專利名稱:改善乏燃料燃耗信用的方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及乏燃料(“spent nuclear fuel”)的忙存，更具體地說，涉及計算乏燃料棒的燃耗信用(burnup credit)的方法。
背景技術：
待最終處置的乏燃料的運輸和裝運由核管理委員會(NRC)按聯(lián)邦法典第71部分的第10章節(jié)的要求管理。為了滿足10CFR § 71的要求，運輸容器必須被設計成保證臨界安全。關于這些運輸容器的安全分析目前是以燃料組件未經照射(即，可裂變含量和出廠時的燃料組件相同)的假設為基礎的。就乏燃料來說，這種假設是保守的，因為由于燃料組件在反應堆中的使用，可裂變同位素已被燃耗，于是，組件的可裂變同位素含量遠遠低于出廠時的含量。
“新鮮燃料”假設會嚴重限制運輸容器的容量，因為在乏燃料的情況下，存在較大的臨界安全余量。如果對組件的燃耗可以采用信用制，那么會節(jié)省乏燃料組件的運輸成本。在支持乏燃料的干式忙存的金屬罐的開發(fā)中，一直在追求支持密封裝填(packageloading)的燃耗信用法的批準。燃耗信用法依賴于使用反應堆記錄計算的燃耗和核實反應堆記錄的燃耗驗證測量的結合。
隨著日益注重與待最終處置的燃料的裝運相關的問題，燃耗驗證測量和方法正在承擔更為重要的作用。“新鮮燃料”假設導致乏燃料架、裝運金屬罐和廢物貯存庫的設計非常保守。這些過度保守的設計造成乏燃料的貯存和裝運成本的升高。
為了利用乏燃料的燃耗信用，必須具有一種可靠地核實燃料組件的可裂變含量以保證臨界安全極限不會被超過的方法。典型的燃耗驗證方法要求測量燃料組件，以確認初始濃度、燃耗和衰變時間的反應堆記錄。這些測量依賴于確定燃料中心線附近的中子通量以及在一些情況下，依 賴于確定燃料中心線附近的Y劑量。
目前可用的商業(yè)用系統(tǒng)中的測量技術依賴于235U裂變室來測量中子比活(specific activity),和Y電離室、Y閃爍探測器或固態(tài)半導體探測器(高純鍺HPGe)來探測Y射線。裂變室和Y電離室是相當大的充氣探測器。NaI(Tl)閃爍Y射線探測器一般較大，并且需要光電倍增管和Y射線屏蔽以便在乏燃料環(huán)境中工作。HPGe Y射線探測器需要液氮低溫系統(tǒng)或者電子冷卻系統(tǒng)，因為它們不能與高分辨率Y射線探測器一樣在較高的溫度下工作。這些探測器對諸如溫度以及強烈的混合Y射線和中子場之類的環(huán)境因素敏感。例如，裂變室對Y射線背景敏感，Y電離室、NaI (Tl)探測器和HPGe探測器都對中子感應背景敏感。
在堆芯中使用燃料組件的過程中，繼之以β衰變的一系列中子捕獲產生重錒系元素。在鈾燃料中，重錒系元素累積鏈由存在于燃料中的238U發(fā)起。重錒系元素中的許多因自發(fā)裂變而衰變，所述自發(fā)裂變是伴有與裂變相關的中子的發(fā)射的過程。在氧化物燃料中存在中子的次級來源，在所述氧化物燃料中，通過高能α粒子(主要來源于重錒系元素的衰變)對氧的18O同位素的作用能夠產生中子。許多工作者已證明乏燃料的中子比活與燃耗相關。利用對乏燃料組件的測量，也已推斷出中子放射率和燃耗之間的詳細數(shù)學關系。這種關系的泛函形式是中子放射率是組件燃耗自乘的函數(shù)。影響中子放射率的變量包括燃料類型、初始濃度、功率歷史和自從反應堆卸載燃料組件以來的衰變時間。
