專利名稱：形成介質(zhì)薄膜圖案和形成分層圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成介質(zhì)薄膜圖案的方法，和形成分層圖案的方法。本發(fā)明尤其涉及通過提起(lift-off)技術(shù)，形成低損耗介質(zhì)薄膜圖案的方法。另外，本發(fā)明較好地涉及形成由介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜構(gòu)成的分層圖案的方法，并構(gòu)成諸如高頻傳輸線、高頻諧振器、高頻電容元件等等的高頻器件。
構(gòu)成諸如高頻傳輸線、高頻諧振器、高頻電容元件等高頻器件的介質(zhì)薄膜需要低介質(zhì)損耗。為此，已經(jīng)使用諸如CVD、濺射、消蝕等技術(shù)來形成具有低介質(zhì)損耗的介質(zhì)薄膜。汽相淀積方法從未用于這種目的。未使用汽相淀積方法的一個(gè)原因是根據(jù)汽相淀積的技術(shù)，汽相淀積微粒的能量低(不多于大約leV)，從而難以堅(jiān)固地形成顯示低損耗的介質(zhì)薄膜。
已經(jīng)一般地設(shè)想，當(dāng)基片的溫度是室溫時(shí)，不能使用汽相淀積技術(shù)產(chǎn)生低損耗薄膜。為了使用汽相淀積技術(shù)得到低損耗薄膜，需要加熱基片，或利用離子、離子電鍍的幫助。但是，根據(jù)這些方法的每一種方法，基片必須被加熱到高溫。因?yàn)樵谔崞鸺夹g(shù)中所使用的光致抗蝕劑的耐熱性，使用提起技術(shù)形成低損耗薄膜曾經(jīng)是不可能的。
在基片上部分地形成由介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜構(gòu)成的分層圖案(布線圖案)的情況下，例如包含介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜，并構(gòu)成具有MIM(金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)的高頻電容元件的分層圖案，一般地，根據(jù)下面的方法生產(chǎn)分層圖案。
根據(jù)第一種方法，通過汽相淀積、濺射等等方法，在基片的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電薄膜作為下層。然后，通過CVD、濺射、消蝕等方法形成介質(zhì)薄膜。然后，通過汽相淀積、濺射等方法，形成導(dǎo)電薄膜，作為上層，由此，形成具有MIM結(jié)構(gòu)的分層薄膜。此后，在其上形成抗蝕圖案。通過蝕刻，去掉通過抗蝕圖案暴露的在不必要區(qū)域中的分層薄膜，以得到分層圖案。
第二種方法如下。首先，通過汽相淀積、濺射等等方法在基片的整個(gè)表面上形成導(dǎo)電薄膜，作為下層。此后，其上形成抗蝕圖案，僅僅蝕刻作為下層的導(dǎo)電薄膜，以做成所需的圖案。另外，在不需要導(dǎo)電薄膜的區(qū)域中預(yù)先形成抗蝕圖案。通過汽相淀積等等方法，通過抗蝕圖案，在基片的下層上形成導(dǎo)電薄膜?？刮g圖案上形成的導(dǎo)電薄膜與抗蝕圖案一起從基片分離。由此，使用提起技術(shù)，使作為下層的導(dǎo)電薄膜形成圖案。然后，通過CVD、濺射、消蝕等方法，在基片的整個(gè)表面上和形成圖案的導(dǎo)電薄膜上形成介質(zhì)薄膜，作為下層。在介質(zhì)薄膜上形成抗蝕圖案，并通過蝕刻，去掉不需要介質(zhì)薄膜的區(qū)域。另外，以和形成導(dǎo)電薄膜作為下層中使用的相同的方式，在介質(zhì)薄膜上形成導(dǎo)電薄膜，作為上層，并形成圖案。當(dāng)介質(zhì)薄膜和作為上層的導(dǎo)電薄膜形成圖案時(shí)，它們分別與作為下層的導(dǎo)電薄膜以及已經(jīng)形成圖案的介質(zhì)薄膜一起被配準(zhǔn)，然后被形成圖案，以具有相同的圖案。
