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      半導(dǎo)體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶的制作方法

      文檔序號:8018112閱讀:262來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶,特別是涉及封裝尺寸接近于芯片尺寸的半導(dǎo)體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶。
      若追求半導(dǎo)體器件的高密度裝配,則裸片裝配是理想的。但是在裸片的狀態(tài)下,難以保證品質(zhì)和進(jìn)行處理。于是,作為雖然已把裸片封裝化但封裝的尺寸接近裸片的尺寸的封裝開發(fā)了CSP(Chip Scale/SizePackage,芯片規(guī)模/尺寸封裝)。
      在以各種形態(tài)開發(fā)出來的CSP型的半導(dǎo)體器件之內(nèi),作為一種形態(tài),有一種把柔軟基板設(shè)于半導(dǎo)體芯片的有源面一側(cè),在該柔軟基板上形成了多個(gè)外部電極的器件。在該CSP型的半導(dǎo)體器件中,外部電極設(shè)于半導(dǎo)體芯片的區(qū)域內(nèi)。因此,例如象QFP(Quad Flat Package,方形扁平封裝)或TCP(Tape Carrier Package,載帶封裝)那樣,沒有從封裝本體的側(cè)面突出來的所謂的‘外引線’。
      此外,在使用了柔軟基板的CSP型的半導(dǎo)體器件中,例如,象在國際公開W095/08856號公報(bào)中所述的那樣,人們已經(jīng)知道向半導(dǎo)體芯片的有源面和柔軟基板之間注入樹脂以吸收熱應(yīng)力。若用該樹脂把半導(dǎo)體芯片的與電極之間的接合部分全部覆蓋起來,則可以防止電極的腐蝕。
      此外,在把半導(dǎo)體芯片裝配到柔軟基板上去的時(shí)候,若使用薄膜載帶,則處理將變得更加容易且量產(chǎn)性也很好。在使用薄膜載帶的方式中,在進(jìn)行了半導(dǎo)體芯片的樹脂密封之后,再從薄膜載帶上切斷每一個(gè)半導(dǎo)體器件。
      在這里,在形成于薄膜載帶上的布線上,已實(shí)施了鍍金。鍍金是用電鍍(也叫‘電解電鍍’)的方法實(shí)施的。在電鍍法中,一般的做法是使全部布線都導(dǎo)通,并把布線一直引出到與半導(dǎo)體芯片之間的裝配區(qū)域的外側(cè)。被引出的布線用作進(jìn)行電鍍的電極。另外,以往的情況是存在有外引線,并采用把外引線原樣不變地進(jìn)行引出的辦法,也利用為電鍍用的布線。此外,在使用現(xiàn)存的柔軟基板的情況下,就必須有電鍍用的電鍍引線。通常,設(shè)有與連接引線直接相連的電鍍引線,而且,人們知道這種構(gòu)造應(yīng)用了在現(xiàn)有的TCP中所用的TAB(Tape Automated Bonding,載帶自動(dòng)鍵合)用基板。
      但是,在要想保持原樣不變地使用該以往就存在的TAB基板并把它用到CSP型的半導(dǎo)體器件中去的情況下,由于各個(gè)連接引線原封不動(dòng)地直接連接到各個(gè)電鍍引線上,所以如果在通常叫做外引線的地方切斷的話,則各個(gè)引線端面就將從封裝端面突出出來,引線端面部分肯定會(huì)露出來。在CSP型的半導(dǎo)體器件中,通過使封裝外形接近于芯片尺寸的辦法,芯片外形與封裝外形之間的距離將變得非常地窄。因此,雖然說是使之封裝化來保護(hù)半導(dǎo)體芯片,但是,與現(xiàn)有的封裝比,就必須努力進(jìn)一步提高包括圍繞著半導(dǎo)體芯片的環(huán)境在內(nèi)的可靠性。特別是在把上述的現(xiàn)有構(gòu)造不加改變地應(yīng)用到CSP型的半導(dǎo)體器件中去的情況下,由于從引線的切斷面到半導(dǎo)體芯片的電極為止的距離非常短,而且還是引線端部什么也未覆蓋地露出來的構(gòu)造,所以易于通過引線進(jìn)行電極的腐蝕。此外,鄰近設(shè)置的引線間的間隔也越來越窄步距化,所以還會(huì)因在已露出來的切斷面上存在有例如導(dǎo)電性的異物等等而發(fā)生引線間的短路,使功能受到損失。
      另一方面,如果從薄膜載帶上切斷每一個(gè)半導(dǎo)體器件,然后注入樹脂,則可以避免上述問題。但是,在這種情況下,就必須個(gè)別地處理已變得零亂無序的半導(dǎo)體器件,于是就不能充分發(fā)揮應(yīng)用薄膜載帶方式的長處。
      本發(fā)明就是解決上邊所說過的那樣的課題的發(fā)明,這是一種用薄膜載帶制造的封裝尺寸接近于芯片尺寸的半導(dǎo)體器件,目的在于提供保持半導(dǎo)體芯片的可靠性的構(gòu)造及其制造方法,以及把其周邊圍繞起來的電路基板和薄膜載帶。