盡管自發(fā)裂變的钚同位素和钚α輻射體是第一燃料運行周期中中子的主要來源，不過較長的堆芯照射時間導致生成鋦同位素，鋦同位素變成乏燃料組件的中子比活的主要來源。許多中子輻射起因于242Cm(半衰期163天)和244Cm(半衰期17.9年)。由于衰變時間大于數(shù)年，244Cm將是乏燃料組件的中子比活的主要來源。
由于衰變時間較短，因此必須考慮242Cm的中子活性。盡管對于不同的設計類型，泛函形式通常用不同的指數(shù)覆蓋所有特定設計的燃料組件，不過曲線將隨初始濃度而移動。于是，為了準確地把觀察到的中子放射率和燃耗聯(lián)系起來，需要了解初始濃度和自卸載以來的時間(衰變時間)。
通常，使用中子測量和反應堆記錄的組合來確定燃料燃耗。在一些情況下，裂變產物同位素Y射線(主要是137Cs)的Y射線測量被用作對衰變時間的檢查?？梢园殉灾凶臃派渎实目偟腨射線衰變率和具有相同的卸載時間的各組組件聯(lián)系起來，或者直接測量134Cs與137Cs Y衰變率比值來確定衰變時間。134Cs的半衰期為2.06年，137Cs的半衰期為30.1年，從而在從反應堆卸載燃料組件之后的O 20年時間周期內，衰變率比值將隨時間快速變化。為了驗證組件的自卸載以來的時間(衰變時間)，需要測量134Cs/137Csy放射率或者總的Y放射率。在134Cs/137Cs的情況下，Y射線強度比提供衰變時間的直接量度。在總的Y放射率的情況下，假設多數(shù)觀察到的放射性是137Cs,總Y與中子的比值使組件可以按照公共的卸載時間被分組。隨后根據(jù)燃料組件記錄確定準確的衰變時間。
不管是支持池式貯存還是干式貯存的裝填，按照慣例在水下對用高架起重機從燃料貯存架升起的隔離的燃料組件進行測量。探測器夾具被設計成可重復地附著在燃料組件上，通常在燃料中心線進行測量，同時在相對的燃料平面進行測量，以校正中子放射率的不對稱性。
燃耗驗證方法一般要求對指定類型的一組燃料組件進行測量。根據(jù)至少三個測量建立作為燃耗函數(shù)的中子響應的泛函形式，并當添加源自新測量組件的數(shù)據(jù)時，更新所述泛函形式。根據(jù)與擬合函數(shù)的預測的一致性，識別離群值(通常偏離預測值三個標準偏差以上是拒絕的依據(jù))，并確定離群值以便進一步研究。不正確的記錄或者測量問題可能是形成離群值數(shù)據(jù)點的原因。
目前使用的所有系統(tǒng)的共同特征是依賴于在一個軸向位置的單一測量。在該位置的中子放射率取決于反應堆的平均軸向功率分布圖(profile)。盡管一些目前可用的系統(tǒng)能夠在多個軸向位置進行測量，不過對于在每個軸向位置的每個測量，需要探測器和組件的相對位置的一系列調整。這種測量過程使測量時間約略正比于所需的軸向位置的數(shù)目，并且由于涉及很多次的測量，因此燃料損壞的風險更大。
轉讓給本發(fā)明的受讓人的美國專利N0.5969359提出一種采用小型的耐熱、抗輻射半導體探測器進行與乏燃料燃耗相關的測量的改進方法和設備，所述半導體探測器允許同時監(jiān)視來自乏燃料的Y和中子放射率?？梢允褂冒雽w探測器陣列從關鍵的軸向位置獲得信息，從而定義乏燃料組件的軸向燃耗分布圖。改進的乏燃料監(jiān)視設備的使用導致顯著減少測量成本和時間，以及提高準確性、安全性和降低對參與乏燃料測量的人員的輻射劑量。
