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      一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置制造方法

      文檔序號:8096164閱讀:412來源:國知局
      一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,包括振蕩電磁發(fā)生器、設(shè)置在振蕩電磁發(fā)生器上表面的面板、位于振蕩電磁發(fā)生器側(cè)面的控制面板,還包括呈缺口五環(huán)形狀的加熱片,位于面板上,該加熱片成上下兩層結(jié)構(gòu),下層的中央環(huán)為集流環(huán),環(huán)上設(shè)置缺口,由銅質(zhì)材料構(gòu)成,上層的四環(huán)位于中央環(huán)的四周,為加熱環(huán),由不銹鋼材料構(gòu)成。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有節(jié)能、安全、使用范圍廣等優(yōu)點,可作為化學(xué)實驗室加熱設(shè)備。
      【專利說明】
      —種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本發(fā)明涉及一種化學(xué)實驗室用電磁振蕩加熱裝置,尤其是涉及一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置。

      【背景技術(shù)】
      [0002]加熱是化學(xué)實驗室很常見的一種操作,常用的加熱儀器包括電爐、電熱板、電熱套、微波加熱儀等,有時候為了實現(xiàn)恒溫控制,還使用恒溫水浴鍋等設(shè)備。
      [0003]電爐、電熱板、電熱套等加熱設(shè)備因其價格低、操作簡單而被廣泛使用,這些傳統(tǒng)的加熱設(shè)備能耗高、熱效率低,同時還存在很多缺陷。如電爐的電阻絲裸露在外、有明火,容易漏電,且電阻絲容易燒斷,需要經(jīng)常維修或更換;電熱板加熱速度慢,而且電熱板表面容易腐蝕、生銹;電熱套一般為半球形設(shè)計,只能加熱燒瓶等特定的容器。恒溫水浴鍋一般用在對加熱溫度要求恒定,且溫度低于60°C時的操作。微波加熱儀在實驗室也被用作加熱、消解的設(shè)備,但操作繁瑣、儀器成本高,而且存在微波外泄的隱患。
      [0004]近年來,電磁爐作為灶具在家庭和餐飲業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用,電磁爐具有節(jié)能、安全、環(huán)保等優(yōu)點。為此有實驗室嘗試使用電磁爐作為加熱設(shè)備,但普通電磁爐有很大的局限性,只能使用鐵磁性容器,如鐵鍋、不銹鋼鍋等鍋具,無法使用化學(xué)實驗室最常用的玻璃燒杯、玻璃燒瓶等容器。也有人嘗試在電磁爐上面加一塊鐵板或不銹鋼板作為加熱元件,在鐵板上再放置玻璃燒杯,結(jié)果是鐵板受熱后發(fā)生變形,嚴(yán)重影響實驗安全和加熱效果。
      [0005]申請?zhí)枮?01220407872.6的中國專利公開了一種電磁加熱裝置,其包括加熱體、電磁線圈及功率部分采用銅條連接的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、能控制該電磁線圈工作狀態(tài)的電磁加熱控制板,線圈可O距離接觸加熱體,線圈調(diào)節(jié)裝置的應(yīng)用可以靈活的調(diào)整電感量,配合IGBT串聯(lián)技術(shù),可以用來加熱型號為304、316、309、GH2132等無磁不銹鋼熱板、烘缸、反應(yīng)釜之類的容器,但不適用于對化學(xué)實驗室最常用的玻璃燒杯、玻璃燒瓶等玻璃容器進(jìn)行直接加熱操作。
      [0006]鑒于以上原因,針對化學(xué)實驗室加熱操作過程,研發(fā)了一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,該裝置不但具備節(jié)能、安全、環(huán)保等優(yōu)點,還解決了普通電磁爐在使用上的局限性,在化學(xué)實驗室可直接使用玻璃容器進(jìn)行加熱操作。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,給化學(xué)實驗室提供一種節(jié)能、安全、環(huán)保的加熱操作新模式。
      [0008]本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
      [0009]一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,包括振蕩電磁發(fā)生器、設(shè)置在振蕩電磁發(fā)生器上表面的面板、位于振蕩電磁發(fā)生器側(cè)面的控制面板,
