照明裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種照明裝置，即便電壓產(chǎn)生下降也能抑制發(fā)光量的減少。實施方式中的照明裝置包括基板、設在所述基板上的發(fā)光元件、及設在所述基板上且與所述發(fā)光元件串聯(lián)連接的電阻體。而且，當對所述發(fā)光元件與所述電阻體串聯(lián)連接的第1電路施加第1電壓的減半值時所述電阻體的電壓比率小于或等于當對所述第1電路施加所述第1電壓時的所述電阻體的電壓比率。
【專利說明】照明裝置

【技術(shù)領域】
[0001 ] 本發(fā)明的實施方式涉及一種照明裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，代替白熾燈泡(filamentbulb),而實際采用使用發(fā)光二極管(LightEmitting D1de, LED)作為光源的車輛用照明裝置(例如，汽車用照明裝置)。
[0003]使用發(fā)光二極管作為光源的照明裝置的壽命長，而且功耗也少，因此，可期待替換現(xiàn)有的白熾燈泡。
[0004]此處，車輛用照明裝置將電池(battery)作為電源，但施加于照明裝置的電壓會變動。
[0005]例如，普通的車輛用照明裝置的運行標準電壓(額定電壓)為13.5V左右，但因電池的電壓下降、交流發(fā)電機(alternator)的運行、電路上的影響等，會使施加于照明裝置的電壓變動。
[0006]因此，車輛用照明裝置中，確定了運行電壓范圍(電壓變動范圍)。例如，運行電壓范圍一般為9V?16V，其中，也有為7V?16V的情況。
[0007]如果施加的電壓下降，那么，白熾燈泡、和使用發(fā)光二極管作為光源的照明裝置的發(fā)光量都會下降。
[0008]然而，如果電壓大幅下降(成為低電壓)，那么會存在使用發(fā)光二極管作為光源的照明裝置的發(fā)光量變得少于白熾燈泡的發(fā)光量的問題。
[0009]此時，可使用恒壓元件等，來抑制使用發(fā)光二極管作為光源的照明裝置的發(fā)光量的下降。
[0010]然而，如果使用恒壓元件等，那么需要新的恒壓元件等，或因電路效率(對于發(fā)光二極管的施加電壓相對于輸入電壓的比例)的下降使得發(fā)熱量增多，或基板尺寸(size)增大。
[0011]因此，車輛用照明裝置所需的小型化、或低成本(cost)化可能無法實現(xiàn)。
[0012][現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[0013][專利文獻]
[0014][專利文獻I]實用新型注冊第3107038號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明所要解決的問題是提供一種即便電壓產(chǎn)生下降也能抑制發(fā)光量的減少的照明裝置。
[0016]實施方式中的照明裝置包括:基板；發(fā)光元件，設在所述基板上；及電阻體，設在所述基板上，且與所述發(fā)光元件串聯(lián)連接。
[0017]而且，當對所述發(fā)光元件與所述電阻體串聯(lián)連接的第I電路施加第I電壓的減半值時所述電阻體的電壓比率小于或等于當對所述第I電路施加所述第I電壓時的所述電阻體的電壓比率的25%。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可提供一種即便電壓產(chǎn)生下降也能抑制發(fā)光量的減少的照明裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是用于例示本實施方式中的照明裝置I的示意性立體圖。
[0020]圖2是發(fā)光部20的示意性立體圖。
[0021]圖3是發(fā)光部20的電路圖。
[0022]圖4是用于例示二極管(控制元件29a、控制元件29b)、電阻體(電阻體23a、電阻體23b)及發(fā)光二極管(發(fā)光元件22)串聯(lián)連接的電路上的輸入電壓與電壓比率的關(guān)系的曲線(graph)圖。
[0023]圖5是用于例示設為VR2 ( 0.25X VRl時的效果的曲線圖。
[0024][符號的說明]
