電磁波屏蔽薄膜、使用其的印刷電路板、及壓延銅箔的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠防止金屬薄膜與粘接劑層的剝離的電磁波屏蔽薄膜、使用其的印刷電路板、及壓延銅筢。電磁波屏蔽薄膜(1)為至少將金屬薄膜(4)和粘接劑層(5)依次層疊而成的結(jié)構(gòu),依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率在溫度8CTC、濕度95%RH、壓差latm下為0.5g/m2?24h以上。
【專利說明】電磁波屏蔽薄膜、使用其的印刷電路板、及壓延銅箔
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電磁波屏蔽薄膜、使用該屏蔽薄膜的屏蔽印刷電路板、以及能夠用于 電磁波屏蔽薄膜的壓延銅箔。
【背景技術(shù)】
[0002] -直以來,在例如柔性印刷電路板(FPC)等印刷電路板上粘貼電磁波屏蔽薄膜 (印刷電路板用屏蔽薄膜)來進行對來自外部的電磁波的屏蔽。
[0003] 例如專利文獻1的電磁波屏蔽薄膜具有將粘接劑層、金屬薄膜、和絕緣層依次層 疊而成的結(jié)構(gòu)。將該電磁波屏蔽薄膜在重疊于柔性印刷電路板的狀態(tài)下進行熱壓,從而利 用粘接劑層將電磁波屏蔽薄膜粘接于印刷電路板,制作屏蔽印刷電路板。該粘接后,利用回 流焊在印刷電路板上安裝部件。另外,柔性印刷電路板的構(gòu)成為基膜上的印刷圖案被絕緣 薄膜覆蓋。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開2004-095566號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 發(fā)明要解決的問是頁
[0008] 專利文獻1那樣的屏蔽印刷電路板在熱壓工序、回流焊工序中被加熱時,自電磁 波屏蔽薄膜的粘接劑層、印刷電路板的絕緣薄膜等產(chǎn)生氣體。另外,印刷電路板的基膜由聚 酰亞胺等吸濕性高的樹脂形成時,有時因加熱而自基膜產(chǎn)生水蒸氣。自粘接劑層、絕緣薄 膜、基膜產(chǎn)生的這些揮發(fā)成分無法通過金屬薄膜,因此滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間。因 此,回流焊工序中進行急劇的加熱時,有時因滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間的揮發(fā)成分 而使金屬薄膜與粘接劑層的層間密合被破壞。為了防止該故障,通常采取將屏蔽印刷電路 板在投入回流焊工序之前進行退火而預(yù)先使揮發(fā)成分揮發(fā)的措施,但退火需要幾小時,因 此生產(chǎn)時間產(chǎn)生損失。
[0009] 本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的,目的在于提供能夠防止金屬薄膜與粘接劑層的 剝離的電磁波屏蔽薄膜、以及提供使用該電磁波屏蔽薄膜的屏蔽印刷電路板。
[0010] 用于解決問題的方案
[0011] 第1技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,其為至少將金屬薄膜和粘接劑層依 次層疊而成的電磁波屏蔽薄膜,依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率在溫度80°C、濕度95% RH、 壓差latm下為0. 5g/m2 · 24h以上。
[0012] 根據(jù)上述技術(shù)方案,依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率在溫度80°C、濕度95% RH、壓 差latm下為0. 5g/m2 · 24h以上,因此將本發(fā)明的電磁波屏蔽薄膜在用粘接劑貼合于印刷 電路板的狀態(tài)下進行加熱時,即使自粘接劑、印刷電路板的樹脂薄膜等產(chǎn)生揮發(fā)成分,也能 夠使該揮發(fā)成分逸出到外部,因此能夠防止由于揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間 而導(dǎo)致的層間剝離。
[0013] 第2技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第1技術(shù)方案中,前述金屬薄膜是 將由在溶劑中溶解性低的難溶性成分和在前述溶劑中溶解性比前述難溶性成分高的易溶 性成分構(gòu)成的金屬片在前述溶劑中浸漬而形成的,其中,前述易溶性成分為分散配置于前 述金屬片的多個粒狀體,通過使前述粒狀體溶解于前述溶劑,從而在前述金屬薄膜上形成 有多個開口部。
[0014] 根據(jù)上述技術(shù)方案,將由難溶性成分和易溶性成分形成的金屬片在溶劑中浸漬 時,由易溶性成分形成的粒狀體比難溶性成分更容易溶解于溶劑,因此,粒狀體溶解并消 失,從而能夠在金屬薄膜上形成開口部。另外,粒狀體分散配置于金屬片整體,因此能夠得 到整體形成有多個開口部的金屬薄膜。因此,將本發(fā)明的電磁波屏蔽薄膜在利用粘接劑貼 合于印刷電路板的狀態(tài)下進行加熱時,即使自粘接劑、印刷電路板的樹脂薄膜等產(chǎn)生揮發(fā) 成分,也能夠使該揮發(fā)成分經(jīng)由金屬薄膜的開口部逸出到外部,因此能夠防止由于揮發(fā)成 分滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間而導(dǎo)致的層間剝離。
[0015] 第3技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第2技術(shù)方案中,前述難溶性成分 是以銅作為主要成分的金屬,前述易溶性成分為氧化銅。
[0016] 根據(jù)上述技術(shù)方案,作為溶劑使用一直以來所使用的蝕刻液,能夠高效地生產(chǎn)本 發(fā)明的電磁波屏蔽薄膜。作為一直以來所使用的蝕刻液,例如可列舉出過硫酸鈉水溶液、雙 氧水與硫酸的混合液、氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液等。
[0017] 第4技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第2技術(shù)方案中,前述難溶性成分 是以銅作為主要成分的金屬,前述易溶性成分為氧化亞銅。
[0018] 根據(jù)上述技術(shù)方案,作為溶劑使用一直以來所使用的蝕刻液,能夠更高效地生產(chǎn) 本發(fā)明的電磁波屏蔽薄膜。
