一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法及多晶硅鑄錠爐的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：(1)在坩堝底部設(shè)置一層籽晶；(2)在籽晶表面鋪設(shè)一層碎硅料形成隔熱層,隔熱層的導(dǎo)熱率低于籽晶的導(dǎo)熱率；(3)在隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度信號(hào)；溫度信號(hào)為坩堝底部溫度、坩堝底部溫度變化率，或者坩堝底部溫度變化率的變化率；(4)根據(jù)獲取到的溫度信號(hào)，可以判斷籽晶熔化的高度；當(dāng)溫度信號(hào)出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)時(shí)，表示已熔化至籽晶的高度，此時(shí)控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。該方法解決了用石英棒測(cè)量籽晶熔化高度時(shí)導(dǎo)致測(cè)試不準(zhǔn)確的問題，并且無(wú)需用石英棒進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，操作簡(jiǎn)便，成本低。
【專利說(shuō)明】-種免測(cè)量多晶娃鑄錠用好晶溶化局度的方法及多晶娃鑄 錠爐

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及光伏硅片生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化 高度的方法及多晶硅鑄錠爐。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，在迅速發(fā)展的太陽(yáng)能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)中，應(yīng)用最廣的是晶體硅太陽(yáng)能電池，而 晶體硅太陽(yáng)能電池主要由直拉單晶硅片（CZ)或鑄錠多晶硅片（DSS)制成。其中，直拉單晶 硅光電轉(zhuǎn)換效率較高，但產(chǎn)能低、生產(chǎn)成本高；相對(duì)直拉單晶硅而言，鑄錠多晶硅片產(chǎn)能高、 成本低，但光電轉(zhuǎn)換效率較低。
[0003] 為了提高鑄錠多晶硅片的效率，本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合了以上兩種技術(shù)的各自優(yōu) 點(diǎn)，提出了有籽晶的鑄錠生長(zhǎng)技術(shù)；例如坩堝底部鋪單晶硅作為籽晶的鑄錠類單晶技術(shù)、坩 堝底部鋪碎硅料或碎硅片作為籽晶的高效多晶技術(shù)，即生產(chǎn)類單晶和高效多晶都需要在坩 堝底部鋪設(shè)一層籽晶，然后控制硅原料從上往下慢慢融化，用石英棒測(cè)量到熔化到籽晶位 置后，就進(jìn)入到長(zhǎng)晶階段。有籽晶的鑄錠生長(zhǎng)技術(shù)都需采用石英棒進(jìn)行連續(xù)測(cè)量化料高度 來(lái)判斷是否到達(dá)籽晶位置，這種方法具有以下缺點(diǎn)：1、增加了操作人員的工作強(qiáng)度；2、在 高溫階段用石英棒進(jìn)行測(cè)量很容易導(dǎo)致石英棒彎曲變形，甚至測(cè)試不好容易斷棒；這樣導(dǎo) 致測(cè)試不準(zhǔn)確，或者導(dǎo)致籽晶被完全化掉從而不能生長(zhǎng)出類單晶或者高效多晶硅片，或者 石英棒掉硅錠中導(dǎo)致整個(gè)硅錠出現(xiàn)裂紋報(bào)廢，損失較大；3、石英棒屬于耗材，價(jià)格貴，一根 純度低的也需要上百塊錢，增加生產(chǎn)成本。因此，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，急需提供一種 準(zhǔn)確性高、成本低和操作簡(jiǎn)便的無(wú)需使用石英棒測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法， 即在鋪設(shè)的籽晶表面鋪設(shè)一層碎硅料形成隔熱層，控制熱場(chǎng)和工藝使隔熱層表面的硅原料 從上往下熔化，并監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度信號(hào)，根據(jù)獲取到的溫度信號(hào)，可以判斷籽晶熔化的 高度；當(dāng)溫度信號(hào)出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)時(shí)，表示已熔化至籽晶的高度，此時(shí)控制熱場(chǎng)和工 藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段；該方法解決了用石英棒測(cè)量籽晶熔化高度時(shí)石英棒出現(xiàn)高溫軟化彎曲 導(dǎo)致測(cè)試不準(zhǔn)確的問題，并且無(wú)需用石英棒進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，操作簡(jiǎn)便，成本低。本發(fā)明還提 供了一種多晶硅鑄錠爐。
