專利名稱：用于出現(xiàn)在電子電路部件表面上殘余物腐蝕性效果定量測量的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于測量電子電路部件清潔度的方法和設(shè)備。
本領(lǐng)域已眾知電子部件的清潔度對(duì)于部件的裝配性能和可靠度是關(guān)鍵的。不幸地，離子和非離子殘余物的腐蝕層在制作與裝配加工期間可能產(chǎn)生，并且也可能在野外使用期間由外部源引起。這些殘余物經(jīng)常引起短路或腐蝕故障由于兩個(gè)電路之間的電遷移或泄漏而出現(xiàn)。
由于1987年“凈化空氣條約”(Clean Air Act)的通過，許多新的和創(chuàng)造性的制作和裝配加工已出現(xiàn)并已成功地用于制作硬件。在這些現(xiàn)代方法中，大多已停止使用傳統(tǒng)的氯化溶劑清除劑，而現(xiàn)正選用含水、半含水或新的非氯化溶劑清除器。
現(xiàn)代的電子裝配方法有較大的裝配性能問題，尤其是對(duì)于上面所述的污染。例如，不使用松香或使用少量(＜5％)松香的新的裝配方法沒有傳統(tǒng)方法所具有的保護(hù)絕緣層。因此，新的加工處理具有不是由于裝配期間所使用的材料引起的缺點(diǎn)，而是具有由于正常制作與處理殘余物引起的故障，或因?yàn)榍鍧嵵辉O(shè)計(jì)用于清除大多數(shù)的助溶劑殘余物而不是助溶劑下面或組分下面的腐蝕制作殘余物層。這些是新的電子裝配工廠的關(guān)鍵，因?yàn)橐郧跋嘈湃軇┣鍧嵡宄械闹谱髋c裝配腐蝕殘余物。而不是利用清潔薄的松香層密封殘余物。
雖然諸如離子色譜分析(IC)和高壓液體色譜分析(HPLC)的研究實(shí)驗(yàn)室分析工具可用于分隔、識(shí)別與量化出現(xiàn)在電子電路部件上的離子與非離子殘余物，但這些不是生產(chǎn)裝配處理控制工具。當(dāng)前發(fā)明創(chuàng)造的處理控制工具研制用于監(jiān)視松香助溶劑和溶劑清潔殘余物，而不能測量電子部件真實(shí)的清潔度。相反地，當(dāng)前處理控制工具僅是處理設(shè)備總性能標(biāo)志(通用手段)。利用這些通用手段，少于30％的殘余物在提取期間進(jìn)入溶劑，并且一般地助溶劑殘余層以及制作殘余物仍保持在此層下面。
現(xiàn)在更具體地描述現(xiàn)有技術(shù)方法，大多數(shù)現(xiàn)有技術(shù)通用手段以房間測試或以微高溫度(由于可燃性的限制)使用溶劑(75％異丙烯酒精和25％水)提取5-15分鐘，在此之后，測量測試時(shí)間內(nèi)溶劑導(dǎo)電性總的變化。所得到的導(dǎo)電性變化隨后與導(dǎo)電性鹽標(biāo)準(zhǔn)(例如，約為750ppm的氯化鈉)進(jìn)行比較。在腐蝕與非腐蝕殘余物之間沒有差別。
現(xiàn)有技術(shù)方法的另一缺點(diǎn)是這些方法設(shè)計(jì)為提取整個(gè)或半個(gè)板(board)面積，并隨后歸一化數(shù)據(jù)以提供每單位面積計(jì)算(每平方英寸這么多的Nacl等效量)。因此，現(xiàn)有技術(shù)方法對(duì)于進(jìn)行諸如(1)波峰焊接(Wave Solder)面積對(duì)表面裝配面積；(2)波峰焊接之后板的頂部對(duì)板的底部；(3)裸入對(duì)裝配面積；(4)重新工作(rework)面積對(duì)非重新工作面積；等等的各種處理步驟效果的(腐蝕殘余物)可比性清潔度分析不是有效的。
從上面可看出現(xiàn)有技術(shù)沒有提供出現(xiàn)在電子電路部件特定區(qū)域上的離子和/或非離子殘余物腐蝕性的簡單的定量測量方法。另外，現(xiàn)有技術(shù)也沒有提供用于IC與HPLC分析的非破壞性的焊點(diǎn)提取器來確定板上特定區(qū)域中實(shí)際污染水平。本發(fā)明目的在于滿足這些需求。