[0019] 第5技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第2?4的任一技術(shù)方案中,前述 開口部的直徑為〇. 1?100 μ m。
[0020] 根據(jù)上述技術(shù)方案,由于開口部的直徑為0. 1 μπι以上,因此,將電磁波屏蔽薄膜 在利用粘接劑貼合于印刷電路板的狀態(tài)下進行加熱時,即使自粘接劑、印刷電路板的樹脂 薄膜等產(chǎn)生揮發(fā)成分,也能夠使該揮發(fā)成分經(jīng)由金屬薄膜的開口部逸出到外部,因此能夠 更可靠地防止來自粘接劑等的揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間。
[0021] 另外,由于開口部的直徑為100 μ m以下,因此對于低頻電磁波也滿足良好的電磁 波屏蔽特性,而且金屬薄膜不易破裂且處理性變得良好。
[0022] 需要說明的是,從滿足處理性和電磁波屏蔽特性的觀點出發(fā),開口部的直徑進一 步優(yōu)選為50 μ m以下、更優(yōu)選為10 μ m以下。
[0023] 第6技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第2?5的任一技術(shù)方案中,每 lcm2前述金屬薄膜中的前述開口部的個數(shù)為10?1000個/cm2。
[0024] 根據(jù)上述技術(shù)方案,由于開口部為10個/cm2以上,因此將電磁波屏蔽薄膜在利用 粘接劑貼合于印刷電路板的狀態(tài)下進行加熱時,即使自粘接劑、印刷電路板的樹脂薄膜等 產(chǎn)生揮發(fā)成分,也能夠使該揮發(fā)成分經(jīng)由金屬薄膜的開口部逸出到外部,因此能夠更可靠 地防止來自粘接劑等的揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間。
[0025] 另外,由于開口部為1000個/cm2以下,因此金屬薄膜變得不易破裂,處理性變得 良好。
[0026] 第7技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第2?第6的任一技術(shù)方案中,前 述金屬薄膜的厚度為〇. 5?12 μ m。
[0027] 根據(jù)上述技術(shù)方案,由于金屬薄膜的厚度為0. 5 μ m以上,因此金屬薄膜變得不易 破裂且處理性變得良好,而且電磁波屏蔽特性也變得良好。
[0028] 另外,由于金屬薄膜的厚度為12 μ m以下,因此電磁波屏蔽薄膜的撓性變得良好。
[0029] 第8技術(shù)方案的電磁波屏蔽薄膜的特征在于,在第1?第7的任一技術(shù)方案中,前 述金屬薄膜為壓延銅箔。
[0030] 根據(jù)上述技術(shù)方案,將壓延銅箔用于電磁波屏蔽薄膜的金屬薄膜時,可得到良好 的電磁波屏蔽特性,而且能夠使用作為廉價的原材料的壓延銅箔,因此能夠提供適于電磁 波屏蔽薄膜的金屬薄膜。另外,壓延銅箔優(yōu)選為由氧化亞銅和99. 9%以上的純銅形成的、 氧化銅相當(dāng)于易溶性成分且純銅相當(dāng)于難溶性成分的韌銅(tough pitch copper)的壓延 銅箔。這是因為其能夠使用一直以來所使用的蝕刻液而容易地得到形成有多個開口部的金 屬薄膜。作為這種壓延銅箔,除了韌銅以外,還可以使用HA箔(JX NIPPON MINING&METALS CORPORATION制造)等包含氧化銅的銅箔。進而,通過對壓延銅箔進行蝕刻而能夠得到期望 厚度的銅箔,因此能夠使金屬薄膜的厚度為高精度,能夠適用于電磁波屏蔽薄膜。
[0031] 第9技術(shù)方案的壓延銅箔的特征在于,其為利用濕式蝕刻法形成有開口部的壓延 銅箔,其中,開口部的直徑為〇. 1?100 μ m,每lcm2壓延銅箔中的開口部的個數(shù)為10? 1000個/cm2,壓延銅箔的厚度為0. 5?12 μ m。
[0032] 根據(jù)上述技術(shù)方案,能夠利用一直以來所使用的濕式蝕刻法、使用能夠廉價地 獲取的壓延銅箔來獲得適于電磁波屏蔽薄膜的金屬薄膜。另外,開口部的直徑為〇. 1? 100 μ m,每lcm2壓延銅箔中的開口部的個數(shù)為10?1000個/cm2,壓延銅箔的厚度為0. 5? 12 μ m,從而將電磁波屏蔽薄膜在利用粘接劑貼合于印刷電路板的狀態(tài)下進行加熱時,即使 自粘接劑、印刷電路板的樹脂薄膜等產(chǎn)生揮發(fā)成分,也能夠使該揮發(fā)成分經(jīng)由金屬薄膜的 開口部逸出到外部,因此能夠防止由于揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜與粘接劑層之間而導(dǎo)致的 層間剝離,能夠提供屏蔽特性良好的電磁波屏蔽薄膜。
[0033] 本發(fā)明中的濕式蝕刻法可以采用公知的方法,例如可列舉出在電解液中利用電解 使金屬溶出的方法、在溶劑中使金屬氧化而溶出的方法等。
[0034] 第10技術(shù)方案的屏蔽印刷電路板的特征在于,具備第1?第8的任一技術(shù)方案的 電磁波屏蔽薄膜。
[0035] 根據(jù)上述技術(shù)方案,能夠充分降低由于制造過程中產(chǎn)生揮發(fā)成分而導(dǎo)致的故障, 得到電磁波屏蔽特性優(yōu)異的屏蔽印刷電路板。
[0036] 發(fā)明的效果
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的電磁波屏蔽薄膜,能夠防止由于自粘接劑等產(chǎn)生的揮發(fā)成分而導(dǎo)致 的金屬薄膜與粘接劑層的剝離。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038] 圖1為第1實施方式的電磁波屏蔽薄膜的截面圖。
[0039] 圖2為具備圖1的電磁波屏蔽薄膜的屏蔽印刷電路板的截面圖。
[0040] 圖3的(a)、(b)為用于說明圖1的電磁波屏蔽薄膜的金屬薄膜的制作工序的端視 圖。
[0041] 圖4的(a)、(b)、(c)為用于說明第2實施方式和第3實施方式的金屬薄膜的制作 工序的端視圖。
[0042] 圖5的(a)、(b)、(c)、(d)為用于說明第4實施方式的金屬薄膜的制作工序的端 視圖。
[0043] 圖6的(a)、(b)為用于說明第5實施方式的金屬薄膜的制作工序的端視圖。
[0044] 圖7的(a)為實施例1的壓延銅箔的蝕刻前(左圖)和蝕刻后(右圖)的照片, 圖7的(b)為實施例2的壓延銅箔的蝕刻前(左圖)和蝕刻后(右圖)的照片。
