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      一種抗靜電單面涂硅pet離型膜的制造工藝的制作方法

      文檔序號(hào):8520628閱讀:517來(lái)源:國(guó)知局
      一種抗靜電單面涂硅pet離型膜的制造工藝的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝。
      【背景技術(shù)】
      [0002]PET離型膜就是以PET薄膜為基材,并在PET薄膜的表面涂上一層硅油,使PET薄膜的表面滑起來(lái),以降低PET薄膜表面的張力。達(dá)到離型的效果。
      [0003]PET離型膜是熱轉(zhuǎn)印常用到的一種材料,底材是PET,經(jīng)過(guò)涂布硅油而成所以也叫硅油膜。常規(guī)厚度從25um至150um。有冷熱撕和光啞面之分,經(jīng)過(guò)防靜電和防劃傷處理,產(chǎn)品具有很好的吸附性和貼合性。
      [0004]PET離型膜現(xiàn)已被廣泛應(yīng)包裝、印刷、絲印、移印、銘板、薄膜開(kāi)關(guān)、柔性線路、絕緣制品、線路板、激光防偽、貼合、電子、密封材料用膜、反光材料、防水材料、醫(yī)藥(膏藥用紙)、衛(wèi)生用紙、膠粘制品、模切沖型加工等行業(yè)領(lǐng)域。
      [0005]但是現(xiàn)有的離型膜抗靜電性能差,因此,亟需開(kāi)發(fā)一種抗靜電性能好的產(chǎn)品。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝。
      [0007]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案:
      [0008]本發(fā)明一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝,其包括以下步驟:
      [0009]I)將硅酸乙脂系涂料涂在基膜層上,形成抗靜電涂層;
      [0010]2)將導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂、改性樹(shù)脂、改性劑加工助劑、復(fù)合穩(wěn)定劑、潤(rùn)滑劑、增強(qiáng)劑
      5-30、顏料0.02-0.05、增韌劑5-8按重量份配制成漿料,一次均勻涂布于基膜的上表面;
      [0011]3)將涂布好的基膜經(jīng)過(guò)熱固化,光固化制備而成;
      [0012]所述熱固化的溫度為80-120度、時(shí)間為10-30S ;
      [0013]所述光固化的強(qiáng)度為80-120W/cm、劑量為100_400J/cm2、照射時(shí)間5-20S。
      [0014]進(jìn)一步地,在步驟(I)中,所述功能層按重量份數(shù)計(jì),包括以下成分:
      [0015]導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂50-70;
      [0016]改性樹(shù)脂30-50;
      [0017]改性劑加工助劑3-5;
      [0018]復(fù)合穩(wěn)定劑L 2-2;
      [0019]潤(rùn)滑劑1-2 ;
      [0020]增強(qiáng)劑5-30 ;
      [0021]顏料0.02-0.05;
      [0022]增韌劑5-8。
      [0023]本發(fā)明所達(dá)到的有益效果是:
      [0024]本發(fā)明由硅酸乙脂系構(gòu)成的抗靜電涂層具有良好的導(dǎo)電性,能夠把離型膜表面的靜電帶走,從而達(dá)到驅(qū)除靜電的效果,其除靜電的效果非常穩(wěn)定和極其良好。
      【具體實(shí)施方式】
      [0025]以下對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明,應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
      [0026]本發(fā)明一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝,其包括以下步驟:
      [0027]I)將硅酸乙脂系涂料涂在基膜層上,形成抗靜電涂層;
      [0028]2)將導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂、改性樹(shù)脂、改性劑加工助劑、復(fù)合穩(wěn)定劑、潤(rùn)滑劑、增強(qiáng)劑
      5-30、顏料0.02-0.05、增韌劑5-8按重量份配制成漿料,一次均勻涂布于基膜的上表面;
      [0029]3)將涂布好的基膜經(jīng)過(guò)熱固化,光固化制備而成;
      [0030]所述熱固化的溫度為80-120度、時(shí)間為10-30S ;
      [0031]所述光固化的強(qiáng)度為80-120W/cm、劑量為100_400J/cm2、照射時(shí)間5-20S。
      [0032]進(jìn)一步地,在步驟(I)中,所述功能層按重量份數(shù)計(jì),包括以下成分:
      [0033]導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂50-70;
      [0034]改性樹(shù)脂30-50 ;
      [0035]改性劑加工助劑3-5 ;
      [0036]復(fù)合穩(wěn)定劑1.2-2 ;
      [0037]潤(rùn)滑劑1-2 ;
      [0038]增強(qiáng)劑5-30 ;
      [0039]顏料0.02-0.05 ;
      [0040]增韌劑5-8。
      [0041]本發(fā)明由硅酸乙脂系構(gòu)成的抗靜電涂層具有良好的導(dǎo)電性,能夠把離型膜表面的靜電帶走,從而達(dá)到驅(qū)除靜電的效果,其除靜電的效果非常穩(wěn)定和極其良好。
      [0042]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝,其特征在于,包括以下步驟: 1)將硅酸乙脂系涂料涂在基膜層上,形成抗靜電涂層; 2)將導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂、改性樹(shù)脂、改性劑加工助劑、復(fù)合穩(wěn)定劑、潤(rùn)滑劑、增強(qiáng)劑5-30、顏料0.02-0.05、增韌劑5-8按重量份配制成漿料,一次均勻涂布于基膜的上表面; 3)將涂布好的基膜經(jīng)過(guò)熱固化,光固化制備而成; 所述熱固化的溫度為80-120度、時(shí)間為10-30S ; 所述光固化的強(qiáng)度為80-120W/cm、劑量為100-400J/cm2、照射時(shí)間5-20S。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝,其特征在于,在步驟(I)中,所述功能層按重量份數(shù)計(jì),包括以下成分: 導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂50-70; 改性樹(shù)脂30-50 ; 改性劑加工助劑3-5; 復(fù)合穩(wěn)定劑1.2-2 ; 潤(rùn)滑劑1-2 ; 增強(qiáng)劑5-30 ;顏料 0.02-0.05 ; 增韌劑5-8。
      【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種抗靜電單面涂硅PET離型膜的制造工藝,其包括以下步驟:1)將硅酸乙脂系涂料涂在基膜層上,形成抗靜電涂層;2)將導(dǎo)電聚合物樹(shù)脂、改性樹(shù)脂、改性劑加工助劑、復(fù)合穩(wěn)定劑、潤(rùn)滑劑、增強(qiáng)劑5-30、顏料0.02-0.05、增韌劑5-8按重量份配制成漿料,一次均勻涂布于基膜的上表面;3)將涂布好的基膜經(jīng)過(guò)熱固化,光固化制備而成;所述熱固化的溫度為80-120度、時(shí)間為10-30S;所述光固化的強(qiáng)度為80-120W/cm、劑量為100-400J/cm2、照射時(shí)間5-20S。本發(fā)明由硅酸乙脂系構(gòu)成的抗靜電涂層具有良好的導(dǎo)電性,能夠把離型膜表面的靜電帶走,從而達(dá)到驅(qū)除靜電的效果,其除靜電的效果非常穩(wěn)定和極其良好。
      【IPC分類】B32B27-18, B32B37-06, B32B27-06, B32B27-36, B32B33-00
      【公開(kāi)號(hào)】CN104842611
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510099124
      【發(fā)明人】顧明
      【申請(qǐng)人】無(wú)錫市中星工業(yè)膠帶有限公司
      【公開(kāi)日】2015年8月19日
      【申請(qǐng)日】2015年3月6日
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