[0005] 本發(fā)明第一方面提供了一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下 步驟：
[0006] (1)在坩堝底部設(shè)置一層籽晶；
[0007] (2)在所述籽晶表面鋪設(shè)一層碎硅料形成隔熱層，所述隔熱層的導(dǎo)熱率低于所述 籽晶的導(dǎo)熱率；
[0008] (3)在所述隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使所述硅原料從上往下熔 化，并監(jiān)測(cè)所述坩堝底部的溫度信號(hào)；所述溫度信號(hào)為所述坩堝底部溫度、所述坩堝底部溫 度變化率，或者所述坩堝底部溫度變化率的變化率；
[0009] (4)根據(jù)獲取到的所述溫度信號(hào)，可以判斷所述籽晶熔化的高度；當(dāng)所述溫度信 號(hào)出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)時(shí)，表示已熔化至所述籽晶的高度，此時(shí)控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng) 晶階段。
[0010] 本發(fā)明判斷籽晶熔化的高度的原理為：當(dāng)控制熱場(chǎng)和工藝使硅原料從上往下熔 化，硅原料熔化后形成的硅液還沒到達(dá)籽晶位置時(shí)，由于形成隔熱層的碎硅料的顆粒之間 的孔隙多，使得隔熱層的導(dǎo)熱率低于籽晶的導(dǎo)熱率，致使坩堝底部的溫度信號(hào)變化不大；隨 著隔熱層慢慢熔化，硅液的熱量也慢慢傳遞到籽晶上，這時(shí)坩堝底部的溫度信號(hào)慢慢增大， 直到隔熱層完全熔化，硅液與籽晶完全接觸，坩堝底部的溫度信號(hào)出現(xiàn)突然上升的過程，出 現(xiàn)突變點(diǎn)，因此利用坩堝底部傳熱可以判斷籽晶熔化的高度。該方法避免采用石英棒進(jìn)行 連續(xù)測(cè)量，只需對(duì)坩堝底部的溫度信號(hào)進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)溫度信號(hào)出現(xiàn)突變點(diǎn)時(shí)，即可判定已熔 化至籽晶位置，無(wú)需人力憑經(jīng)驗(yàn)判斷，操作簡(jiǎn)便、檢測(cè)結(jié)果精確，便于對(duì)籽晶熔化高度進(jìn)行 設(shè)置，成本也較低，結(jié)合自動(dòng)化系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。
[0011] 優(yōu)選地，步驟（1)中所述籽晶為單晶硅、硅粉、碳化硅、石英砂或原生多晶硅。
[0012] 優(yōu)選地，步驟（1)中在坩堝底部鋪設(shè)一層厚度為0. 5cm?3cm的單晶硅或原生多 晶硅作為籽晶。
[0013] 優(yōu)選地，步驟（1)中在坩堝底部鋪設(shè)一層厚度為2cm?3cm的單晶硅作為籽晶。
[0014] 以單晶硅作為籽晶時(shí)，單晶硅的厚度應(yīng)在2cm以上最佳，因?yàn)楣枰簻囟仍诮档瓦^ 程中有一個(gè)慣性，雖然判定已經(jīng)熔化到單晶硅籽晶位置，但如果由于單晶硅籽晶太薄，溫度 無(wú)法立即降低，容易導(dǎo)致單晶硅籽晶完全熔化或剩余很少的問題出現(xiàn)。而使用單晶硅作為 籽晶生產(chǎn)類單晶與使用原生多晶硅作為籽晶生產(chǎn)高效多晶硅的不同之處在于剩余的籽晶 的厚度，剩余的單晶硅籽晶的厚度對(duì)后續(xù)生長(zhǎng)出來(lái)的類單晶質(zhì)量會(huì)有影響，因?yàn)槭Ｓ嗟膯?晶硅籽晶太薄的話，單晶硅籽晶本身更容易產(chǎn)生位錯(cuò)，從而影響后續(xù)生產(chǎn)的類單晶硅片的 質(zhì)量。
[0015] 優(yōu)選地，步驟（1)中在坩堝底部涂刷一層厚度為0. 1cm?0. 5cm的硅粉、碳化硅或 石英砂作為籽晶。
[0016] 優(yōu)選地，步驟（2)中所述碎硅料為碎硅片、硅粉、碎的原生多晶硅或碎的回收多晶 硅。
[0017] 所述碎硅料的尺寸控制為50us?3cm為佳。
[0018] 優(yōu)選地，步驟（2)中所述隔熱層的厚度為0. 2cm?3cm。
[0019] 優(yōu)選地，步驟（2)中所述隔熱層的厚度為0. 5cm?3cm。
[0020] 優(yōu)選地，步驟（3)中利用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度信號(hào)。
[0021] 優(yōu)選地，步驟（3)中利用軟件采集所述溫度信號(hào)。
[0022] 利用軟件采集的信號(hào)靈敏性和準(zhǔn)確性更高。
[0023] 優(yōu)選地，步驟（4)中利用軟件設(shè)置一個(gè)突變點(diǎn)值，當(dāng)所述溫度信號(hào)超過所述設(shè)置 的突變點(diǎn)值時(shí)，利用PLC控制器將超過所述設(shè)置的突變點(diǎn)值的所述溫度信號(hào)傳遞至報(bào)警 器，所述報(bào)警器接收到超過所述設(shè)置的突變點(diǎn)值的所述溫度信號(hào)時(shí)進(jìn)行自動(dòng)報(bào)警，提醒籽 晶已熔化至設(shè)定的高度。
