度方向的特性阻抗分布特性的圖。
圖8是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖9是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式4涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖10是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式5涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖11是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式6涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
圖12是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式7涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。 圖13是寬度一定的情況下扁平電纜的外觀透視圖。
圖14是為說明以往結(jié)構(gòu)的扁平電纜產(chǎn)生的問題，示出了特性阻抗的分布特性的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043]針對本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜60的外觀透視圖。圖1(A)是示出了扁平電纜全長中不彎曲的狀態(tài)。圖1(B)、圖1(C)示出了扁平電纜部分彎曲的狀態(tài)，圖1(C)比圖1(B)的彎曲更大。另外，透視圖中，圖1(A)中將設(shè)置有同軸連接器一側(cè)作為上表面，圖1 (B)、圖1(C)中將設(shè)置有同軸連接器一側(cè)作為下表面。
[0044]圖2是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第I區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。圖3是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0045]扁平電纜60包括傳輸線路部10和同軸連接器61。傳輸線路部10呈平板狀并且呈長條狀。傳輸線路部10的結(jié)構(gòu)為，第I區(qū)域100S、第2區(qū)域100H、第I區(qū)域100S、第2區(qū)域100H、第I區(qū)域100S沿長度方向相互連續(xù)。
[0046]同軸連接器61有兩個，分別被設(shè)置在傳輸線路部10的長度方向的兩端。同軸連接器61，通過轉(zhuǎn)換座62設(shè)置在傳輸線路部10的第2主面(相當(dāng)于本發(fā)明的另一面)側(cè)。同軸連接器61的圖中未示出的中心導(dǎo)體被連接在傳輸線路部10的信號導(dǎo)體40 (參照圖2、圖3)的端部。另外，同軸連接器61的圖中未示出的外部導(dǎo)體被連接在傳輸線路部10的第2接地導(dǎo)體30上。另外，同軸連接器61和轉(zhuǎn)換座62可省略，不是同軸方式亦可。在省略的情況下，將傳輸線路部10的兩端附近的信號導(dǎo)體40、第I接地導(dǎo)體20和第2接地導(dǎo)體30向外部露出即可。另外，使同軸連接器61的設(shè)置面不同也可。例如，將一端的同軸連接器61設(shè)置在第I主面?zhèn)龋硪欢说耐S連接器61設(shè)置在第2主面?zhèn)纫部伞?br> [0047]傳輸線路部10如圖1所示，外觀上形成的形狀為:平板狀的電介質(zhì)坯體110被保護(hù)層120和保護(hù)層130從該電介質(zhì)坯體110的厚度方向的兩端夾住。具體的，在電介質(zhì)坯體110的厚度方向一端端面即第I主面?zhèn)?，在電介質(zhì)坯體110的幾乎整個面上形成保護(hù)層130。在電介質(zhì)坯體110的厚度方向另一端端面即第2主面?zhèn)?，在電介質(zhì)坯體110的幾乎整個面上形成保護(hù)層120。
[0048]針對構(gòu)成傳輸線路部10的第I區(qū)域100S和第2區(qū)域100H的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0049](A)第I區(qū)域100S (參照圖2)
第I區(qū)域100S包括電介質(zhì)還體110,該電介質(zhì)還體110由第I電介質(zhì)層111和第2電介質(zhì)層112構(gòu)成。電介質(zhì)坯體110為具有特定厚度的撓性平板。電介質(zhì)坯體110，在沿著平板面的第I方向上延長。在沿著該平板面上與長度方向(第I方向)正交的方向上有特定寬度。電介質(zhì)坯體110由例如，聚酰亞胺膜或液晶高分子等具有撓性的材料組成。
[0050]信號導(dǎo)體40為平面膜狀,在第I電介質(zhì)層111和第2電介質(zhì)層112的層間形成。在電介質(zhì)坯體110的寬度方向的大致中央處形成。信號導(dǎo)體40的寬度比電介質(zhì)坯體110的寬度更窄，更具體的是比后述的構(gòu)成第I接地導(dǎo)體20的長條導(dǎo)體21、22的寬度方向的間隔更窄。信號導(dǎo)體40在電介質(zhì)坯體110的厚度方向的中間處形成。信號導(dǎo)體40的厚度方向的位置被設(shè)定為可獲得傳輸線路部10期望的特性阻抗。換言之，第I電介質(zhì)層111和第2電介質(zhì)層112的厚度被設(shè)定為可獲得傳輸線路部10期望的特性阻抗。信號導(dǎo)體40由導(dǎo)電性高的材料，如銅(Cu)等形成。
[0051]第I接地導(dǎo)體20在電介質(zhì)坯體110的第I主面(第I電介質(zhì)層111側(cè)的表面)上形成。第I接地導(dǎo)體20包括長條導(dǎo)體21、22和橋接導(dǎo)體23。第I接地導(dǎo)體20也由導(dǎo)電性高的材料，如銅(Cu)等形成。
[0052]長條導(dǎo)體21、22為沿電介質(zhì)坯體110的長度方向的長條狀。長條導(dǎo)體21在電介質(zhì)坯體110的寬度方向的一端形成，長條導(dǎo)體22在電介質(zhì)坯體110的寬度方向的另一端被形成。長條導(dǎo)體21、22沿電介質(zhì)坯體110的寬度方向形成特定間隔。
