一種集成電路引線框架用復(fù)合材料及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種集成電路引線框架用復(fù)合材料及其 制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 引線框架材料是現(xiàn)代電子工業(yè)不可缺少的材料。引線框架材料的發(fā)展大致經(jīng)歷 了 Fe-Ni-Co可伐合金到FeNi42合金，再到銅合金的三個階段，三種材料的優(yōu)缺點見表1。 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，集成電路向小型化、微型化和薄片化方向發(fā)展，這對引線框架材料 的性能提出了更高的要求。即在具有高的強度、高的導(dǎo)電性，良好的導(dǎo)熱性以及與硅芯片 (3.5X10_7°C)良好的匹配性。
[0003] 表1三種引線框架材料比較
【主權(quán)項】
1. 一種集成電路引線框架用復(fù)合材料，其特征在于，包括三個組元層，成三明治結(jié)構(gòu)， 第一組元層和第三組元層為鐵鎳合金FeNi42,第二組元層為銅合金；按體積百分比分配 為：第一組元層占12?18%，第二組元層占64?76%，第三組元層占12?18%。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述的體積百分比為：第一組元層占 15%，第二組元層占70%，第三組元層占15%。
3. -種權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料的制備方法，具體步驟及參數(shù)如下： 1) 準(zhǔn)備體積比為12?18%的第一組元層，64?76%的第二組元層和12?18%的第 三組元層的材料坯料； 2) 將坯料通過復(fù)合軋機進行復(fù)合，復(fù)合壓下量為50?80% ; 3) 用罩式爐或連續(xù)退火爐進行擴散退火； 4) 將復(fù)合帶材進行精軋； 5) 將復(fù)合材料成品進行拉矯，按照實際要求對帶材進行分剪后包裝。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述的步驟3)中罩式爐退火工藝為， 在真空或者保護氣氛下加熱到700?900°C，保溫1?4h，爐冷到小于200°C出爐。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述的步驟3)中連續(xù)退火爐退火工 藝為在保護氣氛下，退火溫度為800°C?KKKTC，退火速度為0. 5?2m/min。
【專利摘要】一種集成電路引線框架用復(fù)合材料及其制造方法，屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。包括三個組元層，成三明治結(jié)構(gòu)，第一組元層和第三組元層為鐵鎳合金，即FeNi42，第二組元層為銅合金。按體積百分比分配為：第一組元層占12～18％，第二組元層占64～76％，第三組元層占12～18％。優(yōu)點在于，具有同硅芯片相匹配的膨脹系數(shù)，抗拉強度；成本比使用FeNi42合金降低了15％以上；具有較高的強度和較高的延伸率。
【IPC分類】H01L23-495, B32B15-01, B32B7-08
【公開號】CN104527157
【申請?zhí)枴緾N201410851968
【發(fā)明人】彭偉鋒, 張 榮, 張靜, 蔡凱洪, 于敏, 謝東輝, 李占青, 張樂
【申請人】北京北冶功能材料有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月31日