[0024] 本發(fā)明第二方面還提供了一種多晶硅鑄錠爐，包括隔熱籠、置于所述隔熱籠內(nèi)的 熱交換臺(tái)、放置在所述熱交換臺(tái)上的坩堝，所述坩堝底部設(shè)有熱電偶。
[0025] 本發(fā)明在坩堝底部設(shè)置熱電偶，以便利用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度信號(hào)。
[0026] 本發(fā)明中，將坩堝底部的熱電偶與PLC控制器進(jìn)行連接，并在PLC控制器中安裝 軟件，以便可以采集熱電偶監(jiān)測(cè)并傳遞的溫度信號(hào)；進(jìn)一步，將PLC控制器與報(bào)警器進(jìn)行連 接，利用軟件設(shè)置一個(gè)突變點(diǎn)值，當(dāng)熱電偶監(jiān)測(cè)并傳遞的溫度信號(hào)超過該設(shè)置的突變點(diǎn)值 時(shí)，利用PLC控制器將超過該設(shè)置的突變點(diǎn)值的溫度信號(hào)傳遞至報(bào)警器，該報(bào)警器接收到 超過該設(shè)置的突變點(diǎn)值的溫度信號(hào)時(shí)進(jìn)行自動(dòng)報(bào)警，提醒籽晶已熔化至設(shè)定的高度。
[0027] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：
[0028] 1、本發(fā)明提供的方法解決了用石英棒等現(xiàn)有的方法測(cè)試不準(zhǔn)確、容易出現(xiàn)石英棒 斷棒和導(dǎo)致籽晶被完全化掉的問題。
[0029] 2、本發(fā)明提供的方法無(wú)需用石英棒進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，只需要根據(jù)坩堝底部熱電偶反 饋的溫度信號(hào)來(lái)判斷籽晶熔化的高度，無(wú)需操作人員憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行判斷測(cè)量，操作簡(jiǎn)便、檢測(cè) 結(jié)果精確，成本低。
[0030] 3、本發(fā)明提供的方法靈敏、精確，便于對(duì)籽晶熔化高度進(jìn)行設(shè)置，結(jié)合自動(dòng)化系統(tǒng) 可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031] 圖1是本發(fā)明各實(shí)施例中免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法的流程示意 圖；
[0032] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1所采集的坩堝底部的溫度隨時(shí)間的變化圖；
[0033] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例1所采集的溫度的變化率隨時(shí)間的變化圖；
[0034] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例1所采集的溫度的變化率的變化率隨時(shí)間的變化圖；
[0035] 圖5是本發(fā)明各實(shí)施例中籽晶鋪設(shè)方式的俯視圖；
[0036] 圖6是本發(fā)明各實(shí)施例中鋪設(shè)籽晶、隔熱層和硅原料的坩堝的剖面圖；
[0037] 圖7是本發(fā)明各實(shí)施例中所使用的多晶硅鑄錠爐的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0038] 為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，下面結(jié)合 附圖與較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用 以解釋本發(fā)明，不用于限定本發(fā)明。
[0039] 圖5是本發(fā)明各實(shí)施例中籽晶鋪設(shè)方式的俯視圖，其中101表示坩堝，201表示 籽晶，如圖5所示，所述籽晶平整、緊密設(shè)置于所述坩堝底部；圖6是本發(fā)明各實(shí)施例中鋪 設(shè)籽晶、隔熱層和娃原料的i甘禍的剖面圖，201表不籽晶，202表不由碎娃料形成的隔熱層， 203表示硅原料，101表示坩堝，如圖6所示，坩堝底部依次層疊設(shè)置籽晶、隔熱層和硅原料。 圖7是本發(fā)明各實(shí)施例中所使用的多晶硅鑄錠爐的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，101表示坩堝，102表 不熱受換臺(tái)，103表不隔熱籠，104表不熱電偶，如圖7所不，熱電偶104設(shè)置在?甘禍底部。
[0040] 實(shí)施例1 :
[0041] 一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：
[0042] (1)在坩堝底部鋪設(shè)一層厚度為3cm的單晶硅作為籽晶；
[0043] (2)在該籽晶表面鋪設(shè)一層厚度為2cm的碎硅片組成隔熱層；
