一種led頻閃和爆閃的電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種LED頻閃和爆閃的電路，包括控制模塊、頻閃恒流驅(qū)動模塊、爆閃驅(qū)動模塊、LED陣列以及電源模塊，所述控制模塊分別輸出頻閃控制信號和爆閃控制信號，所述頻閃恒流驅(qū)動模塊根據(jù)所述頻閃控制信號驅(qū)動所述LED陣列，所述爆閃驅(qū)動模塊根據(jù)所述爆閃控制信號驅(qū)動所述LED陣列，所述電源模塊輸出電信號分別至所述頻閃恒流驅(qū)動模塊和所述爆閃驅(qū)動模塊。相比于現(xiàn)有技術，本實用新型將原來的兩個電源供電減少為只用一個電源供電，從而節(jié)約了成本，并且采用的恒流驅(qū)動芯片提高了產(chǎn)品穩(wěn)定性并且增加了產(chǎn)品的使用壽命。
【專利說明】—種LED頻閃和爆閃的電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及監(jiān)控領域，尤其涉及一種LED頻閃和爆閃的電路。
【背景技術】
[0002]隨著交通壓力的增加，監(jiān)控相機一般是晝夜不停的在進行監(jiān)控工作，當光線條件較暗的時候，通常需要補光燈來為相機補光。補光燈按照燈管的不同，可分為LED補光燈和氣體補光燈?，F(xiàn)今LED補光燈相對于早期的氣體補光燈來說，具有節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長等優(yōu)點，已經(jīng)得到了越來越廣泛的應用。
[0003]補光燈按照用途不同又分為頻閃燈和爆閃燈，其中頻閃燈用于視頻補光，爆閃燈用于抓拍補光，兩者缺一不可。
[0004]請參見圖1，在現(xiàn)有技術一中，LED補光燈一般用作頻閃燈，氣體補光燈一般用作爆閃燈。其缺點在于，LED補光燈僅能實現(xiàn)頻閃功能，而無法在頻閃的同時實現(xiàn)爆閃功能。因此，頻閃控制電路和爆閃控制電路通常被分開控制兩盞補光燈進行頻閃和爆閃的補光，但是這顯然會增加生產(chǎn)成本，并且浪費電路空間。
[0005]請參見圖2，在現(xiàn)有技術二中，雖然部分廠家的LED補光燈能夠同時具有頻閃和爆閃的功能，但是該方案雖然實現(xiàn)了 LED的頻閃和爆閃，但是仍存在不足之處。首先，LED頻閃驅(qū)動模塊為恒壓驅(qū)動型，非恒流驅(qū)動，因此對供電電源的要求較高，電源只要稍有波動，就會改變LED的工作電流，所以對LED的壽命和長期可靠性有一定影響；其次，頻閃電源和爆閃電源分別需要使用單獨的電源供電，從而導致電路設計復雜度和成本的大幅增加；再次，恒壓控制使得LED的頻閃電流無法自由調(diào)節(jié)，整體控制電路的靈活性較差。
實用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此，本實用新型提供一種LED頻閃和爆閃電路，包括頻閃驅(qū)動模塊、爆閃驅(qū)動模塊、電源模塊以及LED陣列，由頻閃控制信號驅(qū)動頻閃驅(qū)動模塊，使得頻閃驅(qū)動模塊驅(qū)動電源模塊為LED陣列頻閃供電；由爆閃控制信號驅(qū)動爆閃驅(qū)動模塊，使得爆閃驅(qū)動模塊驅(qū)動電源模塊為LED陣列爆閃供電；在電源模塊為LED陣列爆閃供電時，通過儲能電容提供LED陣列瞬間爆閃的電能。
[0007]優(yōu)選的，所述頻閃驅(qū)動模塊包括恒流驅(qū)動芯片、電感和二極管，所述頻閃控制信號通過所述恒流驅(qū)動芯片的受控管腳使得頻閃驅(qū)動模塊驅(qū)動電源模塊為LED陣列頻閃供電；所述電感的一端連接所述LED陣列，另一端連接所述頻閃驅(qū)動模塊；所述二極管的陽極連接所述恒流驅(qū)動芯片，陰極連接所述LED陣列。
[0008]優(yōu)選的，所述頻閃驅(qū)動模塊還包括可變電阻，所述可變電阻一端連接所述恒流驅(qū)動芯片的電流調(diào)整管腳，另一端接地。
[0009]優(yōu)選的，所述爆閃驅(qū)動模塊為開關電路。
[0010]優(yōu)選的，所述開關電路包括金屬氧化物半導體場效應晶體MOS管，所述MOS管G柵極受控于所述爆閃控制信號，D漏極連接所述LED陣列，S源極接地。[0011]優(yōu)選的，所述電路還包括單向?qū)ㄆ骷?，所述單向?qū)ㄆ骷年枠O與所述爆閃驅(qū)動模塊相連，陰極與所述頻閃驅(qū)動模塊相連。