[0053]橋接導(dǎo)體23是在電介質(zhì)坯體110的寬度方向上延伸的形狀。沿電介質(zhì)坯體110的長度方向，隔一定間隔形成有數(shù)個橋接導(dǎo)體23。由此，從與第I主面?zhèn)日坏姆较蛴^察(沿厚度方向觀察)，在橋接導(dǎo)體23間形成開口部24。
[0054]像這樣，第I接地導(dǎo)體20呈在長度方向上延伸的梯子形狀。
[0055]第2接地導(dǎo)體30在電介質(zhì)坯體110的第2主面(第2電介質(zhì)層112側(cè)的表面)上形成。第2接地導(dǎo)體30在電介質(zhì)坯體110的幾乎整個面上覆蓋形成。第2接地導(dǎo)體30也由導(dǎo)電性高的材料，如銅(Cu)等形成。
[0056]第I接地導(dǎo)體20和第2接地導(dǎo)體30通過連接導(dǎo)體50被連接。連接導(dǎo)體50為所謂的導(dǎo)電性過孔導(dǎo)體，在厚度方向上貫通電介質(zhì)坯體110。連接導(dǎo)體50形成在第I接地導(dǎo)體20上長條導(dǎo)體21、22和橋接導(dǎo)體23連接的位置處。
[0057]由這樣的結(jié)構(gòu)，傳輸線路部10的第I區(qū)域100S形成為，在電介質(zhì)坯體110內(nèi)形成的信號導(dǎo)體40被第I接地導(dǎo)體20和第2接地導(dǎo)體30包夾的形狀。由此，所謂的三片型的傳輸線路能得以實(shí)現(xiàn)。此時，作為整體導(dǎo)體的第2接地導(dǎo)體30成為基準(zhǔn)地線，梯子狀的第I接地導(dǎo)體20成為輔助地線。
[0058]并且，在第I區(qū)域100S中，第I接地導(dǎo)體20上沿長度方向以特定間隔形成開口部，該開口部不形成導(dǎo)體。由此，對于第I區(qū)域100S，與將第I接地導(dǎo)體設(shè)置為與第2接地導(dǎo)體相同的整體電極的情況相比，能使導(dǎo)體相對于電介質(zhì)坯體110的比例降低，電介質(zhì)坯體的厚度變薄。由此，第I區(qū)域100S具有柔軟性，成為容易相對于扁平電纜的平板面在厚度方向上以特定角度彎曲的形狀。
[0059](B)第2區(qū)域100H (參照圖3)
第2區(qū)域100H包括電介質(zhì)坯體110H，該電介質(zhì)坯體I1H由第I電介質(zhì)層11IH和第2電介質(zhì)層112H構(gòu)成。電介質(zhì)坯體IlOH為具有特定厚度的撓性平板。電介質(zhì)坯體IlOH為比第I區(qū)域100S的電介質(zhì)坯體110寬度更大的形狀。另外，電介質(zhì)坯體IlOH的寬度與第I區(qū)域100S的電介質(zhì)坯體110的寬度具有相同水平也可。
[0060]電介質(zhì)坯體IlOH由例如，聚酰亞胺膜或液晶高分子等具有撓性的材料組成。第I電介質(zhì)層IllH與第I區(qū)域100S的第I電介質(zhì)層111形成一體，第2電介質(zhì)層112H與第I區(qū)域100S的第2電介質(zhì)層112形成一體。S卩，第2區(qū)域100H的電介質(zhì)坯體IlOH與第I區(qū)域100S的電介質(zhì)坯體110形成一體。
[0061 ] 第2區(qū)域100H包括蛇形導(dǎo)體40H。蛇形導(dǎo)體40H在第I電介質(zhì)層11IH和第2電介質(zhì)層112的層間形成。蛇形導(dǎo)體40H的兩端分別連接著與該第2區(qū)域100H連接的第I區(qū)域100S的信號導(dǎo)體40。像這樣形狀的蛇形導(dǎo)體40H在分布常數(shù)電路中起到與傳輸線路串聯(lián)連接的電感的作用。由于傳輸?shù)母哳l信號由蛇形導(dǎo)體40H傳輸，蛇形導(dǎo)體40H的長度被設(shè)定為該高頻信號以期望的相位量旋轉(zhuǎn)的長度。并且，像這樣在分布常數(shù)電路中使用電感，電感量不隨頻率發(fā)生變化，可實(shí)現(xiàn)頻率特性優(yōu)良的相位調(diào)整電路。由此，在傳輸信號具有特定的頻帶情況下，也能低損失的傳輸。
[0062]第2區(qū)域100H包括第I接地導(dǎo)體20H。第I接地導(dǎo)體20H在電介質(zhì)坯體IlOH的第I主面(第I電介質(zhì)層11IH側(cè)的表面)上形成。第I接地導(dǎo)體20H在電介質(zhì)坯體IlOH的第I主面的幾乎整個面上覆蓋形成。即，第I接地導(dǎo)體20H在第2區(qū)域100H上為整體導(dǎo)體。第I接地導(dǎo)體20H也由導(dǎo)電性高的材料，如銅(Cu)等組成。第I接地導(dǎo)體20H和第I區(qū)域100S的第I接地導(dǎo)體20形成一體。
[0063]第2區(qū)域100H包括第2接地導(dǎo)體30H。第2接地導(dǎo)體30H在電介質(zhì)坯體I1H的第2主面(第2電介質(zhì)層112H側(cè)的表面)上形成。第2接地導(dǎo)體30H在電介質(zhì)坯體IlOH的第2主面的幾乎整個面上覆蓋形成。即，第2接地導(dǎo)體30H在第2區(qū)域100H上為整體導(dǎo)體。第2接地導(dǎo)體30H也由導(dǎo)電性高的材料，如銅(Cu)等組成。第2接地導(dǎo)體30H和第I區(qū)域100S的第2接地導(dǎo)體30形成一體。
[0064]第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H通過連接導(dǎo)體50H被連接。連接導(dǎo)體50H為所謂的導(dǎo)電性過孔導(dǎo)體，在厚度方向上貫通電介質(zhì)坯體110H。俯視第2區(qū)域100H的情況下，在蛇形導(dǎo)體40H的形成區(qū)域以外的區(qū)域中形成多個連接導(dǎo)體50H。
[0065]利用該結(jié)構(gòu)，在相鄰連接的第I區(qū)域100S之間傳輸高頻信號時，第2區(qū)域100H起到將該高頻信號的相位以特定相位量旋轉(zhuǎn)的相位調(diào)整電路的作用。由此，向扁平電纜60輸入的高頻信號被調(diào)整成特定相位輸出。另外，第2區(qū)域中也可形成線圈狀的電感圖案或電容圖案，第2區(qū)域也可以起到低通濾波器或高通濾波器等濾波器電路的作用。形成線圈狀的電感圖案的情況下，能夠更容易地使得第2區(qū)域100H的阻抗高于形成有橋接導(dǎo)體23位置。