[0044] (3)在該隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并使 用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度、溫度變化率和溫度變化率的變化率的情況，用軟件采集坩 堝底部的溫度、溫度變化率和溫度變化率的變化率的數(shù)值；
[0045] (4)當(dāng)軟件采集到的坩堝底部的溫度、溫度變化率和溫度變化率的變化率出現(xiàn)突 然上升的突變點(diǎn)，表示已熔化至籽晶的高度，控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。
[0046] 圖2是本實(shí)施例所采集的坩堝底部的溫度隨時(shí)間的變化圖，圖3是本實(shí)施例所采 集的溫度的變化率隨時(shí)間的變化圖，圖4是本實(shí)施例所采集的溫度的變化率的變化率隨時(shí) 間的變化圖；如圖2所示，坩堝底部的溫度在第288min出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，如圖3所 示，坩堝底部的溫度的變化率在第289min出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，如圖4所示，坩堝底部的 溫度變化率的變化率在第289min出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，根據(jù)這三個(gè)突變點(diǎn)值可以準(zhǔn)確 判斷，在第289min?289min時(shí)已熔化至籽晶的高度。
[0047] 實(shí)施例2 :
[0048] 一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：
[0049] (1)在坩堝底部鋪設(shè)一層厚度為2cm的單晶硅作為籽晶；
[0050] (2)在該籽晶表面鋪設(shè)一層厚度為3cm的硅粉組成隔熱層；
[0051] (3)在該隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并使 用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度變化率的情況，用軟件采集溫度變化率的數(shù)值；
[0052] (4)當(dāng)軟件采集到的溫度變化率出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，表示已熔化至籽晶的高 度，控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。
[0053] 實(shí)施例3 :
[0054] -種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：
[0055] (1)在坩堝底部鋪設(shè)一層厚度為3cm的原生多晶硅作為籽晶；
[0056] (2)在該籽晶表面鋪設(shè)一層厚度為2cm的碎的原生多晶硅組成隔熱層；
[0057] (3)在該隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并使 用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度的情況，用軟件采集溫度的數(shù)值；
[0058] (4)當(dāng)軟件采集到的溫度出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，表示已熔化至籽晶的高度，控制 熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。
[0059] 實(shí)施例4 :
[0060] 一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：
[0061] (1)在坩堝底部涂刷一層厚度為〇. 5的硅粉作為籽晶；
[0062] (2)在該籽晶表面鋪設(shè)一層厚度為3cm的碎硅片組成隔熱層；
[0063] (3)在該隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并使 用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度變化率的變化率的情況，用軟件采集溫度變化率的變化率的 數(shù)值；
[0064] (4)當(dāng)軟件采集到的溫度變化率的變化率出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，表示已熔化至 籽晶的高度，控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。
[0065] 實(shí)施例5
[0066] 一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：
[0067] (1)在坩堝底部涂刷一層厚度為0. 1cm的碳化硅作為籽晶；
[0068] (2)在該籽晶表面鋪設(shè)一層厚度為0. 5cm的硅粉組成隔熱層；
[0069] (3)在該隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并使 用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度變化率的情況，用軟件采集溫度變化率的數(shù)值；