      本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法,是一種應(yīng)用了具有多個(gè)連接引線,在各個(gè)連接引線中,一方的端部被用作與半導(dǎo)體芯片的電極的連接,另一方的端部被用作與外部的連接的柔軟基板的樹脂密封型的半導(dǎo)體器件的制造方法,包括有第1工序,用于進(jìn)行配置,使相當(dāng)于薄膜載帶的上述柔軟基板的部位位于上述半導(dǎo)體芯片的上方,且使上述連接引線的上述一方和上述另一方位于上述半導(dǎo)體芯片的區(qū)域內(nèi);第2工序,用于在上述第1工序之后,使上述連接引線的上述一方的端部與上述半導(dǎo)體芯片的電極進(jìn)行接合;第3工序,用于在上述第2工序之后,對包括上述已接合的電極在內(nèi)的上述半導(dǎo)體芯片的有源面和包括上述連接引線的上述一方的端部在內(nèi)的區(qū)域進(jìn)行樹脂密封;第4工序,用于在上述第3工序之后,從上述薄膜載帶上切下單個(gè)芯片。
      其中,上述第4工序,理想的是在上述樹脂密封后的區(qū)域的外側(cè)進(jìn)行。
      此外,在上述第1工序之前,還可以包括形成上述薄膜載帶的工序。
      而形成上述薄膜載帶的工序還可以包括下述工序在薄膜上形成導(dǎo)通圖形的工序,該導(dǎo)通圖形使電連形成在上述樹脂密封區(qū)域內(nèi)的上述電極和上述外部的上述多個(gè)連接引線、連接到任何一個(gè)上述連接引線上且延伸到樹脂密封區(qū)域之外的多個(gè)連接部分、已連接到上述連接部分和上述樹脂密封區(qū)域之外上的至少一個(gè)電鍍引線和該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部變成電氣導(dǎo)通狀態(tài);通過上述電鍍電極對上述導(dǎo)通圖形施行電鍍的工序;沖切上述各個(gè)連接部分的至少一部分的工序。
      這樣一來,在樹脂密封的區(qū)域上就將形成接合到半導(dǎo)體芯片的電極和外部上的連接引線。因此,就可以使封裝尺寸接近于芯片尺寸。此外,由于用薄膜載帶制造半導(dǎo)體器件,故處理將會(huì)變得容易。
      在對連接引線施行電鍍的時(shí)候,可以使用電鍍引線和電鍍電極。就是說,連接引線、連接部分、電鍍引線和電鍍電極已全部變成為導(dǎo)通狀態(tài),所以,可以通過電鍍電極對連接引線施行電鍍。
      此外,如果除去要進(jìn)行電鍍的部分之外都用抗蝕劑覆蓋起來,則可以節(jié)省在電鍍處理中所用的電鍍材料。這里所說的要進(jìn)行電鍍的部分,具體地說,相當(dāng)于連接引線或接合區(qū)(land)等。
      在這里,連接部分的至少一部分在樹脂密封的區(qū)域內(nèi)被沖切。因此,當(dāng)進(jìn)行樹脂密封時(shí),因該沖切而形成的端面也將被樹脂覆蓋。這樣,就可以防止來自該端面的連接引線的腐蝕,進(jìn)而可以防止半導(dǎo)體芯片的電極的腐蝕。于是,成為即便是在高濕度環(huán)境中也具有優(yōu)秀的封裝性能,改善了可靠性。
      此外,在樹脂密封區(qū)域的外側(cè),由于進(jìn)行薄膜載帶的最終性的成型,故在作為最終制品的半導(dǎo)體器件的外周上也不會(huì)有樹脂溢出來。此外,還可以保持外形的直線性。
      多個(gè)上述連接部分,可以采用一起沖切的辦法來減少工序。
      本發(fā)明的薄膜載帶的制造方法,包括在薄膜上形成導(dǎo)通圖形的工序,該導(dǎo)通圖形使在要密封的預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成并將接合到半導(dǎo)體芯片的電極和外部電極上的多個(gè)連接引線,連接到該連接引線上并一直形成到上述密封區(qū)域之外的至少一個(gè)的電鍍引線和該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部都變成導(dǎo)通狀態(tài)。
      或者,本發(fā)明的薄膜載帶的制造方法,包括下述工序在薄膜上形成引線孔的工序;在含有上述薄膜的上述引線孔的區(qū)域上邊設(shè)置金屬箔的工序;形成包括上述金屬箔構(gòu)成的焊盤部分、連接引線、電鍍引線、電鍍電極和連接部分的導(dǎo)電圖形的工序;通過上述電鍍電極對上述導(dǎo)電圖形施行電鍍處理的工序;對上述連接部分進(jìn)行加工形成布線圖形的工序。
      其中,上述形成布線圖形的工序也可以用沖切上述連接部分的辦法進(jìn)行。
      此外,多個(gè)上述連接部分,可以采用一起沖切的辦法來減少工序。
      或者,上述沖切還可以與每一連接部分對應(yīng)起來進(jìn)行。
      各個(gè)連接部分也可以用圓形的孔來沖切。