      [0010]還包括呈缺口五環(huán)形狀的加熱片,位于面板上,該加熱片成上下兩層結(jié)構(gòu),缺口五環(huán)形非均質(zhì)設(shè)計,在振蕩電磁發(fā)生器的作用下,加熱片將自行高速發(fā)熱,作為熱源產(chǎn)生和提供者。加熱片可看作由上下兩層組成,下層的中央環(huán)為集流環(huán),環(huán)上設(shè)置缺口,由銅質(zhì)材料構(gòu)成,作為短路片,由于銅的電阻率小,在振蕩電磁發(fā)生器的作用下將產(chǎn)生較大的感應(yīng)電流和較小的發(fā)熱量;上層的周圍四環(huán)為加熱環(huán),由不銹鋼材料構(gòu)成。在振蕩電磁發(fā)生器的作用下,加熱環(huán)上將產(chǎn)生由下層中央環(huán)感應(yīng)電流和上層加熱環(huán)感應(yīng)電流的疊加,形成較大的電流,同時由于不銹鋼加熱環(huán)具有較大的電阻率,故較大電流通過時將產(chǎn)生較大的熱量,可作為熱源提供者。
      [0011]所述的中央環(huán)當(dāng)中的圓形孔隙中鑲嵌有絕緣導(dǎo)熱的陶瓷片。
      [0012]所述的加熱環(huán)的反面還設(shè)置8個起支撐平衡作用的支點,支點高度與下層中央環(huán)的厚度相同。
      [0013]所述的中央環(huán)與加熱環(huán)之間的空隙中、加熱環(huán)間的外側(cè)空隙中均鑲嵌有絕緣導(dǎo)熱的陶瓷片。
      [0014]所述的加熱片的大小與面板相同。
      [0015]所述的面板為耐熱陶瓷面板。
      [0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
      [0017]1、節(jié)能,缺口五環(huán)形非均質(zhì)設(shè)計將大大提高發(fā)熱速度和發(fā)熱量,起到能耗低、熱效率高的效果。
      [0018]2、安全,無明火、不漏電,操作安全。
      [0019]3、與傳統(tǒng)的加熱設(shè)備相比,具有體積小、溫度調(diào)節(jié)靈活等特點。
      [0020]4、適用范圍廣,可廣泛適用于化學(xué)實驗室直接使用玻璃容器進(jìn)行加熱操作。
      [0021]5、分體式設(shè)計,避免因受熱變形引起的損壞,可延長使用壽命。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0022]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0023]圖2為加熱片的仰視結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0024]圖3為加熱片的主視結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0025]圖4為加熱片的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0026]圖中,I為耐熱陶瓷面板,2為電源開關(guān),3為功率顯示屏,4為功率設(shè)定鍵、5為底板、6為加熱環(huán),7為絕緣陶瓷片,8為中央環(huán),9為支點。

      【具體實施方式】
      [0027]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
      [0028]實施例
      [0029]一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括振蕩電磁發(fā)生器、設(shè)置在振蕩電磁發(fā)生器上表面的耐熱陶瓷面板1、位于振蕩電磁發(fā)生器側(cè)面的控制面板,由電源開關(guān)2,功率顯示屏3,功率設(shè)定鍵4等組成,電源開關(guān)2為觸屏式設(shè)計,功率顯示屏3用于顯示設(shè)定的實際輸出功率,功率設(shè)定鍵4為觸屏式設(shè)計,用于調(diào)節(jié)電磁爐的功率,控制升溫速度和加熱節(jié)奏。底部設(shè)有鐵質(zhì)底板5。
      [0030]另外還包括呈缺口五環(huán)形狀的加熱片,其結(jié)構(gòu)如圖2-圖4所示,位于耐熱陶瓷面板I上,該加熱片成上下兩層結(jié)構(gòu),缺口五環(huán)形非均質(zhì)設(shè)計,在振蕩電磁發(fā)生器的作用下,加熱片將自行高速發(fā)熱,作為熱源產(chǎn)生和提供者。加熱片由上下兩層組成,下層的中央環(huán)8為集流環(huán),環(huán)上設(shè)置缺口,由銅質(zhì)材料構(gòu)成,作為短路片,由于銅的電阻率小,在振蕩電磁發(fā)生器的作用下將產(chǎn)生較大的感應(yīng)電流和較小的發(fā)熱量;上層的周圍四環(huán)為加熱環(huán)6,由不銹鋼材料構(gòu)成。在振蕩電磁發(fā)生器的作用下,加熱環(huán)上將產(chǎn)生由下層中央環(huán)感應(yīng)電流和上層加熱環(huán)感應(yīng)電流的疊加,形成較大的電流,同時由于不銹鋼加熱環(huán)具有較大的電阻率,故較大電流通過時將產(chǎn)生較大的熱量,可作為熱源提供者。