[0066]進(jìn)一步，本實(shí)施方式的第2區(qū)域100H包括第3接地導(dǎo)體41。第3接地導(dǎo)體41在第I電介質(zhì)層IllH和第2電介質(zhì)層112H的層間形成。換言之，第3接地導(dǎo)體41沿著電介質(zhì)坯體I1H的厚度方向，在與蛇形導(dǎo)體40H相同的位置形成。第3接地導(dǎo)體41形成與蛇形導(dǎo)體40H保持特定距離平行的形狀。第3接地導(dǎo)體41通過連接導(dǎo)體50H，與第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H連接。通過像這樣的結(jié)構(gòu)，能高精度地設(shè)定在第2區(qū)域100H被實(shí)現(xiàn)的相位調(diào)整電路的特性。由此，能夠更高精度地對高頻信號給予特定的相位旋轉(zhuǎn)量。更有，能將蛇形導(dǎo)體40H同外部環(huán)境屏蔽。由此，能抑制在蛇形導(dǎo)體40H發(fā)生的不必要的輻射向外部泄露。
[0067]另外，通過構(gòu)成本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，第2區(qū)域100H中，由于形成蛇形導(dǎo)體40H被整體導(dǎo)體包夾的形狀，導(dǎo)體相對于電介質(zhì)坯體的比例變大。由此，比起第I區(qū)域100S，能更硬，形成難以彎曲的結(jié)構(gòu)。更有，所述的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，由于第2區(qū)域100H的寬度比第I區(qū)域100S的寬度更大，所以更硬，更難以彎曲的構(gòu)造能得到實(shí)現(xiàn)。
[0068]并且，采用像這樣的結(jié)構(gòu)，扁平電纜60的傳輸線路部10沿長度方向，呈現(xiàn)如下所示的特性阻抗分布特性。圖4是示出了本實(shí)施方式涉及的扁平電纜60的傳輸線路部10沿長度方向的特性阻抗分布特性的圖。圖4(A)示出了未彎曲的狀態(tài)，圖4(B)示出了第I區(qū)域100S彎曲的狀態(tài)。
[0069]第I區(qū)域100S中，特性阻抗以與橋接導(dǎo)體23的設(shè)置間隔相對應(yīng)的周期變化。具體地，在沿長度方向的橋接導(dǎo)體23的位置上，由于橋接導(dǎo)體23和信號導(dǎo)體40在厚度方向上相對，因此特性阻抗的C性(=電容性)增強(qiáng)，達(dá)到最小值。并且，在沿長度方向橋接導(dǎo)體23的中間位置、換言之為沿長度方向在開口部24的中心位置上，特性阻抗的L性最強(qiáng)，達(dá)到最大值。由此，第I區(qū)域100S上特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的變化幅度為ARO0
[0070]第2區(qū)域100H上，由于采用蛇形導(dǎo)體40H，在該蛇形導(dǎo)體40H的延伸方向的中間位置上，L性最強(qiáng)，特性阻抗達(dá)到最大值。另一方面，第2區(qū)域100H和第I區(qū)域100S的邊界位置上，由于信號導(dǎo)體40和第I接地導(dǎo)體20H相對，C性變強(qiáng)，特性阻抗達(dá)到最小。由此，第2區(qū)域100H上特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的變化幅度為AR1。
[0071]這時，通過適當(dāng)設(shè)定蛇形導(dǎo)體40H的長度，能使第2區(qū)域100H上的特性阻抗的最大值比第I區(qū)域100S的特性阻抗的最大值更高。由此，第2區(qū)域100H上的特性阻抗的變化幅度AR1，能比第I區(qū)域100S上的特性阻抗的變化幅度ARO更大。
[0072]在這里，還事先對第2區(qū)域100H上的特性阻抗的變化幅度ARl進(jìn)行設(shè)定，使其大于特性阻抗變化幅度ARO由于第I區(qū)域100S彎曲或屈折而可能取到的最大值A(chǔ)R0’。
[0073]利用這樣的結(jié)構(gòu)，即便因?yàn)榈贗區(qū)域100S彎曲或屈折，第I區(qū)域100S的特性阻抗發(fā)生了變化，傳輸線路部10整體的特性阻抗的變化幅度的最大值為第2區(qū)域100H的特性阻抗的變化幅度AR1。
[0074]由此，即便第I區(qū)域100S被彎曲或屈折，傳輸線路部10整體的特性阻抗幾乎不發(fā)生變化。
[0075]由此，在預(yù)先對第I區(qū)域100S的特性阻抗和第2區(qū)域100H的特性阻抗的分布進(jìn)行設(shè)計(jì)，以使傳輸線路部10整體成為期望的特性阻抗ZO的方式事先對各部形狀進(jìn)行設(shè)定的情況下，將不受第I區(qū)域100S的彎曲或屈折影響，能保持傳輸線路部10整體的特性阻抗為定值。由此，傳輸特性優(yōu)良的扁平電纜能得到實(shí)現(xiàn)。
[0076]例如，如圖1 (B)、圖1(C)所示，即便將第I區(qū)域100S作為彎曲部，將扁平電纜60彎曲后再使用，其傳輸特性也未劣化，能實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良的傳輸特性的扁平電纜。
[0077]并且，第2區(qū)域100H沿傳輸方向的間隔、即阻抗的絕對值變高的位置之間的間隔(圖4的「S」)優(yōu)選為較短。通過縮短間隔S，能夠提高對傳輸線路部10的傳輸-頻率特性造成影響的駐波頻率。由此，將間隔S調(diào)整的更短，使其達(dá)到遠(yuǎn)離傳輸?shù)母哳l信號頻率的高頻率，能夠提高傳輸信號的頻帶中傳輸線路部10的傳輸-頻率特性。即，在傳輸信號的頻帶中，低損失的傳輸特性能得到實(shí)現(xiàn)。
[0078]更有，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，由于能夠以特定相位量旋轉(zhuǎn)高頻信號的相位，因此在與例如高頻用功率放大器這樣的輸出特性隨相位不同的電路元件連接的情況下，能以調(diào)整成更適當(dāng)?shù)南辔坏臓顟B(tài)提供高頻信號。由此，能提高使用該扁平電纜的高頻模塊的特性(例如發(fā)送信號輸出特性等)。
[0079]另外，所述的第2區(qū)域100H的連接導(dǎo)體50H的直徑優(yōu)選大于第I區(qū)域100S的連接導(dǎo)體50的直徑。優(yōu)選形成盡可能多的個數(shù)。由此，對于第2區(qū)域100H的彎曲，硬度能得到提聞。
[0080]如下文所示制造像這樣結(jié)構(gòu)的扁平電纜。
[0081]首先，準(zhǔn)備兩面貼銅的第I絕緣膜和兩面貼銅的第2絕緣膜。