現(xiàn)簡單地描述本發(fā)明的一個(gè)方面，提供用于定量測量出在電子電路部件表面上的殘余物腐蝕性效果的設(shè)備和方法。此設(shè)備優(yōu)選地包括(1)提取室，用于給要測量的電子電路裝配(ECA)區(qū)域提供提取液；(2)提取液，用于從要測量的ECA區(qū)域中提取殘余物；(3)測試室；具有兩個(gè)或多個(gè)電極和給電極加電壓的電壓源；和(4)事件檢測器，用于測量加上電壓到電極之間短路之間的時(shí)間。
用于定量測量電子電路部件表面上出現(xiàn)的殘余物腐蝕性效果的方法最好包括(1)在要測量的電子電路部件區(qū)域上放置和固定提取室；(2)將提取液倒入所述提取室；(3)使要測量的ECA區(qū)域接觸所述提取液足以從ECA區(qū)域中提取殘余物的時(shí)間；(4)給包括兩個(gè)或多個(gè)電極的測試室加入含有殘余物的提取液；(5)給至少一個(gè)電極加上電壓；和(6)測量加上電壓到電極之間短路之間的時(shí)間。
在測量加上電壓與電極之間短路之間的時(shí)間(也稱為遷移時(shí)間或“TM”)之后，通過與測試標(biāo)準(zhǔn)的比較可以確定在所測量區(qū)域上腐蝕殘余物量的計(jì)算。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供用于出現(xiàn)在電子電路部件特定區(qū)域上離子和/或非離子殘余物腐蝕性定量測量的簡單的方法和設(shè)備。
本發(fā)明相關(guān)目的與優(yōu)點(diǎn)將從下面描述中變得顯而易見。


圖1表示根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的本發(fā)明的設(shè)備；圖2表示根據(jù)第二優(yōu)選實(shí)施例的本發(fā)明的設(shè)備；圖3表示根據(jù)第三優(yōu)選實(shí)施例的本發(fā)明的設(shè)備，其中提取室和測試室組合為一個(gè)提取測試部件。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的測試室電極部件；圖5是表示裸銅板腐蝕性測試結(jié)果的圖；圖6是表示鍍HASL板腐蝕性測試結(jié)果圖。
為了促進(jìn)本發(fā)明原理的理解，現(xiàn)將參考優(yōu)選實(shí)施例，并且特定語言將用于這些實(shí)施例。然而，應(yīng)明白不因此打算限制本發(fā)明的范圍，并且對(duì)于本發(fā)明相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員來說，所示裝置中的這樣的選擇與進(jìn)一步的修改以及其中所示的本發(fā)明原理的如此進(jìn)一步的應(yīng)用都是預(yù)料之中正常出現(xiàn)的。
如上所述，本發(fā)明提供用于定量測量出現(xiàn)在電子電路部件表面上殘余物腐蝕性效果的設(shè)備和方法。此設(shè)備和測試方法在電子硬件的制作與裝配期間用作處理控制方法，以測量從硬件表面上特定區(qū)域中清除的殘余物腐蝕性(電遷移)效果。
一般地，此設(shè)備在硬件表面區(qū)域(小于1平方英寸)上使用少量的加熱提取溶劑，并將此提取溶劑加到犧牲的電極上來測量陽極與陰極之間短路發(fā)生時(shí)的遷移時(shí)間(TM)，所得到的結(jié)果與溶劑標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較并與先前的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。