[0025]1:照明裝置
[0026]10:本體部
[0027]11:收容部
[0028]12:法蘭部
[0029]13:葉片
[0030]20:發(fā)光部
[0031]21:基板
[0032]22:發(fā)光元件
[0033]23a:電阻體
[0034]23al、23bl:去除部
[0035]2?:電阻體
[0036]24:配線圖案
[0037]24a:輸入端子
[0038]25:配線
[0039]26:包圍壁構(gòu)件
[0040]26a:中央部
[0041]26b:側(cè)壁面
[0042]27:密封部
[0043]28:接合部
[0044]29a,29b:控制元件
[0045]30:供電部
[0046]31:供電端子
[0047]40:燈座
[0048]52a,52b:控制元件
[0049]GND:接地2而子

【具體實施方式】
[0050]本發(fā)明的一種實施方式是具有基板、設在所述基板上的發(fā)光元件及設在所述基板上且與所述發(fā)光元件串聯(lián)連接的電阻體的照明裝置。
[0051]而且，當對所述發(fā)光元件與所述電阻體串聯(lián)連接的第I電路施加第I電壓的減半值時所述電阻體的電壓比率小于或等于當對所述第I電路施加所述第I電壓時的所述電阻體的電壓比率的25%。
[0052]根據(jù)該照明裝置，即便電壓產(chǎn)生下降，也能抑制發(fā)光量的減少。
[0053]此時，在輸入電壓低的區(qū)域(電壓下降時)能獲得與白熾燈泡同等或其以上的發(fā)光量。
[0054]而且，可設有多個所述電阻體，且所述多個電阻體各自的電阻值可設為大致相同。
[0055]根據(jù)該照明裝置，可不設置溫度上升幅度增大的電阻體。因此，即便電壓產(chǎn)生下降，也能進一步抑制發(fā)光量的減少。
[0056]而且，所述電阻體可設為呈膜狀。
[0057]根據(jù)該照明裝置，能提高電阻體的散熱性。因此，即便電壓產(chǎn)生下降，也能進一步抑制發(fā)光量的減少。
[0058]而且，可設為還包括串聯(lián)連接發(fā)光元件與所述電阻體的第2電路的照明裝置。
[0059]而且，所述第I電路可作為停車燈(stop lamp)的電路，所述第2電路可作為尾燈(tail lamp)的電路。
[0060]而且，可設為當對所述第2電路施加所述第I電壓的減半值時所述第2電路的電阻體的電壓比率高于當對所述第I電路施加所述第I電壓的減半值時所述第I電路的電阻體的電壓比率。
[0061]根據(jù)該照明裝置，當電壓變動時，可使尾燈的亮度與停車燈的亮度的差增大。
[0062]以下，參照附圖，對實施方式進行例示。另外，各附圖中，對于同樣的構(gòu)成要素標注相同的符號，且適當省略詳細說明。
[0063]而且，以下例示的照明裝置I可作為用于汽車等車輛的照明裝置。
[0064]圖1是用于例示本實施方式中的照明裝置I的示意性立體圖。
[0065]圖2是發(fā)光部20的示意性立體圖。
[0066]圖3是發(fā)光部20的電路圖。
[0067]如圖1所示，照明裝置I中設有本體部10、發(fā)光部20、供電部30及燈座(socket)40。
[0068]在本體部10設有收容部11、法蘭(flange)部12及葉片(hn) 13。
[0069]收容部11呈圓筒狀，且從法蘭部12的一個面突出。發(fā)光部20收容在收容部11的內(nèi)側(cè)。而且，供電部30的供電端子31突出于收容部11的內(nèi)側(cè)。
[0070]法蘭部12呈圓板狀，且在一個面上設有收容部11，在另一個面上設有葉片13。
[0071]葉片13以從法蘭部12的面突出的方式設有多個。多個葉片13呈板狀，且作為散熱片而發(fā)揮功能。
[0072]本體部10具有收容發(fā)光部20及供電部30等的功能、使發(fā)光部20或供電部30所產(chǎn)生的熱向照明裝置I的外部釋放的功能。
[0073]因此，考慮到將熱釋放至外部，可由導熱率高的材料形成本體部10。例如，本體部10可由鋁、鋁合金、高導熱性樹脂等形成。高導熱性樹脂例如為在聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate, PET)或尼龍(nylon)等樹脂中混合導熱率高的碳或氧化鋁等的纖維或粒子而成的。
