一種pcb板的背鉆與無盤過孔工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種PCB板的背鉆與無盤過孔工藝，包括以下步驟：（A）、鉆通孔；（B）、背鉆，背鉆以鉆出大孔并與小孔形成階梯孔；（C）、沉銅板電；（D）、外層菲林，按無盤孔設(shè)計大孔面的菲林，大孔的孔口干膜未被顯影掉；（E）、圖形電鍍，電鍍加厚干膜已被顯影掉區(qū)域的銅層,再鍍上錫作為保護層；（F）堿性蝕刻，褪掉前工序未顯影掉的干膜，并蝕刻掉干膜下孔口及背鉆孔壁部分深度的銅層,然后褪錫。本發(fā)明在階梯孔的大孔孔口及周邊蝕刻掉銅層，從而實現(xiàn)無盤過孔，在PCB組裝時不會與插件相連而短路，滿足客戶端設(shè)計及組裝需求；本工藝在鉆孔后直接背鉆，與傳統(tǒng)背鉆在圖電后相比，減少了流程搬運過程中帶來的如擦花等品質(zhì)缺陷。
【專利說明】—種PCB板的背鉆與無盤過孔工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印刷電路板，尤其是一種PCB板的背鉆與無盤過孔工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]PCB板背鉆技術(shù)(也稱控深鉆)主要用于保證PCB串行數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性，起到高速信號傳輸?shù)淖饔?，尤其?G通信時代，應(yīng)用4G通信技術(shù)的PCB板對數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性及高速信號傳輸要求更高；如圖1所示，該背鉆技術(shù)在PCB板上所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)為階梯孔，即大孔(背鉆孔)中套一個小孔(通用的沉銅孔)，但是背鉆孔的孔口及周邊也鍍有銅，這樣在PCB組裝時孔口會與插件相連而發(fā)生短路，容易對產(chǎn)品產(chǎn)生不良影響，造成不良品而使得廠家浪費資源，因而需要設(shè)計出生產(chǎn)一種如圖2所示無盤過孔的PCB板生產(chǎn)工藝，本文所說的盤是指蝕刻后孔口形成的焊盤。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種PCB板的背鉆與無盤過孔工藝。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種PCB板的背鉆與無盤過孔工藝，包括以下步驟:
(A)、鉆孔，鉆機鉆出貫穿PCB基板的通孔，為層間導通做準備；
(B)、背鉆，更換鉆機鉆咀及鉆帶資料，選擇具備深度控制的鉆機進行背鉆，在步驟(A)中鉆孔的鉆入面進行背鉆以鉆出大孔，該大孔與所述小孔共軸心并與小孔形成階梯孔；
(C)、沉銅板電，使得板上的導通孔和板面均得到一定厚度的導電銅；
(D)、外層菲林，按無盤孔設(shè)計大孔面的菲林，大孔的孔口干膜未被顯影掉；
(E)、圖形電鍍，電鍍加厚干膜已被顯影掉區(qū)域的銅層，，再鍍上錫作為保護層；
(F)堿性蝕刻，褪掉前工序未顯影掉的干膜，并蝕刻掉干膜下孔口及背鉆孔壁部分深度的銅層，然后褪錫。
[0005]進一步，所述步驟(A)中鉆孔在負壓> 50英寸水柱、動態(tài)彡13um條件下進行。
[0006]進一步，所述步驟(B)中背鉆在負壓彡30英寸水柱、動態(tài)彡20um條件下進行。
[0007]進一步，所述步驟(B)中鉆孔完成后使用氣槍吹階梯孔以清除鉆孔所產(chǎn)生的殘留屑。
[0008]進一步，所述步驟(C)中依次對C中PCB板進行磨板機磨板、膨脹一次、沉銅兩次、板面電鍍銅。
[0009]其中，所述板面電鍍銅的面積為2.15平方英尺，電流參數(shù)為14安培/平方英尺5^min0
[0010]進一步，所述步驟(D)中在貼干膜前先磨板，干膜厚度為1.5mil及貼膜壓力3.7KG/cm2，顯影速度為 3.2M/MIN。
[0011]進一步，所述步驟(E)中鍍銅電流參數(shù)為9.5安培/平方英尺*130min，鍍錫電流參數(shù)為15安培/平方英尺*10min。
[0012]進一步，所述步驟(F)中褪膜速度為5.2M/MIN，蝕刻速度為5.9M/MIN，褪錫速度為3.0Μ/ΜΙΝ。
[0013]本發(fā)明的有益效果:
1.本發(fā)明在階梯孔的大孔孔口及周邊蝕刻掉銅層，從而實現(xiàn)無盤過孔，在PCB組裝時不會與插件相連而短路，滿足客戶端設(shè)計及組裝需求；
2.本工藝在鉆孔后直接背鉆，與傳統(tǒng)背鉆在圖電后相比，減少了流程搬運，從而減少搬運過程中帶來的如擦花等品質(zhì)缺陷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做進一步的說明。
[0015]圖1是PCB板的有盤背鉆效果圖；
圖2是PCB板的無盤背鉆效果圖；
圖3是本發(fā)明的工藝流程圖；
圖4是本發(fā)明的流程效果圖。

【具體實施方式】
[0016]如圖3和圖4所示，為本發(fā)明的一種PCB板的背鉆與無盤過孔工藝，包括以下步驟:
(A)、鉆孔，鉆機鉆出貫穿PCB基板的通孔，為層間導通做準備；本步驟中采用轉(zhuǎn)速200KRPM的鉆機生產(chǎn)，鉆孔在負壓彡50英寸水柱、動態(tài)彡13um條件下進行，無盤通孔孔徑為0.2mm或0.25mm,其中，上述控制負壓目的是減少粉塵塞孔，而控制動態(tài)則可以提高鉆孔質(zhì)量。