但是，第一和第二種方法有問題，即，即使使用諸如RIE之類的干蝕刻，也無(wú)法高精度地蝕刻諸如Al2O3之類的介質(zhì)材料。為此，當(dāng)希望形成高精度介質(zhì)薄膜圖案時(shí)，可以使用這些方法中的任何一種介質(zhì)薄膜材料是非常有限的。在某些情況下，介質(zhì)薄膜材料可以通過離子研磨等機(jī)械方法，加以除去。但在這種情況下，對(duì)基底材料的損傷是一個(gè)問題。
至于能被蝕刻的介質(zhì)薄膜材料，蝕刻是昂貴的，這是因?yàn)橄刃纬煽刮g圖案，然后通過將抗蝕圖案用作掩模進(jìn)行蝕刻。尤其地，根據(jù)第二種方法，必須使抗蝕圖案三次形成圖案，這花費(fèi)巨大。
由于上述的原因，已經(jīng)需要一種單一的方法，使用提起技術(shù)形成低損耗介質(zhì)薄膜圖案或由低損耗介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜構(gòu)成的分層圖案。更具體地說，希望使用提起技術(shù)，生產(chǎn)由低損耗介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜構(gòu)成的分層圖案，在這種方法中，在真空條件下，將導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜一個(gè)接著一個(gè)汽相淀積在一個(gè)抗蝕圖案層上。
本發(fā)明可以解決傳統(tǒng)的技術(shù)中的上述有關(guān)問題，并提供一種使用提起技術(shù)，容易地形成分層圖案的方法，其中分層圖案由低損耗介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜構(gòu)成，并構(gòu)成諸如高頻傳輸線、高頻諧振器和高頻電容元件之類的高頻器件。
形成介質(zhì)薄膜圖案的方法，包含步驟通過汽相淀積方法，在其上具有抗蝕圖案的基片上淀積介質(zhì)薄膜，其中使用CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一種用作介質(zhì)薄膜的材料；并去掉抗蝕圖案，由此使介質(zhì)薄膜形成圖案。
在通過汽相淀積方法淀積介質(zhì)薄膜中所使用的基片的溫度最好不大于150℃。
形成介質(zhì)薄膜的方法，可進(jìn)一步包括將已經(jīng)形成圖案的介質(zhì)薄膜在150℃或以上的溫度中進(jìn)行熱處理的步驟。
為了描述本發(fā)明，在附圖中示出目前較佳的幾種形式，但是應(yīng)該知道，本發(fā)明不限于圖中所示的精密的安排和手段。


圖1A到1F是截面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成布線圖案的方法的具體處理步驟。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成介質(zhì)薄膜圖案的方法包含步驟在基片上淀積介質(zhì)薄膜，用汽相沉淀方法在其上形成抗蝕圖案，并將抗蝕圖案去掉，以形成有圖案的介質(zhì)薄膜，其中，用于介質(zhì)薄膜的材料至少是CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的一種。在這種情況下，可以使用電子束汽相沉淀、電阻加熱汽相沉淀、高頻感應(yīng)加熱知道鍍膜等等方法作為汽相沉淀方法。
通過發(fā)明人的大量學(xué)習(xí)，已經(jīng)確定，使用七種類型的材料，即，使用CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO，可以在室溫下通過汽相沉淀形成低損耗的介質(zhì)薄膜。相應(yīng)地，當(dāng)使用這些材料中的一種或多種形成介質(zhì)薄膜時(shí)，可以防止在薄膜形成過程中基片的溫度超過抗蝕圖案的耐熱溫度，而在薄膜形成時(shí)抗蝕圖案的熱變形或退化是可以避免的。
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明形成介質(zhì)薄膜圖案時(shí)，使用提起技術(shù)，可以在低于抗蝕圖案的耐熱溫度的基片溫度下形成低損耗介質(zhì)薄膜。另外，不能經(jīng)受蝕刻的介質(zhì)薄膜可以形成圖案。另外，和在形成介質(zhì)薄膜后形成抗蝕圖案的情況相比，本方法并不昂貴，并且介質(zhì)薄膜被形成圖案。
