一種rf屏蔽結構的制作方法
【專利摘要】一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述RF屏蔽結構由接觸套和屏蔽管組成，在所述接觸套和屏蔽管之間有一間隙，在間隙之間設有彈簧絲。本設計對屏蔽結構的彈簧接觸進行了改進，并對改進前后的屏蔽效果進行了束流實驗觀察，實驗表明改造前存在高次模泄漏，改造后有效抑制了高次模泄漏。
【專利說明】一種RF屏蔽結構
【技術領域】
[0001] 本設計涉及RF屏蔽結構，屬于電子【技術領域】。
【背景技術】
[0002] 某正負電子對撞機真空內扭擺磁鐵的波紋管在電子束流的高流強運行中發(fā)生了 損傷和真空泄漏。該波紋管內設計了一個橢圓截面的屏蔽結構。屏蔽結構的主體是屏蔽 管，屏蔽管下游是一個接觸套，兩者之間存在一定寬度的間隙，采用一個彈簧片來實現RF 接觸。彈簧片通過螺栓固定在屏蔽管端部，彈簧片自身有26個彈簧指，當波紋管達到設計 的壓縮量時，接觸套與26個彈簧指可以保持良好接觸。如果波紋管沒有壓縮到設計的安裝 長度，彈簧片與接觸套之間可能存在的間隙，就會導致了高次模泄漏。
【發(fā)明內容】
[0003] 針對現有技術的不足，本設計的目的是提供一種RF屏蔽結構。
[0004] 為實現上述目的，本設計是通過以下技術手段來實現的： 一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述RF屏蔽結構由接觸套和屏蔽管組成，在所述接觸 套和屏蔽管之間有一間隙，在間隙之間設有彈簧絲。
[0005] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述接觸套和屏蔽管之間的間隙 為 8mm η
[0006] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲固定在屏蔽管端部。 [0007] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲通過螺栓固定在屏蔽 管端部。
[0008] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲的形狀為環(huán)形。
[0009] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲采用導電彈性材料制 成。
[0010] 本發(fā)明的有益效果是：本設計對屏蔽結構的彈簧接觸進行了改進，并對改進前后 的屏蔽效果進行了束流實驗觀察，實驗表明改造前存在高次模泄漏，改造后有效抑制了高 次模泄漏。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011] 圖1為原RF屏蔽結構，圖2為原彈簧片接觸結構，圖3為本設計彈簧絲接觸結構。
[0012] 附圖標號的含義如下：1接觸套，2彈簧片，3屏蔽管，4螺栓，5彈簧絲。
【具體實施方式】
[0013] 下面將結合說明書附圖，對設計作進一步的說明。
[0014] 如圖1、2、3所示，一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述RF屏蔽結構由接觸套1和 屏蔽管3組成，在所述接觸套1和屏蔽管3之間有一間隙，在間隙之間設有彈簧絲5。
[0015] 本設計將原彈簧片2改為彈簧絲5,由于彈簧絲5比彈簧片2彈性與接觸面積都 大，可以減小彈簧片2與接觸套1之間可能存在間隙，避免高次模泄漏。
[0016] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述接觸套1和屏蔽管3之間的間 隙為8mm。
[0017] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲5固定在屏蔽管3端 部。
[0018] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲5通過螺栓4固定在屏 蔽管3端部。
[0019] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲5的形狀為環(huán)形。
[0020] 優(yōu)選的，所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲5采用導電彈性材料制 成。
[0021] 以上顯示和描述了本設計的基本原理、主要特征及優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該 了解，本設計不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本設計的原 理，在不脫離本設計精神和范圍的前提下，本設計還會有各種變化和改進，這些變化和改進 都落入要求保護的本設計范圍內。本設計要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界 定。
【權利要求】
1. 一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述RF屏蔽結構由接觸套和屏蔽管組成，在所述接 觸套和屏蔽管之間有一間隙，在間隙之間設有彈簧絲。
2. 如權利要求1所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述接觸套和屏蔽管之間的間 隙為8mm。
3. 如權利要求1所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲固定在屏蔽管端 部。
4. 如權利要求3所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲通過螺栓固定在屏 蔽管端部。
5. 如權利要求1所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲的形狀為環(huán)形。
6. 如權利要求1所述的一種RF屏蔽結構，其特征在于：所述彈簧絲采用導電彈性材料 制成。
【文檔編號】H05K9/00GK104093296SQ201410232537
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權日:2014年5月29日
【發(fā)明者】楊俊民 申請人:蘇州錕恩電子科技有限公司