[0074]此時，也可使用導熱率高的材料來形成將葉片13等的熱釋放至外部的部分，而使用樹脂等來形成其他部分。
[0075]而且，當使用導電性材料形成本體部10的主要部分時，為了確保供電端子31與由導電性材料形成的本體部10之間的電絕緣性，可設成以下配置:利用絕緣材料(未圖示)來覆蓋供電端子31的周圍，成為由導電性材料形成其周圍的本體部10。絕緣材料可例如為樹脂等，并且，優(yōu)選的是導熱率高的材料。
[0076]而且，也可在本體部10設有用于安裝于車輛用燈具或從車輛用燈具拆卸的未圖示的安裝部。
[0077]如圖2所示，發(fā)光部20設有基板21、發(fā)光元件22、電阻體23a、電阻體23b、配線圖案24、配線25、包圍壁構(gòu)件26、密封部27、接合部28、控制元件29a、控制元件29b、控制元件52a及控制元件52b。
[0078]基板21設在本體部10的收容部11的內(nèi)側(cè)。
[0079]基板21呈板狀，且表面設有配線圖案24。
[0080]基板21可例如由氧化鋁或氮化鋁等無機材料(陶瓷)、酚醛紙或玻璃環(huán)氧化物等有機材料等形成。而且，基板21也可為由絕緣材料被覆金屬板的表面的類型。另外，當利用絕緣材料被覆金屬板的表面時,絕緣材料可為包含有機材料的類型,也可為包含無機材料的類型。
[0081]而且，基板21可為單層，也可為多層。
[0082]此處，電阻體23a及電阻體23b因施加有電壓而發(fā)熱，溫度上升。
[0083]而且，如下文所述，如果電阻體23a及電阻體23b的散熱差，那么照明裝置I (發(fā)光元件22)的發(fā)光量會隨著電壓的下降而大幅減少。
[0084]因此，基板21的材料優(yōu)選的是導熱率高的材料。
[0085]作為導熱率高的材料，例如可例示氧化鋁或氮化鋁等陶瓷、高導熱性樹脂、利用絕緣材料被覆表面的金屬板等。
[0086]多個發(fā)光元件22設在基板21的表面上所設的配線圖案24上。
[0087]發(fā)光元件22中，可在與設于配線圖案24側(cè)為相反側(cè)的面(上表面)上具有未圖示的電極。另外，未圖示的電極可設在設于配線圖案24側(cè)的面(下表面)、及與設于配線圖案24側(cè)為相反側(cè)的面(上表面)上,也可僅設在任一面上。
[0088]設在發(fā)光元件22的下表面的未圖示的電極是經(jīng)由銀漿(paste)等導電性的熱硬化材而與設在配線圖案24上的安裝墊(pad)電連接。設在發(fā)光元件22的上表面上的未圖示的電極是經(jīng)由配線25而與設在配線圖案24上的配線墊電連接。
[0089]發(fā)光元件22可例如為發(fā)光二極管、有機發(fā)光二極管、激光二極管(laser d1de)
坐寸ο
[0090]發(fā)光元件22的光的出射面即上表面朝向照明裝置I的正面?zhèn)?，且主要朝向照明裝置I的正面?zhèn)日丈涔狻?br> [0091]發(fā)光元件22的數(shù)量或大小等并不限于例示的內(nèi)容，可根據(jù)照明裝置I的大小或用途等而適當?shù)刈兏?br> [0092]配線圖案24設在基板21的至少一個表面。
[0093]配線圖案24也可設在基板21的兩個面，但為了降低制造成本，優(yōu)選的是設在基板21的一個面。
[0094]配線圖案24上設有輸入端子24a。
[0095]設有多個輸入端子24a。輸入端子24a電連接于供電部30的供電端子31。因此，發(fā)光元件22經(jīng)由配線圖案24而與供電部30電連接。
[0096]配線25將設在發(fā)光元件22的上表面的未圖示的電極、與設在配線圖案24上的配線墊電連接。
[0097]配線25可例如為以金作為主成分的線。然而，配線25的材料并不限定于以金作為主成分的類型,例如可為以銅作為主成分的線,也可為以鋁作為主成分的線等。
[0098]配線25可例如利用超聲波熔接或熱熔接而與設在發(fā)光元件22的上表面的未圖示的電極、及設在配線圖案24上的配線墊電連接。配線25可例如利用打線接合(wirebonding)法而與設在發(fā)光元件22的上表面的未圖示的電極、及設在配線圖案24上的配線墊電連接。
