一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng),主要由場效應(yīng)管MOS、一級濾波電路、二級濾波電路、異或門電路、光束激發(fā)式邏輯放大電路、非門IC1、非門IC2、非門IC3、非門IC4、電阻R3、電阻R5、電阻R7、電阻R9、電容C3、二極管D3、光束激光式邏輯放大電路及開關(guān)功率放大電路組成。連接時,非門IC2的輸入端與非門IC1的輸出端相連接,即非門IC1和非門IC2相串接;該一級濾波電路要與非門IC1的輸入端相連接;二級濾波電路則與非門IC3的輸入端相連接。本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)簡單方便,能耗非常低,運(yùn)算速度快,能確保放大信號的質(zhì)量和性能穩(wěn)定,有效的降低電路自身和外界的射頻干擾。
【專利說明】 一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種邏輯控制系統(tǒng),具體是指一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,由于LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環(huán)保等特點(diǎn),其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。由于LED燈不同于傳統(tǒng)的白熾燈,其需要由專用的功率放大驅(qū)動電路來進(jìn)行驅(qū)動,但是采用傳統(tǒng)的功率放大電路在進(jìn)行功率驅(qū)動放大時,其放大信號的衰減幅度較大且還會受到外部的電磁干擾,進(jìn)而使得放大信號性能較為不穩(wěn)定,因此市面上便出現(xiàn)了各式各樣的用于防止功率放大驅(qū)動電路免受內(nèi)部或外部不利因素干擾的保護(hù)系統(tǒng)。
[0003]功率放大式邏輯控制系統(tǒng)是LED燈保護(hù)系統(tǒng)中的一個重要控制部分,其運(yùn)行速度的快慢和性能穩(wěn)定與否直接決定了 LED燈保護(hù)系統(tǒng)的使用范圍和性能好壞。然而,目前這些功率放大式邏輯控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)都較為復(fù)雜,不僅其能耗較高,而且其運(yùn)行速度較慢,不能很好的體現(xiàn)出功率放大式邏輯控制的快速、低能耗的優(yōu)勢,以致嚴(yán)重的制約了其深層次的推廣使用。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于克服目前LED燈保護(hù)系統(tǒng)用的功率放大式邏輯控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜、能耗較高、功率放大后信號衰減幅度大以致信號性能不穩(wěn)定能、運(yùn)行速度較慢的缺陷,提供一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng)。
[0005]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng),主要由場效應(yīng)管MOS,異或門電路,非門IC1,非門IC3,非門IC4,輸入端與非門ICl的輸出端相連接的非門IC2,與非門ICl的輸入端相連接的一級濾波電路,與非門IC3的輸入端相連接二級濾波電路,一端與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與非門ICl的輸出端相連接的電阻R3,一端與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與異或門電路相連接的電阻R5,正極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、其負(fù)極與非門IC3的輸出端相連接的電容C3,以及一端與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端接地的電阻R9組成。同時,所述非門IC2的輸出端順次經(jīng)電阻R7和二極管D3后與開關(guān)功率放大電路相連接,所述非門IC4和異或門電路的輸出端均與該開關(guān)功率放大電路相連接;同時,在異或門電路與開關(guān)功率放大電路之間還串接有光束激發(fā)式邏輯放大電路;所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4,與非門IC6,與非門IC7,與非門IC8,負(fù)極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D6后接地的極性電容C13,一端與極性電容C13的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D7后接地的電阻R21,正極與電阻R21和二極管D7的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極接地的極性電容C15,一端與與非門IC6的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器P4的正極輸入端相連接的電阻R17,串接在功率放大器P4的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R18,一端與與非門IC6的輸出端相連接、另一端與與非門IC8的負(fù)極輸入端相連接的電阻R19,正極與與非門IC7的輸出端相連接、負(fù)極與與非門IC8的負(fù)極輸入端相連接的電容C14,以及一端與極性電容C15的正極相連接、另一端與與非門IC7的負(fù)極輸入端相連接的電阻R20組成;所述與非門IC6的正極輸入端與功率放大器P4的負(fù)極輸入端相連接,其輸出端與非門IC7的正極輸入端相連接,與非門IC8的正極輸入端與功率放大器P4的輸出端相連接。