      或者,也可以使上述圓形孔成為橢圓形狀,上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導(dǎo)體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
      此外,在施行上述電鍍處理之前,還可以在除上述導(dǎo)電圖形中的要進(jìn)行上述電鍍處理的區(qū)域之外的區(qū)域上設(shè)置保護(hù)膜。
      作為上述保護(hù)膜也可以用樹脂。
      作為上述樹脂,也可以用阻焊劑。
      本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具備具有多個(gè)電極的半導(dǎo)體芯片;在上述半導(dǎo)體芯片上邊定位為與上述半導(dǎo)體芯片隔以規(guī)定的距離且相互重疊的柔軟基板;位于上述半導(dǎo)體芯片和上述柔軟基板之間并對上述半導(dǎo)體芯片的具有上述電極的面進(jìn)行密封的樹脂,在上述柔軟基板的上邊,具有一方的端部被接合到上述半導(dǎo)體芯片的上述電極上的同時(shí),另一方的端部用于與外部之間的連接的多個(gè)連接引線,上述連接引線位于用上述樹脂對上述一方和另一方的端部進(jìn)行密封后的區(qū)域內(nèi),不論哪一個(gè)端部位于上述半導(dǎo)體芯片的外周附近的同時(shí),用上述樹脂一直到側(cè)面部分為止完全覆蓋起來。
      在這里,上述柔軟基板中在上述連接引線中的用上述樹脂完全覆蓋起來的上述端部所處的部位上,也可以設(shè)置圓形和橢圓形狀的任何一種形狀的孔。
      本發(fā)明的上述電路基板構(gòu)成為通過焊盤電連并搭載上述半導(dǎo)體器件。
      本發(fā)明的樹脂密封型的半導(dǎo)體器件中所用的薄膜載帶具備在應(yīng)當(dāng)進(jìn)行樹脂密封的區(qū)域內(nèi)已形成了外部電極的焊盤部分;配置在應(yīng)當(dāng)進(jìn)行樹脂密封的區(qū)域內(nèi),把各個(gè)上述外部電極和半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極連接起來的多個(gè)連接引線;在樹脂密封的區(qū)域外形成的至少一個(gè)電鍍引線;使任一個(gè)上述連接引線和上述電鍍引線電連起來的多個(gè)連接部分;形成于上述連接部分上,用于進(jìn)行上述連接引線與上述電鍍引線之間的電絕緣的至少一個(gè)孔;連接上述電鍍引線的電鍍電極,在上述焊盤部分、上述連接引線、上述電鍍引線、上述連接部分和上述電鍍電極上已施行了電鍍。
      上述孔由矩形的孔構(gòu)成,也可以形成為對多個(gè)上述連接部分進(jìn)行跨接。
      或者,形成多個(gè)上述的孔,各個(gè)孔由圓形或橢圓形的孔構(gòu)成,還可以與各個(gè)上述連接部分對應(yīng)起來形成。
      或者,也可以使上述孔成為橢圓形狀,上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導(dǎo)體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
      采用形成上述那樣的孔的辦法,使連接部分的端面從孔中露出來,該露出來的連接部分的端面借助于樹脂密封而被覆蓋。因此,就可以防止從連接部分向連接引線進(jìn)行的腐蝕。


      圖1是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖2是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖3是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖4是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖5是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖6是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖7是說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。圖8是圖7的Ⅷ-Ⅷ線的剖面圖。圖9示出了本實(shí)施例的變形例。圖10示出了本實(shí)施例的變形例。圖11示出了已經(jīng)裝配上用本實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件的電路基板。
      以下,參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明。
