一種內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法
【專利摘要】一種內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，包括如下步驟：a)在芯片表面貼異向?qū)щ姴牧?；b)將銅箔貼在支撐板表面；然后進(jìn)行鉆孔，制作具有對位功能的工具孔；c)使用芯片自動貼片機(jī)將貼好異向?qū)щ姴牧系男酒N在具有支撐板的銅箔表面目標(biāo)位置處，通過加熱和加壓，使芯片端的焊盤和銅箔之間的異向?qū)щ姴牧蠈?dǎo)通；d)在芯片上面層壓介質(zhì)層和銅箔，將芯片內(nèi)埋于雙面覆銅板中；e)用激光鉆孔、去鉆污、化學(xué)銅和電鍍銅，實(shí)現(xiàn)雙面覆銅板的層間導(dǎo)通；f)將支撐板去除，得到埋芯片的雙面覆銅板。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)線路精度要求采用減成法或半加成法進(jìn)行印制電路板制作。本發(fā)明可以制作更薄、更高密度的埋芯片的印制線路板或集成電路封裝基板。
【專利說明】一種內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印制電路板或集成電路封裝基板的制造方法，特別涉及一種內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品功能化、智能化的發(fā)展，高集成度、薄型化、微型化已成主流趨勢，印制電路板在滿足電子產(chǎn)品良好的電、熱性能的前提下，也必然的朝著薄型化，高密度，三維結(jié)構(gòu)等的方向發(fā)展，從而滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品微型化、高集成度的設(shè)計(jì)需求。這就意味著電路板封裝設(shè)計(jì)必須滿足如下要求:降低封裝高度、提高封裝密度。
[0003]埋芯片工藝成為一個重要的發(fā)展方向。所謂埋芯片工藝，就是在印制電路板的制作過程中，把芯片埋在介質(zhì)層中，再通過金屬化微孔，或?qū)щ娊饘偻箟K，或其它方式實(shí)現(xiàn)外部圖形和內(nèi)層芯片的導(dǎo)通互連。
[0004]埋芯片技術(shù)將芯片內(nèi)置于電路板內(nèi)部，有效的降低了封裝高度；同時，埋芯片技術(shù)使得設(shè)計(jì)上有更大的空間和自由度，它將電路板表面原先放置芯片的位置空出來，可用于組裝更多的元件，從而大大提高了封裝密度。
[0005]目前，埋芯片工藝技術(shù)眾多，但仍存在著諸多技術(shù)或制程工藝問題，表1針對目前芯片內(nèi)埋電路板互連技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)作了詳細(xì)對比。
[0006]表1
[0007]
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，包括如下步驟: a)在芯片表面貼異向?qū)щ姴牧希? b)將銅箔貼在支撐板表面，然后進(jìn)行鉆孔，制作具有對位功能的工具孔； c)使用芯片自動貼片機(jī)將貼好異向?qū)щ姴牧系男酒N在具有支撐板的銅箔表面目標(biāo)位置處，通過加熱、加壓，使芯片端的焊盤和銅箔之間的異向?qū)щ姴牧蠈?dǎo)通； d)在芯片上面層壓介質(zhì)層和銅箔，使芯片內(nèi)埋于雙面覆銅板中； e)用激光鉆孔、去鉆污、化學(xué)銅和電鍍銅，實(shí)現(xiàn)雙面覆銅板的層間導(dǎo)通； f)將支撐板去除，得到內(nèi)埋芯片的雙面覆銅板； g)根據(jù)完成線路的線寬、間距的要求，選擇減成法或半加成法在內(nèi)埋芯片的雙面覆銅板上完成銅線路制作，得到內(nèi)埋芯片的印制電路板。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，如果需要制作雙面印制電路板，并且電路板上線路的線寬、間距分別在30μπι以上時，則在完成步驟(f)后，采用減成法，首先，在埋芯片的雙面覆銅板的銅表面，采用圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)制作銅線路圖形；芯片的焊盤通過異向?qū)щ姴牧吓c雙面覆銅板上的銅線路圖形相連，形成電性能的導(dǎo)通；然后，完成線路圖形后進(jìn)行阻焊、可焊性涂覆層和機(jī)械或激光切割后，得到內(nèi)埋芯片的雙面印制電路板。