[0012]優(yōu)選的，所述單向?qū)ㄆ骷槎O管。
[0013]優(yōu)選的，所述電源模塊并接不小于50000 μ F的電容。
[0014]相比于現(xiàn)有技術，本實用新型可以僅使用一個電源為頻閃控制模塊和爆閃控制模塊供電，通過頻閃驅(qū)動和爆閃驅(qū)動使LED補光燈能夠?qū)崿F(xiàn)頻閃、爆閃的功能，因此，本實用新型將原來的兩個電源供電減少為只用一個電源供電，從而節(jié)約了成本，并且采用的恒流驅(qū)動芯片提高了產(chǎn)品穩(wěn)定性并且增加了產(chǎn)品的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術一的LED頻閃電路圖；
[0016]圖2是現(xiàn)有技術二的LED頻閃、爆閃電路圖；
[0017]圖3是本實用新型提供的一種LED頻閃和爆閃的電路框圖；
[0018]圖4是本實用新型實施例中一種LED頻閃和爆閃的電路圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖具體說明本實用新型實現(xiàn)。
[0020]請參見圖3，是本實用新型提供的一種LED頻閃和爆閃的電路框圖。所述電路包括:電源模塊10、頻閃驅(qū)動模塊20、爆閃驅(qū)動模塊30以及LED陣列40，由頻閃控制信號驅(qū)動頻閃驅(qū)動模塊20，使得頻閃驅(qū)動模塊20驅(qū)動電源模塊10為LED陣列40頻閃供電；由爆閃控制信號驅(qū)動爆閃驅(qū)動模塊30，使得爆閃驅(qū)動模塊30驅(qū)動電源模塊10為LED陣列40爆閃供電；在電源模塊10為LED陣列40爆閃供電時，通過儲能電容提供LED陣列瞬間爆閃的電能。
[0021]相比于現(xiàn)有技術，本實用新型可以僅使用一個電源為頻閃控制模塊和爆閃控制模塊供電，通過頻閃驅(qū)動和爆閃驅(qū)動使LED補光燈能夠具有頻閃和爆閃的功能,因此,該電源既為頻閃驅(qū)動模塊提供能量，又為爆閃電路提供能量，即而不需要額外地再增加其他電源，即降低了單板的復雜度，又節(jié)省了電源的費用，降低了系統(tǒng)成本。
[0022]在優(yōu)選的實施例中，所述頻閃驅(qū)動模塊20包括恒流驅(qū)動芯片、電感和第一二極管。所述頻閃控制信號通過所述恒流驅(qū)動芯片的受控管腳使得頻閃驅(qū)動模塊20驅(qū)動電源模塊10為LED陣列40頻閃供電。所述恒流驅(qū)動芯片根據(jù)所述頻閃控制信號，控制所述恒流驅(qū)動芯片輸出的電流大小。加入了恒流控制后，使得電路對電源的要求降低，由于LED的電流恒定，也增加了 LED的使用壽命。所述電感的一端連接所述LED陣列40，另一端連接所述頻閃驅(qū)動模塊20。所述第一二極管陽極連接所述恒流驅(qū)動芯片，陰極連接所述LED陣列40。所述第一二極管和上述電感一起使用，防止電壓電流突變，提供通路。電感可以經(jīng)過它給負載提供持續(xù)的電流，以免負載電流突變，起到平滑電流的作用。
[0023]優(yōu)選地，所述頻閃驅(qū)動模塊20還包括可變電阻，所述可變電阻一端連接所述恒流驅(qū)動芯片的電流調(diào)整管腳，另一端接地。由此可見，除了恒流驅(qū)動芯片外，所述可變電阻也可以對頻閃驅(qū)動模塊20的輸出電流進行調(diào)節(jié)，保證了該電路的穩(wěn)定性。
[0024]進一步，所述爆閃驅(qū)動模塊30包括開關電路。在優(yōu)選的實施例中，所述開關電路包括MOS管，所述MOS管G極受控于所述爆閃控制信號，D極連接所述LED陣列40，S極接地。所述爆閃驅(qū)動模塊30根據(jù)所述爆閃控制信號控制所述LED陣列40。當所述爆閃控制信號為開啟爆閃信號時，所述MOS管為導通狀態(tài)，則使得電源模塊10、爆閃驅(qū)動模塊30和LED陣列40組成的電路為通路；當所述爆閃控制管腳給出關閉爆閃信號時，所述MOS管為斷開狀態(tài)，則使得電源模塊10、爆閃驅(qū)動模塊30和LED陣列40組成的電路為斷路。