      圖1到圖7是用薄膜載帶的制造步驟說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的說明圖。特別是在圖1到圖5中,說明薄膜載帶的制造工序的步驟,圖6和圖7的工序是對用圖1到圖5的工序制造的薄膜載帶和半導(dǎo)體芯片進(jìn)行鍵合后的工序,并不一定緊接著圖1到圖5的工序馬上(連續(xù)性的)進(jìn)行。
      首先,如圖1所示,準(zhǔn)備將成為基材的薄膜10。薄膜10是用聚酰亞胺或聚酯等的樹脂形成的帶狀(長條狀)薄膜,根據(jù)要搭載的半導(dǎo)體芯片(圖中未畫出來)的大小來決定其寬度。該薄膜10最好采用既具有電絕緣性,同時(shí)又具有可撓性的材料。
      在該薄膜10上,如圖2所示,用例如沖孔加工或激光加工或化學(xué)刻蝕加工等眾所周知的開孔技術(shù)形成鏈輪孔12和引線孔14。引線孔14,如圖6所示,形成于與要搭載的半導(dǎo)體芯片40的電極42對應(yīng)的區(qū)域上。就是說,引線孔14被形成為用于進(jìn)行連接引線24和電極42之間的鍵合。
      其次,把粘接劑涂敷到薄膜10上,作為謀求電氣導(dǎo)通的構(gòu)件,把金屬箔,例如,作為其一個(gè)例子,把銅箔16用圖中未畫出來的熱輥?zhàn)拥鹊募訜岷图訅貉b置邊壓緊邊粘貼。圖3示出了已把銅箔16貼到了薄膜10上后的狀態(tài)。
      接著,采用進(jìn)行濕法刻蝕的辦法,如圖4所示,由箔狀的銅箔16形成所希望的導(dǎo)電圖形20。
      導(dǎo)電圖形20含有焊盤部分22、連接引線24、電鍍引線26、電鍍電極28和連接部分29,在導(dǎo)電圖形20的步驟中,已變成了全部電氣導(dǎo)通的狀態(tài)。焊盤部分22是設(shè)有例如焊錫球等的突出電極用以構(gòu)成外部電極的部分。因此,焊盤部分22若從平面上來看,其表面為平坦?fàn)睿揖哂幸?guī)定的面積(通常,比連接引線24寬)。另外,焊盤部分22自身也可以形成為凸?fàn)睿怪A(yù)先具有作為突出電極的功能。此外,焊盤部分22即便是半導(dǎo)體器件制造后,也可以如圖所示仍為接合區(qū)的原來的狀態(tài)。但是,在這種情況下,在要裝配的構(gòu)件(裝配基板)一側(cè)必須設(shè)置焊錫等的接合構(gòu)件。焊盤部分22,在已把半導(dǎo)體芯片搭載到了薄膜載帶上的時(shí)候(參照圖7),被配置在半導(dǎo)體芯片40區(qū)域的內(nèi)側(cè),而且在模塑材料36所形成的樹脂密封的區(qū)域內(nèi)。
      連接引線24的一方的端部被連接到用于形成外部電極的焊盤部分22上,與焊盤部分22形成電氣導(dǎo)通。另外,與焊盤部分22相比連接引線24形成得細(xì)。連接引線24只要能確保可以進(jìn)行良好的電氣導(dǎo)通這種程度的寬度就行,如果考慮窄步距,則必然地要變得比焊盤部分22更細(xì)。這一情況不僅連接引線24是如此,在位于連接引線24的延長上的連接部分29中也是一樣的。此外,連接引線24的另一方的端部,如圖4所示,已通過了(跨過了)引線孔14。用位于連接引線24中的該引線孔14內(nèi)的部位,與半導(dǎo)體芯片40的電極42相連。連接引線24與焊盤部分22一樣,被配置于后邊要講的模塑材料36所形成的樹脂密封的區(qū)域之內(nèi)(參照圖7)。連接引線24,通過把從引線孔14的電鍍引線26一側(cè)的邊到電鍍引線26為止的區(qū)間連接起來的連接部分29,與電鍍引線26電連。其中,電鍍引線26被形成為位于樹脂密封區(qū)域之外。即,連接部分29被形成為從樹脂密封區(qū)域內(nèi)的連接引線24,到樹脂密封區(qū)域外的電鍍引線26為止。各個(gè)電鍍引線26被形成于帶狀薄膜10的短邊方向上,同時(shí),已連接到電鍍電極28上。電鍍電極28形成于帶狀薄膜l0的長邊方向上。另外,在示于圖4的導(dǎo)電圖形20的兩側(cè),雖然未畫出來,但連續(xù)地形成了已連接到電鍍電極28上的同樣的導(dǎo)電圖形。
      其次,通過電鍍電極28用電鍍(電解電鍍)的方法,對整個(gè)導(dǎo)電圖形20施行鍍金。另外,作為電鍍處理除鍍金之外,也可以用錫或焊錫進(jìn)行電鍍處理。只要根據(jù)接合等的狀況用眾所周知的方法即可。接著,如圖5所示,對位于連接引線24和電鍍引線26之間(就是說引線孔14的電鍍引線一側(cè)的邊和電鍍引線26之間)的連接部分29的至少一部分進(jìn)行切削,由圖4的導(dǎo)電圖形20形成布線圖形(電路圖形)30。進(jìn)行切削的方法,可以應(yīng)用眾所周知的技術(shù)而不管它是機(jī)械方法還是化學(xué)方法。此外,被切削的該部分即便是不完全沖切,只要例如連接引線24和電鍍引線26為電氣的非導(dǎo)通狀態(tài),即僅僅連接引線24的端部作成為自由端就可以,也可以僅僅使相應(yīng)的部分(相當(dāng)?shù)奈恢玫膱D形)進(jìn)行半刻蝕等。換句話說,本身為基底的薄膜10也可以不完全地去掉。這樣一來,就可得到已形成了規(guī)定的電路的長條狀的薄膜載帶34。此外,在已經(jīng)形成了布線圖形30的狀態(tài)下,把已與連接部分29中的焊盤部分22電連的一側(cè),即包括位于引線孔14和孔32之間的布線在內(nèi)叫做連接引線24。另外,在已經(jīng)形成了布線圖形30的工序以后,在僅僅叫做連接引線的情況下,也包括位于引線孔14和孔32之間的布線。
