保持熱場水平的單晶爐筒的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種保持熱場水平的單晶爐筒，其底部敷設(shè)碳氈層進行保溫，還包括石墨底盤和石墨支撐柱，所述碳氈層上開孔安裝所述石墨支撐柱，所述石墨底盤安裝在所述石墨支撐柱上。本實用新型的優(yōu)點是在單晶爐筒內(nèi)熱場底部采用石墨支撐柱支撐石墨底盤，在保證了爐內(nèi)底部的熱場水平的同時，相應(yīng)的爐內(nèi)上部的熱場水平也得到了解決，保證了熱場長久處于水平狀態(tài)，改善了內(nèi)部熱循環(huán)；增加底部保溫，減少了底部碳氈的老化；最終使硅棒內(nèi)在品質(zhì)得到改善，使硅片內(nèi)在電阻分布更均勻。
【專利說明】保持熱場水平的單晶爐筒
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種太陽能級單晶硅棒生產(chǎn)過程中使用的單晶爐，特別是單晶爐筒。
【背景技術(shù)】
[0002]在單晶硅棒生產(chǎn)過程中，拉晶步驟有兩個重要的因素一真空和水平。水平問題主要包括兩部分:一種是爐體本身的水平，這個完全可以由維修人員借助水平儀調(diào)整，滿足拉晶時的需求；另一種是爐內(nèi)熱場自身的水平，熱場是否處于水平狀態(tài)直接影響到拉晶過程是否順暢及硅棒內(nèi)在品質(zhì)是否能得到保證。如果熱場底部不處于水平狀態(tài)，那么最上端的熱場水平會更差。由于目前拉晶行業(yè)所使用的單晶爐筒底部保溫材料基本上是碳氈材料，其缺陷是多爐使用后容易塌陷及粉化，因此，新的熱場在水平問題上不會有太大的差異，等到了中后期，熱場水平問題就會突顯出來。
實用新型內(nèi)容
[0003]實用新型目的:針對上述問題，本實用新型的目的是提供一種能夠長久保持整個爐內(nèi)熱場處于較為理想的水平狀態(tài)、改善熱場內(nèi)部熱循環(huán)的單晶爐筒。
[0004]技術(shù)方案:一種保持熱場水平的單晶爐筒，其底部敷設(shè)碳氈層進行保溫，還包括石墨底盤和石墨支撐柱，所述碳氈層上開孔安裝所述石墨支撐柱，所述石墨底盤安裝在所述石墨支撐柱上。
[0005]所述石墨底盤底面與所述碳氈層上表面保持5mm距離。
[0006]所述石墨支撐柱至少為一個，在所述碳氈層上均布且保持在同一水平面上。
[0007]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點是在單晶爐筒內(nèi)熱場底部采用石墨支撐柱支撐石墨底盤，在保證了爐內(nèi)底部的熱場水平的同時，相應(yīng)的爐內(nèi)上部的熱場水平也得到了解決，保證了熱場長久處于水平狀態(tài)，改善了內(nèi)部熱循環(huán)；增加底部保溫，減少了底部碳氈的老化；最終使硅棒內(nèi)在品質(zhì)得到改善，使硅片內(nèi)在電阻分布更均勻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]附圖為本實用新型剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本實用新型，應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍，在閱讀了本實用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0010]如附圖所示，一種保持熱場水平的單晶爐筒，除爐筒外，還包括碳氈層1、石墨底盤
2、石墨支撐柱3。
[0011]首先保證爐筒處于水平狀態(tài)，把裁剪好的碳氈層I以中心向四周擴展均布開孔，然后將碳氈層I敷設(shè)在爐筒底部，石墨支撐柱3安裝于碳氈層I的開孔內(nèi)，保持多個石墨支撐柱3在同一水平面上，最后將石墨底盤2安裝在石墨支撐柱3上，使石墨底盤2底面與碳租層I上表面保持5mm距離。
【權(quán)利要求】
1.一種保持熱場水平的單晶爐筒，其底部敷設(shè)碳氈層(I)進行保溫，其特征在于:還包括石墨底盤(2 )和石墨支撐柱(3 )，所述碳氈層(I)上開孔安裝所述石墨支撐柱(3 )，所述石墨底盤(2)安裝在所述石墨支撐柱(3)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保持熱場水平的單晶爐筒，其特征在于:所述石墨底盤(2)底面與所述碳氈層(I)上表面保持5mm距離。
3.據(jù)權(quán)利要求1所述的保持熱場水平的單晶爐筒，其特征在于:所述石墨支撐柱(3)至少為一個，在所述碳氈層(I)上均布且保持在同一水平面上。
【文檔編號】C30B29/06GK203795014SQ201420080244
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月25日
【發(fā)明者】王誼 申請人:鎮(zhèn)江大成新能源有限公司