多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置，解決了現(xiàn)有技術存在的環(huán)境粉塵污染嚴重，表面清理質(zhì)量和效率均低下的問題。包括在長方體形腐蝕池體（1）的底面中央設置有排液管路（4），在排液管路（4）上設置有排液控制閥（5），在長方體形腐蝕池體（1）的左右兩側面底部均設置有池底凹槽（2），在池底凹槽（2）中設置有電加熱器（3），在長方體形腐蝕池體（1）的內(nèi)側壁上分別設置有酸液輸入管（8）、堿液輸入管（9）、純凈水輸入管（12）和壓縮空氣輸入管（13），在長方體形腐蝕池體（1）的底面上設置有料筐支撐網(wǎng)罩臺（6）和裝有邊尾硅料的料筐（10）。大大提高了硅錠邊尾料的回用率。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種硅錠表面處理裝置，特別涉及一種多晶硅錠邊尾料的表面處理裝 置。 多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置

【背景技術】
[0002] 在多晶娃鑄淀工藝過程中，多晶娃鑄淀表面會粘有氣化娃等雜質(zhì)，由于鑄淀生廣 中的分凝與擴散作用，部分雜質(zhì)甚至會滲透到多晶硅鑄錠表面的表層，經(jīng)硅錠的開方工藝 后，會產(chǎn)生大量的邊尾料，這些邊尾料一般要回用?；赜们耙獙枇媳砻孢M行清理，將其表 面及表層所含雜質(zhì)去除?，F(xiàn)有技術是利用噴砂或人工打磨的方法進行預處理，存在工作強 度大，環(huán)境粉塵污染嚴重，清理質(zhì)量和效率均低下的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明提供了一種多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置，解決了現(xiàn)有技術存在的環(huán)境 粉塵污染嚴重，表面清理質(zhì)量和效率均低下的技術問題。
[0004] 本發(fā)明是通過以下技術方案解決以上技術問題的：
[0005] -種多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置，包括長方體形腐蝕池體，在長方體形腐蝕 池體的底面中央設置有排液管路，在排液管路上設置有排液控制閥，在長方體形腐蝕池體 的左右兩內(nèi)側面底部均設置有池底凹槽，在池底凹槽中設置有電加熱器，在長方體形腐蝕 池體內(nèi)分別連通有酸液輸入管、堿液輸入管、凈水輸入管和壓縮空氣輸入管，在長方體形腐 蝕池體的底面上設置有料筐支撐網(wǎng)罩臺，在料筐支撐網(wǎng)罩臺上活動設置有料筐，在料筐中 設置有邊尾料。
[0006] 在長方體形腐蝕池體的池口一側設置有抽風筒，在長方體形腐蝕池體的底部設置 有溫度傳感器。
[0007] -種多晶硅錠邊尾料表面處理方法，包括以下步驟：
[0008] 第一步、先啟動設置在長方體形腐蝕池體的池口一側的抽風系統(tǒng)，使抽風筒處于 負壓狀態(tài)，將裝滿邊尾料的料筐放置到長方體形腐蝕池體的底面上設置的料筐支撐網(wǎng)罩臺 上；
[0009] 第二步、關閉排液控制閥，打開堿液輸入管，將預先配置好的濃度為100-110克/ 每升，溫度為40-50攝氏度的堿液打入長方體形腐蝕池體內(nèi)，打入的堿液要淹沒料筐中設 置的邊尾料，然后，同時打開壓縮空氣輸入管和電加熱器，對打入到長方體形腐蝕池體內(nèi)的 堿液進行加熱和鼓泡，控制堿液溫度在65-70攝氏度，鼓泡浸泡時間4小時30分鐘后，打開 排液控制閥將長方體形腐蝕池體內(nèi)的堿液排盡；
[0010] 第三步、打開凈水輸入管，對邊尾料進行噴淋，噴淋1分鐘；
[0011] 第四步、關閉排液控制閥，打開酸液輸入管，將預先配置好的濃度為30%，溫度為室 溫的酸液打入長方體形腐蝕池體內(nèi)，打入的酸液要淹沒料筐中設置的邊尾料，然后，同時打 開壓縮空氣輸入管和電加熱器，對打入到長方體形腐蝕池體內(nèi)的酸液進行加熱和鼓泡，控 制酸液溫度在30-40攝氏度，鼓泡浸泡時間2-4分鐘后，打開排液控制閥將長方體形腐蝕池 體內(nèi)的酸液排盡；
[0012] 第五步、打開凈水輸入管，對邊尾料進行噴淋，噴淋1分鐘；
[0013] 第六步、將長方體形腐蝕池體內(nèi)放滿凈水，浸泡2分鐘后，打開排液控制閥將污水 排凈。
[0014] 本發(fā)明具有結構簡單，實用性強，克服了粉塵污染環(huán)境的問題，大大提高了硅錠邊 尾料的回用率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是本發(fā)明的結構示意圖；