      另外,沖切連接部分29的工序,是在電鍍處理工序之后,且在對半導(dǎo)體芯片40的電極42進(jìn)行的鍵合工序(參照圖6)之前進(jìn)行。此外,在本實(shí)施例中,采用沖切連接部分29的辦法來形成孔32???2在同圖中雖然是細(xì)長的矩形的孔,但是并不受限于該形狀。形成孔32的一對長邊之內(nèi)的一方,如圖7所示,位于樹脂密封區(qū)域內(nèi),另一方則位于樹脂密封區(qū)域外。這樣一來,被沖切的連接部分29的端面就與形成孔32的長邊的位置變成為同一個(gè)面,其端部就在孔32的內(nèi)側(cè)露了出來。該已經(jīng)露了出來的連接部分29的端面被樹脂覆蓋起來。總起來說,孔32除形成所希望的電路外還被形成為把連接部分29的露出端面覆蓋起來。
      其次,如圖6所示,把薄膜載帶34配置于半導(dǎo)體芯片40的上方。說得更詳細(xì)點(diǎn),即便是在薄膜載帶之內(nèi)也要使相當(dāng)于柔軟基板的部位在半導(dǎo)體芯片40的上方進(jìn)行位置對準(zhǔn)。在這里,在從薄膜載帶34上最終性地脫離開而變成單片半導(dǎo)體器件時(shí),作為基板留下來的部位,相當(dāng)于柔軟基板。
      半導(dǎo)體芯片40的電極42被配置為使得面朝著薄膜載帶34的引線孔14。所用的半導(dǎo)體芯片的恰當(dāng)?shù)某叽?,如同圖所示,如果是從使半導(dǎo)體芯片端部位于已經(jīng)超過了形成引線孔的內(nèi)側(cè)邊的位置,到孔32中的引線孔14一側(cè)的邊為止的尺寸的話,就不必問其尺寸。此外,要做成為使得在半導(dǎo)體芯片40和薄膜載帶34之間形成規(guī)定的間隙。這時(shí),要進(jìn)行定位使得連接引線24配置到半導(dǎo)體芯片40的電極42上邊。接著,對多個(gè)電極42和多個(gè)連接引線24一起或者每次一個(gè)地方地進(jìn)行鍵合。為了進(jìn)行鍵合,理想的是在電極42或連接引線24的任何一方上形成突出電極。
      還有,本實(shí)施例中的布線圖形30的形成位置,在已經(jīng)把半導(dǎo)體芯片40配置到薄膜載帶34上的時(shí)候,被設(shè)置到半導(dǎo)體芯片相對面的相反一側(cè)的面上。因此,在布線圖形30的表面上涂敷阻焊劑之類的樹脂,求得絕緣和保護(hù)是理想的。另外,還可以做成為使得除想進(jìn)行電鍍的部分之外都先用樹脂覆蓋起來。這里所說的想進(jìn)行電鍍的部分,具體地說,指的是連接引線或接合區(qū)等。這樣的話,由于在不要的部分上不涂敷鍍層,所以可以節(jié)省電鍍處理中所用的電鍍材料?;蛘?,如果使布線圖形30面朝半導(dǎo)體芯片40一側(cè)來配置薄膜載帶34的話,則可以省略阻焊劑等的涂敷。
      其次,如圖7所示,用模塑材料密封半導(dǎo)體芯片40。另外,標(biāo)號36是模塑材料所處的區(qū)域。此外,圖8是圖7的Ⅷ-Ⅷ線的剖面圖。
      詳細(xì)說來,模塑材料36由引線孔14向半導(dǎo)體芯片40和薄膜載帶34之間的間隙中注入。這樣,模塑材料36將把半導(dǎo)體芯片40的電極42覆蓋起來。
      此外,用薄膜載帶34的孔32填充模塑材料,使得把端部露出來的連接部分29的端面29a(即,連接引線的端部)也覆蓋起來。采用進(jìn)行這樣處理的辦法,就變成為用樹脂把要連接到半導(dǎo)體芯片40上的連接部分29的端面29a(連接引線的端部)覆蓋起來而不露出。這樣一來,由于可以防止從連接部分29一側(cè)向連接引線24,進(jìn)而向半導(dǎo)體芯片40的電極進(jìn)行的腐蝕,所以將提高半導(dǎo)體器件的可靠性。
      這樣處理之后,當(dāng)用模塑材料36進(jìn)行的密封結(jié)束后,就在模塑材料36所處的區(qū)域的外側(cè),從成為母體的薄膜載帶34上進(jìn)行切離。在進(jìn)行切離的情況下,進(jìn)行一起成型,從薄膜載帶34的母體上,沖出已被封裝利用的薄膜載帶34部分(即,柔軟基板部位)。對于沖切位置,可以考慮各個(gè)實(shí)施形態(tài)。例如,若使切斷位置在孔32區(qū)域內(nèi),而且在比樹脂密封后的區(qū)域還往外的話,則對于布線圖形的走線方向(薄膜的長邊方向)已經(jīng)加工,在本次的沖切工序時(shí)無須另外再加工。
      另一方面,還可在孔32的更外側(cè),在達(dá)不到孔的位置上沖切。這樣的話,采用進(jìn)行沖切使得不切掉孔32的辦法,最終的半導(dǎo)體器件的外形就會(huì)變得具有直線性。在這種情況下,具有下述優(yōu)點(diǎn)在其后的工序中,半導(dǎo)體器件的外形的識(shí)別將會(huì)變的容易起來。