在形成介質(zhì)薄膜圖案的方法中，當(dāng)將介質(zhì)薄膜真空汽相沉淀在基片和抗蝕圖案過程中所使用的基片的溫度最好不大于150℃。
一般地，抗蝕圖案的耐熱溫度最高到150℃，因而，當(dāng)成膜過程中基片溫度達(dá)150℃時(shí)，可以避免抗蝕圖案的熱變形、退化等等。如上所述，使通過提起技術(shù)形成低損耗介質(zhì)薄膜成為可能。
在形成介質(zhì)薄膜圖案的方法中，在抗蝕圖案上的介質(zhì)薄膜與抗蝕圖案一起去掉后，介質(zhì)薄膜圖案最好在至少150℃的溫度下進(jìn)行熱處理。
還可以通過在使用提起技術(shù)形成介質(zhì)薄膜圖案后，在150℃或更高的溫度下通過介質(zhì)薄膜圖案的熱處理，進(jìn)一步改進(jìn)介質(zhì)薄膜圖案的介質(zhì)電損耗。較好地，在真空或氧氣環(huán)境中進(jìn)行加熱處理。具體地說，由于上述介質(zhì)薄膜材料中任何一種是氧化膜，故存在著包含在介質(zhì)薄膜中的氧氣將在熱處理的過程中被去掉的危險(xiǎn)。為了防止氧氣被除去，希望在氧氣環(huán)境中進(jìn)行熱處理。
將形成介質(zhì)薄膜圖案的方法適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合到形成包含介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜的分層薄膜的方法中。即，形成分層圖案的方法包含步驟在基片上形成抗蝕圖案；隨后將介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜淀積在具有抗蝕圖案的基片上；去掉抗蝕圖案，由此產(chǎn)生包含介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜的分層圖案，其中，可以將CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一種用作介質(zhì)薄膜的材料。
根據(jù)較好的方法，使用汽相沉淀方法形成導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜。由此，可以在同一汽相沉淀裝置中連續(xù)地形成導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜。即，可以通過提起技術(shù)，同時(shí)形成由導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜構(gòu)成的分層圖案。由此，根據(jù)這種方法，可以便宜地并且高精度地形成由導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜構(gòu)成的分層圖案。
在形成包含介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜的分層圖案的情況下，希望在真空或惰性氣體(諸如Ar，He，Ne，Xe，N2氣體)中進(jìn)行熱處理，從而導(dǎo)電薄膜不備氧化。
下面，將參照附圖，更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
參照?qǐng)D1A到1F，最好將負(fù)性光致抗蝕劑2a旋轉(zhuǎn)涂敷在諸如陶瓷基片、半導(dǎo)體基片上，如圖1A所示。然后，使用光刻處理，在光致抗蝕劑2a中形成圖案。在要形成布線圖案的區(qū)域中打開窗口3(圖1B)。在這種情況下，在形成圖案后，抗蝕圖案2具有倒錐形形狀以改進(jìn)提起性能。
然后，如圖1C所示，將基片1放置在電子束汽相沉淀裝置、電阻加熱汽相沉淀裝置或高頻感應(yīng)加熱處理汽相沉淀裝置的汽相沉淀室中，并設(shè)置在基片支持件上。然后，將基片溫度保持在150℃或更低的溫度(如果必要，基片支持件和基片用適當(dāng)?shù)睦鋮s方法，諸如冷卻水等等冷卻)。在室溫下，在真空中使導(dǎo)體(金屬)汽相淀積在基片1上(圖1C)。如上所述形成在基片1上的導(dǎo)電薄膜4可以由一層或多層構(gòu)成。