美國專利N0.5969359中描述的核探測器優(yōu)選使用諸如SiC之類的寬帶隙半導體材料，所述寬帶隙半導體材料能夠在高溫下提供數(shù)據(jù)，并且也是抗輻射半導體。利用具有提供高質量核探測信號的極低漏電流的高質量、小型探測器可以完成帶電粒子，中子和Y射線探測。
這種小型半導體探測器能夠通過一次測量確定中子放射率和總的Y放射率。因此，單個半導體探測器能夠完成目前使用的系統(tǒng)中的中子探測器和Y探測器兩者的功能。從而，基于SiC半導體的優(yōu)選核探測器能夠在單一的能量分辨的譜中同時測量Y射線和中子。
半導體探測器陣列能夠同時測量關鍵軸向位置的中子放射率，以便定義燃料燃耗分布圖的形狀。例如，同時記錄數(shù)據(jù)并被多路復用以便提供每個軸向位置的獨立數(shù)據(jù)的一串小型半導體探測器可以提供和整個軸向燃耗分布圖相關的信息。半導體探測器陣列能夠在乏燃料組件的通道內或相對平面上進行測量。
目前的使用半導體核探測器的燃耗驗證系統(tǒng)具有幾個優(yōu)點。例如，與目前使用的探測器相比，小型半導體探測器能夠被更準確地放置，并且能夠用于在單個測量區(qū)間內確定燃料軸向燃耗分布圖。盡管常規(guī)方法依賴于使用高架起重機來隔離乏燃料組件，不過目前的半導體探測器能夠對位于燃料架中的乏燃料組件進行測量。按照本發(fā)明，能夠在更短的時間內用較少的人員安全地完成測量，同時消除了移動燃料組件以便進行測量的要求。例如，單個小型半導體探測器能夠提供和在目前的系統(tǒng)上使用的兩個大得多的中子和Y探測器相同的Y和中子信息。優(yōu)選的半導體探測器能夠在惡劣的輻射和溫度環(huán)境中高度可靠的工作。由于這些優(yōu)點，與利用商用系統(tǒng)完成的那些測量相比，用本發(fā)明的基于半導體的系統(tǒng)完成的測量成本較低。
鑒于上面所述的內容，提出了本發(fā)明，以便進一步改進燃耗信用計算，以進一步降低不得不成為乏燃料貯存和裝運容器的一部分的安全余量，從而進一步降低成本。盡管美國專利N0.5969359提供一種顯著改進的測量軸向分布圖的方式，它使用該分布圖更準確地計算組件的總燃耗?？側己臄?shù)被用于確定燃耗信用，不過，軸向燃耗分布圖的形狀不被用于進一步增強燃耗信用。本發(fā)明的目的是利用軸向燃耗形狀以進一步增強燃耗信用。

發(fā)明內容
目前關于乏燃料燃耗信用的保守臨界分析方法(其中所有組件被認為具有不利的軸向燃耗分布)把3-4%的余量消耗用于k-eff極限。如果使用測得的軸向燃耗分布，并且調整臨界分析以產生濃度-燃耗極限曲線的額外維度(dimension)，根據(jù)軸向燃耗分布的形狀，諸如TracWorks (在美國專利N0.5793636中描述)之類的乏燃料燃耗監(jiān)視軟件可實現(xiàn)額外的保護維度，向核電站操作員提供相當大的額外貯存余量(可推遲重新上架或者容器購買)，而對安全性沒有任何不利的影響。本發(fā)明的方法把軸向燃耗形狀用作明確的額外保護維度(稱為維度反應性管理)。為了實現(xiàn)維度反應性管理的使用，需要三個獨立的動作。首先，需要產生乏燃料容器中的每個燃料組件的實際軸向燃耗形狀。其次，和目前使用平均燃耗一樣，需要產生包括軸向燃耗形狀的表征的燃耗信用極限作為獨立保護維度。第三，需要實現(xiàn)能夠追蹤軸向燃耗形狀數(shù)據(jù)并使用該數(shù)據(jù)確定在乏燃料容器中放置燃料的可接受性的自動工具。