[0017](B)、背鉆，更換鉆機鉆咀及鉆帶資料，選擇具備深度控制功能的鉆機進行背鉆，在步驟(A)中鉆通孔的鉆入面進行背鉆以鉆出大孔，該大孔與所述小孔共軸心并與小孔形成階梯孔；本步驟背鉆在負壓> 30英寸水柱、動態(tài)彡20um條件下進行，大孔深度為
0.3^0.6_，無盤通孔大孔直徑最大為0.45_，鉆孔完成后使用氣槍吹階梯孔以清除鉆孔所產(chǎn)生的殘留屑，防止殘留屑堵塞階梯孔。
[0018](C)、沉銅板電，在PCB基板導通孔內(nèi)沉積出一層導通層與層之間的銅層；本步驟包括依次對步驟C中PCB板進行沉銅兩次(此板孔徑小需要沉銅2次達到孔銅要求)、板面電鍍銅使得導通孔和板面均得到一定厚度的導電銅；其中，所述板面電鍍銅的面積為2.15平方英尺，電流參數(shù)為14安培/平方英尺*56min，只有電鍍面積和參數(shù)的合理設(shè)置才能保證電鍍銅厚符合要求。
[0019](D)、外層菲林，按無盤孔設(shè)計大孔面的菲林(單邊比孔小4mil)，大孔的孔口干膜未被顯影掉；此外，在貼干膜前先磨板，干膜厚度為1.5mil及貼膜壓力3.7KG/cm2，顯影速度為3.2M/MIN，通過上述操作與設(shè)置可以避免褪膜不凈的缺陷。
[0020](E)、圖形電鍍，電鍍加厚干膜已被顯影掉區(qū)域的銅層，再鍍上錫作為保護層；其中，鍍銅電流參數(shù)為9.5安培/平方英尺*130min,鍍錫電流參數(shù)為15安培/平方英尺5^lOmin0
[0021](F)堿性蝕刻，褪掉前工序未顯影掉的干膜，并蝕刻掉干膜下孔口及背鉆孔壁部分深度的銅層，然后褪錫。其中，褪膜速度為5.2M/MIN，蝕刻速度為5.9M/MIN，褪錫速度為
3.0M/MIN,階梯孔蝕刻深度(阻焊面到蝕刻孔銅位置)大于等于60um。
[0022]步驟(A) —鉆時從背鉆面鉆孔，本步驟(B)背鉆使用的鉆帶系數(shù)同一鉆的系數(shù)一致，以保證鉆孔精度。
[0023]本發(fā)明在階梯孔的大孔孔口及周邊蝕刻掉銅層，并按照PCB基板的板層結(jié)構(gòu)設(shè)置合理的工藝參數(shù)，從而實現(xiàn)PCB基板無盤過孔，在PCB組裝時不會與插件相連而短路，滿足客戶端設(shè)計及組裝需求；本工藝在鉆孔后直接背鉆，與傳統(tǒng)背鉆在圖電后相比，減少了流程搬運，從而減少搬運過程中帶來的如擦花等品質(zhì)缺陷。
[0024]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)先實施方式，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，只要以基本相同手段實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案都屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種？08板的背鉆與無盤過孔工藝，其特征在于包括以下步驟: (八?、鉆孔，鉆機鉆出貫穿基板的通孔，為層間導通做準備； ⑶)、背鉆，更換鉆機鉆咀及鉆帶資料，選擇具備深度控制功能的鉆機進行背鉆，在步驟(八)中鉆孔的鉆入面位置進行背鉆以鉆出大孔，該大孔與所述小孔共軸心并與小孔形成階梯孔； ⑴)、沉銅板電，使得板上的導通孔和板面均得到一定厚度的導電銅； ⑶)、外層菲林，按無盤孔設(shè)計大孔面的菲林，大孔的孔口干膜未被顯影掉； ⑶)、圖形電鍍，電鍍加厚干膜已被顯影掉區(qū)域的銅層，再鍍上錫作為保護層； 堿性蝕刻，褪掉前工序未顯影掉的干膜，并蝕刻掉干膜下孔口及背鉆孔壁部分深度的銅層，然后褪錫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種板的背鉆與無盤過孔工藝，其特征在于:所述步驟(八)中鉆孔在負壓? 50英寸水柱、動態(tài)彡1311.11條件下進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求所述步驟(8)中背鉆在負壓? 30英寸水柱、動態(tài)彡20110條件下進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求所述步驟(8)中鉆孔完成后使用氣槍吹階梯孔以清除鉆孔所產(chǎn)生的殘留屑。
5.根據(jù)權(quán)利要求所述步驟(0中依次對8中？?:8板進行沉銅兩次，再板面電鍍銅。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種？⑶板的背鉆與無盤過孔工藝，其特征在于:所述板面電鍍銅的面積為2.15平方英尺，電流參數(shù)為14安培丨平方英尺#56111111。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種？⑶板的背鉆與無盤過孔工藝，其特征在于:所述步驟(0)中在貼干膜前先磨板，干膜厚度為1.5-1及貼膜壓力3.7%八1112，顯影速度為3.21/謂。
8.根據(jù)權(quán)利要求所述步驟(￡)中鍍銅電流參數(shù)為9.5安培/平方英尺430111111，鍍錫電流參數(shù)為15安培/平方英尺水 10111111。
9.根據(jù)權(quán)利要求所述步驟⑶)中褪膜速度為5.21/111蝕刻速度為5.91/111褪錫速度為3.01/111
【文檔編號】H05K3/00GK104470222SQ201410715413
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】莫介云 申請人:廣東依頓電子科技股份有限公司