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      基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線(xiàn)源及產(chǎn)生方法與流程

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      基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線(xiàn)源及產(chǎn)生方法與流程

      技術(shù)特征:
      1.基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線(xiàn)源,其特征在于:包括真空靶室系統(tǒng)(101)及設(shè)置在所述的真空靶室系統(tǒng)(101)內(nèi)側(cè)的復(fù)合結(jié)構(gòu)靶(104),所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)靶(104)包括靶框(202)及設(shè)置在靶框(202)一側(cè)的金屬鉭柱(203),在所述的靶框(202)遠(yuǎn)離所述的金屬鉭柱(203)一端覆蓋有低密度碳?xì)鋵?201),在所述的金屬鉭柱(203)與所述的靶框(202)之間設(shè)置有密閉空腔,所述的低密度碳?xì)鋵?201)厚度為10μm,平均密度為5mg/cm3,所述的靶框(202)為非金屬制成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線(xiàn)源,其特征在于:所述的金屬鉭柱(203)的直徑為0.5mm,厚度為0.5mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線(xiàn)源,其特征在于:所述的靶框(202)厚度為100-200μm。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于微尺寸近臨界密度等離子體的伽馬射線(xiàn)源,其特征在于:所述的真空靶室系統(tǒng)(101)包括鉛屏蔽層(102)及設(shè)置在所述的鉛屏蔽層(10...
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