[0006]所述開關(guān)功率放大電路主要由功率放大器P1,功率放大器P2,功率放大器P3,串接在功率放大器Pl的輸出端與負(fù)極輸入端之間的電阻R8和電容C8,串接在功率放大器P2的輸出端與正極輸入端之間的電阻RlO和電容C9,基極與功率放大器Pl的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻Rll后與功率放大器P3的正極輸入端相連接的三極管Q2,基極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、集電極經(jīng)電阻R12后與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接的三極管Q3,基極經(jīng)電阻R13后與功率放大器P2的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R16后與三極管Q3的基極相連接的三極管Q1,正極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接、而負(fù)極與三極管Q3的發(fā)射極相連接并接地的電容C10,與電阻R13相并聯(lián)的電容Cl I,一端與三極管Ql的基極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R14,一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R15,與電阻R15相并聯(lián)的電容C12,以及N極與三極管Q2的集電極相連接、P極外接-4V電壓的二極管D5組成;所述功率放大器Pl的正極輸入端與二極管D3的N極相連接,非門IC4的輸出端則分別與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端和功率放大器P2的正極輸入端相連接,所述異或門電路的輸出端則與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接;所述與非門IC8的輸出端與功率放大器P2的輸出端相連接,而功率放大器P4的正極輸入端則與異或門電路相連接。
[0007]進(jìn)一步地,所述一級濾波電路由P極與非門ICl的輸入端相連接、N極經(jīng)電阻R2和電容Cl后與非門ICl的輸入端相連接的二極管D1,以及與二極管Dl相并聯(lián)的電阻Rl組成;所述電容Cl的負(fù)極接地。
[0008]所述異或門電路由異或門IC5,N極與異或門IC5的第一輸入端相連接、P極與二級濾波電路相連接的二極管D4,一端與二極管D4的P極相連接、另一端外接+12V電壓的電阻R6,以及正極與二極管D4的P極相連接、負(fù)極接地的電容C4組成;所述異或門IC5的第二輸入端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接,而異或門IC5的輸出端則與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接。
[0009]所述二級濾波電路由N極與非門IC3的輸入端相連接、P極與二極管D4的P極相連接的二極管D2,與二極管D2相并聯(lián)的電阻R4,以及正極與非門IC3的輸入端相連接、負(fù)極接地的電容C2組成。
[0010]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
(I)本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)簡單,其制作和使用非常方便。
[0011](2)本發(fā)明采用光束激發(fā)式放大電路不僅能確保經(jīng)其放大后的信號不會發(fā)生較大的衰減,從而能確保放大信號的質(zhì)量和性能,還能有效的降低電路自身和外界的射頻干擾。
[0012](3)本發(fā)明完全采用邏輯電子元件來實(shí)現(xiàn)其邏輯控制功能,因此其能耗非常低、運(yùn)算速度快,采用的源極跟隨器使其性能更加穩(wěn)定。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例
[0015]如圖1所示,本發(fā)明主要由場效應(yīng)管MOS,異或門電路,非門IC1,非門IC3,非門IC4,輸入端與非門ICl的輸出端相連接的非門IC2,與非門ICl的輸入端相連接的一級濾波電路,與非門IC3的輸入端相連接二級濾波電路,一端與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與非門ICl的輸出端相連接的電阻R3,一端與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與異或門電路相連接的電阻R5,正極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、其負(fù)極與非門IC3的輸出端相連接的電容C3,以及一端與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端接地的電阻R9組成。
[0016]同時,所述非門IC2的輸出端順次經(jīng)電阻R7和二極管D3后與開關(guān)功率放大電路相連接,所述非門IC4和異或門電路的輸出端均與該開關(guān)功率放大電路相連接。為確保使用效果,在異或門電路與開關(guān)功率放大電路之間還串接有光束激發(fā)式邏輯放大電路。