[0099]包圍壁構(gòu)件26是以包圍多個發(fā)光元件22的方式設在基板21上。包圍壁構(gòu)件26例如具有環(huán)狀形狀，且在中央部26a配置有多個發(fā)光元件22。
[0100]包圍壁構(gòu)件26可例如由聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate,PBT)或聚碳酸酯(polycarbonate, PC)等樹脂、或陶瓷等形成。
[0101]而且，當包圍壁構(gòu)件26的材料為樹脂時，可混合氧化鈦等的粒子，而提高對于從發(fā)光元件22照射出的光的反射率。
[0102]另外，并不限于氧化鈦的粒子，只要混合包含對于從發(fā)光元件22照射出的光的反射率高的材料的粒子即可。
[0103]而且，包圍壁構(gòu)件26也可例如由白色樹脂形成。
[0104]包圍壁構(gòu)件26的中央部26a側(cè)的側(cè)壁面26b成為斜面。從發(fā)光元件22照射出的一部分光被包圍壁構(gòu)件26的側(cè)壁面26b反射后，朝向照明裝置I的正面?zhèn)日丈洹?br> [0105]而且，從發(fā)光元件22朝向照明裝置I的正面?zhèn)日丈涞囊徊糠止?、即?jīng)由密封部27的上表面(密封部27與外部氣體的界面)全反射的光被包圍壁構(gòu)件26的中央部26a側(cè)的側(cè)壁面26b反射后，再次朝向照明裝置I的正面?zhèn)日丈洹?br> [0106]即，包圍壁構(gòu)件26可兼具反射器的功能。另外，包圍壁構(gòu)件26的形態(tài)并不限定于例示的類型，可適當?shù)刈兏?br> [0107]密封部27設在包圍壁構(gòu)件26的中央部26a。密封部27是以覆蓋包圍壁構(gòu)件26的內(nèi)側(cè)的方式設置。即，密封部27設在包圍壁構(gòu)件26的內(nèi)側(cè)，覆蓋發(fā)光元件22、配線25、及配置在包圍壁構(gòu)件26的中央部26a的配線圖案24。
[0108]密封部27是由具有透光性的材料形成。密封部27可例如由硅酮樹脂等形成。
[0109]密封部27可例如通過將樹脂填充于包圍壁構(gòu)件26的中央部26a而形成。樹脂的填充可例如使用分配器(dispenser)等液體定量吐出裝置來進行。
[0110]只要將樹脂填充于包圍壁構(gòu)件26的中央部26a，那么可抑制外部對發(fā)光元件22、配置在包圍壁構(gòu)件26的中央部26a的配線圖案24、及配線25等的機械接觸。而且，能抑制水分或氣體(gas)等附著于發(fā)光元件22、配置在包圍壁部材26的中央部26a的配線圖案24、及配線25等。因此，能提高對于照明裝置I的可靠性。
[0111]而且，密封部27可含有熒光體。熒光體可為例如YAG系熒光體(釔?鋁.石榴石(yttrium aluminum garnet)系突光體)。
[0112]例如，當發(fā)光元件22為藍色發(fā)光二極管、熒光體為YAG系熒光體時，從發(fā)光元件22照射出的藍色光激發(fā)YAG系熒光體，從YAG系熒光體發(fā)出黃色的熒光。而且，因混雜有藍色光與黃色光，所以從照明裝置I照射出白色光。另外，熒光體的種類或發(fā)光元件22的種類并不限定于例示的類型，可根據(jù)照明裝置I的用途等而適當?shù)刈兏?，以獲得所需的發(fā)光色。
[0113]接合部28將包圍壁構(gòu)件26與基板21接合。
[0114]接合部28呈膜狀，且設在包圍壁構(gòu)件26與基板21之間。
[0115]接合部28可例如通過使硅酮系接著劑或環(huán)氧系接著劑硬化而形成。
[0116]如圖3所示，照明裝置I中設有雙系統(tǒng)電路。
[0117]S卩，在作為輸入端子的Anodel與接地(ground)端子(GND)之間，串聯(lián)連接有控制元件29b、電阻體23b及發(fā)光元件22 (相當于第I電路的一例)。
[0118]而且，控制元件52b與發(fā)光元件22并聯(lián)連接?？刂圃?2b的一端連接于控制元件29b的陰極(cathode)側(cè)?？刂圃?2b的另一端連接于接地端子。另外,控制元件52b的一端也可連接于控制元件29b的陽極(anode)側(cè)，控制元件52b的另一端也可連接于接地端子。