更具體地，優(yōu)選設(shè)備包括(1)提取室，用于給要測量的電子電路部件(“ECA”)區(qū)域加上提取液；(2)提取液，用于從要測量的ECA區(qū)域中提取殘余物；(3)測試室，具有兩個(gè)或多個(gè)電極和用于給至少一個(gè)電極加上電壓的裝置；和(4)用于測量從加上電壓到電極之間短路的時(shí)間的裝置。
一個(gè)優(yōu)選方法包括(1)在要測量的電子電路部件區(qū)域上放置提取室；(2)將提取液加入提取室，以便提取液接觸要測量的ECA區(qū)域；(3)保持提取液與要測量的ECA區(qū)域接觸足以從ECA區(qū)域中提取殘余物的時(shí)間，并因此生成含有殘余物的提取液；(4)將含有殘余物的提取液轉(zhuǎn)加到包括兩個(gè)或多個(gè)電極的測試室；(5)給至少一個(gè)電極加電壓；(6)測量加上電壓到電極之間短路之間的時(shí)間；和(7)使用遷移時(shí)間數(shù)作為含有殘余物的提取液中腐蝕殘余物數(shù)量的標(biāo)志。遷移時(shí)間數(shù)越快，出現(xiàn)在提取之后溶劑中的腐蝕殘余物水平越高。
現(xiàn)參照?qǐng)D1更詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施例，優(yōu)選設(shè)備包括提取室11，用于給要測量的ECA區(qū)域12加上提取液，并用于在進(jìn)行提取的同時(shí)保持提取液與ECA表面接觸。提取室11最好包括提取頭13，具有用于給提取頭內(nèi)部加上提取液的液體入口/注入點(diǎn)14；以及定位環(huán)(retaiher ring)15，保持提取液在定義的區(qū)域中并與電子電路部件接觸。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，溶劑分送系統(tǒng)用于給提取室11加入提取液。此溶劑分送系統(tǒng)最好包括保持提取液的容器18，和用于從容器中傳送提取液給提取室的泵19，也可提供加熱器(未示出)以便在使用之前加熱提取液。
如上所述，優(yōu)選設(shè)備也包括測試室21，用于通過測量提取的殘余物填滿陽極與陰極之間間隔并因此加上電流期間使測試室短路所需的時(shí)間來測量ECA區(qū)域腐蝕性。測試室21最好包括互連槽和外殼來支撐電極板。電極板由至少一對(duì)互相平行隔開特定距離的陽極和陰極組成。電壓源25用于給測試室加上電流，并且事件檢測器26用于測量穿過電極的電流。液體傳送線27給測試室21加上含有殘余物的提取液，最好利用第二液體泵28來傳送液體。
定時(shí)器(未示出)最好用于測量遷移事件的時(shí)間，即直至殘余物使金屬遷移、搭接間隔并使兩電極之間電路短接的時(shí)間。處理控制器可用于控制設(shè)備定時(shí)，包括溶劑加入和除去的定時(shí)以及加上電壓和遷移事件的定時(shí)。
每個(gè)電極最好為約2-3cm長和20mil厚，并且最好隔開約50mil.在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，電極由銅或銅/薄片制作，如本領(lǐng)域所熟知的其他電極一樣，當(dāng)然，可以使用較小，較大或不同的金屬電極和間隔，但應(yīng)認(rèn)識(shí)到這將對(duì)基本遷移時(shí)間有影響。
此方法中所使用的提取液的數(shù)量一般為約0.2-0.7ml，最好是0.5ml。液體最好加熱到約120°F與約160°F之間的溫度，優(yōu)選溫度最約140°F。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)到的，可以根據(jù)測試的特定項(xiàng)目使用全盤血漿較小或較大的數(shù)量。類似地，如果提取液有效地以較冷或較熱提取溫度從ECA表面提取要測量的殘余物，則可以使用這樣的溫度。