更具體地說，本發(fā)明的方法確定在貯存容器內的多個乏燃料組件間放置新的乏燃料組件的可接受性。為此，本發(fā)明的方法產生一系列的濃度-當前燃耗曲線，每條曲線表示不同數(shù)目的乏燃料組件，所述乏燃料組件具有現(xiàn)有技術目前假設的、通常使用的不利軸向燃耗分布。本發(fā)明隨后確定容器內直接環(huán)繞新的乏燃料組件的計劃放置位置的每個燃料組件的實際軸向燃耗分布，并記下有多少乏燃料組件具有不利的軸向燃耗分布。本發(fā)明隨后根據(jù)記下的具有不利的軸向燃耗分布的乏燃料組件的數(shù)目，確定所述一系列曲線中的哪條曲線適用于新的燃料組件。該方法隨后找出繪制所述適用曲線的圖上的、與新的乏燃料組件的當前燃耗和初始濃度對應的點，并確定圖上的該點是否在該適用曲線的上方，所述適用曲線指示放置的可接受性。


結合附圖，根據(jù)優(yōu)選實施例的下述說明，能夠進一步理解本發(fā)明，其中:
圖1是按照本發(fā)明的一個實施例的鄰近乏燃料組件布置的中子和Y輻射探測器串的部分不意圖；
圖2是按照本發(fā)明的另一實施例的布置在乏燃料組件內的中子和Y輻射探測器串的部分不意圖；
圖3是本發(fā)明的方法的框圖；
圖4是乏燃料組件在乏燃料貯存池內的放置的圖形布局表示；
圖5是在對所有組件假設共同的不利軸向分布的、用于確定組件是否可被放置在指定的乏燃料貯存位置的現(xiàn)有技術臨界分析中所使用的初始濃度-當前燃耗圖；
圖6是本發(fā)明用于應用維度反應性管理的初始濃度-當前燃耗的一系列曲線圖。
具體實施方式
圖1示意地圖解說明按照本發(fā)明的實施例，與乏燃料相鄰的中子和Y半導體探測器陣列的布置。如圖1中所示，提供系統(tǒng)I來測量出自乏燃料的中子和Y放射。這里使用的術語“中子放射”意味作為錒類同位素的α衰變的次級結果的包括自發(fā)裂變(例如244Cm衰變)和U，η)反應的中子產生。術語“ Y放射”意味作為放射性同位素的自發(fā)α和β衰變的伴隨物的Y射線的產生。核燃料通常是以由頂板3和底板4保護的至少一個燃料組件2的形式提供的。從而以燃料架的形式提供燃料組件2。在圖1中所示的實施例中，在燃料組件2的燃料架之外成串地設置半導體探測器10的陣列5。提供電線6或其它適當?shù)难b置以傳送半導體探測器10產生的電信號。半導體探測器10的陣列5沿燃料組件2的軸向長度延伸。這種安排允許沿著燃料組件2在不同的軸向位置測量中子放射和Y放射，還允許測量燃料組件2的軸向燃耗分布圖。
圖2示意圖解說明按照本發(fā)明的另一實施例的布置在燃料組件中的半導體中子和Y探測器陣列5。除了探測器陣列5位于燃料組件2的燃料架的中部之外，該實施例類似于圖1中所示的實施例。
圖1和2中所示的探測器陣列5通過電線6或任何其它適當?shù)难b置與信號處理電子器件7連接。信號處理電子器件7處理由Y射線和中子誘發(fā)的帶電粒子的交互作用產生的電壓脈沖，并以電子方式計數(shù)所述脈沖。如圖2中所示，微處理器8可用于保存數(shù)據(jù)和/或產生中子和Y射線測量的視頻顯示或打印輸出。
盡管圖1和2中表示了 6個單獨的探測器10，不過沿著燃料組件的長度方向，在陣列5中可以使用任何適當?shù)臄?shù)目。優(yōu)選的是，探測器陣列5包括2到大約100個單獨的半導體探測器，更優(yōu)選的是包括約4到50個探測器。半導體探測器10的間距可根據(jù)燃料組件的輻射梯度而變化。選擇所述間距，以便給出和特定燃料類型的軸向梯度的形狀的細節(jié)有關的足夠信息。例如，與其中較少遇到劇烈梯度的壓水反應堆(PWR)燃料相反，在為沸水反應堆(BWR)燃料應用設計的陣列中應使用更小的間距。