[0025]在優(yōu)選的實施例中，所述電感和所述爆閃驅(qū)動模塊30之間還連接一單向?qū)ㄆ骷?。其中，所述單向?qū)ㄆ骷梢詾榈诙O管，所述第二二極管的陽極與所述爆閃驅(qū)動模塊30相連，陰極與所述電感相連。這樣的設計可以保證將所述爆閃驅(qū)動模塊30與所述頻閃驅(qū)動模塊20隔離開，避免頻閃驅(qū)動模塊20被所述爆閃驅(qū)動模塊30電壓變化所影響，從而保護了電感及恒流驅(qū)動芯片。
[0026]所述電源模塊10的正負極之間并接不小于50000 μ F的電容。其中，并接的電容不限個數(shù)，其電容總量不小于50000 μ F即可，當有兩個或兩個以上的電容時，電容之間并聯(lián)連接，再并接到所述電源模塊10的正負極之間。考慮到電容能夠穩(wěn)定工作，通常電容的額定電壓要大于電源最大電壓。加入大電容后，可以提供爆閃瞬間所需的能量。
[0027]下面以本實用新型電源模塊包含I個電容為例。來說明本實用新型的實現(xiàn)。
[0028]請參見圖4，是本實用新型實施例中一種LED頻閃和爆閃的電路圖。其中，電源模塊10中只畫出了 VIN電源符號，省略了詳細電路，該電源實際輸出DC電壓，由二次電源模塊轉(zhuǎn)化而來，電壓值的大小根據(jù)所串接LED的數(shù)量、所需要的LED爆閃電流值的大小來確定。例如單顆LED產(chǎn)生5Α的電流時，需要施加在LED陽極和陰極之間的電壓為5V，那么若以上LED陣列串接了 5顆LED，且需要5Α的爆閃電流，那么VIN就需要25V。本實用新型中的LED陣列中的LED補光燈可以是白光補光燈，也可以是紅外補光燈，相比于常見的白光補光燈，所述紅外補光燈的補光效果更佳。
[0029]需要注意的是，在所述電源VIN的輸出端與GND之間還并接了一個大電容Cl，Cl通常要大于等于50000 μ F，才能為所述爆閃驅(qū)動模塊30提供瞬間所需的能量。
[0030]頻閃驅(qū)動模塊20由LED恒流驅(qū)動芯片(LED的恒流驅(qū)動能夠極大地提高LED的使用壽命)和一些阻容器件構成，能夠?qū)崿F(xiàn)寬壓輸入(LED的工作電流不隨著供電電壓的變化而變化)，恒流輸出，LED輸出電流可靈活調(diào)節(jié)等功能。除此之外，頻閃驅(qū)動模塊20的電路中還包括電感LI和二極管D2。電感LI 一端連接LED陣列40，另一端連接恒流驅(qū)動芯片。所述頻閃驅(qū)動模塊20還包括二極管D2，所述二極管D2陽極連接所述LI，陰極連接所述LED陣列。所述二極管D2和上述電感LI 一起使用，防止電壓電流突變，提供通路。電感LI可以經(jīng)過二極管D2給負載提供持續(xù)的電流，以免負載電流突變，起到平滑電流的作用。
[0031]所述恒流驅(qū)動芯片的種類很多，本實施例中優(yōu)選型號為LM3414的芯片。所述恒流驅(qū)動芯片LM3414的DM管腳連接CPU的頻閃控制管腳，可以通過軟件實現(xiàn)指定的恒流輸出控制。
[0032]此外頻閃電流還可由可變電阻Rl來調(diào)節(jié)。下面詳細介紹電流調(diào)節(jié)方式，若通過可變電阻Rl調(diào)節(jié)電流，那么對應不同的Rl值，LED的工作電流將會不同，其中I=3125/R1，例如若R1=3125Q時，I=1A，若R1=6250Q時，1=0.5A (此時DM管腳的電壓需要大于2.5V);另外一種軟件調(diào)節(jié)的方式則更加靈活，即在Rl確定后，還可以通過LED恒流驅(qū)動芯片DM管腳的電壓值的大小來設置LED陣列的工作電流，例如若R1=3125Q，則Imax=IA,那么當DIM管腳的電壓在0.5V?2.5V之間變化時，LED的電流將會在(20%?100%) *Imax之間，可以根據(jù)實際需要，通過軟件來實現(xiàn)對LED工作電流的設置。
[0033]爆閃驅(qū)動模塊30的主要由大功率MOS管Tl構成，MOS管Tl的G極連接爆閃控制管腳，S極接地，D極連接LED陣列。爆閃驅(qū)動模塊30接受CPU的控制，CPU通過高低電平來打開或關閉MOS管，從而實現(xiàn)LED陣列的爆閃功能。LED爆閃電流的大小由輸入電壓VIN決定，爆閃時間由CPU輸出至MOS管Tl的G極的高電平的時間決定。
[0034]在頻閃驅(qū)動模塊20和爆閃驅(qū)動模塊30之間還連接著二極管D1。所述二極管Dl的陽極連接所述爆閃驅(qū)動模塊30，陰極連接頻閃恒流驅(qū)動模塊20上的電感LI。所述二極管Dl主要起到頻閃和爆閃電路隔離的作用，防止LED爆閃瞬間電感LI兩端電壓突變，用來保護電感LI以及恒流驅(qū)動芯片不受損壞。
