一種led燈浪涌吸收電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公布了一種LED燈浪涌吸收電路,包括鋁基板電源模塊,所述鋁基板電源模塊的正極端通過在鋁基板上形成的寄生電容C1與LED燈的正極端連接;所述LED燈的正極端通過在鋁基板上形成的寄生電容C2連接到電路的PE端,所述LED燈的負極端通過在鋁基板上形成的寄生電容C3連接到電路的PE端;所述LED燈的正極端與電路的PE端之間串聯(lián)有浪涌吸收電容C4和浪涌吸收電容C5;所述浪涌吸收電容C4和浪涌吸收電容C5的中節(jié)點通過壓敏電阻Rv連接到電路的PE端。本發(fā)明的浪涌吸收電路可以在異常瞬變浪涌情況發(fā)生時,瞬變浪涌被有效轉移到電源驅動上;有效保障了燈具產品在實際使用中的可靠性和耐久性。
【專利說明】-種LED燈浪涌吸收電路
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種LED燈浪涌吸收電路。
【背景技術】
[0002] 目前,使用LED作為光源的照明產品中,大部份由于受空間的限制,要讓產品能承 受電網中的浪涌、雷擊(感應雷)和電網的瞬間高壓沖擊而不損壞,都很困難。因此大多數(shù) 公司為了防止產品在公司生產環(huán)節(jié)大量損壞,在生產環(huán)節(jié)都不測試浪涌和耐壓,或者降額 測試,這都為產品實際使用中面對復雜的電磁環(huán)境而變得脆弱和不確定,把風險轉移到客 戶端,這樣使產品不論在商務活動、供求雙方之間都埋下了很高的隱患。
[0003] 圖1可見,在有瞬態(tài)脈沖浪涌竄入時,鋁基板寄生電容約為電源等效電容的五千 分之一,根據電容串聯(lián)分壓原理,也就是說浪涌電壓幾乎全部作用在LED燈兩端,如按 GB7000. 1燈具做1500VAC耐壓測試,1500Vac電壓幾乎全部分壓于LED燈之上,而單個的 LED燈正反向承壓在3-5V之間,如果直接讓如此大的電壓加于LED燈兩端,必將使二極管的 PN結直接損壞或局部損壞。這就是LED燈具在耐壓測試時燈珠損壞的根本原因。
【發(fā)明內容】
[0004] 本發(fā)明目的是針對現(xiàn)有技術存在的缺陷提供一種LED燈浪涌吸收電路。
[0005] 本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的,采用如下技術方案:一種LED燈浪涌吸收電路,包括鋁基 板電源模塊,所述鋁基板電源模塊的正極端通過在鋁基板上形成的寄生電容Q與LED燈的 正極端連接;所述LED燈的正極端通過在鋁基板上形成的寄生電容C 2連接到電路的PE端, 所述LED燈的負極端通過在鋁基板上形成的寄生電容C3連接到電路的PE端;所述LED燈 的正極端與電路的PE端之間串聯(lián)有浪涌吸收電容C 4和浪涌吸收電容C5 ;所述浪涌吸收電 容C4和浪涌吸收電容C5的中節(jié)點通過壓敏電阻Rv連接到電路的PE端。
[0006] 進一步的,所述寄生電容Q為皮法數(shù)量級的電容。
[0007] 進一步的,所述寄生電容C2和寄生電容C3均為亞皮法拉數(shù)量級的電容。
[0008] 進一步的,所述浪涌吸收電容C4和浪涌吸收電容C5均為微法拉數(shù)量級的電容。
[0009] 進一步的,所述寄生電容(^的電容量為5000pF。
[0010] 進一步的,所述浪涌吸收電容C4和浪涌吸收電容C5的電容量均為0. 1 μ F。