半導體燃耗計的典型設計包括:在高達約150英寸的長度上沿燃料組件的方向位于關鍵軸向位置的一串小型SiC中子/Y探測器。這些單個的半導體探測器優(yōu)選地同時記錄中子和Y射線計數(shù)率。計數(shù)率被多路傳輸?shù)街T如膝上型PC之類的測量控制計算機。所述計算機優(yōu)選地包含處理單個中子和Y射線計數(shù)率、確定燃耗分布圖的形狀、并通過分析分布圖形狀準確地確定組件的總燃耗的軟件。軸向燃耗分布圖數(shù)據(jù)還可被用于準確地確定燃料組件上的最大燃耗位置，如果需要的話，用于乏燃料容器裝填操作。
每個半導體探測器10優(yōu)選地包含一個中子轉換器層和一個半導體活性區(qū)，所述半導體活性區(qū)被設計成避免對半導體材料的輻射損傷。由高能粒子的損傷造成的現(xiàn)有固態(tài)輻射探測器的惡化是公知現(xiàn)象。半導體材料中輻射損傷的累積導致漏電流增大，電荷收集效率降低。這種輻射損傷是由高能帶電粒子造成的半導體中的原子移位引起的。隨著時間的過去，這種損傷造成探測器性能的顯著惡化。
由于帶電粒子在材料中失去能量，它形成電子激發(fā)事件和移位原子。能量損失可用Bragg曲線來描述。本發(fā)明的優(yōu)選中子探測器陣列利用沿帶電粒子的行程的電子激發(fā)和移位事件之間的劃分的變化。對于高能α粒子(4He離子)，電子激發(fā)是主要的能量損失機制。隨著粒子失去能量，移位損傷的重要性增大。因此，多數(shù)移位損傷發(fā)生在帶電粒子的行程的末端附近。
在優(yōu)選的半導體探測器10中，控制中子轉換器層的類型、半導體材料的種類、和半導體活性區(qū)的厚度和布置，以允許帶電粒子通過活性半導體區(qū)，而不存在顯著的移位損傷。半導體活性區(qū)薄到足以避免移位損傷，但是厚到足以允許充分的電離或電子激發(fā)來產生可測量的電脈沖。與傳統(tǒng)的厚半導體探測器相比，相對薄的半導體探測器實際上不易受到輻射損傷。從而這些探測器可被用于更準確地測量燃料組件的軸向燃耗分布圖。
實現(xiàn)使用維度反應性管理來改進燃耗信用的優(yōu)選方法理想地采用三個獨立的動作。第一個動作是確定乏燃料容器中的每個燃料組件的實際軸向燃耗形狀。應認識到，乏燃料容器可以是乏燃料池、獨立的貯存容器或者乏燃料裝運容器，并且不局限于目前保存大部分的乏燃料組件的乏燃料池。第二個動作是重新生成包括軸向燃耗形狀的表征的燃耗信用極限作為獨立的保護維度，類似目前采用平均燃耗一樣。第三個整體動作是在自動工具中實現(xiàn)該方法，所述自動工具追蹤軸向燃耗形狀數(shù)據(jù)，并使用所述數(shù)據(jù)確定在乏燃料容器中放置燃料的可接受性。第一個動作可按照下述兩種方式之一來實現(xiàn):重新生成所有操作周期的芯模型，并根據(jù)這些結果獲得所述形狀；或者使用如上所述的燃耗測量裝置提供實際的測量。第二個動作要求重新生成作為容器內緊緊環(huán)繞計劃放置位置的、具有在現(xiàn)有技術的計算中假設的不利軸向燃耗分布的燃料組件的數(shù)目的函數(shù)的濃度-當前燃耗曲線圖。第三個動作可通過把軸向燃耗數(shù)據(jù)保存在諸如TracWorks之類的數(shù)據(jù)庫中來實現(xiàn)，TracWorks是一種可從Westinghouse ElectricCorporation LLC獲得許可的且目前用于支持乏燃料池燃耗信用的實現(xiàn)的燃料管理數(shù)據(jù)庫程序?？紤]到維度反應性管理，必須如后所述那樣升級TracWorks。