[0017]所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4,與非門IC6,與非門IC7,與非門IC8,負(fù)極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D6后接地的極性電容C13,一端與極性電容C13的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D7后接地的電阻R21,正極與電阻R21和二極管D7的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極接地的極性電容C15,一端與與非門IC6的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器P4的正極輸入端相連接的電阻R17,串接在功率放大器P4的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R18,一端與與非門IC6的輸出端相連接、另一端與與非門IC8的負(fù)極輸入端相連接的電阻R19,正極與與非門IC7的輸出端相連接、負(fù)極與與非門IC8的負(fù)極輸入端相連接的電容C14,以及一端與極性電容C15的正極相連接、另一端與與非門IC7的負(fù)極輸入端相連接的電阻R20組成。
[0018]連接時,所述與非門IC6的正極輸入端與功率放大器P4的負(fù)極輸入端相連接,其輸出端與非門IC7的正極輸入端相連接,與非門IC8的正極輸入端與功率放大器P4的輸出端相連接。
[0019]所述開關(guān)功率放大電路主要由功率放大器Pl,功率放大器P2,功率放大器P3,串接在功率放大器Pl的輸出端與負(fù)極輸入端之間的電阻R8和電容C8,串接在功率放大器P2的輸出端與正極輸入端之間的電阻RlO和電容C9,基極與功率放大器Pl的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻Rll后與功率放大器P3的正極輸入端相連接的三極管Q2,基極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、集電極經(jīng)電阻R12后與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接的三極管Q3,基極經(jīng)電阻R13后與功率放大器P2的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R16后與三極管Q3的基極相連接的三極管Q1,正極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接、而負(fù)極與三極管Q3的發(fā)射極相連接并接地的電容C10,與電阻R13相并聯(lián)的電容Cl I,一端與三極管Ql的基極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R14,一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻Rl5,與電阻Rl5相并聯(lián)的電容Cl2,以及N極與三極管Q2的集電極相連接、P極外接-4V電壓的二極管D5組成。
[0020]所述功率放大器Pl的正極輸入端與二極管D3的N極相連接,非門IC4的輸出端則分別與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端和功率放大器P2的正極輸入端相連接,所述異或門電路的輸出端則與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接;所述與非門IC8的輸出端與功率放大器P2的輸出端相連接,而功率放大器P4的正極輸入端則與異或門電路相連接。
[0021]所述一級濾波電路由P極與非門ICl的輸入端相連接、N極經(jīng)電阻R2和電容Cl后與非門ICl的輸入端相連接的二極管D1,以及與二極管Dl相并聯(lián)的電阻Rl組成;所述電容Cl的負(fù)極接地。
[0022]所述異或門電路由異或門IC5,N極與異或門IC5的第一輸入端相連接、P極與二級濾波電路相連接的二極管D4,一端與二極管D4的P極相連接、另一端外接+12V電壓的電阻R6,以及正極與二極管D4的P極相連接、負(fù)極接地的電容C4組成;所述異或門IC5的第二輸入端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接,而異或門IC5的輸出端則與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接。
[0023]所述二級濾波電路由N極與非門IC3的輸入端相連接、P極與二極管D4的P極相連接的二極管D2,與二極管D2相并聯(lián)的電阻R4,以及正極與非門IC3的輸入端相連接、負(fù)極接地的電容C2組成。
[0024]為確保功率放大器Pl和功率放大器P2的正常運(yùn)行,該電容C8和電容C9均優(yōu)先采用貼片電容來實(shí)現(xiàn)。而電阻R8、電阻RlO的阻值均為10 1(0,電阻1?11、電阻1?12、電阻1?13、電阻R14、電阻R15和電阻R16的阻值均為20 ΚΩ。