[0045] 附圖標(biāo)記說明
[0046] 1 電磁波屏蔽薄膜
[0047] 2 轉(zhuǎn)印薄膜
[0048] 3 絕緣層
[0049] 4 金屬薄膜
[0050] 4a 針孔(開口部)
[0051] 5 粘接劑層
[0052] 6 柔性印刷電路板(印刷電路板)
[0053] 10 屏蔽印刷電路板
[0054] 11 壓延銅箔(金屬片)
[0055] 12 氧化銅
[0056] 104、204、304、404 金屬薄膜
[0057] 121、321 電解銅箔
[0058] 221 蒸鍍銅箔
[0059] 104a、204a、304a、404a 針孔
【具體實施方式】
[0060]〈第1實施方式〉
[0061] 以下,對本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0062] 如圖1所示,本實施方式的電磁波屏蔽薄膜1 (以下簡稱為屏蔽薄膜1)為將轉(zhuǎn)印 薄膜2、絕緣層3、金屬薄膜4、和粘接劑層5依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。
[0063] 屏蔽薄膜1粘貼于例如圖2所示那樣的柔性印刷電路板(FPC) 6、C0F (薄膜覆晶)、 RF(撓性印制板)、多層柔性基板、剛性基板等印刷電路板來使用。由屏蔽薄膜1和柔性印 刷電路板6構(gòu)成屏蔽印刷電路板10。
[0064] 轉(zhuǎn)印薄膜2出于如下目的而設(shè)置:在柔性印刷電路板6上載置屏蔽薄膜1并進行 熱壓時保護絕緣層3等、或?qū)ζ帘伪∧?賦予剛度并提高處理性等的目的。轉(zhuǎn)印薄膜2例 如可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、交聯(lián)聚乙烯、聚苯并咪唑、芳綸、聚酰亞 胺、聚酰亞胺酰胺、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚(PPS)、聚萘二甲酸二乙醇酯(PEN)等。在不特別 要求耐熱性的情況下,優(yōu)選廉價的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜,在要求阻燃性的情況下,優(yōu) 選聚苯硫醚薄膜,進而在要求耐熱性的情況下優(yōu)選芳綸薄膜、聚酰亞胺薄膜。
[0065] 此外,也可以不設(shè)置轉(zhuǎn)印薄膜2。
[0066] 絕緣層3為了使金屬薄膜4絕緣并防止與周圍的電路短路而設(shè)置。絕緣層3由包 含絕緣樹脂的覆蓋膜或涂層構(gòu)成。絕緣層3中,也可以根據(jù)需要包含固化促進劑、增粘劑、 抗氧化劑、顏料、染料、增塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、流平劑、填充劑、阻燃劑、粘度調(diào)節(jié) 齊U、抗粘連劑等。另外,絕緣層3也可以由組成不同的2種以上的層形成。
[0067] 作為構(gòu)成覆蓋膜的絕緣樹脂,使用工程塑料。例如可列舉出聚丙烯、交聯(lián)聚乙烯、 聚酯、聚苯并咪唑、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚(PPS)、聚萘二甲酸二乙 醇酯(PEN)等。覆蓋膜例如利用粘接劑粘接于金屬薄膜4。
[0068]另外,作為構(gòu)成涂層的絕緣樹脂,使用熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、紫外線固化性 樹脂、或電子束固化性樹脂。作為熱塑性樹脂,例如可列舉出苯乙烯系樹脂、醋酸乙烯酯系 樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、酰亞胺系樹脂、丙烯酸類樹脂等。作為熱 固化性樹脂,例如可列舉出酚醛樹脂、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、三聚氰胺樹脂、有機硅樹 月旨、丙烯酸類改性有機硅樹脂等。另外,作為紫外線固化性樹脂,例如可列舉出環(huán)氧丙烯酸 酯樹脂、聚酯丙烯酸酯樹脂、以及它們的甲基丙烯酸酯改性品等。涂層例如通過在金屬薄膜 的表面上涂布樹脂并將其干燥而與金屬薄膜密合地形成。
[0069] 金屬薄膜4具有遮蔽來自外部的電磁波、來自從印刷電路板6送出的電信號的不 必要的輻射等噪聲的屏蔽效果。金屬薄膜4由銅或銅合金構(gòu)成。作為銅合金,可列舉出以 銅作為主要成分且包含銀、鎳、錫、金、鉬、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅中的任一種或它們中的2種以上 的合金。通過金屬薄膜4由銅或以銅為主要成分的合金構(gòu)成,從而電磁波屏蔽特性和經(jīng)濟 性變得良好。金屬薄膜4的厚度為0. 5?12 μ m、優(yōu)選為2?3 μ m。
[0070] 另外,如圖3的(b)所示,金屬薄膜4中形成有多個針孔(開口部)4a。針孔4a的 直徑為0. 1?100 μ m左右、優(yōu)選為50 μ m以下、更優(yōu)選為10 μ m以下。另外,針孔4a的密 度為10?1000個/cm2。
[0071] 本實施方式的金屬薄膜4通過將用輥等壓延銅或銅合金而成的壓延銅箔11在蝕 刻液中浸漬而制作。如圖3的(a)所示,壓延銅箔11中含有粒狀的氧化銅12。關(guān)于氧化銅 12,其粒徑為0. 1?100 μ m,分散配置于壓延銅箔11整體。蝕刻處理前的壓延銅箔11的厚 度為1. 0?100 μ m,在例如蝕刻后的厚度為2?3 μ的情況下優(yōu)選為10?40 μ m左右。
[0072] 作為壓延銅箔11,優(yōu)選將韌銅壓延而成的壓延銅箔、或者將銅和銀的合金壓延而 成的JX NIPPON MINING&METALS CORPORATION制造的HA箔(商品名),特別是韌銅的壓延 銅箔由于大量包含氧化銅而優(yōu)選。需要說明的是,韌銅是指包含氧化亞銅且純銅為99. 9% 以上的銅。另外,ΗΑ箔中也包含氧化亞銅。作為蝕刻液,使用蝕刻液過硫酸鈉水溶液、雙氧 水與硫酸的混合液、氯化鐵水溶液、或氯化銅水溶液等。
[0073] 氧化銅12與壓延銅箔11中除氧化銅12以外的部分(純銅或銅合金)相比在上 述蝕刻液中的溶解性更高,因此將壓延銅箔11在蝕刻液中浸漬時,如圖3的(b)所示,壓延 銅箔11的厚度變薄,而且氧化銅12溶解并消失,從而能夠在壓延銅箔11中形成與氧化銅 12的粒徑大致相同尺寸的針孔4a。氧化銅12分散配置于壓延銅箔11整體,因此針孔4a 在壓延銅箔11整體上形成多個。由此,利用通過用蝕刻液優(yōu)先地溶解氧化銅12而在壓延 銅箔11整體上形成多個針孔4a的方法,能夠在金屬薄膜4中形成針孔。
