本申請屬于爆炸箔起爆器，更具體地，涉及一種基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器。

背景技術(shù)：

1、爆炸箔起爆器主要由高壓開關(guān)、脈沖儲能電容器、橋箔、負載等部件組成。高壓開關(guān)是爆炸箔起爆器的關(guān)鍵元器件，對其性能有較高的要求。首先，能夠耐受1-3kv高電壓；其次，能使具有下述特性的電流脈沖在觸發(fā)瞬間順利通過：電流脈沖的上升時間為30-300ns，峰值電流達到2-4ka，功率為2-10mw。因此，高壓開關(guān)的運行條件是很苛刻的，它要求開關(guān)的電阻和電感小，導通能力高，穩(wěn)定性好，不會因為干擾而導致誤觸發(fā)。隨著爆炸箔起爆器的發(fā)展，對爆炸箔起爆器的體積有著集成小型化的要求。

2、反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(reverse?blocking?diode?thyristor，rbdt)是一種pnpn結(jié)構(gòu)的兩端半導體閉合開關(guān)，在rbdt器件的觸發(fā)過程中，需要在陽極和陰極之間施加一個有著較高電壓變化率(dv/dt)的觸發(fā)脈沖。rbdt器件的特殊的觸發(fā)方式使其導通過程發(fā)生在器件的整個區(qū)域上，這種觸發(fā)方式使rbdt器件可以承受有著更高電流上升率(di/dt)的脈沖電流。除此之外，作為兩端子器件，rbdt有利于與爆炸箔起爆器中的其他元器件進行集成，從而達到小型化的目的。

3、然而，現(xiàn)有基于rbdt的爆炸箔起爆器多采用pcb集成技術(shù)，這種技術(shù)導致整個模塊體積較大，大約在720cm3，無法滿足小型化的需求。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本申請的目的在于提供一種基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，旨在解決現(xiàn)有基于rbdt的爆炸箔起爆器集成方式無法滿足小型化需求的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)峁┝艘环N基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，包括：第一模塊和第二模塊；

3、第一模塊包括：原邊儲能電容、半導體控制開關(guān)、變壓器、副邊儲能電容和dsrd；其中，dsrd和半導體控制開關(guān)均為裸芯片，原邊儲能電容和半導體控制開關(guān)等長等寬且依次堆疊式電連接；副邊儲能電容和dsrd等寬，且合并長度不超過原邊儲能電容；

4、第二模塊包括：第二二極管、主回路電容、rbdt、第一二極管和爆炸箔芯片；其中，rbdt、第一二極管、第二二極管均為裸芯片，第二二極管、主回路電容、rbdt和第一二極管等長等寬且依次堆疊式電連接；

5、變壓器的原邊繞組的同名端電連接半導體控制開關(guān)的陰極，異名端電連接原邊儲能電容的負極；

6、變壓器的副邊繞組同名端電連接dsrd的陽極，異名端電連接副邊儲能電容的負極；

7、爆炸箔芯片的一端電連接第二二極管的陰極，另一端電連接rbdt的陽極；

8、dsrd陽極、主回路電容的負極和rbdt陰極等電位；

9、副邊儲能電容正極、dsrd陰極和第一二極管陽極等電位。

10、優(yōu)選地，原邊儲能電容、副邊儲能電容、主回路電容、變壓器均為立方體結(jié)構(gòu)。

11、優(yōu)選地，原邊儲能電容、副邊儲能電容和主回路電容采用高壓陶瓷電容。

12、優(yōu)選地，變壓器為納米晶材料平面變壓器。

13、優(yōu)選地，堆疊式電連接為堆疊式焊接。

14、優(yōu)選地，第一模塊和第二模塊等寬等高。

15、優(yōu)選地，副邊儲能電容的高度等于rbdt和第一二極管高度之和。

16、優(yōu)選地，儲能電容、半導體控制開關(guān)、變壓器高度之和等于第二二極管、主回路電容高度之和。

17、優(yōu)選地，通過導電板實現(xiàn)等電位。

18、優(yōu)選地，爆炸箔起爆器的體積不超過5cm3。

19、總體而言，通過本申請所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果：

20、本申請?zhí)峁┝艘环N基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，選用的dsrd、半導體控制開關(guān)、rbdt、第一二極管、第二二極管均為裸芯片，并將各模塊設(shè)計為等長等寬堆疊式電連接，大幅度減小各模塊的體積，實現(xiàn)整個爆炸箔起爆器的小型化。

技術(shù)特征：

1.一種基于rbdt的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，包括：第一模塊和第二模塊；

2.如權(quán)利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，原邊儲能電容、副邊儲能電容、主回路電容、變壓器均為立方體結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，原邊儲能電容、副邊儲能電容和主回路電容采用高壓陶瓷電容。

4.如權(quán)利要求2所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，變壓器為納米晶材料平面變壓器。

5.如權(quán)利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，堆疊式電連接為堆疊式焊接。

6.如權(quán)利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，第一模塊和第二模塊等寬等高。

7.如權(quán)利要求6所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，副邊儲能電容的高度等于rbdt和第一二極管高度之和。

8.如權(quán)利要求6所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，儲能電容、半導體控制開關(guān)、變壓器高度之和等于第二二極管、主回路電容高度之和。

9.如權(quán)利要求1所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，通過導電板實現(xiàn)等電位。

10.如權(quán)利要求1至9任一項所述的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，爆炸箔起爆器的體積不超過5cm3。

技術(shù)總結(jié)
本申請屬于爆炸箔起爆器技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種基于RBDT的小型化爆炸箔起爆器。通過本申請，選用的DSRD、半導體控制開關(guān)、RBDT、第一二極管、第二二極管均為裸芯片，并將各模塊設(shè)計為等長等寬堆疊式電連接，大幅度減小各模塊的體積，實現(xiàn)整個爆炸箔起爆器的小型化，整個爆炸箔起爆器的體積不超過5cm<supgt;3</supgt;。

技術(shù)研發(fā)人員：卿正恒,項衛(wèi)光
受保護的技術(shù)使用者：武漢脈沖芯電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9