      [0031]在中央環(huán)8當(dāng)中的圓形孔隙中以及中央環(huán)8與加熱環(huán)6之間的空隙中、加熱環(huán)間的外側(cè)空隙中均鑲嵌有絕緣導(dǎo)熱的陶瓷片7,除此之外,加熱環(huán)6的反面還設(shè)置8個起支撐平衡作用的支點,支點高度與下層中央環(huán)8的厚度相同。整個加熱片的大小與耐熱陶瓷板I的大小相同。
      [0032]本發(fā)明的操作包括以下步驟:
      [0033]1、將加熱片置于振蕩電磁發(fā)生器的耐熱陶瓷面板I上。
      [0034]2、打開電源開關(guān)2,根據(jù)待加熱實驗的要求,由功率設(shè)定鍵4設(shè)定至所需加熱功率,功率的大小決定了加熱速度的快慢,所設(shè)定的功率在功率顯示屏3上顯示。通電后振蕩電磁發(fā)生器便產(chǎn)生高頻交變振蕩磁場,加熱片在交變振蕩磁場的作用下,在銅質(zhì)的中央環(huán)8和不銹鋼加熱環(huán)6上產(chǎn)生感應(yīng)電流,由于不銹鋼加熱環(huán)6具有較大的電阻率,故電流通過時將產(chǎn)生較大的熱量,加熱片將自行高速發(fā)熱,作為熱源的產(chǎn)生及提供者。
      [0035]3、將實驗容器如玻璃燒杯置于加熱片上進(jìn)行加熱,可根據(jù)加熱情況隨時調(diào)節(jié)加熱功率。
      [0036]4、完成加熱操作后,關(guān)閉電源,將實驗容器從加熱片上取下。加熱片自行冷卻至室溫。
      【權(quán)利要求】
      1.一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,包括振蕩電磁發(fā)生器、設(shè)置在振蕩電磁發(fā)生器上表面的面板、位于振蕩電磁發(fā)生器側(cè)面的控制面板,其特征在于, 還包括呈缺口五環(huán)形狀的加熱片,位于面板上,該加熱片成上下兩層結(jié)構(gòu),下層的中央環(huán)為集流環(huán),環(huán)上設(shè)置缺口,由銅質(zhì)材料構(gòu)成,上層的四環(huán)位于中央環(huán)的四周,為加熱環(huán),由不銹鋼材料構(gòu)成。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其特征在于,所述的中央環(huán)在振蕩電磁發(fā)生器的作用下將產(chǎn)生較大的感應(yīng)電流和較小的發(fā)熱量,所述的加熱環(huán)上將產(chǎn)生由下層中央環(huán)感應(yīng)電流和上層加熱環(huán)感應(yīng)電流的疊加,形成較大的電流并通過加熱環(huán)產(chǎn)生較大熱量。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其特征在于,所述的中央環(huán)當(dāng)中的圓形孔隙中鑲嵌有絕緣導(dǎo)熱的陶瓷片。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其特征在于,所述的加熱環(huán)的反面還設(shè)置8個起支撐平衡作用的支點,支點高度與下層中央環(huán)的厚度相問。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其特征在于,所述的中央環(huán)與加熱環(huán)之間的空隙中、加熱環(huán)間的外側(cè)空隙中均鑲嵌有絕緣導(dǎo)熱的陶瓷片O
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其特征在于,所述的加熱片的大小與面板相同。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種缺口五環(huán)形電磁振蕩非均質(zhì)四聯(lián)加熱裝置,其特征在于,所述的面板為耐熱陶瓷面板。
      【文檔編號】H05B6/06GK104202857SQ201410424737
      【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
      【發(fā)明者】章明洪, 張小沁, 賀少鵬 申請人:上海化工研究院, 上海天科化工檢測有限公司
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