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，如果需要制作多層印制電路板，并且電路板上線路的線寬、間距在分別在30μπι以上時，則在完成步驟(f)后，進(jìn)行減成法制作，并進(jìn)行多次層壓和層間互聯(lián)的制作；具體步驟為:第一步，在埋芯片的雙面覆銅板的銅表面，采用圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)制作銅線路圖形；芯片的焊盤通過異向?qū)щ姴牧吓c雙面覆銅板上的銅線路圖形相連，形成電性能的導(dǎo)通；第二步，層壓介質(zhì)層和銅箔，用激光鉆孔或機(jī)械鉆孔形成層間孔，經(jīng)過去鉆污、化學(xué)銅、電鍍銅和圖形轉(zhuǎn)移工序，形成銅線路圖形，并實(shí)現(xiàn)印制電路板的層間導(dǎo)通；第三步，進(jìn)行阻焊、可焊性涂覆層和機(jī)械或激光切割后，得到內(nèi)埋芯片的多層印制線路板。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，如果需要制作雙面印制電路板，并且電路板上線路的線寬、間距分別在30 μ m以下時，則在完成步驟(f)后，采用半加成法制作；具體步驟為:第一步，將在埋芯片的雙面覆銅板上進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形電鍍，去膜和閃蝕；第二步，完成線路圖形后進(jìn)行阻焊、可焊性涂覆層和機(jī)械或激光切割后，得到內(nèi)埋芯片的雙面印制電路板。
5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，如果需要制作多層印制電路板，并且電路板上線路的線寬、間距分別在30μπ?以下時，則在完成步驟(f)后，采用半加成法制作，并進(jìn)行多次層壓和層間互聯(lián)的制作；具體步驟為:第一步，將在埋芯片的雙面覆銅板上進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，圖形電鍍，去膜和閃蝕；第二步，層壓介質(zhì)層、用激光鉆孔或機(jī)械鉆孔形成層間孔，經(jīng)過去鉆污、化學(xué)銅、圖形轉(zhuǎn)移、圖形電鍍、去膜和閃蝕，形成銅線路圖形，并實(shí)現(xiàn)印制電路板的層間導(dǎo)通；第三步，進(jìn)行阻焊、可焊性涂覆層和機(jī)械或激光切割后，得到內(nèi)埋芯片的多層印制線路板。
6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，所述的異向?qū)щ姴牧蠟楫愊驅(qū)щ姼?、異向?qū)щ娔せ虍愊驅(qū)щ姷囊簯B(tài)材料。
7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，所述的異向?qū)щ姴牧蠟楦叻肿泳酆衔锱c導(dǎo)電的金屬顆粒的混合體；高分子聚合物為熱塑性樹脂或熱固性樹脂；熱塑性樹脂是指聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯或橡膠；熱固性樹脂是指環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺；導(dǎo)電的金屬顆粒為金屬鎳、金、銀、錫或錫合金。
8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，在步驟c)通過加熱和加壓使芯片端的焊盤和銅箔之間的異向?qū)щ姴牧蠈?dǎo)通，其中，加熱溫度為50~300°C，壓力為 0.01MPa ~1OOMPa0
9.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，在步驟d)中，在芯片上面層壓介質(zhì)層和銅箔；其中，層壓的介質(zhì)層材料是指半固化片和ABF，其中半固化片的樹脂為環(huán)氧樹脂、聚馬來酰亞胺三嗪樹脂、聚酰亞胺、聚苯醚或聚四氟乙烯。
10.如權(quán)利要求1或3或5所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，所述的激光鉆孔為采用二氧化碳激光或UV激光對印制電路板或集成電路封裝基板進(jìn)行鉆孔；所述的去鉆污是采用堿性高錳酸鉀溶液或堿性高錳酸鈉溶液對鉆孔后的孔壁的鉆污進(jìn)行去除，或采用等離子體去除孔內(nèi)鉆污。
11.如權(quán)利要求1或3所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，所述的電鍍銅采用電鍍填孔藥水或傳統(tǒng)的板面電鍍藥水進(jìn)行電鍍，使印制電路板層間實(shí)現(xiàn)電性能的導(dǎo)通。
12.如權(quán)利要求4或5所述的內(nèi)埋芯片的印制電路板制造方法，其特征是，所述的圖形電鍍銅是采用電鍍填 孔藥水或傳統(tǒng)的板面電鍍藥水進(jìn)行圖形電鍍，將干膜沒有覆蓋的區(qū)域電鍍銅，使印制電路板層間實(shí)現(xiàn)電性能的導(dǎo)通。
【文檔編號】H05K3/32GK103929896SQ201410190575
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月7日
【發(fā)明者】孫炳合, 陳明明, 付海濤 申請人:上海美維科技有限公司