為了在進(jìn)行測量的同時(shí)支撐電子電路部件，最好使用平臺(tái)30。還有，可以使用鎖定裝置來支撐放置在平臺(tái)上的電子電路部件。
至于優(yōu)選方法，新的或正確清除的定位環(huán)首先放置在提取頭上，以致沒有來自定位環(huán)的污染能出現(xiàn)。電子電路部件(例如，電路板)隨后放置在可移動(dòng)的平臺(tái)上，確定測試區(qū)域并將平臺(tái)鎖定到區(qū)域中，將提取室放入?yún)^(qū)域并進(jìn)行鎖定。提取溶劑通過分送系統(tǒng)送入提取室，并且使提取溶劑保持與板表面接觸約5-7分鐘。在此提取時(shí)間期間，溶劑最好注入與吸出并加到板表面至少幾次。在提取之后，給測試室加入溶劑，以使含有殘余物的提取液接觸測試電極。給電極加上電壓，并啟動(dòng)定時(shí)器測量遷移事件(電極之間短路)時(shí)間。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，加入溶劑以便接觸要測量的ECA區(qū)域約2-5分鐘。在其他實(shí)施例中，使用1與10分鐘之間的提取時(shí)間?？梢允褂幂^短或較長提取時(shí)間，這主要取決于所選的提取液提取要測量的殘余物的速率。
最好使用2.0伏與10.0伏之間的電壓，而3.5伏是在過去測試的應(yīng)用中最佳的。加上電壓在電極之間產(chǎn)生短路所用的時(shí)間，通常為約3與8分鐘之間。
至于提取液，最優(yōu)選的液體是皂化消電離水。更一般地，優(yōu)選提取溶劑是將溶解助熔劑和部件殘余物并滲入標(biāo)準(zhǔn)ECA多孔表面的溶劑。這個(gè)ECA多孔表面包含來自板制作處理步驟的許多腐蝕和吸濕的殘余物，并且這些殘余物陷入外露的板疊層和焊劑罩區(qū)域中。優(yōu)選的提取液因此形成以溶解新的助熔劑殘余物、激活劑和制作殘余物，并且不完全溶解傳統(tǒng)的高固態(tài)松香助熔劑的有機(jī)固體。
另外，至于提取液，為了精確地只測量從ECA表面中清除的殘余物的腐蝕性效果，需要具有離子清潔的溶劑開始。因此，約99％的溶劑應(yīng)是消電離(DI)水，小于0.01(ppm)的腐蝕殘余物(氯化物，硫化物和溴化物)出現(xiàn)在溶劑中。還有，DI水應(yīng)具有約17.5-18.3兆歐的溶解阻抗來獲得適當(dāng)?shù)那鍧嵍鹊燃?jí)。DI水現(xiàn)在是離子消除的并變?yōu)闃O性溶劑。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，提取液也包括多達(dá)約5％的皂化劑，此皂化劑最好是包含非離子表面活化劑的單烯化合物(MEA)以便給溶劑提供低表面張力，MEA因此給定溶劑其負(fù)荷和溶解強(qiáng)度MEA是EPA優(yōu)選的化學(xué)制品(參見1996年9月EPA文件743-B-96-001“Aqueous and Semi-AqueousSolvent ChemicalsEnvironmentally Preferable Choices”)應(yīng)意識(shí)到接觸提取液的部件可以是可隨意處置的，尤其是定位塞尖和電極。液體最好通過Tygon或類似的管道傳送，以使污染和室壁退化最小或消除。
在一個(gè)實(shí)施例中，提取室和測試室使用溶劑傳送和清除系統(tǒng)，以便給要測量的ECA區(qū)域加入提取液，并在這之后給測試室加入提取的液體。優(yōu)選地，溶劑傳送和清除系統(tǒng)在提取期間進(jìn)行提取液循環(huán)至少入、出板幾次，最好是許多次，因此，如圖2所示，一個(gè)實(shí)施例包括具有溶劑傳送與清除系統(tǒng)32和定位塞尖33的測試頭31。
可以提供一個(gè)或多個(gè)排放管34，或者通過在溶劑傳送與清除系統(tǒng)周圍留有空間或利用諸如排放孔等的其他裝置在測試頭上開孔。