[0074] 粘接劑層5為了將屏蔽薄膜1粘接于印刷電路板6而設(shè)置。作為構(gòu)成粘接劑層5 的粘接性樹脂,使用熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、紫外線固化性樹脂、或電子束固化性樹脂。 粘接劑層5通過例如在金屬薄膜4的表面涂布樹脂并使其固化而與金屬薄膜4密合地形 成。
[0075] 作為構(gòu)成粘接劑層5的熱塑性樹脂,可列舉出聚苯乙烯系、醋酸乙烯酯系、聚酯 系、聚乙烯系、聚丙烯系、聚酰胺系、橡膠系、丙烯酸類等。另外,作為構(gòu)成粘接劑層5的熱固 化性樹脂,可列舉出酚醛系、環(huán)氧系、聚氨酯系、三聚氰胺系、醇酸系等。它們可以以單一物 質(zhì)的形式使用,也可以為上述任意者的混合體。
[0076] 另外,作為構(gòu)成粘接劑層5的紫外線固化性樹脂的層形成成分的主體,可列舉出 陽離子聚合物型、自由基聚合物型等。作為陽離子聚合物型,可列舉出環(huán)氧系、乙烯基醚系 和氧雜環(huán)丁烷系等,作為自由基聚合物型,可列舉出聚酯丙烯酸酯系、聚醚丙烯酸酯系、丙 烯酸類低聚物系丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯系、環(huán)氧丙烯酸酯系等。關(guān)于自由基聚合的特殊 的物質(zhì),作為借助硫自由基(thiyl radical)的類型,可列舉出由具有芳基的多烯和具有巰 基的多元硫醇形成的組合等。特別是,在本實施方式中,優(yōu)選使用由溶劑可溶型聚酯樹脂、 環(huán)氧樹脂、陽離子聚合催化劑和環(huán)氧改性樹脂的組合形成的陽離子聚合物等,但不限定于 此。其中,關(guān)于上述陽離子聚合物中使用的環(huán)氧樹脂,可以使用雙酚A、F、AF型等的二縮水 甘油醚型、以及環(huán)氧當(dāng)量為10000以下的樹脂。另外,作為代表性的環(huán)氧改性樹脂,有縮水 甘油基化聚酯樹脂、縮水甘油基化丁二烯等。
[0077] 另外,紫外線固化性樹脂優(yōu)選為連續(xù)聚合性聚合物。進而,該連續(xù)聚合性聚合物優(yōu) 選為利用紫外線進行固化的陽離子聚合物。對于該連續(xù)聚合性聚合物,即使是短時間的紫 外線照射也能使反應(yīng)一旦開始就會連續(xù)地進行,從而固化。因此,能夠利用短時間的紫外線 的照射將粘接劑層5固化。另外,固化后形成耐熱性優(yōu)異的粘接劑層5。需要說明的是,為 了提高反應(yīng)速度,也有時使陽離子聚合物與自由基聚合物共存。
[0078] 另外,作為其它的紫外線固化性樹脂的層形成成分,有橡膠、多官能丙烯酸酯等。 作為橡膠,可列舉出苯乙烯-丁二烯系嵌段、無規(guī)共聚物、丙烯酸類橡膠、聚異戊二烯、聚丁 二烯、丁二烯-丙烯腈橡膠、聚氯丁烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物等。作為多官能丙烯酸酯, 可列舉出三羥甲基丙烷丙烯酸酯等。
[0079] 作為構(gòu)成粘接劑層5的電子束固化性樹脂的層形成成分的主體,可列舉出不飽和 聚酯型、環(huán)氧丙烯酸酯型、聚氨酯丙烯酸酯型、聚酯丙烯酸酯型、聚醚丙烯酸酯型、丙烯酸類 型等。通??梢允褂米贤饩€固化性樹脂的組成中不含引發(fā)劑的配方組成。例如,可列舉出 由環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、GPTA (Glyceryl Propoxy Triacrylate;甘油丙氧基三丙 烯酸酯)和TRPGDA (Tripropylene Glycol Diacrylate ;二縮三丙二醇二丙烯酸酯)形成 的配混組合物。
[0080] 需要說明的是,紫外線固化性樹脂中也可以包含用于引發(fā)聚合的聚合引發(fā)劑。作 為自由基聚合物型的聚合引發(fā)劑,可列舉出奪氫型(二苯甲酮、噻噸酮類等)、裂解成自由 基的裂解型(苯偶姻醚類、苯乙酮類等)和電子轉(zhuǎn)移型(芳香族酮與叔胺的組合等)等。作 為陽離子聚合物型的聚合引發(fā)劑,可列舉出芳香族重氮化合物、芳香族鹵鎗、芳香族锍等鎗 鹽。作為加聚物型的聚合引發(fā)劑,可列舉出二苯甲酮等。
[0081] 另外,紫外線固化性樹脂或電子束固化性樹脂中,也可以混入用銀、鋁或金鍍覆了 的粉末、玻璃微珠或樹脂球(丙烯酸類樹脂等光學(xué)特性良好的物質(zhì))。由此,能夠使進入到 紫外線或電子束固化性樹脂的一部分中的紫外線漫反射而在紫外線或電子束固化性樹脂 中散布,能夠進一步促進固化。
[0082] 另外,粘接劑層5也可以進一步包含增粘劑。作為增粘劑,可列舉出脂肪酸烴樹 脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應(yīng)性樹脂等增粘劑 (tackifier) 〇
[0083] 粘接劑層5優(yōu)選為在上述粘接性樹脂中含有導(dǎo)電性填料而形成的導(dǎo)電性粘接劑 層。導(dǎo)電性填料的一部分或全部由金屬材料形成。作為導(dǎo)電性填料,有導(dǎo)電性纖維、碳、銀、 銅、鎳、焊料、鋁、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉、金包鎳粉,這些金屬粉可以利用霧化法、羰 基法等來制作。另外,導(dǎo)電性填料也可以使用對樹脂球、玻璃微珠等實施金屬鍍覆而成的顆 粒、在金屬粉上包覆樹脂而成的顆粒。另外,導(dǎo)電性填料也可以將上述金屬粉、顆?;旌? 種以上來使用。需要說明的是,導(dǎo)電性填料優(yōu)選為銀包銅粉、或銀包鎳粉。其理由是因為, 能夠利用廉價的材料獲得導(dǎo)電性穩(wěn)定的導(dǎo)電性顆粒。
[0084] 另外,導(dǎo)電性填料為至少由2個成分構(gòu)成的金屬,優(yōu)選在熔融時形成合金、該合金 的再熔融溫度能變得高于最初的熔點的低融點金屬。通過導(dǎo)電性填料的熔點低,從而在將 屏蔽薄膜1熱壓而粘接于印刷電路板6時能夠在被抑制得低至能夠防止對印刷電路板6 的部件等的損傷的水平的溫度下將導(dǎo)電性填料熔融并進行粘接。另外,將導(dǎo)電性填料在熔 融后進行冷卻并固化時,導(dǎo)電性填料形成合金,導(dǎo)電性填料的再熔點變得高于最初的熔點, 因此即使屏蔽薄膜1被暴露于在高溫環(huán)境下,加熱后固化了的導(dǎo)電性填料也不易發(fā)生再熔 融。