[0119]在作為輸入端子的Anode2與接地端子之間，串聯(lián)連接有控制元件29a、電阻體23a及發(fā)光元件22 (相當于第2電路的一例)。
[0120]而且，控制元件52a與發(fā)光元件22并聯(lián)連接。控制元件52a的一端連接于控制元件29a的陰極側(cè)。控制元件52a的另一端連接于接地端子。另外，控制元件52a的一端也可連接于控制元件29a的陽極側(cè)，控制元件52b的另一端也可連接于接地端子。
[0121]而且，這些電路中，接地端子是共用的。
[0122]電阻體23a及電阻體23b設在配線圖案24上。
[0123]電阻體23a及電阻體23b控制發(fā)光元件22中流動的電流。
[0124]發(fā)光元件22的正向電壓特性存在不均，因此，如果使Anodel (或Anode2)與接地端子之間的施加電壓為固定，那么，發(fā)光元件22的亮度(光束、輝度、光度、照度)會產(chǎn)生不均。因此，以使發(fā)光元件22的亮度處于規(guī)定的范圍內(nèi)的方式，利用電阻體23a及電阻體23b使發(fā)光元件22中流動的電流的值處于所需的范圍內(nèi)。
[0125]電阻體23a及電阻體23b為電阻器。電阻體23a及電阻體23b可例如為表面安裝型電阻器(芯片(chip)電阻器)、具有導(lead)線的電阻器(金屬氧化物皮膜電阻器)、使用絲網(wǎng)(screen)印刷法等而形成的膜狀的電阻器(壓膜電阻器)等。
[0126]如下文所述，如果電阻體23a及電阻體23b的散熱差，那么照明裝置I (發(fā)光元件22)的發(fā)光量會隨著電壓的下降而大幅減少。
[0127]因此，電阻體23a及電阻體23b優(yōu)選的是散熱性優(yōu)良。
[0128]例如，電阻體23a及電阻體23b優(yōu)選的是膜狀的電阻器等。
[0129]此時，電阻體23a及電阻體23b可為使用氧化釕(ruthenium oxide)而形成的膜狀的電阻器。
[0130]而且，可通過改變電阻體23a及電阻體23b的電阻值，而使發(fā)光元件22中流動的電流的值處于所需的范圍內(nèi)。
[0131]例如，當電阻體23a及電阻體23b為膜狀的電阻器時，可通過去除電阻體23a及電阻體23b的一部分而分別形成去除部23al及去除部23bl，從而改變各自的電阻值。此時，如果去除電阻體23a及電阻體23b的一部分，那么各自的電阻值會增加。
[0132]關(guān)于電阻體23a及電阻體23b的一部分的去除，可例如通過對電阻體23a及電阻體23b照射激光而進行。
[0133]而且，當設有多個電阻體23a時，優(yōu)選的是各自的電阻值盡量相同。
[0134]這樣，可使多個電阻體23a各自的發(fā)熱量、甚至是各自的溫度相同。
[0135]例如，如果多個電阻體23a中存在電阻值低的電阻體，那么電阻值低的電阻體23a的發(fā)熱量會增多，甚至是溫度升高。因此，Anode2側(cè)的電路上的發(fā)光元件22的發(fā)光量可能會隨著電壓的下降而大幅減少。
[0136]當設有多個電阻體23b時，優(yōu)選的是各自的電阻值盡量相同。
[0137]這樣，可使多個電阻體23b各自的發(fā)熱量、甚至是各自的溫度相同。
[0138]例如，如果多個電阻體23b中存在電阻值低的電阻體，那么電阻值低的電阻體23b的發(fā)熱量會增多，甚至是溫度升高。因此，Anodel側(cè)的電路上的發(fā)光元件22的發(fā)光量可能會隨著電壓的下降而大幅減少。
[0139]電阻體23a及電阻體23b的數(shù)量或大小等并無特別限定。
[0140]然而，優(yōu)選的是，電阻體23a及電阻體23b的散熱性高。
[0141]如果電阻體23a及電阻體23b的散熱性高，那么能抑制溫度上升，因此能抑制伴隨電壓的下降而產(chǎn)生的發(fā)光量的減少。
[0142]為了提高散熱性，優(yōu)選的是例如增多電阻體23a及電阻體23b各自的數(shù)量、或增大平面形狀(設置面積)、或增大厚度尺寸。
[0143]控制元件29a及控制元件29b設在配線圖案24上。
[0144]設置控制元件29a及控制元件29b的目的在于不對發(fā)光元件22施加反方向電壓、及不對發(fā)光元件22施加來自反方向的脈沖噪聲(pulse noise)。