當(dāng)基片1位于真空汽相沉淀室時(shí)，將基片溫度保持在150℃或更低的溫度(如果必要，再次用諸如冷卻水等適當(dāng)?shù)睦鋮s裝置冷卻基片支持件和基片)，在真空中，在室溫下，將介質(zhì)薄膜5汽相淀積在基片1上(圖1D)。這種情況下所使用的介質(zhì)薄膜5可以由CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3或MgO制成。還可以使用其混合的成份或?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。
此后，當(dāng)將基片1放置在汽相沉淀室中時(shí)，將基片溫度保持在150℃或更低的溫度(如果必要，再次用諸如冷卻水等適當(dāng)?shù)睦鋮s方法冷卻基片支持件和基片)，在真空中，在室溫下，將導(dǎo)電金屬淀積在基片1上，由此在介質(zhì)薄膜5上形成導(dǎo)電薄膜6。導(dǎo)電薄膜6形成上層，并且可以由和形成為下層的導(dǎo)電薄膜4相同或不同的材料制成。
如上所述，包含下層導(dǎo)電薄膜4、介質(zhì)薄膜5和上層導(dǎo)電薄膜6的分層結(jié)構(gòu)形成在抗蝕圖案2上和抗蝕圖案2的窗口3中的基片1上。然后，將基片1浸入分離液中，這使位于抗蝕圖案2上的分層(4，5，6)與它的抗蝕圖案一起從基片1上分離，由此在基片1上形成包含導(dǎo)電薄膜4、介質(zhì)薄膜5和導(dǎo)電薄膜6的分層圖案7，它具有所要的圖案，用作諸如高頻傳輸線、高頻諧振器、高頻電容元件等等的高頻器件中的布線圖案。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)將CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的任何一種用作介質(zhì)材料時(shí)，對(duì)低損耗介質(zhì)薄膜的室溫下的汽相淀積是可能的，并且可以使用提起形成處理實(shí)現(xiàn)高頻低損耗介質(zhì)薄膜圖案。由于可以使用提起技術(shù)形成介質(zhì)薄膜，故MIM電容器的分層布線圖案、高頻傳輸線等等可以通過形成圖案一次和對(duì)抗蝕圖案的分離工作形成?？梢砸缘统杀拘纬砂橘|(zhì)薄膜的分層布線圖案。相反，很難通過例如傳統(tǒng)的金屬掩膜使50μm的一側(cè)形成圖案。如果將蝕刻用于形成圖案，必須進(jìn)行幾次抗蝕圖案處理和蝕刻處理。這種方法是昂貴的。
已經(jīng)描述了由導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜構(gòu)成的分層圖案。但是，不需要說明，本發(fā)明可以應(yīng)用于只使用介質(zhì)薄膜圖案的情況。另外，可以使用具有四層或更多層的分層圖案。
第一實(shí)施例下面，將描述通過上述方法，MIM電容器的形成，它由作為介質(zhì)薄膜的Sm2O3薄膜和作為陶瓷基片上的上層、下層導(dǎo)電薄膜的Cu薄膜構(gòu)成。
首先，將光致抗蝕劑涂敷到陶瓷基片上，其直徑為3英寸，薄膜厚度為5μm。使用光刻使光致抗蝕劑形成圖案，由此形成抗蝕劑圖案，它具有一側(cè)為50μm的開口。在這種情況下，設(shè)定光刻條件，從而抗蝕圖案采用充分倒錐形形狀，從而圖案可以被提起。
接著，將其上形成有抗蝕圖案的基片放置在汽相淀積裝置的真空汽相淀積室中。作為黏附層的Ti由電子束汽相淀積，薄膜厚度為50μm，并且相繼地，用電子束汽相淀積Cu，薄膜厚度為300nm，由此形成導(dǎo)電薄膜下層(下層電極)。在這種情況下，基片的溫度大約80℃。當(dāng)Cu層的厚度大時(shí)，基片溫度超過抗蝕圖案耐熱極限(150℃)。在這種情況下，必須用冷卻水等流過基片支持件來冷卻基片，以將基片的溫度保持在150℃或更低的溫度。