[0070] (4)當(dāng)軟件采集到的溫度變化率出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，表示已熔化至籽晶的高 度，控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。
[0071] 實(shí)施例6
[0072] -種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，包括以下步驟：
[0073] (1)在坩堝底部涂刷一層厚度為0· 5cm的石英砂作為籽晶；
[0074] (2)在該籽晶表面鋪設(shè)一層厚度為0. 2cm的碎的回收多晶硅組成隔熱層；
[0075] (3)在該隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使硅原料從上往下熔化，并使 用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度變化率的情況，用軟件采集溫度變化率的數(shù)值；
[0076] (4)當(dāng)軟件采集到的溫度變化率出現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)，表示已熔化至籽晶的高 度，控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階段。
[0077] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 在坩堝底部設(shè)置一層籽晶； (2) 在所述籽晶表面鋪設(shè)一層碎硅料形成隔熱層，所述隔熱層的導(dǎo)熱率低于所述籽晶 的導(dǎo)熱率； (3) 在所述隔熱層表面裝入硅原料，控制熱場(chǎng)和工藝，使所述硅原料從上往下熔化，并 監(jiān)測(cè)所述坩堝底部的溫度信號(hào)；所述溫度信號(hào)為所述坩堝底部溫度、所述坩堝底部溫度變 化率，或者所述坩堝底部溫度變化率的變化率； (4) 根據(jù)獲取到的所述溫度信號(hào)，可以判斷所述籽晶熔化的高度；當(dāng)所述溫度信號(hào)出 現(xiàn)突然上升的突變點(diǎn)時(shí)，表示已熔化至所述籽晶的高度，此時(shí)控制熱場(chǎng)和工藝，進(jìn)入長(zhǎng)晶階 段。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟（1)中所述籽晶為單晶硅、硅粉、碳化硅、石英砂或原生多晶硅。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟（1)中在坩堝底部鋪設(shè)一層厚度為〇. 5cm?3cm的單晶硅或原生多晶硅作為籽晶。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟（1)中在坩堝底部涂刷一層厚度為0. lcm?0. 5cm的硅粉、碳化硅或石英砂作為籽晶。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟（2)中所述碎硅料為碎硅片、硅粉、碎的原生多晶硅或碎的回收多晶硅。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟（2)中所述隔熱層的厚度為0. 2cm?3cm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟⑶中利用熱電偶監(jiān)測(cè)坩堝底部的溫度信號(hào)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特 征在于，步驟（3)中利用軟件采集所述溫度信號(hào)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的免測(cè)量多晶硅鑄錠用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步 驟（4)中利用軟件設(shè)置一個(gè)突變點(diǎn)值，當(dāng)所述溫度信號(hào)超過所述設(shè)置的突變點(diǎn)值時(shí)，利用 PLC控制器將超過所述設(shè)置的突變點(diǎn)值的所述溫度信號(hào)傳遞至報(bào)警器，所述報(bào)警器接收到 超過所述設(shè)置的突變點(diǎn)值的所述溫度信號(hào)時(shí)進(jìn)行自動(dòng)報(bào)警，提醒籽晶已熔化至設(shè)定的高 度。
10. -種多晶硅鑄錠爐，包括隔熱籠、置于所述隔熱籠內(nèi)的熱交換臺(tái)、放置在所述熱交 換臺(tái)上的坩堝，其特征在于，所述坩堝底部設(shè)有熱電偶。
【文檔編號(hào)】C30B29/06GK104152993SQ201410384074
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月6日
【發(fā)明者】陳紅榮, 胡動(dòng)力, 何亮, 鄢俊琦 申請(qǐng)人:江西賽維Ldk太陽(yáng)能高科技有限公司