[0145]控制元件29a及控制元件29b可例如為二極管?？刂圃?9a及控制元件29b可例如為表面安裝型二極管、或具有導線的二極管等。
[0146]控制元件52a及控制元件52b設在配線圖案24上。
[0147]控制元件52a及控制元件52b可例如為電容器(condenser)?？刂圃?2a及控制元件52b可例如為表面安裝型電容器、或具有導線的電容器等。
[0148]而且，作為一例，例示設有雙系統(tǒng)電路的照明裝置1，但電路的系統(tǒng)數(shù)并不限于雙系統(tǒng)，也可適當?shù)刈兏?br> [0149]接著，關(guān)于發(fā)光量的減少進一步進行說明。
[0150]圖4是用于例示二極管(控制元件29a、控制元件29b)、電阻體(電阻體23a、電阻體23b)、及發(fā)光二極管(發(fā)光元件22)串聯(lián)連接的電路上輸入電壓與電壓比率的關(guān)系的曲線圖。
[0151]此處，輸入電壓是指施加于二極管、電阻體、發(fā)光二極管這一整體的電壓。二極管、電阻體、或發(fā)光二極管的電壓比率的定義是施加于二極管、電阻體、或發(fā)光二極管的電壓分別除以輸入電壓后所得的比率。
[0152]另外，圖4中的虛線部分并未采用抑制電阻體的電壓比率的單元，實線部分采用抑制電阻體的電壓比率的單元。
[0153]如圖4所示，如果輸入電壓升高，那么二極管與發(fā)光二極管的電壓比率會下降，電阻體的電壓比率會上升。
[0154]如果輸入電壓升高，那么二極管及電阻體與發(fā)光二極管的溫度會升高。
[0155]此時，二極管及發(fā)光二極管是半導體元件，所以其電阻值會隨著溫度上升而減少。因此，如果輸入電壓升高，那么二極管及發(fā)光二極管各自的電壓比率會減少。
[0156]另一方面，電阻體包含氧化釕等金屬，所以其電阻值會隨著溫度上升而增加。因此，如果輸入電壓升高，那么電阻體的電壓比率會增加。
[0157]而且，由圖4可知，如果采用抑制電阻體的電壓比率的單元，那么，能提高發(fā)光二極管的電壓比率。只要能提高發(fā)光二極管的電壓比率，就能增加發(fā)光二極管的發(fā)光量。
[0158]而且，在輸入電壓低的區(qū)域(電壓下降時)，通過抑制電阻體的電壓比率來增加發(fā)光二極管的發(fā)光量的效果明顯。
[0159]為了抑制電阻體的電壓比率，可抑制電阻體的電阻值的上升。為了抑制電阻體的電阻值的上升，可提高電阻體的相關(guān)散熱性而抑制電阻體的溫度上升。
[0160]例如，可通過以下方式來提高電阻體的相關(guān)散熱性。
[0161]電阻體23a及電阻體23b為膜狀的電阻器。
[0162]當設有多個電阻體23a(電阻體23b)時，使各自的電阻值盡量相同。
[0163]增加電阻體23a(電阻體23b)的數(shù)量、或增大平面形狀(設置面積)、或增大厚度尺寸。
[0164]當去除電阻體23a(電阻體23b)的一部分而改變電阻值時，通過進行L型切割或蛇形切割(serpentine cut)來使峰值(peak)溫度(局部的溫度上升)降低。
[0165]電阻體23a(電阻體23b)的材料為發(fā)熱量少的材料。
[0166]利用導熱率高的材料來形成基板21。
[0167]利用導熱率高的材料來形成本體部10。
[0168]而且，根據(jù)本發(fā)明人所獲得的觀點，只要通過提高電阻體的相關(guān)散熱性，使施加運行電壓范圍(電壓變動范圍)內(nèi)的額定電壓(相當于第I電壓的一例)的減半值(例如，6.75V)時電阻體的電壓比率VR2小于或等于成為施加額定電壓(例如，13.5V)時的電阻體的電壓比率VRl的25% (VR2彡0.25XVR1)，那么，在輸入電壓低的區(qū)域(電壓下降時)可獲得與白熾燈泡同等或其以上的發(fā)光量。
[0169]圖5是用于例示設為VR2 ( 0.25X VRl時的效果的曲線圖。
[0170]另外，圖5中的實線表示VR2 ( 0.25 X VRl的情況，虛線表示比較例的情況(未采用抑制電阻體的電壓比率的單元時)，點劃線表示白熾燈泡的情況。
[0171]如圖5所示，只要通過提高電阻體的相關(guān)散熱性，使得VR2 ( 0.25XVR1，那么，在輸入電壓低的區(qū)域(電壓下降時)可獲得與白熾燈泡同等或其以上的發(fā)光量。