在導(dǎo)電薄膜形成為下層后，在真空中用電子束汽相淀積作為黏附層的Ti，不使基片暴露在大氣中(即，不將基片從汽相淀積室中取出)。另外，用電子束汽相淀積Sm2O3，薄膜厚度為200nm，由此形成介質(zhì)薄膜。在這種情況下，基片溫度大約80℃。當(dāng)Sm2O3薄膜的厚度大時(shí)，基片溫度變，從而超過了抗蝕圖案耐熱的極限(150℃)。在這種情況下，通過冷卻基片抑制基片溫度，并保持在150℃或以下。
類似地，用電子束將作為黏附層的Ti汽相淀積在Sm2O3上，薄膜厚度為50nm，而不將薄膜暴露在大氣中，即，當(dāng)它被保留在汽相淀積室中。然后，用電子束汽相淀積Cu，薄膜厚度為300nm，由此形成導(dǎo)電薄膜(導(dǎo)電薄膜上層)作為上層。在這種情況下，溫度是大約80℃。當(dāng)Cu薄膜上層的厚度大時(shí)，基片溫度變高，以致超過抗蝕圖案耐熱極限(150℃)。在這種情況下，通過冷卻基片抑制基片溫度，保持在150℃或更低的溫度。
此后，將基片從汽相淀積室中取出，并浸泡在丙酮中，并施加超聲波，由此淀積在抗蝕圖案上的不必要的Cu/Ti/Sm2O3/Ti/Cu/Ti通過提起技術(shù)與抗蝕圖案一起去掉。結(jié)果，做成MIM電容器，其中導(dǎo)電薄膜Cu分別形成在介質(zhì)薄膜(Sm2O3)的上層和下層。
此外，如上述形成在基片上的MIM電容器以后，將基片上的MIM電容器在200℃溫度中退火2小時(shí)。結(jié)果，進(jìn)一步改善了介質(zhì)薄膜(Sm2O3)的介質(zhì)損耗。
第二實(shí)施例下面將描述在陶瓷基片上形成高頻傳輸線的情況，其中高頻傳輸線由作為介質(zhì)薄膜的Sm2O3和作為放置在介質(zhì)薄膜的上層下層上的導(dǎo)電薄膜的Cu薄膜制成。
首先，將光致抗蝕劑涂敷到陶瓷基片上，直徑為3英寸，薄膜厚度為5μm。使用光刻技術(shù)在光致抗蝕劑上形成圖案，由此形成抗蝕圖案，它具有寬度為500μm，長(zhǎng)度為10mm的開口。在這種情況下，如此設(shè)置石印條件，從而抗蝕圖案采取倒錐形形狀，從而可以提起。
然后，將其上具有抗蝕圖案的基片放置在汽相淀積裝置的真空汽相淀積室內(nèi)。作為黏附層的Ti用電子束汽相淀積，薄膜厚度為50nm，不加熱基片，將抗蝕圖案用作掩模，然后用電子束汽相淀積Cu，薄膜厚度為1μm，由此形成導(dǎo)電薄膜下層(下電極)。在這種情況下，基片的溫度大約80℃。當(dāng)Cu層的厚度大時(shí)，基片溫度變高，從而超過了抗蝕圖案的耐熱極限(150℃)。在這種情況下，必須冷卻基片，即，使用冷卻水等等，其中冷卻水流過基片支持件，使基片溫度保持在150℃或更低溫度。
在如上所述形成導(dǎo)電薄膜作為下層后，在真空中用電子束汽相淀積Ti(它是黏附層)，薄膜厚度為50nm，其中不將基片暴露在大氣中(即，不將基片從真空汽相淀積室內(nèi)取出)。另外，用電子束汽相淀積Sm2O3，薄膜厚度為200nm，由此形成介質(zhì)薄膜。在這種情況下，基片溫度是大約80℃。當(dāng)Sm2O3薄膜的厚度大時(shí)，基片溫度變高，從而超過了抗蝕圖案的耐熱極限(150℃)。在這種情況下，并通過冷卻基片使基片溫度受到抑制，將溫度保持在150℃或更低的溫度。
類似地，在Sm2O3上用電子束汽相淀積作為黏附層的Ti，薄膜厚度為50nm，其中不使基片暴露在大氣中，即，將它保留在真空汽相淀積室內(nèi)。然后，用電子束汽相淀積Cu，薄膜厚度為1μm，由此形成作為上層的導(dǎo)電薄膜(上層電極)。在這種情況下，溫度是大約80℃。當(dāng)Cu薄膜上層厚度大時(shí)，基片溫度變高，超過了抗蝕圖案的耐熱極限(150℃)。在這種情況下，通過冷卻基片，抑制了基片溫度，并將溫度保持在150℃。
此后，從真空汽相淀積室內(nèi)取出基片，并將其浸泡在丙酮中，施加超聲波，由此淀積在抗蝕圖案上的不必要的Cu/Ti/Sm2O3/Ti/Cu/Ti和抗蝕圖案一起提起。結(jié)果，產(chǎn)生高頻傳輸線，其中導(dǎo)電薄膜Cu分別形成在介質(zhì)薄膜(Sm2O3)的上側(cè)和下側(cè)。