[0082]第I絕緣膜的第I主面?zhèn)鹊呐c第I區(qū)域100S對應(yīng)的部分上，通過圖案化處理形成第I接地導(dǎo)體20，與第2區(qū)域100H對應(yīng)的部分上，通過圖案化處理形成第I接地導(dǎo)體20H。
[0083]第I絕緣膜的第2主面?zhèn)鹊呐c第I區(qū)域100S對應(yīng)的部分上，通過圖案化處理形成信號導(dǎo)體40，與第2區(qū)域100H對應(yīng)的部分上，通過圖案化處理形成蛇形導(dǎo)體40H及第3接地導(dǎo)體41。
[0084]另外，第I絕緣膜上排列形成數(shù)個第I接地導(dǎo)體20、20H、信號導(dǎo)體40、蛇形導(dǎo)體40H和第3接地導(dǎo)體41的組。
[0085]第2絕緣膜的第2主面?zhèn)鹊呐c第I區(qū)域100S對應(yīng)的部分上，通過圖案化處理形成第2接地導(dǎo)體30，與第2區(qū)域100H對應(yīng)的部分，通過圖案化處理形成第2接地導(dǎo)體30H。另夕卜，第2絕緣膜上排列形成數(shù)個第2接地導(dǎo)體30、30H。
[0086]將第I絕緣膜和第2絕緣膜貼合，使得各第I接地導(dǎo)體20與第2接地導(dǎo)體30相對，第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H相對。這時，將第I絕緣膜和第2絕緣膜貼合，使得信號導(dǎo)體40、蛇形導(dǎo)體40H、第3接地導(dǎo)體41被設(shè)置在第I絕緣膜和第2絕緣膜之間。由此得到數(shù)個復(fù)合體，該復(fù)合體中，電介質(zhì)坯體在厚度方向的中間位置上包括信號導(dǎo)體40、蛇形導(dǎo)體40H、第3接地導(dǎo)體41，而在該電介質(zhì)坯體的兩面上形成了第I接地導(dǎo)體20、20H和第2接地導(dǎo)體30、30H。
[0087]由該復(fù)合體分割出各個獨(dú)立的傳輸線路部10。在傳輸線路部10上形成保護(hù)層120、130。在傳輸線路部10的長度方向的兩端，并且在形成保護(hù)層130—側(cè)的面上，通過轉(zhuǎn)換座62設(shè)置同軸連接器61。
[0088]以所述結(jié)構(gòu)形成的扁平電纜60能用在如下所示的便攜電子設(shè)備上。圖5㈧使示出了本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的便攜電子設(shè)備的部件結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖，圖5(B)是為說明該便攜電子設(shè)備的部件結(jié)構(gòu)的平面剖視圖。
[0089]便攜電子設(shè)備I包括薄型的設(shè)備殼體2。在設(shè)備殼體2內(nèi)，設(shè)置有安裝電路基板3A、3B和電池組4。安裝電路基板3A、3B的表面上安裝有數(shù)個IC芯片5和安裝部件6。安裝電路基板3A、3B和電池組4被設(shè)置在設(shè)備殼體2中，使得在俯視設(shè)備殼體2的情況下，電池組4被設(shè)置在安裝電路基板3A、3B之間。在這里，由于設(shè)備殼體2被盡量作成薄型，在設(shè)備殼體2的厚度方向上，電池組4和設(shè)備殼體2的間隔極其狹窄。由此，無法在該間隔中設(shè)置同軸電纜。
[0090]然而，通過設(shè)置本實(shí)施方式示出的扁平電纜60，使得該扁平電纜60的厚度方向和設(shè)備殼體2的厚度方向一致，能夠在電池組4和設(shè)備殼體2之間穿過扁平電纜60。由此，能通過扁平電纜60連接因電池組4設(shè)置在中間并相互間隔的安裝電路基板3A、3B。
[0091]更有，即便在扁平電纜60同安裝電路基板3A、3B連接的位置在設(shè)備殼體2的厚度方向上不同于電池組4上設(shè)置扁平電纜60平面、因而必須將扁平電纜60彎曲才能連接的情況下，采用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)能抑制傳輸損失，傳輸高頻信號。
[0092]接著，針對本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖6是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0093]本實(shí)施方式的扁平電纜60a的傳輸線路部1a與第I實(shí)施方式示出的傳輸線路部10的不同之處在于第2區(qū)域100HC的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。由此，只對不同的部分進(jìn)行說明。
[0094]第2區(qū)域100HC包括平板導(dǎo)體40HC，該平板導(dǎo)體40HC在第I電介質(zhì)層11IH和第2電介質(zhì)層112H之間。沿著厚度方向觀察，平板導(dǎo)體40HC在第2區(qū)域100HC幾乎整面上形成。平板導(dǎo)體40HC即所謂的整體導(dǎo)體。
[0095]在與平板導(dǎo)體40HC不連接的位置上形成有數(shù)個連接第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H的連接導(dǎo)體50H。
[0096]由于像這樣的結(jié)構(gòu)，平板導(dǎo)體40HC、第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H、第1、第2電介質(zhì)層111HU12H起到了連接在傳輸線路和地線之間的電容器的作用。
[0097]采用像這樣的結(jié)構(gòu)，使高頻信號的相位旋轉(zhuǎn)的相位調(diào)整電路也能實(shí)現(xiàn)。
[0098]并且，采用像這樣的結(jié)構(gòu)，扁平電纜60a的傳輸線路部1a沿長度方向，呈現(xiàn)如下所示的特性阻抗分布特性。圖7是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的扁平電纜60a的傳輸線路部1a沿長度方向的特性阻抗分布特性的圖。
[0099]第I區(qū)域100S上與第I實(shí)施方式相同，特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的變化幅度為AR0。