[0085] 另外,導(dǎo)電性填料向粘接性樹脂中的配混比例雖然也取決于填料的形狀等,但是 在銀包銅填料的情況下相對于100重量份粘接性樹脂,優(yōu)選設(shè)為10?400重量份、進一步 優(yōu)選設(shè)為20?150重量份是較好的。超過400重量份時,對后述接地電路8b的粘接性降 低,屏蔽印刷電路板10的撓性變差。另外,低于10重量份時,導(dǎo)電性明顯降低。另外,在鎳 填料的情況下,相對于100重量份粘接性樹脂,優(yōu)選設(shè)為40?400重量份,進一步優(yōu)選設(shè)為 100?350重量份是較好的。超過400重量份時,向后述接地電路8b的粘接性降低,屏蔽 FPC等的撓性變差。另外,低于40重量份時,導(dǎo)電性明顯降低。金屬填料的形狀為球狀、針 狀、纖維狀、鱗片狀、樹脂狀均可。
[0086] 另外,導(dǎo)電性粘接劑層可以制成各向異性導(dǎo)電性粘接劑層。各向異性導(dǎo)電性粘接 劑層是指,在厚度方向和平面方向上具有不同的導(dǎo)電性的粘接劑層。由此,與在由厚度方 向、寬度方向和長度方向組成的三維的全部方向上確保電學(xué)上的導(dǎo)電狀態(tài)的具有各向同性 導(dǎo)電性的各向同性導(dǎo)電性粘接劑層的情況相比,能夠具有更好的傳輸特性。關(guān)于各向異性 導(dǎo)電性粘接劑層5,在粘接劑中添加阻燃劑、上述導(dǎo)電性填料而形成各向異性導(dǎo)電性粘接劑 層。將屏蔽薄膜1應(yīng)用于FPC(柔性印刷電路板)時,各向異性導(dǎo)電性粘接劑層5的厚度的 下限優(yōu)選為2 μ m、更優(yōu)選為3 μ m。另外,各向異性導(dǎo)電性粘接劑層5的厚度的上限優(yōu)選為 15 μ m、更優(yōu)選為9 μ m。各向異性導(dǎo)電性粘接劑層5中所含的粘接劑由作為粘接性樹脂的、 聚苯乙烯系、醋酸乙烯酯系、聚酯系、聚乙烯系、聚丙烯系、聚酰胺系、橡膠系、丙烯酸類等的 熱塑性樹脂、酚醛系、環(huán)氧系、聚氨酯系、三聚氰胺系、醇酸系等的熱固化性樹脂構(gòu)成。需要 說明的是,粘接劑可以為上述樹脂的單一物質(zhì)也可以為混合物。導(dǎo)電性填料相對于各向異 性導(dǎo)電性粘接劑層5的總量,以3wt%?39wt%的范圍添加。另外,導(dǎo)電性填料的平均粒徑 優(yōu)選為2 μ m?20 μ m的范圍,根據(jù)各向異性導(dǎo)電性粘接劑層5的厚度選擇最優(yōu)值即可。 [0087] 屏蔽薄膜1的依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率在溫度80°C、濕度95% RH、壓差latm 下為0· 5g/m2 · 24h以上。
[0088] 作為屏蔽薄膜1的制造方法,如上所述對壓延銅箔11進行蝕刻處理而形成金屬薄 膜4后,在該金屬薄膜4的一個面上設(shè)置絕緣層3后,進一步在其上設(shè)置轉(zhuǎn)印薄膜2。另外, 在金屬薄膜4的另一個面上設(shè)置粘接劑層5。
[0089] 接著,對要粘貼屏蔽薄膜1的柔性印刷電路板6進行說明。如圖2所示,柔性印刷 電路板6為將基膜7、印刷電路8、和絕緣薄膜9依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。
[0090] 印刷電路8由信號電路8a和接地電路8b組成,除接地電路8b的至少一部分之外 的部分被絕緣薄膜9覆蓋。因此,作為屏蔽薄膜1的粘接劑層5使用導(dǎo)電性粘接劑時,接地 電路8b與金屬薄膜4介由粘接劑層5電連接,因此能夠提高電磁波屏蔽特性。
[0091] 另外,基膜7和絕緣薄膜9均由工程塑料形成。例如,可列舉出聚丙烯、交聯(lián)聚乙 烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚(PPS)等樹脂。
[0092] 基膜7和印刷電路8也可以利用粘接劑進行粘接,也可以與不使用粘接劑的、所謂 無粘接劑型覆銅層疊板同樣地進行接合。另外,絕緣薄膜9可以將多片撓性絕緣薄膜9用 粘接劑貼合而成,也可以利用感光性絕緣樹脂的涂覆、干燥、曝光、顯影、熱處理等一系列方 法來形成。
[0093] 作為屏蔽印刷電路板10的制造方法,屏蔽薄膜1的粘接劑層5為熱塑性樹脂或熱 固化性樹脂的情況下,在柔性印刷電路板6上載置屏蔽薄膜1并進行熱壓,從而在柔性印刷 電路板6上粘接屏蔽薄膜1。
[0094] 另外,屏蔽薄膜1的粘接劑層5為紫外線固化性樹脂或電子束固化性熱固化性樹 脂的情況下,在柔性印刷電路板6上載置屏蔽薄膜1,自轉(zhuǎn)印薄膜2側(cè)照射紫外線或電子束。 由于在金屬薄膜4中形成有針孔4a,因此紫外線或電子束通過金屬薄膜4而照射于紫外線 固化性樹脂或電子束固化性樹脂。由此,紫外線固化性樹脂或電子束固化性樹脂固化,在柔 性印刷電路板6上粘接屏蔽薄膜1。
[0095] 在用于在屏蔽印刷電路板10上安裝部件的回流焊工序、上述熱壓工序中,加熱屏 蔽印刷電路板10時,自粘接劑層5、絕緣薄膜9產(chǎn)生氣體,或在基膜7中吸收了水分的情況 下產(chǎn)生水蒸氣,但在本實施方式中,由于在金屬薄膜4中形成有針孔4a,屏蔽薄膜1的依據(jù) JISK7129的水蒸氣透過率在溫度80°C、濕度95% RH、壓差latm下為0. 5g/m2 · 24h以上, 因此這種揮發(fā)成分通過金屬薄膜4而釋放到外部,從而能夠防止由于揮發(fā)成分滯留在金屬 薄膜4與粘接劑層5之間而導(dǎo)致的層間剝離。
[0096] 本實施方式中,氧化銅(粒狀體)12的粒徑為0. 1?100 μ m,因此能夠使利用蝕刻 處理而形成的針孔4a的直徑為0. 1?100 μ m。
[0097] 通過使針孔4a的直徑為0. 1 μ m以上,從而能夠使自粘接劑層5等產(chǎn)生的揮發(fā)成 分經(jīng)由金屬薄膜4的針孔4a逸出到外部。
[0098] 另外,通過使針孔4a的直徑為100 μ m以下,從而金屬薄膜4不易破裂且處理性良 好,而且電磁波屏蔽薄膜1對于低頻電磁波也具有良好的電磁波屏蔽特性。
[0099] 需要說明的是,從處理性的觀點出發(fā),針孔的直徑進一步優(yōu)選為50μπι以下、更優(yōu) 選為10 μ m以下。
[0100] 另外,本實施方式中,將蝕刻前的壓延銅箔(金屬片)11的厚度設(shè)為1. 0 μ m以上, 因此能夠提供電磁波屏蔽特性良好的電磁波屏蔽薄膜1。
[0101] 另外,由于將蝕刻前的壓延銅箔11的厚度設(shè)為1〇〇 μ m以下,因此將壓延銅箔11 在蝕刻液浸漬時能夠縮短用于使氧化銅12溶解而形成針孔4a的時間。