在另一優(yōu)選實(shí)施例中，提取室和測試室組合為一個(gè)提取測試室，最好包含在可隨意處置的塞尖中。在此實(shí)施例中，與先前描述的那些實(shí)施例一樣，組合的部件也可以包括用于從提取液中過濾要測量的殘余物的過濾器，以便液體可以濃縮在其殘余物水平上。
因此，如圖3所示，組合的提取/測試室部件最好包括溶劑傳送與清除系統(tǒng)41、離子保持樹脂過濾器42、過濾器外殼43、電極44與45以及定位器塞尖46。電極連到電壓源和事件檢測器(未示出)，如先前所述。
也應(yīng)意識(shí)到測試室可以包括多于1對(duì)的電極，以便可以同時(shí)測試ECA多個(gè)區(qū)域，或以便可以利用多于1個(gè)的測量測試ECA的一個(gè)區(qū)域，以提供那個(gè)區(qū)域上的殘余物水平的統(tǒng)計(jì)平均值。在這樣一個(gè)實(shí)施例中，測試室包括多個(gè)電極48a-h，和49a-h，如圖4所示。
最后，應(yīng)意識(shí)到本發(fā)明的設(shè)備可以僅用作提取工具，而利用復(fù)雜的諸如IC、HPLC等的解折方法來進(jìn)行分析。在此實(shí)施例中，僅優(yōu)選包括具有提取液傳送與清除系統(tǒng)的提取室。
在“僅有提取室”的實(shí)施例中，此設(shè)備用于提取腐蝕殘余物并將它提供給獨(dú)立的分析工具以便可以分析提取溶劑來量化溶劑中不同的離子種類和水平。因此，本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例給諸如離子色譜分析、HPLCICAP GS一主類型、CES和SEM/EDX的分析工具提供點(diǎn)提取器。本領(lǐng)域技術(shù)人員意識(shí)到這些工具如何可以結(jié)合在本發(fā)明，以提供比基本的測試室實(shí)施例能提供的甚至更為靈敏的分析。本領(lǐng)域技術(shù)人員也能意識(shí)到標(biāo)準(zhǔn)如何可以進(jìn)行研制并用于測量設(shè)備，以及將遷移的時(shí)間值變換為測量區(qū)域的腐蝕性殘余物水平。
現(xiàn)在將參考利用上述加工處理的特定示例。應(yīng)理解提供示例以便更完整地描述優(yōu)選實(shí)施例，而不是因此打算限制本發(fā)明的范圍。
示例1電子電路部件放置在并固定在支撐架上，提取室放在要測量的ECA區(qū)域上，并且此提取室鎖定在位置中。皂化水溶劑循環(huán)出入要測量的區(qū)域約2分鐘，在提取之后，含有殘余物的溶劑加到測試室電極之間的間隙中，并加上約3.5V的電壓。啟動(dòng)定時(shí)器并測量遷移時(shí)間(室短路的時(shí)間)。所得到的遷移時(shí)間與已知污染程度的遷移時(shí)間進(jìn)行比較，以確定所測量的ECA的污染水平。例如，在28.8mg/in2的板上利用5v電壓氯化物的量具有9秒的遷移時(shí)間，其中1.3mg/in2的氯化物水平具有88秒的遷移時(shí)間(用標(biāo)準(zhǔn)IPC TM-6540.2.3.28離子色譜分析測試方法對(duì)板進(jìn)行氯化物分析。)示例2和3包括裸銅板的部件放置并固定在支撐架上。對(duì)于每次測試，提取室在要測量的區(qū)域上，并且此室鎖定在位置中。皂化水溶劑循環(huán)出入要測量的區(qū)域約2分鐘。在提取之后，含有殘余物的溶劑加到測試室電極之間的空隙中，并加上約5伏的電壓。啟動(dòng)定時(shí)器并測量遷移時(shí)間(使測試室短路的時(shí)間)。所得到的遷移時(shí)間與已知污染程度的遷移時(shí)間進(jìn)行比較，以確定所測量的ECA的污染程度，結(jié)果如圖5所示。