[0100]第2區(qū)域100HC中，采用平板導(dǎo)體40HC的第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H之間由于產(chǎn)生電容，C性增強(qiáng)，與第2區(qū)域100HC和第I區(qū)域100S之間的邊界位置處相比，特性阻抗大幅減小，達(dá)到最小值。由此，第2區(qū)域100HC上特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的變化幅度為AR2，比第I區(qū)域100S的變化幅度ARO要大。
[0101]在這里，還事先對第2區(qū)域100HC上的特性阻抗的變化幅度AR2進(jìn)行設(shè)定，使其大于特性阻抗變化幅度ARO由于第I區(qū)域100S彎曲或屈折而可能取到的最大值A(chǔ)R0’。
[0102]采用像這樣的結(jié)構(gòu)，即便第I區(qū)域100S的特性阻抗因第I區(qū)域100S彎曲或屈折而發(fā)生變化，傳輸線路部10整體的特性阻抗的變化幅度的最大值為第2區(qū)域100HC的特性阻抗的變化幅度AR2。
[0103]由此，即便第I區(qū)域100S被彎曲或屈折，傳輸線路部1a整體的特性阻抗幾乎不發(fā)生變化。
[0104]由此，在預(yù)先對第I區(qū)域100S的特性阻抗和第2區(qū)域100HC的特性阻抗的分布進(jìn)行設(shè)計(jì)，以使傳輸線路部1a整體成為期望的特性阻抗ZO的方式事先對各部形狀進(jìn)行設(shè)定的情況下，將不受第I區(qū)域100S的彎曲或屈折影響，能保持傳輸線路部1a整體的特性阻抗為定值。由此，傳輸特性優(yōu)良的扁平電纜能得到實(shí)現(xiàn)。
[0105]更有，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，第2區(qū)域100HC的構(gòu)造是在厚度方向上，第1、第2電介質(zhì)層111HU12H被作為整體電極的第I接地導(dǎo)體20H、平板導(dǎo)體40HC、第2接地導(dǎo)體30H包夾。由此，相對于向厚度方向的彎曲，第2區(qū)域100HC具有更硬的結(jié)構(gòu)。由此，第2區(qū)域100HC由于呈更難彎曲的結(jié)構(gòu)，第2區(qū)域100HC的特性阻抗的變化能得到抑制。
[0106]并且，第2區(qū)域100H沿傳輸方向的間隔、即阻抗的絕對值變高的位置之間的間隔(圖7的「S」)優(yōu)選為較短。通過縮短間隔S，能夠提高對傳輸線路部10的傳輸-頻率特性造成影響的駐波頻率。由此，將間隔S調(diào)整的更短，使其達(dá)到遠(yuǎn)離傳輸?shù)母哳l信號頻率的高頻率，能夠提高傳輸信號的頻帶中傳輸線路部10的傳輸-頻率特性。即，傳輸信號的頻帶中，低損失的傳輸特性能得到實(shí)現(xiàn)?！?107】 接著，針對本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖8是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0108]本實(shí)施方式的扁平電纜60b的傳輸線路部1b與第2實(shí)施方式示出的傳輸線路部1a的不同之處在于第2區(qū)域100HC的結(jié)構(gòu)和第I電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。由此，只對不同的部分進(jìn)行說明。
[0109]第2區(qū)域100HC的第I電介質(zhì)層IllH上形成有第I接地導(dǎo)體20Hbl、20Hb2。第I接地導(dǎo)體20Hbl、20Hb2為平板導(dǎo)體。第I接地導(dǎo)體20Hbl、20Hb2以特定間隔200Hb被分離。換言之，第2區(qū)域100HC上形成的第I接地導(dǎo)體，在沿著傳輸方向的中途位置上被分割。
[0110]第I接地導(dǎo)體20Hbl，與長條導(dǎo)體21、22連接，該長條導(dǎo)體21、22形成在與第I電介質(zhì)層IllH連接的一邊的第I電介質(zhì)層111上。第I接地導(dǎo)體20Hbl，與長條導(dǎo)體21、22連接，該長條導(dǎo)體21、22形成在與第I電介質(zhì)層IllH連接的另一邊的第I電介質(zhì)層111上。
[0111]第I接地導(dǎo)體20Hbl、20Hb2分別隔著第I電介質(zhì)層111H，與平板導(dǎo)體40HC相對。
[0112]第I接地導(dǎo)體20Hbl、20Hb2分別通過單獨(dú)的連接導(dǎo)體50H與第2接地導(dǎo)體30H連接。在未與平板導(dǎo)體40HC連接的位置上形成有數(shù)個這些連接導(dǎo)體50H。
[0113]采用像這樣的結(jié)構(gòu)，第I接地導(dǎo)體20Hbl和第2接地導(dǎo)體30H構(gòu)成電容，第I接地導(dǎo)體20Hb2和第2接地導(dǎo)體30H構(gòu)成電容，平板導(dǎo)體40HC和第2接地導(dǎo)體30H構(gòu)成電容。并且，這些電容起到連接在傳輸線路和地線之間的電容的作用。
[0114]像這樣的結(jié)構(gòu)也能得到與上述的實(shí)施方式同樣的作用效果。另外，采用本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的情況下，通過調(diào)整間隔200Hb的形狀，換言之調(diào)整第I接地導(dǎo)體20Hbl、20Hb2的形狀，能調(diào)整連接在傳輸線路和地線之間的電容的電容量。
[0115]另外，本實(shí)施方式中，示出了將第I接地導(dǎo)體進(jìn)行分割的示例，但也可分割第2接地導(dǎo)體。
[0116]接著，針對本發(fā)明的實(shí)施方式4涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖9是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式4涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0117]本實(shí)施方式的扁平電纜60c的傳輸線路部1c與第2實(shí)施方式示出的傳輸線路部1a的不同之處在于第I電介質(zhì)層和第2區(qū)域100HC的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。由此，只對不同的部分進(jìn)行說明。