在如上所述在浸泡上形成高頻傳輸線后，形成在基片上的高頻傳輸線在200℃退火2小時(shí)。結(jié)果，進(jìn)一步改進(jìn)了介質(zhì)薄膜(Sm2O3)介質(zhì)損耗。
測(cè)試?yán)邮紫龋x擇除了在本發(fā)明中使用的七種介質(zhì)材料以外的材料SiO2和Ta2O5。這些材料通過室溫下的汽相淀積，形成為薄膜。結(jié)果如下SiO2∶tanδ＝10％
Ta2O5∶tanδ＝60％由此，在兩種情況下，產(chǎn)生具有大介質(zhì)損耗的介質(zhì)薄膜。
在通過濺射使SiO2和Ta2O5形成為薄膜的情況下，結(jié)果如下SiO2∶tanδ＝0.1％Ta2O5∶tanδ＝0.3％相應(yīng)地，通過濺射，可以生產(chǎn)具有小介質(zhì)損耗的介質(zhì)薄膜。
另一方面，使用上述七種介質(zhì)材料，通過室溫汽相淀積形成介質(zhì)薄膜。結(jié)果如下Al2O3∶tanδ＝0.8％Y2O3∶tanδ＝1.0％CeO2∶tanδ＝0.5-2.0％Sm2O3∶tanδ＝0.5-2.0％Dy2O3∶tanδ＝0.5-2.0％TiO2∶tanδ＝0.5-2.0％MgO∶tanδ＝0.5-2.0％這些值幾乎等于那些通過濺射得到的值。和通過相同的汽相淀積方法得到的值相比，介質(zhì)損耗顯著改進(jìn)。
雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，實(shí)現(xiàn)這里所揭示的原理的各種模式都在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)明白本發(fā)明的范圍只由權(quán)利要求限制。
權(quán)利要求
1.一種形成介質(zhì)薄膜的方法，其特征在于包含步驟通過汽相淀積的方法，在具有抗蝕圖案的基片上形成介質(zhì)薄膜，其中CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一種用作介質(zhì)薄膜的材料；以及去掉抗蝕圖案，由此在基片上形成構(gòu)成圖案的介質(zhì)薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的形成介質(zhì)薄膜圖案的方法，其特征在于在通過汽相淀積方法的介質(zhì)薄膜的淀積中所使用的基片的溫度不大于150℃。
3.如權(quán)利要求1所述的形成介質(zhì)薄膜圖案的方法，其特征在于還包含步驟使形成圖案的介質(zhì)薄膜在150℃或更高的溫度下進(jìn)行熱處理。
4.一種形成分層圖案的方法，其特征在于包含步驟通過汽相淀積方法，在其上具有抗蝕圖案的基片上，相繼淀積介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜，其中將CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一種用作介質(zhì)薄膜的材料；及去掉抗蝕圖案，由此產(chǎn)生包含介質(zhì)薄膜和導(dǎo)電薄膜的分層圖案。
5.如權(quán)利要求4所述的形成介質(zhì)薄膜圖案的方法，其特征在于在通過汽相淀積方法淀積介質(zhì)薄膜過程中所使用的基片的溫度不大于150℃。
6.如權(quán)利要求4所述的形成介質(zhì)薄膜圖案的方法，其特征在于還包含步驟使分層圖案在150℃或更高的溫度下進(jìn)行熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種形成介質(zhì)薄膜圖案的方法,包含步驟:通過汽相淀積方法,在其上具有抗蝕圖案的基片上淀積介質(zhì)薄膜,其中將CeO
文檔編號(hào)H05K3/46GK1255738SQ9912283
公開日2000年6月7日 申請(qǐng)日期1999年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月27日
發(fā)明者越戶義弘, 藤林桂, 豐田祐二, 大川忠行, 高橋亮一郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所