      其次,圖9和圖10示出了上述實(shí)施例的變形例,與圖7的局部放大圖相對應(yīng)。
      在示于圖9的薄膜載帶50中,每一個(gè)連接部分52分別用圓形的孔54沖切,并從電鍍引線56上切斷。就是說,該圓形孔具有比連接部分52還寬的直徑。對連接部分52沖切的工序,是在電鍍處理工序之后且在對半導(dǎo)體芯片的電極進(jìn)行鍵合工序之前進(jìn)行的。選擇圓形的理由是考慮到了樹脂的流入性和貼緊性。
      接著,一直到點(diǎn)劃線58的位置為止進(jìn)行樹脂密封,使得用樹脂把從圓形孔中露出來的連接部分52的端面覆蓋起來。然后,在雙點(diǎn)劃線59的位置上進(jìn)行最后的沖切,就得到了半導(dǎo)體器件。結(jié)果變成為已經(jīng)與半導(dǎo)體芯片的電極相連的各個(gè)連接引線的端部被樹脂完全覆蓋起來,這樣所得到的半導(dǎo)體器件也具有和上述實(shí)施例一樣的效果。
      此外,在示于圖10的薄膜載帶60中,每一個(gè)連接部分62都分別用長孔64沖切,并從電鍍引線66上切斷。長孔換句話說就是橢圓形狀。接著,一直到點(diǎn)劃線68為止進(jìn)行樹脂密封,使得把從長孔64露出來的連接部分62的端面覆蓋起來。之后,進(jìn)行最后的沖切的位置是長孔64的內(nèi)側(cè)的雙點(diǎn)劃線69的位置。即,如果進(jìn)行最終性的沖切,則將變成為把長孔64切掉一塊的形狀。這樣一來,就可以得到半導(dǎo)體器件。此外,在圖9和圖10中的最終性的沖切位置59、69,并不限于此。這一點(diǎn)將在后邊說明。
      在圖10中,如同圖所示,長孔的長徑方向設(shè)定為與形成封裝的外周的邊大體上成垂直的方向上,這樣的話,連接部分的界面比起圖9的例子來位于從封裝的外周更為往里的地方。因此,到與外氣接觸的距離進(jìn)一步增加,所以可以進(jìn)一步提高引線的防止腐蝕的效果。此外,如果做成為長孔,還可以擴(kuò)展與樹脂之間的接觸區(qū)域,更進(jìn)一步提高樹脂與基板之間的粘接強(qiáng)度。這時(shí),由于已經(jīng)把長孔的長徑方向設(shè)定在對形成封裝的外周的邊大體垂直的方向上,所以可以使相鄰的連接引線的步距間隔與窄步距相對應(yīng)。但是,在步距的限制某種程度地減緩的情況下,就無須注意長孔的長徑方向,既可以與上述同樣地設(shè)定在與形成封裝的外周的邊大體上垂直的方向上,也可以設(shè)定與其直行方向(即,與形成封裝的外周的邊大體上平行的方向)上。
      此外,在圖9和圖10中,采用使樹脂密封位置58、68和最終的成型(切斷)位置59、69錯(cuò)開來的辦法,說得更詳細(xì)一點(diǎn)的話,采用作為封裝來看的時(shí)候把切斷(沖切)位置設(shè)定為樹脂密封位置更往外側(cè)的辦法,最終的半導(dǎo)體器件的外形將變成為有直線性。這樣一來,在其后的工序中,半導(dǎo)體器件的外形識(shí)別就將變得容易。此外,在切斷工序中,也不必?fù)?dān)心對樹脂密封部分會(huì)造成損傷。
      另一方面,也不是說樹脂密封位置與切斷(沖切)位置必須要錯(cuò)開來,也可以做成為相同。此外,也可以在孔內(nèi)的樹脂位置外側(cè)處且在收容于孔內(nèi)的位置處進(jìn)行切斷。還有,即便是假定使沖切位置與樹脂密封位置變成為相同,也可以沖切成樹脂密封部分的最外形直線狀而沒有必要在孔內(nèi)重新沖切成樹脂引入時(shí)的形狀。不論怎么樣,由于連接到各個(gè)連接引線上的各個(gè)連接部分的端部,已經(jīng)形成了孔(圓形孔,長孔等)且已設(shè)定于從基板(薄膜載帶)的端部引進(jìn)來的位置上,故結(jié)果變成為連接部分端部保持被樹脂覆蓋起來的狀態(tài)。
      在上述的實(shí)施例中,在進(jìn)行電鍍處理時(shí),除電解電鍍外,也可以用眾所周知的無電解電鍍。此外,薄膜本身也不限于象本實(shí)施例那樣由導(dǎo)電圖形、粘接劑、薄膜這3層構(gòu)成的載帶,還可以用由例如從上述構(gòu)成中去掉粘接劑的2層的載帶。
      另外,在上述的實(shí)施例中雖然用的是在兩邊上已形成了電極的芯片,但是,在4個(gè)邊上設(shè)有電極的情況下也同樣地可以應(yīng)用,這是不言而喻的。那時(shí),結(jié)果將變成為可在載帶的4個(gè)邊上設(shè)置矩形的孔。
      此外,在本實(shí)施例中,雖然說明的是把外部電極向半導(dǎo)體芯片區(qū)域的內(nèi)側(cè)方向引入的所謂的扇入型,但是也可以把扇入型與和其相反的扇出型融合起來應(yīng)用。在這種情況下,扇入型可以用本例進(jìn)行而扇出型則可以利用以前的技術(shù)進(jìn)行。