[0118]第2電介質(zhì)層為電介質(zhì)層1121、1122的兩層結(jié)構(gòu)。電介質(zhì)層1121設(shè)置在第I電介質(zhì)層111的一側(cè)。電介質(zhì)層1121的第I電介質(zhì)層111 一側(cè)上，在第I區(qū)域形成信號導(dǎo)體40，在第2區(qū)域形成平板導(dǎo)體40HC。電介質(zhì)層1122的電介質(zhì)層1121 —側(cè)上，在第2區(qū)域形成平板導(dǎo)體42。形成平板導(dǎo)體42，使得其以特定面積與平板導(dǎo)體40HC相對。平板導(dǎo)體42通過連接導(dǎo)體50H與第2接地導(dǎo)體30H連接。
[0119]第2區(qū)域100HC的第I電介質(zhì)層11IH上未形成導(dǎo)體(第I接地導(dǎo)體)。包夾第2區(qū)域100HC的第I區(qū)域100S的第I電介質(zhì)層111上，在第2區(qū)域100HC—側(cè)的端部分別形成有橋接導(dǎo)體23與長條導(dǎo)體21、22連接。
[0120]采用像這樣的結(jié)構(gòu)，平板導(dǎo)體40HC和平板導(dǎo)體42 (與第2接地導(dǎo)體30H連接)形成電容。并且，該電容起到連接在傳輸線路和地線之間的電容的作用。
[0121]采用像這樣的結(jié)構(gòu)，與未形成平板導(dǎo)體42的情況相比，平板導(dǎo)體40HC和第2接地導(dǎo)體之間產(chǎn)生的電容量會較大。通過調(diào)整平板導(dǎo)體42的形狀，電容量能被調(diào)整。更有，通過調(diào)整平板導(dǎo)體40HC、42之間的電介質(zhì)層1121的厚度也能調(diào)整電容量。
[0122]另外，本實(shí)施方式中，示出了平板導(dǎo)體42和第2接地導(dǎo)體30HC通過50H連接的示例，但也可以是平板導(dǎo)體40HC和平板導(dǎo)體42通過連接導(dǎo)體連接，將平板導(dǎo)體42和第2接地導(dǎo)體30HC之間的連接導(dǎo)體去除的結(jié)構(gòu)。這種情況下，利用電介質(zhì)層1122的厚度能調(diào)整電容。
[0123]接著，針對本發(fā)明的實(shí)施方式5涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖10是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式5涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0124]本實(shí)施方式的扁平電纜60d的傳輸線路部1d與第2實(shí)施方式示出的傳輸線路部1a的不同之處在于第2區(qū)域100HC的結(jié)構(gòu)，存在差異，其他結(jié)構(gòu)相同。由此，只對不同的部分進(jìn)行說明。
[0125]第2區(qū)域100HC的第I電介質(zhì)層IllH上形成平板導(dǎo)體42。平板導(dǎo)體42為在幾乎整面上形成的平板導(dǎo)體，除去沿第I電介質(zhì)層IllH的外周特定寬度的區(qū)域。平板導(dǎo)體42分離于長條導(dǎo)體21、22，該長條導(dǎo)體21、22在第I區(qū)域100S的第I電介質(zhì)層111上形成。平板導(dǎo)體42上連接有布線導(dǎo)體421。布線導(dǎo)體421在第2區(qū)域100HC的第I電介質(zhì)層IllH上形成。
[0126]包夾第2區(qū)域100HC的第I區(qū)域100S的第I電介質(zhì)層111上，在第2區(qū)域100HC一側(cè)的端部分別形成有橋接導(dǎo)體23與長條導(dǎo)體21、22連接。
[0127]第2區(qū)域100HC的第2電介質(zhì)層112H上形成平板導(dǎo)體40HCd。平板導(dǎo)體40HCd也為在幾乎整面上形成的平板導(dǎo)體，除去沿第2電介質(zhì)層112H的外周特定寬度的區(qū)域。平板導(dǎo)體40HCd僅與在一邊的第I區(qū)域100S上形成的信號導(dǎo)體40連接，與另一邊的第I區(qū)域100S的信號導(dǎo)體40分離。該平板導(dǎo)體42從線狀導(dǎo)體100分離的一側(cè)，與第I電介質(zhì)層IllH的形成布線導(dǎo)體421的一側(cè)相同。
[0128]該分離側(cè)的信號導(dǎo)體40，伸長到第2區(qū)域100HC為止。伸長到該第2區(qū)域100HC為止的信號導(dǎo)體40與第I電介質(zhì)層IllH的布線導(dǎo)體421通過連接導(dǎo)體52連接。
[0129]由于這種結(jié)構(gòu)，平板導(dǎo)體40HCd、42夾著第I電介質(zhì)層IllH而相對，形成電容。并且，由于平板導(dǎo)體40HCd與一邊的信號導(dǎo)體40連接，平板導(dǎo)體42與另一邊的信號導(dǎo)體40連接，該電容起到與信號傳輸線串聯(lián)連接的電容的作用。
[0130]更有，第2區(qū)域100HC的第2接地導(dǎo)體30Hd在除上述沿外周的特定寬度的區(qū)域以外形成開口。由于該結(jié)構(gòu)，平板導(dǎo)體40HCd和第2接地導(dǎo)體30Hd的平板面不對向。由此，平板導(dǎo)體40HCd和第2接地導(dǎo)體30Hd之間，能幾乎不發(fā)生靜電容量結(jié)合。由此，只需要有串聯(lián)電容的情況下，設(shè)置這樣的開口即可。另外，并聯(lián)電容也需要的情況下，不設(shè)置開口即可。
[0131]接著，針對本發(fā)明的實(shí)施方式6涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖11是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式6涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0132]本實(shí)施方式的扁平電纜60e的傳輸線路部1e與第2實(shí)施方式示出的傳輸線路部1a的不同之處在于第2區(qū)域100HC的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。由此，只對不同的部分進(jìn)行說明。