[0011] 本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的浪涌吸收電路可以在異常瞬變浪涌情況發(fā)生時,瞬 變浪涌被有效轉移到電源驅動上;首次在LED光源上引入了浪涌吸收電路;由于電源模塊 本身有良好的耐壓和防浪涌能力,因此充分保護了燈具耐壓最薄弱的LED燈,有效保障了 燈具產品在實際使用中的可靠性和耐久性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012] 圖1為傳統(tǒng)的共模浪涌瞬態(tài)等效示意圖。
[0013] 圖2為本發(fā)明改進后的共模浪涌瞬態(tài)等效示意圖。
【具體實施方式】
[0014] 圖2所示,涉及一種LED燈浪涌吸收電路,包括鋁基板電源模塊,所述鋁基板電源 模塊的正極端通過在鋁基板上形成的寄生電容Q與LED燈的正極端連接;所述LED燈的正 極端通過在鋁基板上形成的寄生電容C 2連接到電路的PE端,所述LED燈的負極端通過在 鋁基板上形成的寄生電容C3連接到電路的PE端;所述LED燈的正極端與電路的PE端之間 串聯(lián)有浪涌吸收電容C 4和浪涌吸收電容C5 ;所述浪涌吸收電容C4和浪涌吸收電容C5的中 節(jié)點通過壓敏電阻Rv連接到電路的PE端。
[0015] 由于引入壓敏電阻Rv,使本發(fā)明的浪涌吸收電路在正常工作電壓時不工作,當超 過此電壓值的浪涌出現(xiàn)時,其自動切入工作狀態(tài)其中。由于寄生電容(^通常為皮法數(shù)量級 的電容,其電容量一般為5000pF左右。而寄生電容C 2和寄生電容C3通常均為亞皮法拉數(shù) 量級的電容,其電容量與走線形狀有關,非等值。本發(fā)明的電路中將浪涌吸收電容C 4和浪 涌吸收電容c5均設置成微法拉量級的電容,其電容量一般為0. 1 μ F左右。由于浪涌吸收 電容C4和浪涌吸收電容C5均比寄生電容Q電容大200倍左右,根據電容串聯(lián)分壓原理,浪 涌電壓幾乎全部轉移到LED燈中電源初次級之間,因為LED燈的鋁基板電源模塊本身滿足 LED獨立驅動器的相關標準,此電壓轉移不會損壞電源。
[0016] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和 原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1. 一種LED燈浪涌吸收電路,包括鋁基板電源模塊,所述鋁基板電源模塊的正極端通 過在鋁基板上形成的寄生電容Q與LED燈的正極端連接;所述LED燈的正極端通過在鋁基 板上形成的寄生電容C 2連接到電路的PE端,所述LED燈的負極端通過在鋁基板上形成的 寄生電容C3連接到電路的PE端;其特征在于,所述LED燈的正極端與電路的PE端之間串 聯(lián)有浪涌吸收電容C 4和浪涌吸收電容C5 ;所述浪涌吸收電容C4和浪涌吸收電容C5的中節(jié) 點通過壓敏電阻Rv連接到電路的PE端。
2. 如權利要求1所述的一種LED燈浪涌吸收電路,其特征在于,所述寄生電容q為皮 法數(shù)量級的電容。
3. 如權利要求1所述的一種LED燈浪涌吸收電路,其特征在于,所述寄生電容C2和寄 生電容C3均為亞皮法拉數(shù)量級的電容。
4. 如權利要求1所述的一種LED燈浪涌吸收電路,其特征在于,所述浪涌吸收電容C4 和浪涌吸收電容C5均為微法拉數(shù)量級的電容。
5. 如權利要求2所述的一種LED燈浪涌吸收電路,其特征在于,所述寄生電容q的電 容量為5000pF。
6. 如權利要求4所述的一種LED燈浪涌吸收電路,其特征在于,所述浪涌吸收電容C4 和浪涌吸收電容C5的電容量均為0. 1 μ F。
【文檔編號】H05B37/00GK104125670SQ201410347088
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月18日 優(yōu)先權日:2014年7月18日
【發(fā)明者】陳建文 申請人:常州市格林照明燈具制造有限公司