      圖11示出了已經(jīng)裝配上應(yīng)用上述實(shí)施例制造出來的半導(dǎo)體器件110的電路基板。雖然沒有畫出詳細(xì)的圖,但是半導(dǎo)體器件110的焊盤部分22和已形成于電路基板100上邊的連接部分(例如,接合區(qū))已電連。作為連接構(gòu)件用了例如眾所周知的焊錫,指的是存在于兩者(半導(dǎo)體器件110的焊盤部分和電路基板100的連接部分)間并進(jìn)行連接的焊錫。作為連接構(gòu)件,除了焊錫外,還可以利用例如各向異性導(dǎo)電粘接劑等的各種連接方法。
      權(quán)利要求
      1.一種應(yīng)用了具有多個(gè)連接引線,在各個(gè)連接引線中,一方的端部被用作與半導(dǎo)體芯片的電極之間的連接,另一方的端部被用作與外部之間的連接的柔軟基板的樹脂密封型的半導(dǎo)體器件的制造方法,包括有下述工序第1工序,用于進(jìn)行配置,使相當(dāng)于薄膜載帶的上述柔軟基板的部位位于上述半導(dǎo)體芯片的上方,且使上述連接引線的上述一方和上述另一方位于上述半導(dǎo)體芯片的區(qū)域內(nèi);第2工序,用于在上述第1工序之后,使上述連接引線的上述一方的端部與上述半導(dǎo)體芯片的電極進(jìn)行接合;第3工序,用于在上述第2工序之后,對包括上述已接合的電極在內(nèi)的上述半導(dǎo)體芯片的有源面和包括上述連接引線的上述一方的端部在內(nèi)的區(qū)域進(jìn)行樹脂密封;第4工序,用于在上述第3工序之后,從上述薄膜載帶上切下單個(gè)芯片。
      2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征是上述第4工序,在上述樹脂密封后的區(qū)域的外側(cè)進(jìn)行。
      3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征是在上述第1工序之前,包括形成上述薄膜載帶的工序。
      4.權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征是形成上述薄膜載帶的工序包括下述工序在薄膜上形成導(dǎo)通圖形的工序,該導(dǎo)通圖形使形成在用于進(jìn)行樹脂密封的區(qū)域內(nèi)且電連上述電極和上述外部的上述多個(gè)連接引線,連接到任何一個(gè)上述連接引線上且延伸到樹脂密封區(qū)域之外的多個(gè)連接部分,已連接上述連接部分和上述樹脂密封區(qū)域之外上的至少一個(gè)電鍍引線,該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部已變成電氣導(dǎo)通狀態(tài);通過上述電鍍電極對上述導(dǎo)通圖形施行電鍍的工序;沖切上述每一個(gè)連接部分的至少一部分的工序。
      5.權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征是一起沖切多個(gè)上述連接部分。
      6.一種薄膜載帶的制造方法,在薄膜上形成導(dǎo)通圖形,該導(dǎo)通圖形使所具有的在要密封的預(yù)定的區(qū)域內(nèi)形成并將接合到半導(dǎo)體芯片的電極和外部電極上的多個(gè)連接引線,連接到該連接引線上并一直形成到上述密封區(qū)域之外的至少一個(gè)電鍍引線和該電鍍引線所連接的電鍍電極等全部都變成導(dǎo)通狀態(tài)。
      7.一種薄膜載帶的制造方法,包括下述工序在薄膜上形成引線孔的工序;在含有上述薄膜的上述引線孔的區(qū)域上設(shè)置金屬箔的工序;形成由上述金屬箔構(gòu)成的焊盤部分、連接引線、電鍍引線、電鍍電極和連接部分所構(gòu)成的導(dǎo)電圖形的工序;通過上述電鍍電極對上述導(dǎo)電圖形施行電鍍處理的工序;對上述連接部分進(jìn)行加工形成布線圖形的工序。
      8.權(quán)利要求7所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是上述形成布線圖形的工序用沖切上述連接部分的辦法進(jìn)行。
      9.權(quán)利要求8所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是一起沖切多個(gè)上述連接部分。
      10.權(quán)利要求8所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是上述沖切與每一連接部分對應(yīng)起來進(jìn)行。
      11.權(quán)利要求8到10中的任何一項(xiàng)所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是各個(gè)連接部分也可以用圓形的孔來沖切。