[0133]第2區(qū)域100HC的第2電介質(zhì)層112H上形成一對梳齒導(dǎo)體40HCel、40HCe2。梳齒導(dǎo)體40HCel、40HCe2分別與不同的信號導(dǎo)體40連接。梳齒導(dǎo)體40HCel、40HCe2被設(shè)置為它們各自的導(dǎo)體相互不連接的狀態(tài)而螺合。換言之，梳齒導(dǎo)體40HCel、40HCe2的各導(dǎo)電指狀件，在第2電介質(zhì)層112H的寬度方向以特定間隔被設(shè)置。
[0134]由于像這樣的結(jié)構(gòu)，梳齒導(dǎo)體40HCel、40HCe2的各導(dǎo)電指狀件之間產(chǎn)生靜電容量，作為電容發(fā)揮作用。并且，該靜電容量，由于在第2電介質(zhì)層112H上即同一平面內(nèi)耦合，很難因?yàn)槭艿脚渲迷谠撈矫嫱獾膶?dǎo)體影響而使電容量發(fā)生變化。
[0135]另外，該結(jié)構(gòu)中，由各導(dǎo)電指狀件的相對長度決定電容量，不受構(gòu)成電容的導(dǎo)體間的電介質(zhì)層的厚度影響。由此，設(shè)計(jì)的電容量能被可靠且正確的實(shí)現(xiàn)。
[0136]另外，該結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成電容的梳齒導(dǎo)體40HCel、40Hce2被整體導(dǎo)體的第I接地導(dǎo)體20H和第2接地導(dǎo)體30H包夾，則相對于外部電磁場的屏蔽性能得到提高。
[0137]接著，針對本發(fā)明的實(shí)施方式7涉及的高頻傳輸線路即扁平電纜，參照附圖進(jìn)行說明。圖12是示出了本發(fā)明的實(shí)施方式7涉及的扁平電纜的傳輸線路部的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。
[0138]本實(shí)施方式的扁平電纜60f的傳輸線路部1f與第4實(shí)施方式示出的傳輸線路部1c的不同之處在于第I電介質(zhì)層和第2區(qū)域100HC的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)相同。由此，只對不同的部分進(jìn)行說明。
[0139]第2電介質(zhì)層為電介質(zhì)層1121、1122的兩層結(jié)構(gòu)。電介質(zhì)層1121設(shè)置在第I電介質(zhì)層111的一側(cè)。電介質(zhì)層1121的第I電介質(zhì)層111的一側(cè)上，在第I區(qū)域100S形成信號導(dǎo)體40，在第2區(qū)域100HC形成平板導(dǎo)體40HCfl、40HCf2。平板導(dǎo)體40HCf l、40HCf2以特定間隔分離設(shè)置。平板導(dǎo)體40HCfl、40HCf2分別與不同的信號導(dǎo)體40連接。
[0140]電介質(zhì)層1122的電介質(zhì)層1121的一側(cè)上，在第2區(qū)域100HC形成平板導(dǎo)體42。平板導(dǎo)體42與平板導(dǎo)體40HCfl、40HCf2分別以特定面積相對。
[0141]第2區(qū)域100HC的第I電介質(zhì)層11IH上未形成導(dǎo)體(第I接地導(dǎo)體)。包夾第2區(qū)域100HC的第I區(qū)域100S的第I電介質(zhì)層111上，在第2區(qū)域100HC—側(cè)的端部分別形成有橋接導(dǎo)體23與長條導(dǎo)體21、22連接。
[0142]由于這種結(jié)構(gòu)，平板導(dǎo)體40HCfl、42包夾電介質(zhì)層1121而相對，形成電容。另外，平板導(dǎo)體40HCf2、42包夾電介質(zhì)層1121而相對，形成電容。平板導(dǎo)體40HCfl、40HCf2分別與不同的信號導(dǎo)體40連接，因此該電容起到與信號傳輸線串聯(lián)連接的兩個電容的作用。
[0143]更有，第2區(qū)域100HC的第2接地導(dǎo)體30Hf在除上述沿外周的特定寬度的區(qū)域以外形成開口。由于該結(jié)構(gòu)，平板導(dǎo)體42和第2接地導(dǎo)體30Hf的平板面不相對。由此，平板導(dǎo)體42和第2接地導(dǎo)體30Hf之間，能幾乎不發(fā)生靜電容量耦合。由此，只需要有串聯(lián)電容的情況下，設(shè)置這樣的開口即可。另外，并聯(lián)電容也需要的情況下，不設(shè)置開口即可。
[0144]另外，所述各實(shí)施方式中，示出了第2區(qū)域100H、100HC比第I區(qū)域100S寬度更大的情況。然而，圖13中示出的寬度一定的結(jié)構(gòu)也可。圖13是寬度一定的情況下扁平電纜的外觀透視圖。如圖13所示，扁平電纜60’的傳輸線路部10’呈第I區(qū)域100S和第2區(qū)域100H’交替相連的形狀。第I區(qū)域100S和第2區(qū)域100H’的寬度相同。只要第2區(qū)域100H’的剛性高于第I區(qū)域10S的剛性，則像這樣寬度一定的結(jié)構(gòu)也可。
[0145]另外，所述的各實(shí)施方式中，示出了第I區(qū)域100S上的開口部24的寬度一定的示例。然而，也可以是如下形狀:從與橋接導(dǎo)體連接的端部開始，開口部的寬度向開口部的長度方向的中心逐漸變寬。由此，第I區(qū)域上的特性阻抗的劇烈的變化能得到抑制，傳輸損失也能進(jìn)一步得到抑制。
[0146]另外，所述的各實(shí)施方式中，示出了第I區(qū)域100S上的信號導(dǎo)體40的寬度一定的示例。然而，加大與開口部相對部分的信號導(dǎo)體的寬度也可。這時，從厚度方向觀察扁平電纜的情況下，信號導(dǎo)體被加寬為與長條導(dǎo)體不重疊的程度。由此，信號導(dǎo)體的高頻阻抗能得到減小，扁平電纜的導(dǎo)體損失能得到減小。
[0147]另外，所述的實(shí)施方式中雖未做具體說明，但第2區(qū)域可以不是數(shù)個，而是一個。并且，第2區(qū)域設(shè)置為數(shù)個的情況下，各第2區(qū)域上的特性阻抗的變化幅度大致相同即可。由此，第2區(qū)域?qū)τ诒馄诫娎|的特性阻抗的影響能進(jìn)一步增大，作為扁平電纜，能實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的特性阻抗。
[0148]另外，所述的各實(shí)施方式中，示出了以分布常數(shù)電路形成第2區(qū)域的相位調(diào)整電路的示例。然而，也可以通過集中常數(shù)電路元件即安裝型線圈或安裝型電容器來實(shí)現(xiàn)第2區(qū)域的相位調(diào)整電路。例如在采用安裝型線圈的情況下，將信號導(dǎo)體40延伸至第2區(qū)域?yàn)橹?。信號?dǎo)體40在第2區(qū)域內(nèi)切斷。第I電介質(zhì)層IllH的表面上，形成兩個安裝用焊盤(land)，利用過孔導(dǎo)體等連接在信號導(dǎo)體40上被切斷后形成的兩端上。在這兩個安裝用焊盤上安裝安裝型線圈。