圖5是具有以秒為單位的時(shí)間X軸和在加入提取液之后以歐姆為單位測量的FR-4疊層上金屬軌跡之間的電阻Y軸的線XY圖。線1(加粗黑線)表示3分鐘的測試時(shí)間期間在電極5伏偏置下的電阻變化的線(電極之間間隔50(mil)并且加入已在裸的未加工板上顯露2分鐘的提取溶劑)。然后，利用按離子色譜分析的離子分析的IPC TM650 2.3.28方法測試此板，并確定氯化物量。兩個(gè)軌跡之間的電阻以750000(ohm)開始并上升到1000000(ohm)，然后在48秒標(biāo)志處降到＜10000(ohm)，并且保持在這之下。兩個(gè)電極之間電阻的這個(gè)下降表示兩個(gè)電極之間銅橋路的信息，電阻的這個(gè)下降是一種電短路。
線2(加黑線)表示指示3分鐘測試時(shí)間期間在電極5伏偏置下的電阻變化的線(電極之間隔開50(mil)并且加入已在未處理的裸銅板上顯露2分鐘的提取液)，然后，按照利用離子色譜分析的離子分析的IPC TM 650.2.3.28方法測試此板，并確定氯化物量。兩個(gè)軌跡之間的電阻以＞3000000歐姆開始并穩(wěn)定在2000000歐姆之處，隨后在180秒標(biāo)記處下降至＜10000歐姆并保持在此之下。兩個(gè)電極之間的這個(gè)電阻下降表示兩個(gè)電極之間銅橋路的信息，電阻的這個(gè)下降是一種電短路?；咎崛∪軇⒃凇?20秒處引起短路。
兩個(gè)測試操作的解釋是遷移時(shí)間越短意味著一個(gè)板的提取液中比另一板的提取液中有更多的腐蝕殘余物。我們明白在一個(gè)板上與在另一板上出現(xiàn)的氯化物數(shù)量有大不同。這可通過利用離子色譜分析在臟板上所表示的氯化物的高水平與干凈板上所表示的低水平看出。
電極之間的短路將在提取液下面發(fā)生，但如果所有的變量保持恒定(電極金屬化、間隔、板材料、原始提取溶劑的電壓和電極的板的原始清潔度)并且不管任何污染物從板表面清除也只允許提取溶劑的清潔度變化，于是能進(jìn)行有關(guān)所提取的裸板清潔度的比較。短的遷移時(shí)間表示在大量的從使得短路更快發(fā)生的部件表面中清除的腐蝕污染物，長的遷移時(shí)間表示低水平的腐蝕污染物出現(xiàn)在提取溶劑中并且要比較長時(shí)間才引起短路。
示例4和5包括裸銅板的部件放置并固定在支撐架上。對(duì)于每次測試，提取室放置在要測量的區(qū)域上，并且提取室鎖定在位置中。皂化的水溶劑循環(huán)出入要測量的區(qū)域約2分鐘。在提取之后，包含殘余物和溶劑加入測試室電極之間的空隙中，并加上約5伏的電壓。啟動(dòng)定時(shí)器并測量遷移時(shí)間(使測試室短路的時(shí)間)。所得到的遷移時(shí)間與已知污染物量的遷移時(shí)間進(jìn)行比較，以確定所測量的ECA的污染物的量，結(jié)果如圖6所示。
示例4與5類似于上面示例2與3，但所提取的裸板是已調(diào)整的熱空氣焊料(“HASLed”)，而不只是裸銅板。板的離子色譜分析表示一個(gè)板的氯化物含量高，一個(gè)板的低。臟板的遷移時(shí)間與干凈板88秒相比相當(dāng)短(＜10秒)。
雖然本發(fā)明已進(jìn)行示意并在附圖和前面描述中詳細(xì)描述3，但這些特性認(rèn)為是示意性的而不是限制性的，應(yīng)理解僅表示和描述優(yōu)選實(shí)施例，而都落入本發(fā)明精神內(nèi)的所有變化和修改希望進(jìn)行保護(hù)。
權(quán)利要求