[0102] 需要說明的是,關(guān)于蝕刻前的壓延銅箔11的厚度,從縮短用于使氧化銅12溶解而 形成針孔4a的時間的觀點出發(fā),進一步優(yōu)選為50 μ m以下、更優(yōu)選為10 μ m以下。
[0103] 另外,本實施方式中,將每1cm2金屬薄膜4中的針孔4a的個數(shù)設(shè)為10個/cm2以 上,因此能夠更可靠地防止由于來自粘接劑等的揮發(fā)成分滯留在電磁波屏蔽薄膜1的金屬 薄膜4與粘接劑層5之間而導(dǎo)致的層間剝離。
[0104] 另外,由于將每1cm2金屬薄膜4中的針孔4a的個數(shù)設(shè)為1000個/cm2以下,蝕刻 后的金屬薄膜4變得不易破裂,金屬薄膜4的處理性變得良好。
[0105] 另外,本實施方式中,由于將蝕刻后的金屬薄膜4的厚度設(shè)為0.5μπι以上,因此金 屬薄膜4不易破裂且處理性良好,而且電磁波屏蔽薄膜1的電磁波屏蔽特性也變得良好。
[0106] 另外,由于將蝕刻后的金屬薄膜4的厚度設(shè)為12 μ m以下,因此電磁波屏蔽薄膜1 的撓性變得良好。
[0107] 需要說明的是,本實施方式中,蝕刻前的壓延銅箔11中的氧化銅12相當(dāng)于本發(fā)明 的金屬片的易溶性成分的粒狀體,壓延銅箔11中的純銅或銅合金相當(dāng)于本發(fā)明的金屬片 的難溶性成分,但用于形成本發(fā)明的金屬薄膜的金屬片的材質(zhì)并不限定于這些。
[0108] 例如,對于在由銅或銅合金形成的金屬薄膜中分散配置由比該金屬薄膜在規(guī)定的 溶劑中溶解性高的成分形成的粒狀體而成的結(jié)構(gòu)的金屬片,用規(guī)定的溶劑進行蝕刻處理, 從而能夠制作具有針孔的、由銅或銅合金形成的金屬薄膜。該變更例中的蝕刻前的金屬薄 膜(金屬片)的厚度、粒狀體的粒徑、蝕刻后的金屬薄膜的厚度、針孔的直徑和密度的優(yōu)選 的數(shù)值范圍與上述實施方式同樣。另外,從縮短用于使粒狀體溶解而形成開口部的時間的 觀點出發(fā),蝕刻前的金屬片的厚度優(yōu)選為粒狀體的厚度的2倍以下、更優(yōu)選為1. 5倍以下。
[0109] 另外,例如,對于在由鋁、銀、金、或以它們作為主要成分的合金形成的金屬薄膜中 分散配置由比該金屬薄膜在規(guī)定的溶劑中溶解性高的成分形成的粒狀體而成的結(jié)構(gòu)的金 屬片,用規(guī)定的溶劑進行蝕刻處理,能夠制作具有針孔的、由鋁、銀、金、或以它們作為主要 成分的合金形成的金屬薄膜。需要說明的是,對粒狀體的成分沒有特別限定,優(yōu)選容易用現(xiàn) 有的蝕刻法中使用的蝕刻液溶解的成分。該變更例中的蝕刻前的金屬薄膜(金屬片)的厚 度、粒狀體的粒徑、蝕刻后的金屬薄膜的厚度、針孔的直徑和密度的優(yōu)選的數(shù)值范圍與上述 實施方式同樣。另外,從縮短用于使粒狀體溶解而形成開口部的時間的觀點出發(fā),蝕刻前的 金屬片的厚度優(yōu)選為粒狀體的厚度的2倍以下、更優(yōu)選為1. 5倍以下。
[0110] 需要說明的是,本實施方式的柔性印刷電路板6為僅在基膜7的一個面上具有印 刷電路8的單面型FPC,但也可以是在基膜7的雙面具有印刷電路8的雙面型FPC、將這種 FPC層疊多層而成的多層型FPC。另外,本實施方式中,僅在柔性印刷電路板6的單面設(shè)有 屏蔽薄膜1,但也可以在柔性印刷電路板6的雙面設(shè)置屏蔽薄膜1來將雙面屏蔽。
[0111] 〈第2實施方式〉
[0112] 接著,對第2實施方式的電磁波屏蔽薄膜進行說明。其中,對于具有與第1實施方 式同樣的結(jié)構(gòu)的部件,使用相同附圖標(biāo)記并適當(dāng)省略其說明。
[0113] 關(guān)于本實施方式的屏蔽薄膜,金屬薄膜104的結(jié)構(gòu)與第1實施方式的屏蔽薄膜1 的金屬薄膜4不同,其余的結(jié)構(gòu)與第1實施方式的屏蔽薄膜1同樣。本實施方式的屏蔽薄 膜的依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率與第1實施方式相同,在溫度80°C、濕度95% RH、壓差 latm 下為 0· 5g/m2 · 24h 以上。
[0114] 金屬薄膜104由銅構(gòu)成,如圖4的(c)所示形成有多個針孔104a。金屬薄膜104 的厚度(最大厚度)、針孔l〇4a的直徑和密度與第1實施方式的金屬薄膜4同樣。需要說 明的是,圖4也挪用于后述第3實施方式,圖4中的附圖標(biāo)記204、204a、221為第3實施方 式的附圖標(biāo)記。
[0115] 作為本實施方式的金屬薄膜104的制作方法,首先,如圖4的(a)所示,準(zhǔn)備將表 面粗糙化處理并在其上設(shè)有脫模層(圖示省略)的載體銅箔120。載體銅箔120的表面的 粗糙化度例如Ra為1. 0 μ m以上且10 μ m以下(此處Ra是指依據(jù)JIS B0601-1994的Ra)。 另外,脫模層可以通過將載體銅箔在三氧化鉻水溶液中浸漬來對載體銅箔表面進行鉻酸鹽 處理等公知方法而形成于載體銅箔表面。
[0116] 接著,將該載體銅箔120在硫酸/硫酸銅浴液中浸漬,如圖4的(b)所示,利用電 鍍在載體銅箔120的脫模層上形成電解銅箔121。通過在載體銅箔120的表面上形成微小 的凹凸,從而使電解銅箔121的厚度產(chǎn)生偏差。然后,在電解銅箔121的厚度達(dá)到與所制作 的金屬薄膜4大致相同厚度時結(jié)束電解,如圖4的(c)所示,自載體銅箔120上的脫模層剝 離電解銅箔121。與載體銅箔120的表面的微小的凹凸相應(yīng)地、由電鍍形成的銅箔121的 厚度產(chǎn)生較大的偏差,因此剝離時電解銅箔121的厚度薄的部分(凹部)破裂而形成針孔 104a〇
[0117] 根據(jù)本實施方式,在金屬薄膜104中形成有針孔104a,因此與第1實施方式同樣 地、能夠使在加熱屏蔽柔性印刷電路板時自粘接劑層5等產(chǎn)生的揮發(fā)成分通過金屬薄膜 104,因此能夠防止由于該揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜104與粘接劑層5之間而導(dǎo)致的層間剝 離。
[0118] 需要說明的是,本實施方式中,金屬薄膜104由銅構(gòu)成,也可以利用與本實施方式 的金屬薄膜104的制作方法同樣的方法來制作還由銅以外的金屬(例如以銅作為主要成分 的合金、或者鋁、銀、金或以它們作為主要成分的合金)構(gòu)成的金屬薄膜。
[0119] 〈第3實施方式〉