[0035]由上圖可知，當需要所述電路實現(xiàn)LED頻閃功能時，CPU會通過頻閃控制管腳向所述恒流驅(qū)動芯片LM3414發(fā)送控制信號，使所述恒流驅(qū)動芯片以恒定電流經(jīng)頻閃驅(qū)動管腳驅(qū)動所述LED陣列執(zhí)行頻閃；當需要所述電路實現(xiàn)LED爆閃功能時，CPU會通過爆閃控制管腳向所述爆閃驅(qū)動模塊30中MOS管Tl的G極發(fā)送控制信號，所述的控制信號就是一個開啟電壓(高電平)，所述MOS管Tl的G極加開啟電壓后，使得S極和D極之間開始形成導電溝道，也就意味著所述爆閃驅(qū)動模塊30、電源模塊10以及LED陣列40形成了一個通路，此時儲能電容Cl也會釋放電能，將供電量增大，以滿足LED陣列爆閃的電量要求；爆閃的時間是由CPU通過爆閃控制管腳向所述爆閃驅(qū)動模塊30中MOS管Tl的G極發(fā)送開啟電壓的時間決定，當G極的電壓低于開啟的閾值時，所述S極和D極之間的導電溝道就會斷開，使爆閃結束。
[0036]相比于現(xiàn)有技術，本實用新型可以僅使用一個電源為頻閃控制模塊和爆閃控制模塊供電，通過頻閃驅(qū)動和爆閃驅(qū)動使LED補光燈具有頻閃和爆閃的功能，因此，該電源既為頻閃驅(qū)動模塊提供能量，又為爆閃電路提供能量，即而不需要額外地再增加其他電源，即降低了單板的復雜度，又節(jié)省了電源的費用，降低了系統(tǒng)成本，并且采用的恒流驅(qū)動芯片提高了產(chǎn)品穩(wěn)定性并且增加了產(chǎn)品的使用壽命。
[0037]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型保護的范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種LED頻閃和爆閃電路，包括頻閃驅(qū)動模塊、爆閃驅(qū)動模塊、電源模塊以及LED陣列，其特征在于:由頻閃控制信號驅(qū)動頻閃驅(qū)動模塊，所述頻閃驅(qū)動模塊包括恒流驅(qū)動芯片，所述頻閃控制信號通過所述恒流驅(qū)動芯片的受控管腳使得頻閃驅(qū)動模塊驅(qū)動電源模塊為LED陣列頻閃供電；由爆閃控制信號驅(qū)動爆閃驅(qū)動模塊，使得爆閃驅(qū)動模塊驅(qū)動電源模塊為LED陣列爆閃供電；在電源模塊為LED陣列爆閃供電時，通過儲能電容提供LED陣列瞬間爆閃的電能。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于:所述頻閃驅(qū)動模塊包括電感和二極管，所述電感的一端連接所述LED陣列，另一端連接所述頻閃驅(qū)動模塊；所述二極管的陽極連接所述恒流驅(qū)動芯片，陰極連接所述LED陣列。
3.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述頻閃驅(qū)動模塊還包括可變電阻，所述可變電阻一端連接所述恒流驅(qū)動芯片的電流調(diào)整管腳，另一端接地。
4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述爆閃驅(qū)動模塊為開關電路。
5.如權利要求4所述的電路，其特征在于，所述開關電路包括金屬氧化物半導體場效應晶體MOS管，所述MOS管G柵極受控于所述爆閃控制信號，D漏極連接所述LED陣列，S源極接地。
6.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括單向?qū)ㄆ骷?，所述單向?qū)ㄆ骷年枠O與所述爆閃驅(qū)動模塊相連，陰極與所述頻閃驅(qū)動模塊相連。
7.如權利要求6所述的電路，其特征在于，所述單向?qū)ㄆ骷槎O管。
8.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電源模塊并接不小于50000μ F的電容。
【文檔編號】H05B37/02GK203827560SQ201420103553
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權日:2014年3月7日
【發(fā)明者】舒仁發(fā), 黃軼程 申請人:浙江宇視科技有限公司