[0025]如上所述,便可以很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng),主要由場效應(yīng)管MOS,異或門電路,非門IC1,非門IC3,非門IC4,輸入端與非門ICl的輸出端相連接的非門IC2,與非門ICl的輸入端相連接的一級濾波電路,與非門IC3的輸入端相連接二級濾波電路,一端與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與非門ICl的輸出端相連接的電阻R3,一端與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與異或門電路相連接的電阻R5,正極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、其負(fù)極與非門IC3的輸出端相連接的電容C3,以及一端與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端接地的電阻R9組成,其特征在于,所述非門IC2的輸出端順次經(jīng)電阻R7和二極管D3后與開關(guān)功率放大電路相連接,所述非門IC4和異或門電路的輸出端均與該開關(guān)功率放大電路相連接;同時,在異或門電路與開關(guān)功率放大電路之間還串接有光束激發(fā)式邏輯放大電路;所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4,與非門IC6,與非門IC7,與非門IC8,負(fù)極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D6后接地的極性電容C13,一端與極性電容C13的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D7后接地的電阻R21,正極與電阻R21和二極管D7的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極接地的極性電容C15,一端與與非門IC6的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器P4的正極輸入端相連接的電阻R17,串接在功率放大器P4的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R18,一端與與非門IC6的輸出端相連接、另一端與與非門IC8的負(fù)極輸入端相連接的電阻R19,正極與與非門IC7的輸出端相連接、負(fù)極與與非門IC8的負(fù)極輸入端相連接的電容C14,以及一端與極性電容C15的正極相連接、另一端與與非門IC7的負(fù)極輸入端相連接的電阻R20組成;所述與非門IC6的正極輸入端與功率放大器P4的負(fù)極輸入端相連接,其輸出端與非門IC7的正極輸入端相連接,與非門IC8的正極輸入端與功率放大器P4的輸出端相連接;所述開關(guān)功率放大電路主要由功率放大器Pl,功率放大器P2,功率放大器P3,串接在功率放大器Pl的輸出端與負(fù)極輸入端之間的電阻R8和電容C8,串接在功率放大器P2的輸出端與正極輸入端之間的電阻RlO和電容C9,基極與功率放大器Pl的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻Rll后與功率放大器P3的正極輸入端相連接的三極管Q2,基極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、集電極經(jīng)電阻R12后與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接的三極管Q3,基極經(jīng)電阻R13后與功率放大器P2的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R16后與三極管Q3的基極相連接的三極管Q1,正極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接、而負(fù)極與三極管Q3的發(fā)射極相連接并接地的電容C10,與電阻R13相并聯(lián)的電容C11,一端與三極管Ql的基極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R14,一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R15,與電阻R15相并聯(lián)的電容C12,以及N極與三極管Q2的集電極相連接、P極外接-4V電壓的二極管D5組成;所述功率放大器Pl的正極輸入端與二極管D3的N極相連接,非門IC4的輸出端則分別與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端和功率放大器P2的正極輸入端相連接,所述異或門電路的輸出端則與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接;所述與非門IC8的輸出端與功率放大器P2的輸出端相連接,而功率放大器P4的正極輸入端則與異或門電路相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng),其特征在于,所述一級濾波電路由P極與非門ICl的輸入端相連接、N極經(jīng)電阻R2和電容Cl后與非門ICl的輸入端相連接的二極管D1,以及與二極管Dl相并聯(lián)的電阻Rl組成;所述電容Cl的負(fù)極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng),其特征在于,所述異或門電路由異或門IC5,N極與異或門IC5的第一輸入端相連接、P極與二級濾波電路相連接的二極管D4,一端與二極管D4的P極相連接、另一端外接+12V電壓的電阻R6,以及正極與二極管D4的P極相連接、負(fù)極接地的電容C4組成;所述異或門IC5的第二輸入端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接,而異或門IC5的輸出端則與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型源極跟隨器的功率放大式邏輯控制系統(tǒng),其特征在于,所述二級濾波電路由N極與非門IC3的輸入端相連接、P極與二極管D4的P極相連接的二極管D2,與二極管D2相并聯(lián)的電阻R4,以及正極與非門IC3的輸入端相連接、負(fù)極接地的電容C2組成。
【文檔編號】H05B37/02GK104470101SQ201410687644
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】付雯華 申請人:成都思茂科技有限公司