[0120] 進而,對第3實施方式的電磁波屏蔽薄膜進行說明。其中,對于具有與第1實施方 式同樣的結(jié)構(gòu)的部件,使用相同附圖標(biāo)記并適當(dāng)省略其說明。
[0121] 關(guān)于本實施方式的屏蔽薄膜,金屬薄膜204的制作方法與第2實施方式不同,金屬 薄膜204的材質(zhì)和厚度與第2實施方式的屏蔽薄膜同樣。本實施方式的屏蔽薄膜的依據(jù) JISK7129的水蒸氣透過率與第1實施方式相同,在溫度80°C、濕度95% RH、壓差latm下為 0· 5g/m2 · 24h 以上。
[0122] 作為本實施方式的金屬薄膜204的制作方法,首先,如圖4的(a)所示,準(zhǔn)備對表 面進行粗糙化處理并在其上利用與第2實施方式同樣的方法設(shè)有脫模層(圖示省略)的載 體銅箔120。
[0123] 接著,利用作為添加法的真空蒸鍍、離子鍍、濺射、CVD法、M0 (金屬有機物)等在載 體銅箔120的脫模層上形成銅箔221。為了利用真空蒸鍍獲得蒸鍍銅箔221,首先,將設(shè)有 脫模層的載體銅箔120安裝于真空蒸鍍裝置(圖示省略),如圖4的(b)所示,利用真空蒸 鍍在載體銅箔120的脫模層上形成蒸鍍銅箔221。接著,在蒸鍍銅箔221的厚度達(dá)到與所制 作的金屬薄膜4大致相同厚度時結(jié)束真空蒸鍍,如圖4的(c)所示,自載體銅箔120上的脫 模層剝離蒸鍍銅箔221。與載體銅箔120的表面的微小的凹凸相應(yīng)地、利用真空蒸鍍形成的 銅箔221的厚度產(chǎn)生較大的偏差,因此在剝離時蒸鍍銅箔221的厚度薄的部分(凹部)破 裂而形成針孔204a。因剝離而產(chǎn)生的針孔204a的直徑和密度與第2實施方式的針孔104a 同樣。
[0124] 另外,真空蒸鍍中,蒸鍍材料向被蒸鍍基材接近時的動能通常少于其它添加法,因 此難以獲得致密的膜,因此在利用真空蒸鍍形成的銅箔221中形成與因剝離而產(chǎn)生的針孔 l〇4a不同的其它針孔(圖示省略。參照圖6的針孔404a)。在上述添加法當(dāng)中,真空蒸鍍 特別容易形成該針孔,因此優(yōu)選利用真空蒸鍍制作金屬薄膜204。
[0125] 根據(jù)本實施方式,由于在金屬薄膜204中形成有針孔204a,因此與第1實施方式同 樣地、能夠使在加熱屏蔽柔性印刷電路板時自粘接劑層5等產(chǎn)生的揮發(fā)成分通過金屬薄膜 204,因此能夠防止由于該揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜204與粘接劑層5之間而導(dǎo)致的層間剝 離。
[0126] 需要說明的是,本實施方式中,金屬薄膜204由銅構(gòu)成,也可以利用與本實施方式 的金屬薄膜104的制作方法同樣的方法來制作還由銅以外的金屬(例如,以銅作為主要成 分的合金、或者鋁、銀、金或以它們作為主要成分的合金)構(gòu)成的金屬薄膜。
[0127] 〈第4實施方式〉
[0128] 接著,對第4實施方式的電磁波屏蔽薄膜進行說明。其中,對于具有與第1實施方 式同樣的結(jié)構(gòu)的部件,使用相同附圖標(biāo)記并省略其說明。
[0129] 關(guān)于本實施方式的屏蔽薄膜,金屬薄膜304的制作方法與第1實施方式不同,金屬 薄膜304的結(jié)構(gòu)(材質(zhì)、厚度、針孔304a的直徑和密度)與第2實施方式的屏蔽薄膜同樣。
[0130] 作為本實施方式的金屬薄膜304的制作方法,首先,如圖5的(a)和圖5的(b)所 示,使用對表面進行粗糙化處理并在其上利用與第2實施方式同樣的方法設(shè)有脫模層(圖 示省略)的載體銅箔320,利用電鍍形成電解銅箔321。然后,在電解銅箔321的厚度達(dá)到 大于所制作的金屬薄膜304的厚度的規(guī)定厚度時結(jié)束電解,如圖5的(c)所示,自載體銅箔 320上的脫模層剝離電解銅箔321。本實施方式中,電解銅箔321的厚度比第2實施方式的 電解銅箔121厚,因此幾乎不會因其剝離而使電解銅箔321的厚度薄的部分(凹部)破裂, 但也可以破裂。
[0131] 接著,如圖5的(d)所示,將電解銅箔321在過硫酸鈉水溶液、雙氧水與硫酸的混 合液等蝕刻液中浸漬。由此,電解銅箔321整體的厚度變薄,因此剝離時厚度薄的部分溶解 而貫穿,形成針孔304a。
[0132] 根據(jù)本實施方式,在金屬薄膜304中形成有針孔304a,因此與第1、第2實施方式 同樣地、能夠使在加熱屏蔽柔性印刷電路板時自粘接劑層5等產(chǎn)生的揮發(fā)成分通過金屬薄 膜304,因此能夠防止由于該揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜304與粘接劑層5之間而導(dǎo)致的層間 剝離。
[0133] 需要說明的是,本實施方式中,金屬薄膜304由銅構(gòu)成,也可以利用與本實施方式 的金屬薄膜304的制作方法同樣的方法來制作還由銅以外的金屬(例如,以銅作為主要成 分的合金、或者鋁、銀、金或以它們作為主要成分的合金)構(gòu)成的金屬薄膜。
[0134] 〈第5實施方式〉
[0135] 接著,對第5實施方式的電磁波屏蔽薄膜進行說明。其中,對于具有與第1實施方 式同樣的結(jié)構(gòu)的部件,使用相同附圖標(biāo)記并省略其說明。
[0136] 本實施方式的屏蔽薄膜的金屬薄膜404由銀構(gòu)成。金屬薄膜404的厚度例如優(yōu)選 為0. 1?12 μ m。金屬薄膜404中,如圖6的(b)所示形成有多個針孔404a。本實施方式 的屏蔽薄膜的依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率與第1實施方式相同,在溫度80°C、濕度95% RH、壓差 latm 下為 0· 5g/m2 · 24h 以上。
[0137] 作為本實施方式的金屬薄膜404的制作方法,首先,如圖6的(a)所示,準(zhǔn)備用于 層疊金屬薄膜404的絕緣層3。需要說明的是,絕緣層3若以例如由絕緣樹脂形成的覆蓋膜 的形態(tài)來準(zhǔn)備,則在安裝于后述真空蒸鍍裝置時容易處理。
[0138] 接著,利用作為添加法的真空蒸鍍、離子鍍、濺射、CVD法、M0(金屬有機物)等、如 圖6的(b)所示在絕緣層3的表面上形成銀箔404。利用這些添加法形成銀箔404時,出于 第3實施方式中說明的理由,在銀箔404上形成針孔404a。真空蒸鍍中特別容易形成針孔 404a,因此在上述添加法當(dāng)中優(yōu)選真空蒸鍍。為了利用真空蒸鍍獲得蒸鍍銀箔404,首先將 絕緣層3安裝于真空蒸鍍裝置(圖示省略),利用真空蒸鍍在絕緣層3的表面上形成蒸鍍銀 箔404。接著,在蒸鍍銀箔404的厚度達(dá)到期望厚度時結(jié)束真空蒸鍍。