[0016] 圖2是本發(fā)明在俯視方向上的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0017] 下面結合附圖對本發(fā)明進行詳細說明：
[0018] 一種多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置，包括長方體形腐蝕池體1，在長方體形腐蝕 池體1的底面中央設置有排液管路4,在排液管路4上設置有排液控制閥5,在長方體形腐 蝕池體1的左右兩內(nèi)側面底部均設置有池底凹槽2,在池底凹槽2中設置有電加熱器3,在 長方體形腐蝕池體1內(nèi)分別連通有酸液輸入管8、堿液輸入管9、凈水輸入管12和壓縮空氣 輸入管13,在長方體形腐蝕池體1的底面上設置有料筐支撐網(wǎng)罩臺6,在料筐支撐網(wǎng)罩臺6 上活動設置有料筐10,在料筐10中設置有邊尾料11。
[0019] 在長方體形腐蝕池體1的池口一側設置有抽風筒10,在長方體形腐蝕池體1的底 部設置有溫度傳感器7。
[0020] 一種多晶硅錠邊尾料表面處理方法，包括以下步驟：
[0021] 第一步、先啟動設置在長方體形腐蝕池體1的池口一側的抽風系統(tǒng)，使抽風筒10 處于負壓狀態(tài)，將裝滿邊尾料11的料筐10放置到長方體形腐蝕池體1的底面上設置的料 筐支撐網(wǎng)罩臺6上；
[0022] 第二步、關閉排液控制閥5,打開堿液輸入管9,將預先配置好的濃度為100-110克 /每升，溫度為40-50攝氏度的堿液打入長方體形腐蝕池體1內(nèi)，打入的堿液要淹沒料筐10 中設置的邊尾料11，然后，同時打開壓縮空氣輸入管13和電加熱器3,對打入到長方體形腐 蝕池體1內(nèi)的堿液進行加熱和鼓泡，控制堿液溫度在65-70攝氏度，鼓泡浸泡時間4小時30 分鐘后，打開排液控制閥5將長方體形腐蝕池體1內(nèi)的堿液排盡；
[0023] 第三步、打開凈水輸入管13,對邊尾料11進行噴淋，噴淋1分鐘；
[0024] 第四步、關閉排液控制閥5,打開酸液輸入管8,將預先配置好的濃度為30%，溫度 為室溫的酸液打入長方體形腐蝕池體1內(nèi)，打入的酸液要淹沒料筐10中設置的邊尾料11， 然后，同時打開壓縮空氣輸入管13和電加熱器3,對打入到長方體形腐蝕池體1內(nèi)的酸液進 行加熱和鼓泡，控制酸液溫度在30-40攝氏度，鼓泡浸泡時間2-4分鐘后，打開排液控制閥 5將長方體形腐蝕池體1內(nèi)的酸液排盡；
[0025] 第五步、打開凈水輸入管12,對邊尾料11進行噴淋，噴淋1分鐘；
[0026] 第六步、將長方體形腐蝕池體1內(nèi)放滿凈水，浸泡2分鐘后，打開排液控制閥5將 污水排凈。
[0027] 本發(fā)明的長方體形腐蝕池體1底部的料筐支撐網(wǎng)罩臺6將料筐10與長方體形腐 蝕池體1底部分離，使氣泡能從料筐10底部升起，增加了鼓泡的效果，增強了對邊尾料的清 洗能力；從邊尾料上清洗下的雜質(zhì)落在長方體形腐蝕池體1底部，避免了料筐10中邊尾料 的二次污染。本發(fā)明在處理邊尾料時，按照堿液、水、酸液的順序周而復始循環(huán)進液，在整個 過程中壓縮空氣輸入管13 -直在輸送氣體，電加熱器3僅在腐蝕槽內(nèi)液體沒過電加熱器3 頂部時才允許啟動；并嚴格禁止酸液與堿液同時進入池內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置，包括長方體形腐蝕池體（1 )，其特征在于，在 長方體形腐蝕池體（1)的底面中央設置有排液管路（4)，在排液管路（4)上設置有排液控制 閥（5)，在長方體形腐蝕池體（1)的左右兩內(nèi)側面底部均設置有池底凹槽（2)，在池底凹槽 (2)中設置有電加熱器（3)，在長方體形腐蝕池體（1)內(nèi)分別連通有酸液輸入管（8)、堿液輸 入管（9)、凈水輸入管（12)和壓縮空氣輸入管（13)，在長方體形腐蝕池體（1)的底面上設置 有料筐支撐網(wǎng)罩臺（6 )，在料筐支撐網(wǎng)罩臺（6 )上活動設置有料筐（10 )，在料筐（10 )中設置 有邊尾料（11)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種多晶硅錠邊尾料表面預處理裝置，其特征在于，在長方 體形腐蝕池體（1)的池口一側設置有抽風筒，在長方體形腐蝕池體（1)的底部設置有溫度 傳感器（7)。
【文檔編號】C30B33/10GK203878234SQ201420130748
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月23日 優(yōu)先權日:2014年3月23日
【發(fā)明者】張軍彥, 周社柱, 吳洪坤, 馮文彪 申請人:山西中電科新能源技術有限公司