1.用于定量測量出現(xiàn)在電子電路部件表面上的殘余物的腐蝕性效果的一種方法，此方法包括a.將提取室放置在要測量的電子電路部件(“ECA”)區(qū)域上；b.將提取液加入所述提取室；c.利用所述提取液接觸要測量的ECA區(qū)域足以從ECA區(qū)域中提取殘余物并生成含有殘余物的液體的時(shí)間；d.將所述含有殘余物的液體加入包括兩個(gè)或多個(gè)電極的測試室，其中含有殘余物的液體至少加入到電極之間的空間中；e.給至少一個(gè)電極加上電壓；f.測量電壓加上到電極之間短路之間的時(shí)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括步驟將加上電壓到電極之間短路之間的所測量到的時(shí)間變換為從部件中提取的殘余物量的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述提取室和所述測試室組合為一個(gè)提取/測試室。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中允許所述提取液接觸所述ECA區(qū)域2分鐘到10分鐘之間的一個(gè)時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述電壓是在1.0V與5.0V之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述電壓是在3.0V與4.0V之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述提取液是皂化的消電離水。
8.用于定量測量出現(xiàn)在電子電路部件表面上殘余物的腐蝕性效果的一種設(shè)備，此設(shè)備包括(a)提取室，用于將提取液加入要測量的電子電路部件(“ECA”)區(qū)域中；(b)提取液，用于從要測量的ECA區(qū)域中提取殘余物；(c)測試室，具有第一電極和第二電極；所述測試室還具有用于給所述第一電極加上電壓的裝置；和(d)用于測量加上電壓到電極之間短路之間的時(shí)間的裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述提取室和所述測試室組合為一個(gè)提取/測試部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，還包括一個(gè)濾波器，保持所提取的殘余物并因而集中含有殘余物的提取液。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述提取液是皂化的消電離水。
12.用于定量測量出現(xiàn)在電子電路部件表面上殘余物的腐蝕性效果的一種方法，此方法包括a.將提取室放置在要測量的電子電路部件(“ECA”)區(qū)域上；b.將非離子提取液加入所述提取室；c.利用所述提取液接觸要測量的ECA區(qū)域足以從ECA區(qū)域中提取殘余物并生成含有殘余物液體的一個(gè)時(shí)間；d.將所述含有殘余物的液體加入用于測量出現(xiàn)在含有殘余物液體中殘余物的量的測試設(shè)備中；和e.利用所述測試設(shè)備測量出現(xiàn)在含有殘余物液體中殘余物的量。
全文摘要
確定電子電路部件上特定區(qū)域清潔度(根據(jù)腐蝕性)的一種方法和設(shè)備,其方法包括:(1)將提取室放在要測量的電子電路部件區(qū)域上;(2)將提取液加入提取室中;(3)利用提取液接觸要測量的區(qū)域足以從該區(qū)域中提取殘余物的一段時(shí)間;(4)將提取液傳送給包括兩個(gè)或多個(gè)電極的測試室;(5)給電極加上電壓;和(6)測量加上電壓與電極間短路之間的時(shí)間;其設(shè)備包括提取室(裝有提取液)、測試室(裝有電極和電壓源)以及定時(shí)器。
文檔編號(hào)H05K3/26GK1206831SQ98107079
公開日1999年2月3日 申請(qǐng)日期1998年2月23日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月24日
發(fā)明者T·L·慕森, D·O·鮑爾斯 申請(qǐng)人:污染研究實(shí)驗(yàn)室有限公司