一種高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，包括：一底座、一上蓋、一PCB電路板，所述PCB板金手指端自模塊內(nèi)向外伸出與外部電接口連接，對(duì)應(yīng)于該連接空間四周，所述模塊底座的尾部?jī)蓚?cè)表面設(shè)有第一電磁波吸收衰減裝置，模塊底座的底面設(shè)有第二電磁波吸收衰減裝置，所述底座與上蓋之間形成的開口區(qū)域設(shè)有第三電磁波吸收衰減裝置。所述第一、二、三電磁波吸收衰減裝置為電磁波吸收衰減片粘貼固定或電磁波吸收衰減涂層。當(dāng)模塊插入主機(jī)籠子時(shí)，外部電接口與模塊尾端伸出的PCB板金手指電連接后，可以進(jìn)一步提高模塊的抗電磁干擾能力。
【專利說(shuō)明】一種高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種IOG以上高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]IOG以上高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊(Pluggable Small Form FactorTransceiver),越來(lái)越多地涉及電磁干擾EMI (Electromagnetic Interference,以下簡(jiǎn)稱EMI)。EMI是由光收發(fā)模塊內(nèi)部電子兀器件產(chǎn)生的電磁干擾。高速率光收發(fā)模塊的金屬封裝底座與上蓋之間由于是剛性件連接，在其結(jié)合面會(huì)存在一定的間隙，特別容易導(dǎo)致模塊產(chǎn)生的電磁波從間隙泄漏出去產(chǎn)生EMI，易使其它電子元件無(wú)法正常運(yùn)行。尤其當(dāng)光收發(fā)模塊速率增大時(shí)，相同間隙對(duì)高頻電磁波的屏蔽效果將大大下降。電磁屏蔽是利用屏蔽體對(duì)電磁波產(chǎn)生衰減作用，從而減少電磁波造成干擾或傷害。用作屏蔽的材料分為高導(dǎo)電率材料和高磁導(dǎo)率材料。其中導(dǎo)電材料的屏蔽原理是利用其在電磁波的作用下將產(chǎn)生較大的感應(yīng)電流，這些電流按照楞次定律將會(huì)削弱電磁波的通過(guò)，屏蔽殼體內(nèi)部的電子元器件所產(chǎn)生的高頻電磁波，不至于影響外部設(shè)備或人體安全。對(duì)于光收發(fā)模塊的電磁屏蔽，理論上采用整體無(wú)縫金屬外殼封裝，其EMI屏蔽效果最好，但實(shí)際應(yīng)用中，由于設(shè)計(jì)和裝配需要，整體無(wú)縫封裝往往是很難實(shí)現(xiàn)內(nèi)部元器件的安裝固定。通常將電子元器件安裝于金屬底座內(nèi)，由一上蓋密封，底座和上蓋之間由于加工精度的問(wèn)題勢(shì)必會(huì)存在一些開口和縫隙，模塊內(nèi)的電磁波就會(huì)從這些開口和縫隙中泄露出來(lái)，影響電磁屏蔽效果。目前，對(duì)于模塊內(nèi)部的抗電磁干擾方案已有較好的解決方案。但是，當(dāng)模塊插入主機(jī)籠子時(shí)，外部電接口與模塊尾端伸出的PCB板金手指電連接后，也同樣會(huì)產(chǎn)生電磁干擾，影響模塊的使用性能。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為克服以上缺點(diǎn)，本實(shí)用新型提供一種抗電磁干擾的高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊。
[0004]本實(shí)用新型提供一種高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，包括:一底座、一上蓋、一PCB電路板，所述PCB板金手指端自模塊內(nèi)向外伸出與外部電接口連接，對(duì)應(yīng)于該連接空間四周，所述模塊底座的尾部?jī)蓚?cè)表面設(shè)有第一電磁波吸收衰減裝置，模塊底座的底面設(shè)有第二電磁波吸收衰減裝置，所述底座與上蓋之間形成的開口區(qū)域設(shè)有第三電磁波吸收衰減裝置。[0005]所述第一、二、三電磁波吸收衰減裝置為電磁波吸收衰減片粘貼固定。
[0006]所述第一、二、三電磁波吸收衰減裝置為電磁波吸收衰減涂層。
[0007]由于上述結(jié)構(gòu)的高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，由于模塊底座的尾部?jī)蓚?cè)表面及其底面分別設(shè)有第一、第二電磁波吸收衰減裝置，以及底座與上蓋之間形成的開口區(qū)域也設(shè)有第三電磁波吸收衰減裝置，這樣，當(dāng)模塊插入主機(jī)籠子時(shí)，外部電接口與模塊尾端伸出的PCB板金手指電連接后，可以進(jìn)一步提高模塊的抗電磁干擾能力。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1表示本實(shí)用新型高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型最佳實(shí)施例。
[0010]如圖1所不的高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊,包括:一底座10、一上蓋20、一 PCB電路板30，所述PCB板金手指端自模塊內(nèi)向外伸出與外部電接口連接，對(duì)應(yīng)于該連接空間四周，由于存在電磁干擾，因此在模塊底座10的尾部?jī)蓚?cè)表面設(shè)有第一電磁波吸收衰減裝置11，模塊底座10的底面設(shè)有第二電磁波吸收衰減裝置12，所述底座10與上蓋20之間形成的開口區(qū)域設(shè)有第三電磁波吸收衰減裝置13。其中，所述第一、二、三電磁波吸收衰減裝置11、12、13可以采用電磁波吸收衰減片粘貼固定，也可以采用電磁波吸收衰減涂層。
[0011]由于上述結(jié)構(gòu)的高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，由于模塊底座10的尾部?jī)蓚?cè)表面及其底面分別設(shè)有第一、第二電磁波吸收衰減裝置11、12，以及底座10與上蓋20之間形成的開口區(qū)域也設(shè)有第三電磁波吸收衰減裝置13，這樣，當(dāng)模塊插入主機(jī)籠子時(shí)，外部電接口與PCB板30金手指電連接后，模塊的抗電磁干擾能力可以進(jìn)一步提高。
【權(quán)利要求】
1.一種高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，包括:一底座(10)、一上蓋(20)、一 PCB電路板(30)，其特征在于，所述PCB板金手指端自模塊內(nèi)向外伸出與外部電接口連接，對(duì)應(yīng)于該連接空間四周，所述模塊底座(10)的尾部?jī)蓚?cè)表面設(shè)有第一電磁波吸收衰減裝置(11)，模塊底座(10)的底面設(shè)有第二電磁波吸收衰減裝置(12)，所述底座(10)與上蓋(20)之間形成的開口區(qū)域設(shè)有第三電磁波吸收衰減裝置(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，其特征在于，所述第一、二、三電磁波吸收衰減裝置(11、12、13)為電磁波吸收衰減片粘貼固定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速熱插拔小型化光收發(fā)模塊，其特征在于，所述第一、二、三電磁波吸收衰減裝置(11、12、13 )為電磁波吸收衰減涂層。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK203691414SQ201420025752
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月16日
【發(fā)明者】何偉強(qiáng), 張曉峰, 許君 申請(qǐng)人:深圳新飛通光電子技術(shù)有限公司