[0139] 根據(jù)本實施方式,在金屬薄膜404中形成有針孔404a,因此與第1、第2實施方式 同樣地、能夠使在加熱屏蔽柔性印刷電路板時自粘接劑層5等產(chǎn)生的揮發(fā)成分通過金屬薄 膜404,因此能夠防止由于該揮發(fā)成分滯留在金屬薄膜404與粘接劑層5之間而導(dǎo)致的層間 剝離。
[0140] 需要說明的是,本實施方式中,金屬薄膜404由銀構(gòu)成,也可以利用與本實施方式 的金屬薄膜404的制作方法同樣的方法來制作還由銀以外的金屬(例如,以銀作為主要成 分的合金、或者銅、鋁、金或以它們作為主要成分的合金)構(gòu)成的金屬薄膜。
[0141] 實施例
[0142] (實施例1)
[0143] 對于厚度 6μπι 的韌銅的壓延銅箔(JX NIPPON MINING&METALS CORPORATION 制 造)與第1實施方式的金屬薄膜同樣地進行蝕刻處理,制成厚度2 μ m后,使用該壓延銅 箔制作與圖1同樣的結(jié)構(gòu)的屏蔽薄膜。需要說明的是,作為蝕刻液,使用在25. Og/L的 CuS04 · 5H20中加入8. 5體積%濃硫酸(98% )、4· 5體積%雙氧水(35% )而成的溶液,在 該蝕刻液中將前述壓延銅箔浸漬2分鐘。圖7的(a)為實施例1的壓延銅箔的蝕刻前(左 圖)和蝕刻后(右圖)的照片。如圖7的(a)所示,蝕刻后的壓延銅箔中形成有直徑約5 μ m 的針孔。
[0144] (實施例2)
[0145] 對于厚度9μπι的JX NIPPON MINING&METALS CORPORATION制造的作為壓延銅箔 的HA箔(商品名)與第1實施方式的金屬薄膜同樣地進行蝕刻處理,制成2 μ m后,使用該 壓延銅箔制作與圖1同樣的結(jié)構(gòu)的屏蔽薄膜。圖7的(b)為實施例2的壓延銅箔的蝕刻前 (左圖)和蝕刻后(右圖)的照片。如圖7的(b)所示,蝕刻后的壓延銅箔中形成有直徑約 5 μ m的針孔。
[0146] (實施例3)
[0147] 利用與第2實施方式的金屬薄膜的制作方法同樣的方法形成厚度1 μ m的電解銅 箔,使用該電解銅箔,制作與圖1同樣的結(jié)構(gòu)的屏蔽薄膜。需要說明的是,使載體銅箔的表 面的粗糙化度(Ra)為4.0 μ m,在載體銅箔的表面上通過將載體銅箔在三氧化鉻水溶液中 浸漬來進行鉻酸鹽處理而設(shè)有脫模層。
[0148] (實施例4)
[0149] 利用第2實施方式的金屬薄膜的制作方法形成厚度2 μ m的電解銅箔,使用該電解 銅箔,制作與圖1同樣的結(jié)構(gòu)的屏蔽薄膜。需要說明的是,載體銅箔的表面的粗糙化度與實 施例3相同。
[0150] (實施例5)
[0151] 利用第5實施方式的金屬薄膜的制作方法、在由絕緣樹脂形成的覆蓋膜上形成厚 度〇. lym的蒸鍍銀箔,使用該絕緣薄膜與銀箔的層疊體制作與圖1同樣的結(jié)構(gòu)的屏蔽薄 膜。
[0152] (比較例1)
[0153] 利用第2實施方式的金屬薄膜的形成方法形成厚度5 μ m的電解銅箔,使用該電解 銅箔,制作與圖1同樣的結(jié)構(gòu)的屏蔽薄膜。需要說明的是,載體銅箔的表面的粗糙化度與實 施例3相同。
[0154] (比較例2)
[0155] 使用厚度6μπι的韌銅的壓延銅箔,制作與圖1同樣結(jié)構(gòu)的屏蔽薄膜。
[0156] 表 1
[0157]
【權(quán)利要求】
1. 一種電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,其為至少將金屬薄膜和粘接劑層依次層疊而成 的電磁波屏蔽薄膜, 所述電磁波屏蔽薄膜的依據(jù)JISK7129的水蒸氣透過率在溫度80°C、濕度95% RH、壓差 latm 下為 0· 5g/m2 · 24h 以上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,所述金屬薄膜是通過將由在 溶劑中溶解性低的難溶性成分和在所述溶劑中溶解性比所述難溶性成分高的易溶性成分 構(gòu)成的金屬片在所述溶劑中浸漬而形成的, 其中,所述易溶性成分為分散配置于所述金屬片的多個粒狀體, 通過使所述粒狀體溶解于所述溶劑,從而在所述金屬薄膜上形成有多個開口部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,所述難溶性成分是以銅作為 主要成分的金屬,所述易溶性成分為氧化銅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,所述難溶性成分是以銅作為 主要成分的金屬,所述易溶性成分為氧化亞銅。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2?4中任一項所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,所述開口部的直 徑為0. 1?100 μ m。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2?4中任一項所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,每lcm2所述金 屬薄膜中的所述開口部的個數(shù)為10?1000個/cm 2。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2?4中任一項所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,所述金屬薄膜的 厚度為〇. 5?12 μ m。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的電磁波屏蔽薄膜,其特征在于,所述金屬薄膜為 壓延銅箔。
9. 一種壓延銅箔,其特征在于,其為利用濕式蝕刻法形成有開口部的壓延銅箔, 其中,開口部的直徑為〇. 1?100 μ m,每lcm2壓延銅箔中的開口部的個數(shù)為10?1000 個/cm2,壓延銅箔的厚度為0. 5?12 μ m。
10. -種屏蔽印刷電路板,其特征在于,具備權(quán)利要求1?8中任一項所述的電磁波屏 蔽薄膜。
【文檔編號】H05K9/00GK104219874SQ201410234662
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月29日
【發(fā)明者】渡邊正博 申請人:大自達(dá)電線股份有限公司