本發(fā)明的系統(tǒng)一般地由圖3中所示的框圖圖解說明，并使用諸如在美國專利5793636中描述的TracWorks之類的數(shù)據(jù)庫管理軟件作為基本數(shù)據(jù)管理工具。利用諸如關于圖1和2說明的燃耗計一次性地測量當前乏燃料池存量的軸向燃耗形狀。該信息在12被輸入TracWorks 20，如圖3中所示，不過應認識到其它數(shù)據(jù)庫管理軟件也可用于此目的。從乏燃料池卸下的任何燃料組件的燃耗形狀數(shù)據(jù)在14也被輸入TracWorks 20。作為由將在后面說明的初始濃度-燃耗曲線表示的軸向燃耗分布形狀的函數(shù)的臨界貯存極限在22被輸入TracWorks。另外，對于放置在乏燃料池內的新的乏燃料組件所測量的初始濃度和當前燃耗數(shù)據(jù)在18被輸入，將放置新燃料組件的位置的坐標在16被輸入。在被放置在要求軸向形狀信用(shape credit)的乏燃料池中的某一位置中之前，通過測量獲得從堆芯進入乏燃料池或其它貯存容器的每個燃料組件的數(shù)據(jù)。必須進行臨界分析，獲得軸向燃耗形狀的信用，并把關于初始濃度、平均燃耗和燃耗形狀的極限提供給TracWorks。這些極限用將關于圖5和6說明的曲線體現(xiàn)。隨后通過利用源自臨界分析的極限、初始濃度和平均燃耗、和測量的燃耗形狀數(shù)據(jù)，由TracWorks評估組件在乏燃料池中的每個可能放置的可接受性。
例如，當燃料組件2被布置在乏燃料池中時，最常見的布置以位置的2X2集合的分組為基礎，其中對于所有4個集合來說，放置組件的理想位置是共同的。更具體地說，例如，考慮圖4，其中將放置組件的位置是B2，并且4個2X2集合是(A1，A2，B1，B2)，(B1，B2，Cl，C2)，(A2，A3, B2, B3)和(B2, B3，C2，C3)。當放置組件時，必須滿足所有這四組位置中的約束條件?？梢詫崿F(xiàn)許多基于幾何學的限制中的任意一種:所有位置(4/4)，其中一個位置空閑的4個中的3個位置(3/4)，按棋盤形式的4個中的2個位置(2/4)，等等。對于本例來說，考慮對4/4放置的限制，假定所有其它8個位置都被填充。在現(xiàn)有技術中，臨界分析對所有組件假設共同的不利軸向燃耗分布，單一的初始濃度-當前燃耗曲線被用于確定組件是否可被放置在位置B2中。圖5中表示了現(xiàn)有技術的這種曲線。其濃度和燃耗在該曲線上方的組件可被放置在B2中。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，會存在多達5條曲線，每條曲線表示基于2X2位置集合中的其它組件的軸向燃耗分布的組件的臨界極限。