[0172]另外，當為大于或等于額定電壓(例如，13.5V)時，能減少發(fā)光量的變化率。
[0173]這表示即便在電壓變動時也能抑制發(fā)光量的變化。
[0174]而且，在圖3所例示的發(fā)光部20的電路圖中，例如，將Anodel側(cè)的電路作為停車燈的電路，將Anode2側(cè)的電路作為尾燈的電路。
[0175]此時，在輸入電壓低的區(qū)域(電壓下降時)，如果停車燈的電路即Anodel側(cè)的電路上的發(fā)光量大幅減少，那么，當停車燈點燈時(踩下剎車(brake)時)，后續(xù)車輛難以辨識停車燈的點燈。
[0176]因此，提高停車燈的電路即Anodel側(cè)的電路上的電阻體23b的相關(guān)散熱性，而抑制發(fā)光量的變化。
[0177]這樣，即便在電壓產(chǎn)生變動時，后續(xù)車輛也能容易地辨識停車燈的點燈。
[0178]另外，提高尾燈的電路即Anode2側(cè)的電路上的電阻體23a的相關(guān)散熱性，而抑制發(fā)光量的變化。
[0179]此時，使Anode2側(cè)的電路上的發(fā)光量的減少大于Anodel側(cè)的電路上的發(fā)光量的減少。
[0180]例如，使對Anode2側(cè)的電路施加額定電壓的減半值時電阻體23a的電壓比率高于對Anodel側(cè)的電路施加額定電壓的減半值時電阻體23b的電壓比率。此時，通過控制電阻體的相關(guān)散熱性，可控制電阻體的電壓比率。
[0181]這樣，當電壓產(chǎn)生變動時，能增大尾燈的亮度與停車燈的亮度的差。因此，后續(xù)車輛能更容易辨識停車燈的點燈。
[0182]以上，已對本發(fā)明的若干實施方式進行了例示，但這些實施方式僅作為示例而提出，并非意在限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實施方式能以其他各種形態(tài)實施，且能在不脫離發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進行各種省略、置換、變更等。這些實施方式及其變形例屬于發(fā)明的范圍或宗旨，且屬于權(quán)利要求中揭示的發(fā)明及其均等的范圍。而且，上文所述的各實施方式可相互組合而實施。
【權(quán)利要求】
1.一種照明裝置，其特征在于包括: 基板； 發(fā)光元件，設在所述基板上；及 電阻體，設在所述基板上，且與所述發(fā)光元件串聯(lián)連接； 其中，當對所述發(fā)光元件與所述電阻體串聯(lián)連接的第I電路施加第I電壓的減半值時所述電阻體的電壓比率小于或等于當對所述第I電路施加所述第I電壓時的所述電阻體的電壓比率的25%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明裝置，其特征在于: 設有多個所述電阻體， 所述多個電阻體各自的電阻值大致相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明裝置，其特征在于: 所述電阻體呈膜狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明裝置，其特征在于，還包括: 第2電路，串聯(lián)連接所述發(fā)光元件與所述電阻體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的照明裝置，其特征在于: 所述第I電路為停車燈的電路， 所述第2電路為尾燈的電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或權(quán)利要求5所述的照明裝置，其特征在于: 當對所述第2電路施加所述第I電壓的減半值時所述第2電路的電阻體的電壓比率高于當對所述第I電路施加所述第I電壓的減半值時所述第I電路的電阻體的電壓比率。
【文檔編號】H05B37/02GK104427712SQ201410102701
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】日野清和 申請人:東芝照明技術(shù)株式會社