      12.權(quán)利要求11所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是使上述圓形孔成為橢圓形狀,上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導(dǎo)體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
      13.權(quán)利要求7所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是在施行上述電鍍處理之前,還可以在除上述導(dǎo)電圖形中的要進(jìn)行上述電鍍處理的區(qū)域之外的區(qū)域上設(shè)置保護(hù)膜。
      14.權(quán)利要求13所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是把樹脂用作上述保護(hù)膜。
      15.權(quán)利要求14所述的薄膜載帶的制造方法,其特征是把阻焊劑用作上述樹脂。
      16.一種半導(dǎo)體器件,具備具有多個(gè)電極的半導(dǎo)體芯片;在上述半導(dǎo)體芯片上邊定位為與上述半導(dǎo)體芯片隔以規(guī)定的距離且相互重疊的柔軟基板;位于上述半導(dǎo)體芯片和上述柔軟基板之間并對上述半導(dǎo)體芯片的具有上述電極的面進(jìn)行密封的樹脂,在上述柔軟基板的上邊,具有一方的端部被接合到上述半導(dǎo)體芯片的上述電極上的同時(shí),另一方的端部用于和外部之間的連接的多個(gè)連接引線,上述連接引線位于用上述樹脂對上述一方和另一方的端部進(jìn)行密封后的區(qū)域內(nèi),不論哪一個(gè)端部位于上述半導(dǎo)體芯片的外周附近的同時(shí),用上述樹脂一直到側(cè)面部分為止完全覆蓋起來。
      17.權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件,其特征是在上述柔軟基板位于上述連接引線中的用上述樹脂完全覆蓋起來的上述端部所處的部位上,也可以設(shè)置圓形和橢圓形狀的任何一種形狀的孔。
      18.一種電路基板,通過權(quán)利要求16或17所述的半導(dǎo)體器件的焊盤電連并搭載上述半導(dǎo)體器件。
      19.一種在樹脂密封型的半導(dǎo)體器件中所用的薄膜載帶,具備在應(yīng)當(dāng)進(jìn)行樹脂密封的區(qū)域內(nèi)形成了外部電極的焊盤部分;配置在應(yīng)當(dāng)進(jìn)行樹脂密封的區(qū)域內(nèi),把各個(gè)上述外部電極和半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極連接起來的多個(gè)連接引線;在樹脂密封的區(qū)域外形成的至少一個(gè)電鍍引線;使除去至少一個(gè)之外的上述連接引線和上述電鍍引線電連起來的多個(gè)連接部分;使上述被除外的連接引線與上述電鍍引線之間電絕緣的至少一個(gè)孔;連接上述電鍍引線的電鍍電極,在上述焊盤部分、上述連接引線、上述電鍍引線、上述連接部分和上述電鍍電極上已施行了電鍍。
      20.權(quán)利要求19所述的薄膜載帶,其特征是上述孔由矩形孔構(gòu)成,也可以形成為對多個(gè)上述連接部分進(jìn)行跨接。
      21.權(quán)利要求19所述的薄膜載帶,其特征是具有多個(gè)上述孔,各個(gè)孔由圓形或橢圓形的孔構(gòu)成,并與每一上述連接部分對應(yīng)起來形成。
      22.權(quán)利要求21所述的薄膜載帶,其特征是使上述孔成為橢圓形狀,上述橢圓形狀的長軸方向朝向與形成半導(dǎo)體器件的外周的邊大體上垂直的方向。
      全文摘要
      一種用薄膜載帶制造,封裝尺寸接近芯片尺寸的半導(dǎo)體器件,且與半導(dǎo)體芯片的電極之間的連接部分不露出來的半導(dǎo)體器件及其制造方法。具有形成于模塑材料36的填充區(qū)域之內(nèi)并接合到半導(dǎo)體芯片40的電極42和焊盤部分22上的連接引線24,連接到連接引線24上的電鍍引線26,電鍍引線26所連接的電鍍電極28,且在全體都已變成為導(dǎo)通狀態(tài)下施行電鍍,直到使連接部分29進(jìn)入模塑材料的填充區(qū)域內(nèi)為止對連接部分29進(jìn)行沖切,使連接引線24和電極42接合,填充模塑材料36。從孔32中露出來的連接引線24的端面也被模塑材料36覆蓋而不露出來。
      文檔編號H05K3/24GK1206496SQ97191451
      公開日1999年1月27日 申請日期1997年9月29日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月17日
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