圖6表示本發(fā)明的對所有4個位置被填充的2X2陣列采用5條曲線的優(yōu)選實施例，不過應認識到，如果采用少于5條的曲線的話，在舍棄一定余量的情況下，可以使用介于2條和5條之間的曲線。在圖6中，最上面的曲線表示所有4個組件具有不利的燃耗形狀的情形，并對應于圖5中所示的曲線。向下的下一條曲線表示4個組件中的3個組件具有不利的軸向燃耗形狀的情形。向下的第三條曲線表示4個組件中的2個組件具有不利的軸向燃耗形狀的情形。向下的第四條曲線(從最下面的曲線數(shù)起的第二條曲線)表示只有一個組件具有不利的軸向燃耗形狀的情形。類似地，最底下的曲線表示沒有組件具有不利的軸向燃耗形狀的情形。這5條曲線表示對2X2陣列的限制。如果陣列不同于2X2陣列，或者將不填充所有4個位置(例如3/4)，那么對曲線數(shù)目的限制將不同。對曲線數(shù)目的限制將是比基本陣列中的被填充位置的數(shù)目大I (例如，如果陣列為3X3，那么應存在10條曲線，而使用3/4裝填限制的2X2陣列會具有4條曲線)。另外，應認識到曲線不一定必須如圖6中所示那樣是平行的。曲線的形狀部分取決于使用的特定裝填限制。這樣，軸向燃耗形狀數(shù)據(jù)的管理能夠提供以其它方式不可獲得的相當大的額外余量，能夠實現(xiàn)乏燃料的更緊密填裝，這可為另外的組件開辟空間。
盡管上面詳細說明了本發(fā)明的具體實施例，不過本領域的技術人員會認識到鑒于本公開的教導，可對這些細節(jié)做出各種修改和變更。因此，公開的具體實施例只是對本發(fā)明的舉例說明，而不是對本發(fā)明范圍的限制，本發(fā)明的范圍由所附權利要求
及其任意和全部等同物限定。
權利要求
1.一種確定在乏燃料貯存容器內放置新的乏燃料組件的可接受性的方法，其中環(huán)繞所述新的乏燃料組件的放置位置，存在X個乏燃料組件，所述方法包括下述步驟: 產生一系列的濃度-當前燃耗曲線，每條曲線表示X+1個乏燃料組件中具有通常使用的不利軸向燃耗分布的不同數(shù)目的乏燃料組件； 確定X+1個燃料組件中的每個燃料組件的實際軸向燃耗分布； 記下X+1個乏燃料組件中有多少個具有不利的軸向燃耗分布； 根據(jù)被記做具有不利軸向燃耗分布的乏燃料組件的數(shù)目，確定所述一系列曲線中的哪條曲線適用于新的燃料組件； 找出繪制所述適用曲線的圖上的、與新的乏燃料組件的當前燃耗和初始濃度對應的點；和 確定圖上的該點是否在該適用曲線的上方， 其中如果圖上的該點在該適用曲線的上方，則新的乏燃料組件的放置是可接受的。
2.按照權利要求
1所述的方法，其中X等于3。
3.按照權利要求
2所述的方法，其中所述一系列曲線中的曲線的數(shù)目為5條。
4.按照權利要求
1所述的方法，其中所述一系列曲線中的曲線數(shù)目等于X+2。
5.按照權利要求
4所述的方法，其中，X等于3，并且其中所述一系列X+2條曲線包含一個在另一個之上相互隔開的5條曲線，其中最上面的曲線表示所有燃料組件具有不利的軸向燃耗分布，最下面的曲線表示X+1個乏燃料組件中沒有一個具有不利的軸向燃耗分布，其間的每條曲線按降序表示X+1個燃料組件中具有不利的軸向燃耗的不同數(shù)目的燃料組件。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種改善乏燃料燃耗信用的方法。一種維度反應性管理系統(tǒng)考慮核燃料組件的軸向燃耗形狀數(shù)據(jù)來確定相對于貯存容器中的其它組件放置組件的可接受性。
文檔編號G21C17/06GKCN101465169 B發(fā)布類型授權 專利申請?zhí)朇N 200810185210
公開日2013年7月17日 申請日期2008年12月18日
發(fā)明者B·F·庫尼, 小T·M·卡姆登 申請人:西屋電氣有限責任公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (3), 非專利引用 (2),