專利名稱：全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種全電子無(wú)觸點(diǎn)的啟輝器。
中國(guó)專利授權(quán)公告號(hào)CN 2165601Y公開(kāi)了一種“熒光燈電子啟輝器”，由二極管、穩(wěn)壓管和可控硅組成，A、B兩工作端串聯(lián)熒光燈預(yù)熱電路，A端經(jīng)二極管與穩(wěn)壓管和可控硅相連，再聯(lián)接B端。其不足之處是，當(dāng)可控硅損壞，陰陽(yáng)兩極處于導(dǎo)通狀態(tài)，易使熒光燈燒壞，此外，可控硅觸發(fā)極無(wú)穩(wěn)定裝置，易使可控硅處于半導(dǎo)通狀態(tài)，從而造成熒光燈多次閃爍。
本實(shí)用新型的目的就是提供一種穩(wěn)定性高、低壓快速啟輝的啟輝器。
本實(shí)用新型可由以下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型由可控硅的開(kāi)關(guān)電路和互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路構(gòu)成?？煽毓璧拈_(kāi)關(guān)電路由可控硅KG，可控硅的觸發(fā)極串接穩(wěn)壓二極管Z、二極管D4和電阻R1?？煽毓栌|發(fā)極串接有并聯(lián)的電容C2和電阻R3?；パa(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路由PNP晶體管BG2、NPN晶體管BG1構(gòu)成正反饋電路，再串接電阻R8和電容C4。互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路并聯(lián)電解電容C3，串接二極管D3，再連接二極管D2與可控硅KG陽(yáng)極。
本實(shí)用新型由于采用了可控硅的開(kāi)關(guān)特性和互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路，因而具有低壓，快速啟輝，穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。


圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
參閱圖1。A、B兩端接日光燈預(yù)熱電路，經(jīng)電容C1、二極管D1并聯(lián)，進(jìn)行倍壓整流后接人可控硅KG的陽(yáng)極，可控硅KG的觸發(fā)極由電阻R1、二極管D4與穩(wěn)壓二極管Z串聯(lián)，接A端，以它來(lái)提供觸發(fā)電流。由于穩(wěn)壓二極管的特性，當(dāng)市電電壓小于穩(wěn)壓二極管Z的穩(wěn)定電壓VZ時(shí)，可截止電流通過(guò)。日光燈啟輝前兩端電壓VAB和市電電壓相等，而日光燈啟輝后VAB小于市電電壓，根據(jù)這一原理，可以設(shè)定穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓VZ，進(jìn)行控制啟輝電壓，因此可達(dá)到低壓?jiǎn)⑤x。當(dāng)觸發(fā)極有大于可控硅KG所需的觸發(fā)電流時(shí)，可控硅導(dǎo)通，給日光燈提供啟輝條件，啟輝后觸發(fā)極電流為D，故可維持啟輝狀態(tài)?？煽毓栌|發(fā)極由電容C2、電阻R3并聯(lián)后接B端，用于保證可控硅的穩(wěn)定性。
互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路電源由可控硅反向電壓提供，此電壓通過(guò)二極管D3和電容C3整流濾波，二極管D2可防止過(guò)大反向電壓串入，燒壞元件。電阻R2為電容C3提供放電電阻，鋸齒波發(fā)生器振蕩電路接通電源時(shí)，電源通過(guò)電阻R4向電容C4充電，開(kāi)始時(shí)C4上電壓很低，即NPN晶體管BG1基極電壓也很低，此時(shí)BG1截止，PNP晶體管BG2由于基極無(wú)偏置電壓也截止，當(dāng)C4上電壓逐漸上升使BG1導(dǎo)通時(shí)，BG2基極產(chǎn)生偏置電壓，BG2也導(dǎo)通，此時(shí)，C4通過(guò)R8放電，形成鋸齒波，當(dāng)C4放電使C4上電壓低于BG1導(dǎo)通點(diǎn)時(shí)，BG1、BG2相繼截止，C4又開(kāi)始充電，開(kāi)始下一個(gè)周期，以此產(chǎn)生鋸齒波提供給可控硅觸發(fā)極，使其有正常的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，保證日光燈啟輝，并有快速開(kāi)關(guān)狀，提供快速啟輝的條件。
權(quán)利要求1.一種全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器，其特征在于由可控硅的開(kāi)關(guān)電路和互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路構(gòu)成。
2.依權(quán)利要求1所述的全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器，其特征在于可控硅的開(kāi)關(guān)電路由可控硅RG、可控硅的觸發(fā)極串接穩(wěn)壓二極管2、二極管D4和電阻R1。
3.依權(quán)利要求1所述的全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器，其特征在于互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路由PNP晶體管BG2、NPN晶體管BG1構(gòu)成正反饋電路，再串接電阻R8和電容C4。
4.依權(quán)利要求2所述的全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器，其特征在于可控硅觸發(fā)極串接有并聯(lián)的電容C2和電阻R3。
5.依權(quán)利要求3所述的全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器，其特征在于互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路，并聯(lián)電容C3，串聯(lián)二極管D3，再連接二極管D2與可控硅KG陽(yáng)極。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種全電子無(wú)觸點(diǎn)低壓快速啟輝器，其特征是由可控硅的開(kāi)關(guān)電路和互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路構(gòu)成。本實(shí)用新型由于采用了可控硅的開(kāi)關(guān)特性和互補(bǔ)型鋸齒波發(fā)生器振蕩電路，因而具有低壓，快速啟輝，穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H05B41/02GK2236203SQ9422339
公開(kāi)日1996年9月25日 申請(qǐng)日期1994年10月25日 優(yōu)先權(quán)日1994年10月25日
發(fā)明者黃金文, 李強(qiáng) 申請(qǐng)人:黃金文, 李強(qiáng)