[0149]另外，所述的各實(shí)施方式中，示出的例子是在第I接地導(dǎo)體和第2接地導(dǎo)體之間設(shè)置有信號導(dǎo)體的三片型傳輸線路，但上述結(jié)構(gòu)同樣使用于省略第2接地導(dǎo)體的微帶線(micro strip)型的傳輸線路中。
[0150]另外，所述的各實(shí)施方式中，示出了扁平電纜的形態(tài)作為高頻傳輸線路，但本發(fā)明不限于扁平電纜。即，也可以用于構(gòu)成天線前端模塊等RF電路基板的一部分的高頻傳輸線路。
標(biāo)號說明
[0151]1:便攜電子設(shè)備、
2:設(shè)備殼體、
3A、3B:安裝電路基板、
4:電池組、
5:IC芯片、
6:安裝部件、
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、10’:傳輸線路部、
20、20H、20Hbl、20Hb2:第 I 接地導(dǎo)體、
21,22:長條導(dǎo)體、
30、30H、30Hd:第2接地導(dǎo)體、
23:橋接導(dǎo)體、
24,24a:開口部、
40:信號導(dǎo)體、40H:蛇形導(dǎo)體、
40HC、40HCd、40HCfl、40HCf2、42:平板導(dǎo)體、40HCel、40HCe2:梳齒導(dǎo)體、
41:第3接地導(dǎo)體、
50:連接導(dǎo)體、
60、60a、60b、60c、60d、60e、60f、60’:扁平電纜、
61:同軸連接器、
62:轉(zhuǎn)換座、
100S --第I區(qū)域、
100H、100HC、100H’:第 2 區(qū)域、
110:電介質(zhì)坯體、
111U11H:第I電介質(zhì)層、
112、112H:第2電介質(zhì)層、
1121U122:電介質(zhì)層、
421:布線導(dǎo)體
【權(quán)利要求】
1.一種高頻傳輸線路，包括:電介質(zhì)坯體，該電介質(zhì)坯體呈具有撓性的平板狀，其一個方向較長，在相對于該長度方向正交的方向上具有特定寬度，并且具有特定厚度， 信號導(dǎo)體，該信號導(dǎo)體設(shè)置在該電介質(zhì)坯體上，呈沿所述長度方向延伸的形狀， 第I接地導(dǎo)體，該第I接地導(dǎo)體沿所述信號導(dǎo)體設(shè)置在所述電介質(zhì)坯體上，其特征在于: 所述信號導(dǎo)體和所述第I接地導(dǎo)體至少其中一方其特性阻抗沿著長度方向呈周期性變化，并且其形狀包括由該特性阻抗的變化幅度不同的第I區(qū)域和第2區(qū)域， 所述第2區(qū)域的特性阻抗的變化幅度與所述第I區(qū)域的特性阻抗的變化幅度相比要大。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻傳輸線路，其特征在于: 所述第I區(qū)域中， 所述第I接地導(dǎo)體呈沿所述長度方向延伸的形狀，包括:兩個長條導(dǎo)體，所述兩個長條導(dǎo)體以被相互間隔開的方式設(shè)置在寬度方向的兩端，呈沿長度方向延伸的形狀；以及數(shù)個橋接導(dǎo)體，所述數(shù)個橋接導(dǎo)體以沿著所述長度方向空開間隔的方式連接所述兩個長條導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻傳輸線路，其特征在于:所述第2區(qū)域的形狀為:通過在輸入端和輸出端之間進(jìn)行傳送，高頻信號的相位被旋轉(zhuǎn)規(guī)定量。
4.如權(quán)利要求3所述的高頻傳輸線路，其特征在于: 所述第2區(qū)域中， 所述信號導(dǎo)體為導(dǎo)體線路，所述導(dǎo)體線路的長度使得對于所述高頻信號而言，相位被旋轉(zhuǎn)所述規(guī)定量， 所述第I接地導(dǎo)體在所述一邊端面的幾乎整個面上形成。
5.如權(quán)利要求3所述的高頻傳輸線路，其特征在于: 所述第2區(qū)域中，包括: 第3接地導(dǎo)體，該第3接地導(dǎo)體形成在所述厚度方向上與所述信號導(dǎo)體大致相同的位置上，該第3接地導(dǎo)體的形狀為與所述信號導(dǎo)體保持大致特定的間隔而平行延伸的形狀，該第3接地導(dǎo)體與所述第I接地導(dǎo)體高頻連接。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的高頻傳輸線路，其特征在于:所述第2區(qū)域的寬度與所述第I區(qū)域的寬度相比更寬。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的高頻傳輸線路，其特征在于:所述第2區(qū)域在所述長度方向上有數(shù)個，數(shù)個所述第2區(qū)域的特性阻抗的變化幅度大致相同。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的高頻傳輸線路，其特征在于，包括:第2接地導(dǎo)體，該第2接地導(dǎo)體在與所述第I接地導(dǎo)體相反的一側(cè)形成并將所述信號導(dǎo)體包夾其間。
9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的高頻傳輸線路，其特征在于，包括:連接器部件，該連接器部件在所述長度方向的至少一端，與所述信號導(dǎo)體連接。
10.電子設(shè)備，包括: 如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的高頻傳輸線路； 數(shù)個安裝電路基板，所述數(shù)個安裝電路基板利用該高頻傳輸線路進(jìn)行連接；以及 殼體，該殼體將所述安裝電路基板內(nèi)藏其中。
11.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于:所述高頻傳輸線路中，所述第I區(qū)域中的至少一處部位呈彎曲的形狀。
【文檔編號】H05K1/02GK104412448SQ201380034262
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月28日
【發(fā)明者】加藤登, 石野聰, 佐佐木純, 用水邦明, 馬場貴博, 池本伸郎 申請人:株式會社村田制作所